本申請(qǐng)的實(shí)施方式涉及液處理裝置。

背景技術(shù)：

以往，作為對(duì)半導(dǎo)體晶圓、玻璃基板等基板進(jìn)行液處理的液處理裝置，公知有單張式的液處理裝置。單張式的液處理裝置具備：基板保持部，其保持例如基板的外周部而使基板旋轉(zhuǎn)；供給部，其向保持于基板保持部的基板的上表面供給處理液。

在這樣的液處理裝置中，期望的是減少已供給到基板的上表面的處理液向下表面的蔓延。因此，近年來，提出了一種液處理裝置，在該液處理裝置中，使基板支承于沿著基板的周向延伸的傾斜面而使基板的下表面與傾斜面在基板的大致整周上接觸，從而抑制處理液從基板的上表面向下表面蔓延。

然而，在基板翹曲了的情況下，在基板與傾斜面之間產(chǎn)生微小的間隙，處理液有可能從該間隙向基板的下表面?zhèn)嚷印Ｒ虼?，在上述的液處理裝置中，存在在處理后的基板的下表面周緣部產(chǎn)生液體殘留的情況。

另一方面，在專利文獻(xiàn)1中公開了一種液處理裝置，其中，在傾斜面設(shè)置有多個(gè)球面狀的支承構(gòu)件，使用該支承構(gòu)件來支承基板。具體而言，球面狀的支承構(gòu)件以支承基板的下表面上的、距外周緣的距離為1mm～2mm的靠中心側(cè)的位置的方式配置。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-93190號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的構(gòu)造中，在以例如基板的圖案形成面為下表面來進(jìn)行液處理的情況下，也有可能無法精度良好地放置基板、引起支承構(gòu)件與圖案形成面之間的干涉。

實(shí)施方式的一技術(shù)方案的目的在于提供一種能夠精度良好地放置基板、同時(shí)減少基板的下表面上的液體殘留的液處理裝置。

用于解決問題的方案

實(shí)施方式的一技術(shù)方案的液處理裝置具備傾斜部、多個(gè)支承構(gòu)件、處理液供給部以及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。傾斜部配置于基板的下方，具有從基板的外側(cè)朝向基板的內(nèi)側(cè)下傾且沿著基板的周向延伸的傾斜面。多個(gè)支承構(gòu)件相對(duì)于傾斜面突出地設(shè)置，從下方支承基板。處理液供給部向支承到多個(gè)支承構(gòu)件的基板的上表面供給處理液。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使傾斜部旋轉(zhuǎn)。另外，多個(gè)支承構(gòu)件具有從基板的外側(cè)朝向基板的內(nèi)側(cè)延伸的細(xì)長(zhǎng)形狀。

發(fā)明的效果

根據(jù)實(shí)施方式的一技術(shù)方案，能夠精度良好地放置基板、同時(shí)減少基板的下表面上的液體殘留。

附圖說明

圖1是表示本實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是用于說明處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是把持部和升降銷的動(dòng)作說明圖。

圖4是旋轉(zhuǎn)板的立體圖。

圖5是旋轉(zhuǎn)板的俯視圖。

圖6是圖5中的a-a線剖視圖。

圖7是圖5中的h1部的放大圖。

圖8是圖7中的b-b線向視剖視圖。

圖9是圖5中的h2部的放大圖。

圖10是圖9中的c-c線向視剖視圖。

圖11是圖9中的d-d線向視剖視圖。

圖12是將本實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)板的與晶圓接觸的接觸部分放大的示意剖視圖。

圖13是表示第1變形例的干燥促進(jìn)處理的動(dòng)作例的圖。

圖14是表示第2變形例的干燥促進(jìn)處理的動(dòng)作例的圖。

圖15是表示第2變形例的干燥促進(jìn)處理的動(dòng)作例的圖。

圖16是表示第3變形例的整流板的結(jié)構(gòu)的圖。

圖17是表示第4變形例的支承構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的圖。

附圖標(biāo)記說明

w、晶圓；16、處理單元；23、晶圓保持旋轉(zhuǎn)部；23p、旋轉(zhuǎn)板；61、第1平坦部；62、傾斜部；63、第2平坦部；64、第1缺口部；65、第2缺口部；66、支承構(gòu)件；67、墊高部。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，詳細(xì)地說明本申請(qǐng)所公開的液處理裝置的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明并不被以下所示的實(shí)施方式限定。

圖1是表示本實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。以下，為了使位置關(guān)系清楚，對(duì)互相正交的x軸、y軸及z軸進(jìn)行規(guī)定，將z軸正方向設(shè)為鉛垂朝上方向。

如圖1所示，基板處理系統(tǒng)1包括輸入輸出站2和處理站3。輸入輸出站2和處理站3相鄰地設(shè)置。

輸入輸出站2包括承載件載置部11和輸送部12。在承載件載置部11上可載置多個(gè)承載件c，該多個(gè)承載件c用于將多張基板、在本實(shí)施方式中為半導(dǎo)體晶圓(以下稱作晶圓w)以水平狀態(tài)收納。

輸送部2與承載件載置部11相鄰地設(shè)置，在輸送部12的內(nèi)部具有基板輸送裝置13和交接部14?；遢斔脱b置13具有用于保持晶圓w的晶圓保持機(jī)構(gòu)。另外，基板輸送裝置13能夠在水平方向和鉛垂方向上移動(dòng)并以鉛垂軸線為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其使用晶圓保持機(jī)構(gòu)在承載件c與交接部14之間輸送晶圓w。

處理站3與輸送部12相鄰地設(shè)置。處理站3包括輸送部15和多個(gè)處理單元16。多個(gè)處理單元16以排列在輸送部15的兩側(cè)的方式設(shè)置。

輸送部15在內(nèi)部具有基板輸送裝置17。基板輸送裝置17具有用于保持晶圓w的晶圓保持機(jī)構(gòu)。另外，基板輸送裝置17能夠在水平方向和鉛垂方向上移動(dòng)并以鉛垂軸線為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其使用晶圓保持機(jī)構(gòu)在交接部14與處理單元16之間輸送晶圓w。

處理單元16用于對(duì)由基板輸送裝置17輸送過來的晶圓w進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的基板處理。

另外，基板處理系統(tǒng)1包括控制裝置4?？刂蒲b置4例如是計(jì)算機(jī)，其包括控制部18和存儲(chǔ)部19。在存儲(chǔ)部19中存儲(chǔ)有用于對(duì)在基板處理系統(tǒng)1中執(zhí)行的各種處理進(jìn)行控制的程序?？刂撇?8通過讀取并執(zhí)行被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部19中的程序來控制基板處理系統(tǒng)1的動(dòng)作。

此外，該程序既可以是存儲(chǔ)在可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中的程序，也可以是從該存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到控制裝置4的存儲(chǔ)部19中的程序。作為可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存在例如硬盤(hd)、軟盤(fd)、光盤(cd)、光磁盤(mo)以及存儲(chǔ)卡等。

在如所述那樣構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)1中，首先，輸入輸出站2的基板輸送裝置13將晶圓w自載置于承載件載置部11的承載件c取出，并將取出后的晶圓w載置于交接部14。利用處理站3的基板輸送裝置17將被載置于交接部14的晶圓w自交接部14取出并將其輸入到處理單元16中。

在利用處理單元16對(duì)被輸入到處理單元16中的晶圓w進(jìn)行處理之后，利用基板輸送裝置17將該晶圓w自處理單元16輸出并將其載置于交接部14。然后，利用基板輸送裝置13將載置于交接部14的處理完成后的晶圓w返回到載置部11的承載件c。

＜處理單元的結(jié)構(gòu)>

接著，參照?qǐng)D2說明處理單元16的結(jié)構(gòu)。圖2是用于說明處理單元16的結(jié)構(gòu)的圖。

如圖2所示，處理單元16具備：大致方形的殼體21；大致圓筒形狀的杯部22，其設(shè)置于殼體21內(nèi)的大致中央部，上表面開口；晶圓保持旋轉(zhuǎn)部23，其配置于杯部22的內(nèi)側(cè)，能夠保持晶圓w并且使晶圓w旋轉(zhuǎn)；刷子24，其向保持于晶圓保持旋轉(zhuǎn)部23的晶圓w供給處理液，并且與晶圓w的上表面接觸而對(duì)晶圓w的上表面進(jìn)行清洗。

在殼體21，形成有用于利用基板輸送裝置17(參照?qǐng)D1)將晶圓w相對(duì)于殼體21輸入輸出的未圖示的輸送口。在輸送口設(shè)置有未圖示的開閉器，在輸入輸出時(shí)，開閉器打開，在處理時(shí)開閉器關(guān)閉，輸送口關(guān)閉。

杯部22接住向晶圓w供給的處理液，從未圖示的排出通路排出處理液。

晶圓保持旋轉(zhuǎn)部23具有：旋轉(zhuǎn)軸23s，其與配置于殼體21的下方的馬達(dá)m連接而旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)板23p，其下表面的大致中央部安裝于旋轉(zhuǎn)軸23s。此外，馬達(dá)m和旋轉(zhuǎn)軸23s相當(dāng)于“旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)”的一個(gè)例子。

在旋轉(zhuǎn)軸23s形成有貫通該旋轉(zhuǎn)軸23s的中央部的導(dǎo)管23c。導(dǎo)管23c經(jīng)由閥等流量調(diào)整機(jī)構(gòu)25與n2氣體供給源26連接。在晶圓保持旋轉(zhuǎn)部23的旋轉(zhuǎn)板23p與由晶圓保持旋轉(zhuǎn)部23保持的晶圓w之間形成有空間，通過了導(dǎo)管23c的n2氣體從導(dǎo)管23c的上端向該空間流出，朝向外周流動(dòng)。若晶圓保持旋轉(zhuǎn)部23和晶圓w旋轉(zhuǎn)，則旋轉(zhuǎn)板23p與晶圓w之間的空間相比于晶圓w上方的空間成為負(fù)壓。這樣一來，晶圓w的中心部撓曲，晶圓w的上表面的平坦性惡化，另外，液處理的均勻性也可能惡化。不過，向該空間供給了n2氣體，因此，可抑制晶圓w的中心部的撓曲。另外，n2氣體從旋轉(zhuǎn)板23p與晶圓w之間的空間吹出，因此，可獲得減少向晶圓w的上表面供給的處理液附著于下表面的效果。

此外，從導(dǎo)管23c供給的氣體并不限于n2氣體，也可以是氬氣等其他非活性氣體、干燥空氣等。導(dǎo)管23c、流量調(diào)整機(jī)構(gòu)25以及n2氣體供給源26相當(dāng)于氣體供給部的一個(gè)例子。

刷子24由可在水平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)且可上下運(yùn)動(dòng)的臂24a支承。在臂24a內(nèi)形成有供向晶圓w供給的處理液流動(dòng)的導(dǎo)管24c。導(dǎo)管24c經(jīng)由閥等流量調(diào)整機(jī)構(gòu)27與處理液供給源28連接。臂24a轉(zhuǎn)動(dòng)并下降，刷子24與晶圓w的上表面接觸的同時(shí)(或稍靠前)、來自處理液供給源28的處理液(例如脫離子水)在導(dǎo)管24c內(nèi)流動(dòng)，從設(shè)置于刷子24的基端的開口24b向晶圓w的上表面供給。由此，通過刷子24與晶圓w的上表面接觸，對(duì)晶圓w的上表面進(jìn)行清洗，并且，能夠利用處理液對(duì)由刷子24去除了的微粒、殘留物等進(jìn)行沖洗。

在本實(shí)施方式中，晶圓w以使圖案形成面朝向下方的狀態(tài)被把持部23g把持，利用刷子24對(duì)與圖案形成面相反的一側(cè)的面進(jìn)行處理。

此外，在此，設(shè)為處理單元16具備刷子24，但也可以是，處理單元16還具備向晶圓w的上表面噴出處理液的噴嘴。

旋轉(zhuǎn)板23p是具有圓板形狀的構(gòu)件，配置于晶圓w的下方。在旋轉(zhuǎn)板23p的周緣部設(shè)置有多個(gè)(圖2中，僅圖示1個(gè))把持部23g，多個(gè)把持部23g通過按壓晶圓w的周緣部來從側(cè)方把持晶圓w。

各把持部23g具有：桿構(gòu)件23l，其可繞轉(zhuǎn)動(dòng)軸23t轉(zhuǎn)動(dòng)；把持片23a，其通過隨著桿構(gòu)件23l的轉(zhuǎn)動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)，從而能夠與晶圓w的周緣部接觸。在各桿構(gòu)件23l的下方設(shè)置有可與桿構(gòu)件23l的一端抵接的頂板41。頂板41沿著水平方向延伸，在鉛垂方向上被圍坐的多個(gè)支柱構(gòu)件42從下方支承。多個(gè)支柱構(gòu)件42被沿著水平方向延伸的臂構(gòu)件43從下方支承，臂構(gòu)件43利用升降機(jī)構(gòu)44進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)。

另外，在旋轉(zhuǎn)板23p的周緣部設(shè)置有多個(gè)(圖2中僅圖示1個(gè))升降銷23h，該升降銷23h在與基板輸送裝置17(參照?qǐng)D1)之間進(jìn)行晶圓w的交接之際、從下方支承晶圓w的周緣部而使晶圓w上下運(yùn)動(dòng)。升降銷23h沿著鉛垂方向延伸，被沿著水平方向延伸的臂構(gòu)件51支承。臂構(gòu)件51利用升降機(jī)構(gòu)52進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)。

在此，參照?qǐng)D3說明上述的把持部23g和升降銷23h的動(dòng)作。圖3是把持部23g和升降銷23h的動(dòng)作說明圖。

如圖3所示，在晶圓w的輸入時(shí)，頂板41利用升降機(jī)構(gòu)44向上方移動(dòng)，將把持部23g的桿構(gòu)件23l的一端向上方頂起。因此，設(shè)置于桿構(gòu)件23l的另一端的把持片23a向外方傾斜。另外，在晶圓w的輸入時(shí)，升降銷23h利用升降機(jī)構(gòu)52向上方移動(dòng)，成為配置于比旋轉(zhuǎn)板23p高的位置的狀態(tài)。

輸入到殼體21的晶圓w從基板輸送裝置17向升降銷23h交接。之后，若升降銷23h下降到預(yù)定位置，則頂板41下降。由此，頂板41與桿構(gòu)件23l之間的接觸狀態(tài)被解除，桿構(gòu)件23l以轉(zhuǎn)動(dòng)軸23t為中心轉(zhuǎn)動(dòng)，與此相伴把持片23a按壓于晶圓w的周緣部。通過多個(gè)把持部23g的把持片23a按壓晶圓w的周緣部，晶圓w被把持。在該狀態(tài)下，若馬達(dá)m旋轉(zhuǎn)，則旋轉(zhuǎn)板23p和安裝到旋轉(zhuǎn)板23p的把持部23g旋轉(zhuǎn)，在旋轉(zhuǎn)板23p上被把持部23g把持著的晶圓w旋轉(zhuǎn)。

＜旋轉(zhuǎn)板的結(jié)構(gòu)>

接著，使用圖4和圖5說明旋轉(zhuǎn)板23p的結(jié)構(gòu)。圖4是旋轉(zhuǎn)板23p的立體圖，圖5是旋轉(zhuǎn)板23p的俯視圖。

如圖4和圖5所示，旋轉(zhuǎn)板23p具備第1平坦部61、傾斜部62以及第2平坦部63。

第1平坦部61具有直徑比晶圓w的直徑小的圓板形狀。在第1平坦部61的中央部，設(shè)置有用于向晶圓w的下表面供給n2氣體的開口部61a。

傾斜部62與第1平坦部61的外周緣連接地配置。傾斜部62具有比晶圓w的直徑大的直徑，并具有從晶圓w的外側(cè)(第2平坦部63)朝向晶圓w的內(nèi)側(cè)(第1平坦部61)下傾的傾斜面。該傾斜面沿著晶圓w的周向延伸。具體而言，傾斜部62的傾斜面設(shè)置于第1平坦部61的外周緣的整周上。第2平坦部63具有與傾斜部62的外周緣連接的平坦面。

另外，旋轉(zhuǎn)板23p具備多個(gè)第1缺口部64、多個(gè)第2缺口部65、多個(gè)支承構(gòu)件66以及多個(gè)墊高部67。

多個(gè)第1缺口部64是將旋轉(zhuǎn)板23p的外周緣中的與多個(gè)把持片23a相對(duì)應(yīng)的各部分朝向徑向內(nèi)側(cè)去除而成的。第1缺口部64到達(dá)傾斜部62的傾斜面的中途部。把持部23g的把持片23a可配置于該第1缺口部64。

多個(gè)第2缺口部65是將旋轉(zhuǎn)板23p的外周緣中的與多個(gè)升降銷23h相對(duì)應(yīng)的各部分朝向徑向內(nèi)側(cè)去除而成的。第2缺口部65比第1缺口部64大，到達(dá)傾斜部62的傾斜面的下部。升降銷23h經(jīng)由該第2缺口部65進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)。

此外，在本實(shí)施方式中，示出了3個(gè)第1缺口部64和3個(gè)第2缺口部65在旋轉(zhuǎn)板23p的外周部上隔開預(yù)定的間隔而交替地配置的情況的例子，但多個(gè)第1缺口部64和第2缺口部65的個(gè)數(shù)、配置并不限定于上述的例子。

多個(gè)支承構(gòu)件66相對(duì)于傾斜部62的傾斜面突出地設(shè)置，從下方支承晶圓w的周緣部。該支承構(gòu)件66具有從晶圓w的外側(cè)朝向內(nèi)側(cè)、具體而言沿著第1平坦部61(換言之，晶圓w)的徑向延伸的細(xì)長(zhǎng)形狀。

在此，參照?qǐng)D6說明支承構(gòu)件66的結(jié)構(gòu)。圖6是圖5中的a-a線剖視圖。

如圖6所示，支承構(gòu)件66具有以與傾斜部62的傾斜面62a相同的角度傾斜的傾斜面66a，在該傾斜面66a處支承晶圓w。支承構(gòu)件66的傾斜面66a相對(duì)于傾斜部62的傾斜面62a的突出高度d1設(shè)定成可防止微粒從晶圓w的上表面?zhèn)冗M(jìn)入且將蔓延到晶圓w的下表面的處理液適度地排出的高度。例如，在從旋轉(zhuǎn)板23p的底面(第1平坦部61的上表面)到平坦面63a的高度是5mm時(shí)，突出高度d1設(shè)定成0.3mm左右的高度。

另外，支承構(gòu)件66具有傾斜面66a和與第2平坦部63的平坦面63a連接的平坦面66b。平坦面66b設(shè)置于與第2平坦部63的平坦面63a相同的高度。

圖7是圖5中的h1部的放大圖。另外，圖8是圖7中的b-b線向視剖視圖。如圖7和圖8所示，多個(gè)支承構(gòu)件66中的兩個(gè)與第1缺口部64相鄰地配置于第1缺口部64的周向兩側(cè)。

圖9是圖5中的h2部的放大圖。另外，圖10是圖9中的c-c線向視剖視圖，圖11是圖9中的d-d線向視剖視圖。

如圖9和圖10所示，多個(gè)支承構(gòu)件66中的兩個(gè)也與第2缺口部65相鄰地配置于第2缺口部65的周向兩側(cè)。

另外，如圖9和圖11所示，在旋轉(zhuǎn)板23p的比第2缺口部65靠徑向內(nèi)側(cè)的位置設(shè)置有對(duì)傾斜部62的傾斜面62a的一部分和第1平坦部61的平坦面61b的一部分進(jìn)行墊高的墊高部67。

墊高部67與第2缺口部65和設(shè)置于第2缺口部65的兩側(cè)的兩個(gè)支承構(gòu)件66連接。具體而言，墊高部67具有：平坦面67a，其與設(shè)置于第2缺口部65的兩側(cè)的兩個(gè)支承構(gòu)件66的各傾斜面66a連接；傾斜面67b，其與平坦面67a和第1平坦部61的平坦面61b連接。

墊高部67中的平坦面67a的相對(duì)于第1平坦部61的平坦面61b的墊高高度d2設(shè)定成平坦面67a不與晶圓w的下表面接觸的高度。具體而言，墊高部67的平坦面67a的外周緣位于比晶圓w的外周緣靠徑向內(nèi)側(cè)的位置，晶圓w在比墊高部67的平坦面67a高的位置處支承于支承構(gòu)件66的傾斜面66a。

＜支承構(gòu)件的作用>

接著，說明上述的支承構(gòu)件66的作用。圖12是將本實(shí)施方式的旋轉(zhuǎn)板23p的與晶圓w接觸的接觸部分放大的示意剖視圖。

假設(shè)，使晶圓w與傾斜部62的傾斜面62a接觸而直接支承，利用傾斜面堵塞從晶圓w的上表面?zhèn)鹊较卤砻鎮(zhèn)鹊穆窂?。通過設(shè)為該結(jié)構(gòu)，可獲得抑制處理液l向晶圓w的下表面?zhèn)嚷拥男ЧＨ欢?，在晶圓w翹曲了的情況下，處理液有可能從在晶圓w與傾斜面之間產(chǎn)生的微小的間隙向晶圓w的下表面?zhèn)嚷印?/p>

處理單元在使用處理液來對(duì)晶圓w進(jìn)行了處理之后、進(jìn)行使晶圓w高速旋轉(zhuǎn)而利用離心力將殘存于晶圓w的處理液去除的干燥處理。然而，蔓延到晶圓w的下表面?zhèn)鹊奶幚硪弘y以從由于晶圓w的翹曲而產(chǎn)生的微小的間隙排出，易于殘存于晶圓w的下表面?zhèn)取Ｒ蚨?，在以往的液處理裝置中，有可能在處理后的晶圓w的下表面周緣部產(chǎn)生液體殘留。

與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的處理單元16中，如圖12所示，使晶圓w支承于從傾斜部62的傾斜面62a突出地設(shè)置的傾斜面66a。由此，在晶圓w與傾斜面62a之間設(shè)置有恒定的間隙，因此，能夠利用傾斜部62一定程度地防止處理液l向晶圓w的下表面?zhèn)鹊穆?、并且利用隨著晶圓w的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力和n2氣體的作用將蔓延到晶圓w的下表面?zhèn)鹊奶幚硪簂從該間隙向晶圓w的外方效率良好地排出。

另外，本實(shí)施方式的支承構(gòu)件66具有從晶圓w的外側(cè)朝向內(nèi)側(cè)延伸的細(xì)長(zhǎng)形狀，因此，在局部上觀察時(shí)，利用細(xì)長(zhǎng)形狀的平面以點(diǎn)接觸支承晶圓w的下表面周緣部的曲面。因而，即使是在如本實(shí)施方式那樣晶圓w的圖案形成面朝向下面的情況下，也能夠以與沒有形成圖案的部分即晶圓w的下表面周緣部接觸的方式使晶圓w精度良好地放置于支承構(gòu)件66。因而，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)防止例如圖案形成面與支承構(gòu)件66之間的干涉等不良情況。

因而，根據(jù)本實(shí)施方式的處理單元16，能夠精度良好地放置晶圓w、并且減少晶圓w的下表面上的液體殘留。

另外，若僅設(shè)置支承構(gòu)件66，則在第1缺口部64和第2缺口部65的周邊，與晶圓w之間的間隙有可能變大到所需以上。在該情況下，從導(dǎo)管23c(參照?qǐng)D2)向晶圓w的下表面供給的n2氣體的流速在第1缺口部64和第2缺口部65的周邊相比于其他部分變低，微粒易于從第1缺口部64和第2缺口部65的周邊等進(jìn)入。

因此，在本實(shí)施方式的處理單元16中，將兩個(gè)支承構(gòu)件66分別配置于第1缺口部64的周向兩側(cè)和第2缺口部65的周向兩側(cè)。由此，第1缺口部64的周邊和第2缺口部65的周邊的n2氣體的流速的降低受到抑制，因此，能夠抑制微粒等從第1缺口部64的周邊和第2缺口部65的周邊進(jìn)入。

另外，第2缺口部65形成得比第1缺口部64大，因此，存在第2缺口部65的周邊的n2氣體的流速的降低相比于第1缺口部64的周邊的n2氣體的流速的降低變大的可能性。因此，在本實(shí)施方式的處理單元16中，利用墊高部67對(duì)位于比第2缺口部65靠徑向內(nèi)側(cè)的部分進(jìn)行墊高。由此，位于比第2缺口部65靠徑向內(nèi)側(cè)的部分處的與晶圓w之間的間隙變小，因此，能夠進(jìn)一步抑制第2缺口部65的周邊的n2氣體的流速的降低。

＜變形例>

接著，說明本實(shí)施方式的處理單元16的變形例。首先，參照?qǐng)D13說明第1變形例。圖13是表示第1變形例的干燥促進(jìn)處理的動(dòng)作例的圖。

如圖13所示，也可以是，處理單元16在使用升降銷23h而使晶圓w自支承構(gòu)件66分離開的狀態(tài)下向晶圓w的下表面供給n2氣體來促進(jìn)在晶圓w的下表面殘存的處理液的干燥。

具體而言，控制部18(參照?qǐng)D1)在使用刷子24(處理液供給部的一個(gè)例子)來對(duì)晶圓w進(jìn)行了處理之后，使晶圓w高速旋轉(zhuǎn)而將殘存于晶圓w的上表面的處理液去除。接著，控制部18在使晶圓w的旋轉(zhuǎn)停止之后，使用多個(gè)升降銷23h而使晶圓w自多個(gè)支承構(gòu)件66分離開，在該狀態(tài)下，從導(dǎo)管23c(參照?qǐng)D2)向晶圓w的下表面供給n2氣體。

通過如此設(shè)置，能夠效率更良好地排出在晶圓w的下表面殘存的處理液。因而，能夠進(jìn)一步減少晶圓w的下表面的液體殘留。

此外，控制部18包括具有cpu(中央處理單元，centralprocessingunit)、rom(只讀存儲(chǔ)器，readonlymemory)、ram(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，randomaccessmemory)、輸入輸出接口等的微型計(jì)算機(jī)、各種電路。該微型計(jì)算機(jī)的cpu通過將存儲(chǔ)到rom的程序讀出并執(zhí)行，實(shí)現(xiàn)后述的控制。另外，存儲(chǔ)部19可利用例如ram、閃存(flashmemory)等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件、或、硬盤、光盤等存儲(chǔ)裝置實(shí)現(xiàn)。

接著，參照?qǐng)D14和圖15說明第2變形例。圖14和圖15是表示第2變形例的干燥促進(jìn)處理的動(dòng)作例的圖。

如圖14所示，也可以是，在控制部18在上述的干燥促進(jìn)處理中使升降銷23h上升的情況下，以比在與基板輸送裝置17之間進(jìn)行晶圓w交接的情況下使升降銷23h上升的速度快的速度使升降銷23h上升。這樣，通過使升降銷23h高速上升，蔓延到晶圓w的下表面?zhèn)鹊奶幚硪簂分離成殘存于晶圓w的下表面的處理液l和殘存于傾斜部62的傾斜面62a或支承構(gòu)件66的傾斜面66a的處理液l。由此，與使升降銷23h以通常的速度上升了的情況相比較，能夠減少殘存于晶圓w的下表面的處理液l的量。

之后，在控制部18使升降銷23h下降而使晶圓w接近了支承構(gòu)件66之后，從導(dǎo)管23c(參照?qǐng)D2)相對(duì)于晶圓w的下表面供給n2氣體。這樣，通過使升降銷23h下降而使晶圓w與傾斜部62之間的間隙變窄，與在圖14的狀態(tài)下供給n2氣體的情況相比較，抑制了n2氣體的流速的降低，因此，能夠從晶圓w的下表面效率良好地去除處理液l。

接著，參照?qǐng)D16說明第3變形例。圖16是表示第3變形例的整流板的結(jié)構(gòu)的圖。此外，在圖16中，為了容易理解，適當(dāng)省略把持部23g、頂板41等地表示。

如圖16所示，處理單元16也可以具備整流板29。整流板29在杯部22的內(nèi)部設(shè)置于比旋轉(zhuǎn)板23p靠下方的位置。整流板29具備配置于旋轉(zhuǎn)板23p與杯部22之間的周壁部29a、以及將周壁部29a固定于杯部22的固定部29b。周壁部29a具有沿著杯部22的內(nèi)壁的形狀。

通過具備該整流板29，能夠抑制從杯部22的外側(cè)朝向內(nèi)側(cè)的氣流在杯部22內(nèi)紊亂(卷起)。因此，能夠效率良好地進(jìn)行殼體21內(nèi)部的排氣。

接著，參照?qǐng)D17說明第4變形例。圖17是表示第4變形例的支承構(gòu)件66的結(jié)構(gòu)的圖。

在上述的實(shí)施方式中，對(duì)多個(gè)支承構(gòu)件66沿著晶圓w的(換言之，第1平坦部61的)徑向延伸的情況的例子進(jìn)行了說明，但是，如圖17所示，多個(gè)支承構(gòu)件66也可以具有使徑向外側(cè)的端部(即第2平坦部63側(cè)的端部)比徑向內(nèi)側(cè)的端部(即第1平坦部61側(cè)的端部)向晶圓w的旋轉(zhuǎn)方向后方側(cè)偏移而成的形狀。由此，能夠?qū)⒙拥骄Aw的下表面?zhèn)鹊奶幚硪貉刂С袠?gòu)件66的側(cè)面效率良好地排出。

如上述那樣，實(shí)施方式的液處理裝置具備傾斜部、多個(gè)支承構(gòu)件、處理液供給部以及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。傾斜部配置于基板的下方，具有從基板的外側(cè)朝向基板的內(nèi)側(cè)下傾且沿著基板的周向延伸的傾斜面。多個(gè)支承構(gòu)件相對(duì)于傾斜面突出地設(shè)置，從下方支承基板。處理液供給部向支承到多個(gè)支承構(gòu)件的基板的上表面供給處理液。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使傾斜部旋轉(zhuǎn)。另外，多個(gè)支承構(gòu)件具有從基板的外側(cè)朝向基板的內(nèi)側(cè)延伸的細(xì)長(zhǎng)形狀。

因而，根據(jù)實(shí)施方式的處理單元16，能夠防止與圖案形成面之間的干涉、并且減少基板的下表面上的液體殘留。

此外，在上述的實(shí)施方式中，作為處理液供給部的一個(gè)例子，列舉具備用于噴出處理液的開口24b的刷子24而進(jìn)行了說明，但處理液供給部并不限定于刷子24，也可以是噴出處理液的噴嘴。處理單元16未必需要具備刷子24。

進(jìn)一步的效果、變形例能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地導(dǎo)出。因此，本發(fā)明的更廣泛的形態(tài)并不限定于如以上那樣表述且敘述的特定的詳細(xì)和代表性的實(shí)施方式。因而，不脫離由權(quán)利要求書及其等效物定義的總結(jié)性的發(fā)明的概念的精神或范圍，可進(jìn)行各種變更。