技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，所述薄膜電路衰減片包括一基板，所述基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極和電阻，所述輸入電極位于輸出電極上側(cè)，所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網(wǎng)絡(luò)，所述基板上下兩側(cè)分別設(shè)有接地導(dǎo)帶，所述分布式衰減網(wǎng)絡(luò)通過(guò)接地導(dǎo)帶接地導(dǎo)通，所述基板左側(cè)的輸入端連接有第一鍍金電極，所述基板右側(cè)的輸出端連接有第二鍍金電極。本實(shí)用新型體積小，高頻特性好，阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好，可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：周敏;戴林華;周蕾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華湘計(jì)算機(jī)通訊工程有限公司
文檔號(hào)碼：201621351652
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.10
技術(shù)公布日：2017.06.30