1.一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其特征在于，所述薄膜電路衰減片包括一基板，所述基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極和電阻，所述輸入電極位于輸出電極上側(cè)，所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網(wǎng)絡(luò)，所述基板上下兩側(cè)分別設(shè)有接地導(dǎo)帶，所述分布式衰減網(wǎng)絡(luò)通過接地導(dǎo)帶接地導(dǎo)通，所述基板左側(cè)的輸入端連接有第一鍍金電極，所述基板右側(cè)的輸出端連接有第二鍍金電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其特征在于，所述基板為卡片狀，所述基板尺寸為6.5mm*4.2mm*0.2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其特征在于，所述基板為氮化鋁基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其特征在于，所述基板反面為無電路非金屬面。