本實(shí)用新型涉及脈沖激光調(diào)Q器件，具體涉及一種電光Q開(kāi)關(guān)。

背景技術(shù)：

電光調(diào)Q技術(shù)是利用在晶體上施加電壓改變晶體的折射率，從而達(dá)到改變光的偏振態(tài)，與偏振片一起使用可實(shí)現(xiàn)光開(kāi)關(guān)的作用。利用電光調(diào)Q技術(shù)的脈沖激光，脈寬窄，峰值功率高。

現(xiàn)有技術(shù)中，電光Q開(kāi)關(guān)在高功率，高重復(fù)頻率下使用時(shí)，晶體發(fā)熱較大，溫度上升，造成峰值功率降低，光束質(zhì)量變差，半波電壓變化，過(guò)大的溫度上升甚至?xí)?duì)晶體造成破壞；而如何解決上述問(wèn)題成為現(xiàn)有電光Q開(kāi)關(guān)均需面臨的，特別是如何提高電光Q開(kāi)關(guān)的功率，降低其發(fā)熱量成為最難以解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的諸多不足之處，提供了一種電光Q開(kāi)關(guān)，該開(kāi)光包括圓筒形殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)置有方形晶體槽，所述晶體槽四面均設(shè)置有安裝槽，所述殼體上設(shè)置有兩個(gè)電極，所述電極穿透殼體與方形晶體槽連接；采用這種結(jié)構(gòu)的電光Q開(kāi)關(guān)，改變了現(xiàn)有技術(shù)中必須采用圓柱形晶體的現(xiàn)狀，可以采用方形DKDP晶體，使得整個(gè)電光Q開(kāi)關(guān)的能量等級(jí)提高，功率也得到了大幅提升，且解決了晶體散熱的問(wèn)題。

本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是：

一種電光Q開(kāi)關(guān)，該開(kāi)光包括圓筒形殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)置有方形晶體槽，所述方形晶體槽四面均設(shè)置有安裝槽，所述殼體上設(shè)置有兩個(gè)電極，所述電極穿透殼體與方形晶體槽連接；

所述的安裝槽優(yōu)選采用弧形安裝槽；

現(xiàn)有技術(shù)中電光Q開(kāi)關(guān)中一般均采用圓柱形DKDP晶體作為光電晶體，由于形狀所限，其功率和能量等級(jí)已經(jīng)難以得到提升，且由于圓柱形晶體與殼體接觸面積過(guò)大，使用時(shí)其產(chǎn)生的大量熱能會(huì)直接傳到給殼體導(dǎo)致殼體壽命大大下降，不利于整個(gè)電光Q開(kāi)關(guān)的散熱，這也是現(xiàn)有技術(shù)難以克服的問(wèn)題，而采用本實(shí)用新型提供的這種結(jié)構(gòu)的電光Q開(kāi)關(guān)，改變了現(xiàn)有技術(shù)中必須采用圓柱形晶體的現(xiàn)狀，可以采用方形DKDP晶體，由于方形DKDP晶體的實(shí)際功率高于圓柱形晶體，從而使得整個(gè)電光Q開(kāi)關(guān)的能量等級(jí)提高，功率也得到了大幅提升，提高了其適用范圍且延長(zhǎng)了電光Q開(kāi)關(guān)的使用壽命；所述的方形晶體槽四面均設(shè)置有安裝槽，這樣就克服了方形晶體不易安裝的問(wèn)題，可以通過(guò)安裝槽配合夾具等工具放置方形晶體，為了達(dá)到最好的效果安裝槽優(yōu)選采用弧形安裝槽，這樣在安裝完畢之后，安裝槽的存在降低了晶體與殼體的接觸面積，同時(shí)安裝槽更加有利于氣體流通從而降低晶體的溫度，這樣就解決了晶體散熱的問(wèn)題；

在使用時(shí)，方形晶體必須通電，因此需在晶體外側(cè)鍍上一層鍍金導(dǎo)電層，而所述殼體上設(shè)置有兩個(gè)電極，所述電極穿透殼體與方形晶體槽連接，這樣電極就可以與導(dǎo)電層電連接。

綜上所述，采用這種結(jié)構(gòu)的電光Q開(kāi)關(guān)，改變了現(xiàn)有技術(shù)中必須采用圓柱形晶體的現(xiàn)狀，可以采用方形DKDP晶體，使得整個(gè)電光Q開(kāi)關(guān)的能量等級(jí)提高，功率也得到了大幅提升，且解決了晶體散熱的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型所述電光Q開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型所述電光Q開(kāi)關(guān)的俯視圖；

圖3為本實(shí)用新型所述電光Q開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖中1為圓筒形殼體，2為電極，3為安裝槽，4為方形晶體槽。

具體實(shí)施方式

一種電光Q開(kāi)關(guān)，該開(kāi)光包括圓筒形殼體1，所述殼體1內(nèi)設(shè)置有方形晶體槽4，所述方形晶體槽4四面均設(shè)置有安裝槽3，所述殼體1上設(shè)置有兩個(gè)電極2，所述電極2穿透殼體1與方形晶體槽4連接；

所述的安裝槽3優(yōu)選采用弧形安裝槽；

所述方形晶體槽4安裝有方形DKDP晶體。