技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)，包括多段浮空場板和功率芯片，多段浮空場板的下表面焊接有底板，功率芯片包括結(jié)型場效應(yīng)晶體管和結(jié)型勢壘肖特基二極管，結(jié)型場效應(yīng)晶體管包括P型溝道區(qū)、N型漂移區(qū)和陰極P型體區(qū)，P型溝道區(qū)的左邊N型漂移區(qū)引出有陽極N+區(qū)，右邊N型漂移區(qū)引出發(fā)射極N+區(qū)；結(jié)型勢壘肖特基二極管包括N型基片和陽極金屬，N型基片和陽極金屬之間填充有N?外延層；結(jié)型場效應(yīng)晶體管和結(jié)型勢壘肖特基二極管均連接有陰極金屬層；多段浮空場板的兩側(cè)刻蝕有深溝刻槽，中心蝕刻有中心區(qū)槽，陰極P型體區(qū)兩側(cè)填接有P型柱體；結(jié)型勢壘肖特基二極管的N型基片與陰極金屬層之間墊襯有N+陰極層。

技術(shù)研發(fā)人員：詹創(chuàng)發(fā)
受保護的技術(shù)使用者：深圳市快星半導(dǎo)體電子有限公司
文檔號碼：201620612815
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.21
技術(shù)公布日：2016.11.30