1.一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)，包括多段浮空場板（1）和功率芯片（2），所述多段浮空場板（1）的下表面通過焊料層焊接有底板（3），其特征在于：所述功率芯片（2）由結(jié)型場效應(yīng)晶體管（4）和結(jié)型勢壘肖特基二極管（5）并聯(lián)復(fù)合而成，所述結(jié)型場效應(yīng)晶體管（4）包括P型溝道區(qū)（6）、N型漂移區(qū)(7)和陰極P型體區(qū)（10），所述P型溝道區(qū)（6）鑲嵌在N型漂移區(qū)(7)的中間，P型溝道區(qū)（6）的左邊N型漂移區(qū)(7)引出有陽極N+區(qū)(8)，P型溝道區(qū)（6）的右邊N型漂移區(qū)(7)引出發(fā)射極N+區(qū)(9)；所述陰極P型體區(qū)（10）淀積在N型漂移區(qū)(7)的下表面；所述結(jié)型勢壘肖特基二極管（5）包括N型基片（11）和陽極金屬（12），所述N型基片（11）和陽極金屬（12）之間填充有N-外延層（13）；所述結(jié)型場效應(yīng)晶體管（4）和結(jié)型勢壘肖特基二極管（5）均連接有陰極金屬層（15）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述多段浮空場板（1）的兩側(cè)刻蝕有深溝刻槽（16），多段浮空場板（1）的中心蝕刻有中心區(qū)槽（17），中心區(qū)槽（17）向兩側(cè)延伸至深溝刻槽（16），深溝刻槽（16）與中心區(qū)槽（17）中均填充有低介電常數(shù)電介質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述陰極P型體區(qū)(10)兩側(cè)填接有P型柱體（18），且P型柱體（18）的另一端熔接進(jìn)深溝刻槽（16）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型功率半導(dǎo)體器件及其邊緣終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)型勢壘肖特基二極管（5）的N型基片（11）與陰極金屬層（15）之間墊襯有N+陰極層（14）。