本申請要求2015年10月29日提交的韓國專利申請第10-2015-0151375號的優(yōu)先權權益，其全部內(nèi)容通過引用并入本文中，就好像在本文中完全闡述一樣。

技術領域

本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置，更具體地，涉及頂部發(fā)光型透明有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術：

有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置并且具有低功耗、快速響應時間、高發(fā)光效率、高亮度、以及寬視角?；趶挠袡C發(fā)光裝置發(fā)射的光的透射方向，有機發(fā)光顯示裝置分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型中，電路元件設置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并且為此，開口率降低。另一方面，在頂部發(fā)光型中，電路元件沒有設置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并且由此，開口率增強。

圖1是示出了相關技術的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。如圖1中所示，可以在基板10上的有源區(qū)AA中形成薄膜晶體管(TFT)層T、鈍化層20，第一平坦化層31、第二平坦化層32、第一陽極電極40、第二陽極電極60、第一輔助電極50、第二輔助電極70、堤部80、隔壁92、有機發(fā)光層94、以及陰極電極96。

TFT層T包括有源層11、柵極絕緣層12、柵電極13、層間電介質(zhì)14、源電極15、以及漏電極16。第一陽極電極40和第一輔助電極50形成在第一平坦化層31上，并且第二陽極電極60和第二輔助電極70形成在第二平坦化層32上。第一輔助電極50連同第二輔助電極70一起減小陰極電極96的電阻。

堤部80形成在第二陽極電極60和第二輔助電極70上以限定像素區(qū)，并且有機發(fā)光層94形成在由堤部80限定的像素區(qū)中。陰極電極96形成在有機發(fā)光層94上。

隔壁92形成在第二輔助電極70上。隔壁92與堤部80間隔一定距離，并且第二輔助電極70和陰極電極96通過隔壁92與堤部80之間的間隔空間而彼此連接，以減小陰極電極96的電阻。

在頂部發(fā)光型中，從有機發(fā)光層94發(fā)射的光通過陰極電極96被釋放。因此，陰極電極96由透明導電材料形成，并且為此，陰極電極96的電阻高。為了降低陰極電極96的電阻，陰極電極96連接至第一輔助電極50和第二輔助電極70。

特別地，在圖1中所示的相關技術的有機發(fā)光顯示裝置中，形成有彼此連接的兩個輔助電極(例如，第一輔助電極50和第二輔助電極70)用于減小陰極電極96的電阻。在這種情況下，第二輔助電極70與第二陽極電極60形成在同一層上，并且由此，如果第二輔助電極70的寬度被擴大以減小陰極電極96的電阻，則第二輔助電極60的寬度應減小。在這種情況下，顯示裝置的像素區(qū)減小，并且為此，存在對可以擴大第二輔助電極70的寬度的量的限制。因此，在相關技術中，為了解決該問題，第一輔助電極50附加地形成在第二輔助電極70下方，從而減小陰極電極96的電阻而像素區(qū)沒有減小。

相關技術的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置具有以下問題。在包括透光部和發(fā)光部的透明有機發(fā)光顯示裝置中，透光部應形成為使透光率最大化，并且對此，所有元件應堆疊在發(fā)光部中。然而，當TFT層T堆疊在發(fā)光部中時，難以使得輔助電極以合適的方式堆疊在發(fā)光部中，并且為此，輔助電極應與TFT層T分開堆疊。應垂直堆疊兩個輔助電極用于在有限空間中堆疊兩個輔助電極。另外，由于使用分別的掩模用于在一個之上堆疊另一個地堆疊兩個輔助電極，所以掩模的數(shù)量增加，并且為此，制造工藝變得復雜。因此，需要有效地減小陰極電極96的電阻而不增加掩模數(shù)量的技術。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及提供一種頂部發(fā)光型的透明有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而引起的一個或更多個問題。

本發(fā)明的一個方面涉及提供一種頂部發(fā)光型透明有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其提供了有效減小陰極電極的電阻并且減少掩模數(shù)量的輔助電極的區(qū)域，從而簡化了制造工藝。

本發(fā)明的另外的優(yōu)點和特征將闡述于下面的說明中，并且由于該說明而部分明顯，或者可以從本發(fā)明的實施方案的實踐中獲知本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點。通過在所撰寫的說明書及其權利要求中以及附圖中特別指出的結構可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點，并且根據(jù)本發(fā)明的實施方案的目的，如本文中體現(xiàn)和寬泛地描述的，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，其包括：限定在基板上的多個像素中的每一個中的陽極電極；在陽極電極上的堤部和有機發(fā)光層；在有機發(fā)光層上的陰極電極，以及連接至陰極電極的輔助電極，其中輔助電極設置為與陽極電極分開并且設置在堤部上的層。

在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其包括：在基板上形成陽極電極；在陽極電極上形成第一堤部；在第一堤部上形成輔助電極；以及在輔助電極上形成第二堤部，在陽極電極上形成有機發(fā)光層；以及在有機發(fā)光層上形成連接至輔助電極的陰極電極。

應理解，本發(fā)明的以上一般描述和以下詳細描述是示例性和說明性的，并意圖對要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。

附圖說明

本申請包括附圖以提供對本發(fā)明的進一步理解，附圖并入本文中并且構成本申請的一部分，附圖示出本發(fā)明的實施方案并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是相關技術的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的像素的俯視圖；

圖3是在根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置中沿圖2的線A-A截取的截面圖；以及

圖4A至圖4H是示出制造根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的方法的工藝截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明的示例性實施方案，其示例在附圖中示出。在任何可能的情況下，遍及附圖將使用相同的附圖標記指代相同或相似的部件。

將參照附圖通過下述實施方案來闡明本發(fā)明的優(yōu)點和特征及其實現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實現(xiàn)，并且不應解釋為限于本文中所闡述的實施方案。而是，提供這些實施方案以使得對于本領域技術人員而言本公開是徹底并且完整的，并且充分表達本發(fā)明的概念。此外，本發(fā)明僅由權利要求的范圍限定。

在用于描述本發(fā)明的實施方案的附圖中所公開的形狀、尺寸、比例、角度以及數(shù)字僅是示例，并且由此，本發(fā)明不限于所示細節(jié)。相似的附圖標記指代相似的元件。在下面的描述中，當相關已知功能或配置的詳細描述確定為不必要地模糊本發(fā)明的重要點時，將省略其詳細說明。在使用本說明書中描述的“包含”、“具有”、以及“包括”的情況下，除非使用“僅”，否則可以添加另一部分。除非有相反指代，否則單數(shù)形式的術語可以包括復數(shù)形式。

在解釋元件時，盡管沒有明確描述，但是元件解釋為包括誤差范圍。

在描述位置關系時，例如，當兩個部件之間的位置關系被描述為“在...上”、“在...上方”、“在...下方”、以及“在...旁”時，除非使用“僅(just)”或“直接”，否則可以在這兩個部件之間設置一個或更多個其他部件。

在描述時間關系時，例如，當時間順序描述為“之后”、“隨后”、“接下來”、以及“之前”時，除非使用“僅(just)”或“直接”，否則可以包括不連續(xù)的情況。

應理解，雖然術語“第一”、“第二”等可以在本文中用來描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用于區(qū)分一個元件與其他元件。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。

本發(fā)明的各種實施方案的特征可以部分地或整體地彼此結合或組合，并且可以如本領域技術人員所能夠充分理解的那樣彼此各種交互操作和技術驅(qū)動。本發(fā)明的實施方案可以彼此獨立地實現(xiàn)，或者可以以共同依賴的關系一起實現(xiàn)。

下文中，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方案。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方案有機發(fā)光顯示裝置的像素的俯視圖。可以在根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的基板上限定多個像素。如圖2中所示，多個像素中的每一個可以包括設置有四個子像素的發(fā)光區(qū)，以及透射區(qū)。

四個子像素可以包括發(fā)射紅色(R)光的子像素、發(fā)射白色(W)光的子像素、發(fā)射藍色(B)光的子像素、以及發(fā)射綠色(G)光的子像素，但不限于此。下文中，將詳細描述四個子像素中的每一個的結構。

子像素中的每一個可以包括薄膜晶體管(TFT)T、陽極電極180、第一堤部191、輔助電極200、以及陰極電極。TFT T可以響應于通過柵極線提供的柵極信號而向陽極電極180提供通過數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號。

陽極電極180可以布置在每一個子像素的發(fā)光區(qū)中。陽極電極180可以通過接觸孔連接至TFT T的源電極，并且可以通過TFT T提供有數(shù)據(jù)信號。

輔助電極200可以布置在第一堤部191上以在一個平面上圍繞相鄰子像素之間的邊界區(qū)域。特別地，輔助電極200可以布置在每一個子像素的四側(cè)上。即，由于輔助電極200布置在第一堤部191上，所以輔助電極200可以設置在與陽極電極180不同的層上，以使輔助電極200與陽極電極180分開。輔助電極200可以連接至下述的陰極電極以減小陰極電極的電阻。雖然輔助電極200可以設置成以閉合的形式圍繞一個子像素的四側(cè)的閉合形式，但不限于此。在其他實施方案中，輔助電極200基于陰極電極的電阻減小的程度可以設置成僅圍繞一個子像素的四側(cè)中的一些。

如上所述，透明有機發(fā)光顯示裝置可以包括發(fā)光區(qū)和透射區(qū)。為了不影響透射區(qū)的開口率，輔助電極200可以設置在相鄰子像素之間的邊界區(qū)域中的線(例如，柵極線和感測線)上。

特別地，在相關技術的有機發(fā)光顯示裝置中，輔助電極形成為用于充分擴大輔助電極的區(qū)域以有效減小陰極電極的電阻的多個層。另一方面，在本實施方案中，由于輔助電極200僅形成為一層，所以垂直堆疊輔助電極200的掩模工藝的數(shù)量減少。

然而，由于輔助電極200僅形成為一層，所以按照相關技術可能不充分獲得用于減小陰極電極的電阻所需的輔助電極200的區(qū)域。為此，在本實施方案中，由于輔助電極200形成為圍繞每一個子像素的四側(cè)，所以使得充分獲得了用于減小陰極電極的電阻所需的輔助電極200的區(qū)域。此外，在本實施方案中，由于輔助電極200形成在相鄰子像素之間的邊界區(qū)域中，所以每一個子像素的開口率保持為原樣。

陰極電極形成在包括像素區(qū)以及像素區(qū)之間的空間的整個區(qū)域中，像素區(qū)包括發(fā)光區(qū)和透射區(qū)。陰極電極可以連接至驅(qū)動電源單元并且被提供驅(qū)動電力。

圖3是在根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置中沿圖2的線A-A截取的截面圖。如圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置可以包括布置在基板100上的有源區(qū)AA和焊盤區(qū)。

可以在基板100上的有源區(qū)AA中形成TFT層T、鈍化層165、平坦化層170、陽極電極180、第一堤部191、輔助電極200、第二堤部192、有機發(fā)光層210、以及陰極電極220。TFT層T可以包括有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、層間電介質(zhì)140、源電極150、以及漏電極160。

有源層110可以形成在基板100上以交疊柵電極130。有源層110可以由硅基半導體材料形成，或者可以由氧化物基半導體材料形成。還可以在基板100與有源層110之間形成遮光層，并且在這種情況下，通過基板100的底部入射的外部光被遮光層阻擋，從而防止有源層110因外部光而受損。

柵極絕緣層120可以形成在有源層110上。柵極絕緣層120可以使有源層110與柵電極130絕緣。柵極絕緣層120可以由無機絕緣材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但不限于此。柵極絕緣層120可以延伸至包括透射區(qū)TA的有源區(qū)AA的整個部分。

柵電極130可以形成在柵極絕緣層120上。柵電極130可以形成為交疊有源層110，在其之間具有柵極絕緣層120。柵電極130可以由包括鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、以及銅(Cu)或其合金之一的單層或多層形成，但不限于此。

層間電介質(zhì)140可以形成在柵電極130上。層間電介質(zhì)140可以由與柵極絕緣層120相同的無機絕緣材料形成，例如可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但不限于此。層間電介質(zhì)140可以延伸至包括透射區(qū)TA的有源區(qū)AA的整個部分。

源電極150和漏電極160可以在層間電介質(zhì)140上形成為彼此面對?？梢栽跂艠O絕緣層120和層間電介質(zhì)140中包含用于使有源層110的一個末端區(qū)域露出的第一接觸孔CH1，以及用于使有源層110的另一末端區(qū)域露出的第二接觸孔CH2。源電極150可以通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的所述另一末端區(qū)域，并且漏電極160可以通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的所述一個末端區(qū)域。

源電極150可以包括下源電極151和上源電極152。下源電極151可以形成在層間電介質(zhì)140與上源電極152之間，以增強層間電介質(zhì)140與上源電極152之間的粘附力。另外，下源電極151保護上源電極152的底部，從而防止上源電極152的底部被腐蝕。因此，下源電極151的氧化速率可以低于上源電極152的氧化速率。即，下源電極151可以由相比于包括在上源電極152中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。如上所述，下源電極151可以用作為粘附增強層或抗腐蝕層，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上源電極152可以形成在下源電極151的頂部上。上源電極152可以由電阻低的金屬Cu形成，但不限于此。上源電極152可以由相比于下源電極151電阻相對更低的金屬形成。為了降低源電極150的總電阻，上源電極152的厚度可以形成為厚于下源電極151的厚度。

與上述源電極150類似，漏電極160可以包括下漏電極161和上漏電極162。下漏電極161可以形成在層間電介質(zhì)140與上漏電極162之間，以增強層間電介質(zhì)140與上漏電極162之間的粘附力，并且防止上漏電極162的底部被腐蝕。因此，下漏電極161的氧化速率可以低于上漏電極162的氧化速率。即，下漏電極161可以由相比于包括在上漏電極162中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。如上所述，下漏電極161可以由與下源電極151的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上漏電極162可以形成在下漏電極161的頂部上，并且可以由與上源電極152的上述材料相同的Cu形成，但不限于此。上漏電極162的厚度可以形成為厚于下漏電極161的厚度，從而降低漏電極160的總電阻。

上漏電極162可以由與上源電極152相同的材料形成，以具有與上源電極152相同的厚度，并且下漏電極161可以由與下源電極151相同的材料形成，并且具有與下源電極151相同的厚度。在這種情況下，漏電極160和源電極150可以通過相同的工藝同時形成。

TFT T的結構不限于所示結構，并且可以以各種不同方式調(diào)整成本領域技術人員已知的結構。例如，在附圖中示出了柵電極130形成在有源層110上的頂部柵極結構，但是TFT T可以形成為柵電極130形成在有源層110下方的底部柵極結構。

鈍化層165可以形成在TFT層T上，并且特別地，可以形成在源電極150和漏電極160的頂部上。鈍化層165保護TFT層T。鈍化層165可以由無機絕緣材料(例如，SiOx和SiNx)形成，但不限于此。鈍化層165可以延伸至包括透射區(qū)TA的有源區(qū)AA的整個部分。

平坦化層170可以形成在鈍化層165上。平坦化層170可以使基板100的包括TFT層T的上表面平坦化。平坦化層170可以由有機絕緣材料例如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但不限于此。平坦化層170可以延伸至包括透射區(qū)TA的有源區(qū)AA的整個部分。

陽極電極180可以形成在平坦化層170上?？梢栽阝g化層165和平坦化層170中包括使源電極150露出的第三接觸孔CH3，并且源電極150可以通過第三接觸孔CH3連接至陽極電極180。

陽極電極180可以使從有機發(fā)光層220發(fā)射的光向上方向反射，并且由此可以包括反射性良好的材料。陽極電極180可以包括下陽極電極181、中心陽極電極182、以及上陽極電極183。

下陽極電極181可以形成在平坦化層170與中心陽極電極182之間。下陽極電極181保護中心陽極電極182的底部，從而防止中心陽極電極182的底部被腐蝕。因此，下陽極電極181的氧化速率可以低于中心陽極電極182的氧化速率。即，下陽極電極181可以由相比于包括在中心陽極電極182中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。下陽極電極181可以由透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)等形成，但不限于此。

中心陽極電極182可以形成在下陽極電極181與上陽極電極183之間。中心陽極電極182可以由相比于下陽極電極181和上陽極電極183電阻更低并且反射性更良好的材料形成，并且例如，可以由銀(Ag)等形成。然而，本實施方案不限于此。電阻相對低的中心陽極電極182的厚度可以形成為厚于電阻相對高的下陽極電極181和上陽極電極183中的每一個，從而降低陽極電極180的總電阻。

上陽極電極183可以形成在中心陽極電極182的頂部上，從而防止中心陽極電極182的頂部被腐蝕。對此，上陽極電極183的氧化速率可以低于中心陽極電極182的氧化速率。即，上陽極電極183可以由相比于包括在中心陽極電極182中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。上陽極電極183可以由透明導電材料例如ITO等形成，但不限于此。

第一堤部191可以形成在陽極電極180上。第一堤部191可以形成在陽極電極180的一側(cè)和另一側(cè)上以使陽極電極180的頂部露出。由于第一堤部191形成為使陽極電極180的頂部露出，所以獲得了顯示圖像的區(qū)域。另外，由于第一堤部191形成在陽極電極180的一側(cè)和另一側(cè)上，所以陽極電極180易受腐蝕的側(cè)表面不暴露于外部，從而防止陽極電極180的側(cè)表面被腐蝕。第一堤部191可以由有機絕緣材料(例如，聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等)形成，但不限于此。

輔助電極200可以形成在第一堤部191上。即，在本發(fā)明的實施方案中，輔助電極200可以形成在第一堤部191上，第一堤部191形成在陽極電極180上，并且由此形成在與陽極電極180不同的層上，以將輔助電極與陽極電極分開。輔助電極200可以連接至陰極電極220以降低陰極電極220的電阻。

如上所述，透明有機發(fā)光顯示裝置可以包括發(fā)光區(qū)和透射區(qū)，并且為了不影響透射區(qū)的開口率，輔助電極200可以設置在相鄰子像素之間的邊界區(qū)域中的線(例如，數(shù)據(jù)線、柵極線以及感測線)上。特別地，在相關技術的有機發(fā)光顯示裝置中，輔助電極形成在用于充分擴大輔助電極的面積以有效減小陰極電極的電阻的多個層上。而另一方面，在本實施方案中，由于輔助電極200僅形成在與在其上形成陽極電極180的層不同的一層上，所以垂直堆疊輔助電極200的掩模工藝的數(shù)量減少。

然而，由于輔助電極200僅形成在一層上，所以根據(jù)相關技術無法充分獲得用于減小陰極電極220的電阻所需的輔助電極200的區(qū)域。為此，在本實施方案中，由于輔助電極200形成為圍繞每一個子像素的四側(cè)，所以用于減小陰極電極220的電阻所需的輔助電極200的充分的區(qū)域得以實現(xiàn)。

輔助電極200可以包括下輔助電極201、上輔助電極202、以及蓋輔助電極203。

下輔助電極201可以形成在第一堤部191與上輔助電極202之間，以增強第一堤部191與上輔助電極202之間的粘附力，并且防止上輔助電極202的底部被腐蝕。因此，下輔助電極201的氧化速率可以低于上輔助電極202的氧化速率。即，下輔助電極201可以由相比于包括在上輔助電極202中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。如上所述，下輔助電極201可以用作為粘附增強層或抗腐蝕層并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上輔助電極202可以形成在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間。上輔助電極202可以由電阻低的銅(Cu)形成，但不限于此。上輔助電極202可以由相比于下輔助電極201和蓋輔助電極203電阻相對更低的材料形成。電阻相對低的上輔助電極202的厚度可以形成為厚于電阻相對高的下輔助電極201和蓋輔助電極203中的每一個，從而降低輔助電極200的總電阻。

蓋輔助電極203可以形成在上輔助電極202上。蓋輔助電極203可以形成為覆蓋上輔助電極202的頂表面和側(cè)表面，從而防止上輔助電極202被腐蝕。對此，蓋輔助電極203的氧化速率可以低于上輔助電極202的氧化速率。即，蓋輔助電極203可以由相比于包括在上輔助電極202中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。

此外，蓋輔助電極203可以形成為覆蓋(cover up)下輔助電極201的頂表面和側(cè)表面。在這種情況下，蓋輔助電極203的氧化速率可以低于下輔助電極201的氧化速率。即，蓋輔助電極203可以由相比于包括在下輔助電極201中的材料耐腐蝕性更強的材料形成。蓋輔助電極203可以由透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)等形成，但不限于此。

在本發(fā)明的一種實施方案中，蓋輔助電極203可以形成為在陰極電極220連接至輔助電極200的特定區(qū)域中不覆蓋下輔助電極201和上輔助電極202中的每一個的側(cè)表面，使得陰極電極220連接至輔助電極200以減小陰極電極220的電阻。

由于輔助電極200在特定區(qū)域中僅包括下輔助電極201和蓋輔助電極203，所以下輔助電極201和蓋輔助電極203可以在特定區(qū)域中彼此隔開對應于上輔助電極202的高度的距離，并且下輔助電極201和陰極電極220可以通過下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間而彼此電連接。

同時，輔助電極200連接至陰極電極的特定區(qū)域C的寬度X(如圖2中所示)可以基于陰極電極沉積在輔助電極200上的狀態(tài)來確定。即，如果陰極電極無法正常連接至輔助電極200，則期望特定區(qū)域C擴大。

具體地，特定區(qū)域C可以設置在通過蝕刻輔助電極200的上輔助電極202而形成的在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間中，并且因此，在本實施方案中，特定區(qū)域C的寬度X可以通過使上輔助電極被蝕刻的區(qū)域變寬或變窄來調(diào)整。

如上所述，與圖1中所示的相關技術的有機發(fā)光顯示裝置不同，在本發(fā)明的一種實施方案中，在特定區(qū)域中下輔助電極201和陰極電極220可以通過去除上輔助電極202獲得的空間彼此電連接，而沒有為了獲得使陰極電極和輔助電極能夠彼此連接的空間而分立地形成隔壁。

在本發(fā)明的實施方案中，蓋輔助電極203和第二堤部192可以用作為檐部，并且由此，由于有機發(fā)光層210沒有沉積在檐部下方，所以下輔助電極201可以露出。特別地，有機發(fā)光層210可以通過沉積工藝例如沉積材料的平直性優(yōu)異的蒸渡工藝形成，并且由此，在沉積有機發(fā)光層210的過程中，有機發(fā)光層210沒有沉積在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間S中。

在圖3中，示出輔助電極200和陽極電極180彼此不交疊，但是本發(fā)明不限于此。在其他實施方案中，基于設計裕度，輔助電極200和陽極電極180可以形成為使得輔助電極200的部分區(qū)域交疊陽極電極180的部分區(qū)域。

第二堤部192可以形成在輔助電極200上。第二堤部192可以形成在輔助電極200上以使輔助電極200的特定區(qū)域露出。即，由于第二堤部192形成在輔助電極200上，所以輔助電極200不暴露于外部，并且由此，有機發(fā)光層210不沉積在輔助電極200上。然而，如上所述，第二堤部192可以形成在輔助電極200上以使輔助電極200的特定區(qū)域露出，使得能夠使陰極電極220連接至輔助電極200的空間暴露于外部。

特別地，由于第二堤部192通過使用用于形成輔助電極200的掩模而與輔助電極200同時形成，所以與圖1中所示的相關技術的有機發(fā)光顯示裝置相比，掩模的數(shù)量減少。下面將描述形成第二堤部192的詳細過程。

第二堤部192可以由與第一堤部191相同的有機絕緣材料(例如，聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等)形成，但不限于此。第一堤部191和第二堤部192可以由不同材料形成。

有機發(fā)光層210可以形成在陽極電極180上。有機發(fā)光層210可以包括空穴注射層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、以及電子注射層。有機發(fā)光層210可以被調(diào)整成具有本領域技術人員已知的各種結構。

有機發(fā)光層210可以延伸至第二堤部192的頂部，然而，有機發(fā)光層210可以不延伸至覆蓋輔助電極200的特定區(qū)域的輔助電極200的頂部。這是因為當有機發(fā)光層210覆蓋輔助電極200(特別地，下輔助電極201)的頂部時，難以將下輔助電極201電連接至陰極電極220。如上所述，有機發(fā)光層210可以在沒有覆蓋輔助電極200的頂部的掩模的情況下通過沉積工藝形成，并且在這種情況下，有機發(fā)光層210可以形成在下輔助電極201的在特定區(qū)域中露出的側(cè)表面上。

陰極電極220可以形成在有機發(fā)光層210上。陰極電極220可以形成在光從其被發(fā)射的表面上，并且由此可以由透明導電材料形成。由于陰極電極220由透明導電材料形成，所以陰極電極220的電阻高，并且為此，為了降低陰極電極220的電阻，陰極電極220可以連接至輔助電極200。具體地，陰極電極220可以通過下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間而連接至下輔助電極201。陰極電極220可以通過沉積工藝(例如，沉積材料不具有良好平直性的濺射工藝)形成，并且由此，在沉積陰極電極220的過程中，陰極電極220可以沉積在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間中。

還可以在陰極電極220上形成防止水的滲透的封裝層。封裝層可以使用本領域技術人員已知的各種材料。另外，還可以對于每一個子像素以及在陰極電極220上形成濾色器，并且在這種情況下，可以從有機發(fā)光層220發(fā)射白色光。

圖4A至圖4H是示出制造根據(jù)本發(fā)明的實施方案的有機發(fā)光顯示裝置的方法的工藝截面圖，以及涉及制造上述圖3的有機發(fā)光顯示裝置的方法。由此，相似的附圖標記指代相似的元件，并且對于每一個元件的材料和結構，不重復相同或相似的描述。

首先，如圖4A所示，可以在基板100上依次形成有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、層間電介質(zhì)140、源電極150、以及漏電極160。特別地，可以在基板100上形成有源層110，可以在有源層110上形成柵極絕緣層120，并且可以在柵極絕緣層120上形成柵電極130，可以在柵電極130上形成層間電介質(zhì)140，并且可以在柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140中形成第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2。接著，可以形成通過接觸孔CH1連接至有源層110的一個末端區(qū)域的漏電極160，以及可以形成通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的另一末端區(qū)域的源電極150。

具體地，有源層110、柵電極130、源電極150、以及漏電極160可以形成在基板100的發(fā)光區(qū)中。柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140可以形成在包括透射區(qū)和發(fā)光區(qū)的有源區(qū)AA中。

源電極150可以包括下源電極151和上源電極152，并且漏電極160可以包括下漏電極161和上漏電極162。源電極150和漏電極160可以通過相同的圖案化工藝由相同材料同時形成。

接著，如圖4B中所示，可以在源電極150和漏電極160上形成鈍化層165，以及可以在鈍化層165上形成平坦化層170。鈍化層165和平坦化層170可以形成在包括透射區(qū)和發(fā)光區(qū)的有源區(qū)AA中?？梢栽谟性磪^(qū)AA中的鈍化層165和平坦化層170中形成第三接觸孔，并且源電極150可以通過第三接觸孔CH3暴露于外部。

接著，如圖4C中所示，可以在有源區(qū)AA中的平坦化層170上形成陽極電極180，并且可以在陽極電極180上形成第一堤部191。陽極電極180可以形成為通過第三接觸孔CH3而連接至源電極150。陽極電極180可以包括下陽極電極181、中心陽極電極182、以及上陽極電極183。

第一堤部191可以通過使用半色調(diào)掩模而形成為具有不同厚度。特別地，第一堤部191可以形成為在陽極電極180的一側(cè)和另一側(cè)具有相對厚的厚度。即，第一堤部191可以形成為在下述圖4G中的有機發(fā)光層210直接形成在陽極電極180的頂部上的區(qū)域中具有相對薄的厚度。這是用于在下述蝕刻過程中保護陽極電極180，并且通過灰化第一堤部191的過程僅使除了陽極電極180的所述一側(cè)和所述另一側(cè)之外的其他區(qū)域露出。

接著，如圖4D中所示，可以在第一堤部191上形成輔助電極200。即，輔助電極200可以形成在第一堤部191上，第一堤部191形成在陽極電極180上，并且由此，輔助電極200可以形成在與陽極電極180不同的層上。輔助電極200可以包括下輔助電極201、上輔助電極202、以及蓋輔助電極203。

特別地，蓋輔助電極203可以形成為覆蓋上輔助電極202的上表面和側(cè)表面，以及覆蓋下輔助電極201的側(cè)表面。蓋輔助電極203可以形成為在圖4D中所示的特定區(qū)域中不覆蓋上輔助電極202和下輔助電極201中的每一個的側(cè)表面。上輔助電極202和下輔助電極201僅在特定區(qū)域中沒有被蓋輔助電極203覆蓋的原因是上輔助電極202僅在特定區(qū)域中被蝕刻，以及陰極電極220可以通過借助蝕刻上輔助電極202獲得的空間而連接至下輔助電極201。

接著，如圖4E中所示，可以在輔助電極200上形成光致抗蝕劑圖案PR并且使光致抗蝕劑圖案PR在輔助電極200上對準。特別地，在圖4G中，光致抗蝕劑圖案PR可以形成為不覆蓋有機發(fā)光層210直接形成在陽極電極180的頂部上的區(qū)域以及輔助電極200的特定區(qū)域的圖案。

接著，如圖4F中所示，可以通過使用光致抗蝕劑圖案PR作為掩模在特定區(qū)域中蝕刻上輔助電極202，以及可以通過使用剩余的光致抗蝕劑圖案PR在輔助電極200上形成第二堤部192。即，由于圖4E中所示的光致抗蝕劑圖案PR被用作為掩模，所以輔助電極200在除了特定區(qū)域之外的其他區(qū)域中沒有被蝕刻。另外，由于第一堤部191形成為通過使用上述圖4C中的半色調(diào)掩模而覆蓋第一陽極電極180的整個部分，所以陽極電極180沒有被蝕刻，以及上輔助電極202可以僅在特定區(qū)域中被蝕刻并且被去除。

特別地，當上輔助電極202由Cu形成時，下輔助電極201由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，并且蓋輔助電極203由ITO形成，僅上輔助電極202可以通過僅用于選擇性地蝕刻Cu的蝕刻劑被去除。例如，可以在蝕刻過程中通過包括磷酸、硝酸、以及醋酸的三元混合酸系統(tǒng)的蝕刻劑來僅去除由Cu形成的上輔助電極202，但不限于此。另外，可以基于上輔助電極202的材料來改變蝕刻劑的成分。如圖4F中所示，通過在形成輔助電極200之后僅去除上輔助電極202，可以在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間形成間隔空間S。

此外，第二堤部192可以通過使用剩余的光致抗蝕劑圖案PR形成在輔助電極200上。通過灰化如圖4C中所示形成的第二堤部192和第一堤部191，可以如圖4F中所示形成在陽極電極180的頂部暴露于外部的狀態(tài)下的基板100。因此，在形成輔助電極200的過程中，由于第二堤部192通過使用剩余的光致抗蝕劑圖案PR與輔助電極200一起形成，所以在沒有附加地執(zhí)行另外的掩模工藝的情況下，防止了輔助電極200暴露于外部。

接著，如圖4G中所示，可以在陽極電極180上形成有機發(fā)光層210。有機發(fā)光層210可以通過沉積工藝例如沉積材料的直線性優(yōu)異的蒸渡工藝形成，并且由此，有機發(fā)光層210沒有沉積在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間S中，不過有機發(fā)光層210沉積在第二堤部192的頂部上。即，由于第二堤部192在沉積有機發(fā)光層210時用作好比檐部，所以即使當沉積有機發(fā)光層210時，有機發(fā)光層210亦無法沉積在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間S中。

接著，如圖4H中所示，可以在有機發(fā)光層210上形成陰極電極220。陰極電極220可以通過下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間S而形成為連接至下輔助電極201。陰極電極220可以通過沉積工藝例如沉積材料的直線性不佳的濺射工藝形成，并且由此，在沉積陰極電極220的過程中，陰極電極220可以沉積在下輔助電極201與蓋輔助電極203之間的間隔空間S中。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，由于輔助電極設置成在平面上圍繞子像素，所以在沒有影響透明有機發(fā)光顯示裝置的透光率的情況下獲得輔助電極的區(qū)域，由此有效調(diào)整陰極電極的電阻。特別地，由于陽極電極和輔助電極中的每一個僅形成為一個層，所以掩模工藝的數(shù)量減少。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方案，通過省略為了僅將陰極電極連接至輔助電極而形成用作為檐部的隔壁的過程，減少了制造過程所耗費的時間和成本。特別地，可以通過使用用于形成輔助電極的連接至陰極電極的內(nèi)部間隔空間的光致抗蝕劑圖案來形成第二堤部，從而減少掩模工藝的數(shù)量。

對于本領域技術人員明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所述權利要求及其等同內(nèi)容的范圍內(nèi)的本發(fā)明所提供的修改和變化。

本發(fā)明包括本文中所討論的示例和實施方案中的每一個的各種修改方案。根據(jù)本發(fā)明，一個實施方案或示例中的上述一個或更多個特征等同地適用于上述其他實施方案或示例。上述一個或更多個實施方案或示例的特征可以與上述實施方案或示例中的每一個結合。本發(fā)明的一個或更多個實施方案或示例的全部或部分結合也是本發(fā)明的一部分。