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異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法與流程

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技術(shù)特征:

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,包括:晶體硅片;依次位于所述晶體硅片的一側(cè)上的第一本征層、第一摻雜非晶硅層、第一透明導(dǎo)電層、及正面柵線電極;以及位于所述晶體硅片的另一側(cè)的背面電極;

所述正面柵線電極為銅納米線電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述正面柵線電極的高度為20~50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述正面柵線電極的柵線寬度為30~60μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述銅納米線電極中的銅納米線的直徑為100~150nm,銅納米線的長(zhǎng)度大于5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述晶體硅片為N型晶體硅片,所述第一摻雜非晶硅層為P型非晶硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池還包括位于所述背面電極與所述晶體硅片之間的加強(qiáng)電場(chǎng)單元;所述加強(qiáng)電場(chǎng)單元包括依次位于所述晶體硅片的另一側(cè)上的第二本征層、第二摻雜非晶硅層、及第二透明導(dǎo)電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述背面電極呈柵線狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述背面電極為銅納米線電極。

9.一種權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

在晶體硅片的一側(cè)形成第一本征層;

在所述第一本征層上形成第一摻雜非晶硅層;

在所述第一摻雜非晶硅層上形成第一透明導(dǎo)電層;

在所述第一透明導(dǎo)電層上形成正面柵線電極;所述正面柵線電極為銅納米線電極;

在所述晶體硅片的另一側(cè)形成背面電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述銅納米線電極通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成。

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