技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底的表面上形成有墊氧化物層，在墊氧化物層上形成有具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層；對(duì)暴露的墊氧化物層進(jìn)行離子注入摻雜工藝，以形成位于墊氧化物層內(nèi)的非晶區(qū)域；進(jìn)行退火工藝，以使得非晶區(qū)域向兩側(cè)擴(kuò)散到部分硬掩膜層的下方的墊氧化物層內(nèi)；以硬掩膜層為掩膜，依次刻蝕非晶區(qū)域和部分半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；在淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層，使淺溝槽的頂部尖角在這個(gè)過(guò)程中得以被圓滑化。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以很好的形成STI尖角圓滑化，提高了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的隔離作用。

技術(shù)研發(fā)人員：沈建飛;范建國(guó)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號(hào)碼：201510919587
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.11
技術(shù)公布日：2017.06.20