技術(shù)編號(hào):12724996
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)淺溝槽隔離(shallowtrenchisolation,簡(jiǎn)稱STI)結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于先進(jìn)的邏輯電路工藝中,其優(yōu)劣直接影響到器件的性能。由于STI角部的氧化層厚度通常會(huì)比較薄,加之之后形成的多晶硅電極會(huì)覆蓋在這個(gè)區(qū)域,導(dǎo)致晶體管的閾值電壓降低,這通常稱之為“反窄溝效應(yīng)”。在先進(jìn)的EE/閃存/邏輯工藝中,為了避免上述情況的發(fā)生,常見的處理方式是將STI尖角圓滑化(即修飾成圓角)。為了尖角圓滑化(cornerrounding)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。