本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

淺溝槽隔離(shallow trench isolation，簡(jiǎn)稱STI)結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于先進(jìn)的邏輯電路工藝中，其優(yōu)劣直接影響到器件的性能。由于STI角部的氧化層厚度通常會(huì)比較薄，加之之后形成的多晶硅電極會(huì)覆蓋在這個(gè)區(qū)域，導(dǎo)致晶體管的閾值電壓降低，這通常稱之為“反窄溝效應(yīng)”。

在先進(jìn)的EE/閃存/邏輯工藝中，為了避免上述情況的發(fā)生，常見的處理方式是將STI尖角圓滑化(即修飾成圓角)。為了尖角圓滑化(corner rounding)的考量，往往要求STI襯墊氧化物層具有一定的厚度。但是在STI襯墊氧化物層生長(zhǎng)過程中由于晶面晶向不一致而導(dǎo)致其生長(zhǎng)厚度不同的問題，在淺溝槽側(cè)壁上的STI襯墊氧化物層為110面，底部的STI襯墊氧化物層為100面，而側(cè)壁上的厚度約為底部的1.6倍左右，因此厚度差異明顯。

尤其是，在0.13μm工藝以下節(jié)點(diǎn)，為了尖角圓滑化要求通常會(huì)使用二氯乙烯(DCE：C₂H₂Cl₂)氧化來解決。其工藝簡(jiǎn)單介紹如下：如圖1A所示，依次刻蝕形成于半導(dǎo)體襯底100上的硬掩膜層102、墊氧化層101和部分半導(dǎo)體襯底100，形成淺溝槽103；如圖1B所示，在淺溝槽103底部和側(cè)壁上形成襯墊氧化物層104；如圖1C所示，而又為了后續(xù)HDP(高密度等離子體)氧化物更好的填充效率會(huì)用酸去蝕刻襯墊氧化物層104側(cè)面的厚度，但是進(jìn)而使底部的厚度變的更加薄，這樣容易造成STI漏電的問題，最后如圖1D所示，采用HDP氧化物105填充淺溝槽。

因此，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法，以解決上述 技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有墊氧化物層，在所述墊氧化物層上形成有具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層；

步驟S2：對(duì)暴露的所述墊氧化物層進(jìn)行離子注入摻雜工藝，以形成位于所述墊氧化物層內(nèi)的非晶區(qū)域；

步驟S3：進(jìn)行退火工藝，以使得所述非晶區(qū)域向兩側(cè)擴(kuò)散到部分所述硬掩膜層的下方的所述墊氧化物層內(nèi)；

步驟S4：以所述硬掩膜層為掩膜，依次刻蝕所述非晶區(qū)域和部分所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；

步驟S5：在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層，使所述淺溝槽的頂部尖角在這個(gè)過程中得以被圓滑化。

進(jìn)一步地，在所述步驟S5之后，還包括以下步驟：

沉積隔離材料填充所述淺溝槽，并覆蓋所述硬掩膜層；

對(duì)所述隔離材料進(jìn)行平坦化，停止于所述硬掩膜層中；

去除所述硬掩膜層，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，在所述步驟S2中，所述離子注入的注入離子選自C或Ge或其組合。

進(jìn)一步地，所述離子注入的注入方向與所述半導(dǎo)體襯底的表面垂直。

進(jìn)一步地，所述離子注入的能量范圍為2-10Kev，注入劑量范圍為1×10¹⁴-5×10¹⁴atom/cm²。

進(jìn)一步地，所述離子注入的深度小于等于所述墊氧化層的厚度。

進(jìn)一步地，所述退火工藝采用爐管退火或快速退火。

進(jìn)一步地，所述退火工藝的退火溫度范圍為900℃至1200℃。

進(jìn)一步地，所述襯墊層的材料包括氧化硅。

本發(fā)明實(shí)施例二提供一種采用前述的方法形成的半導(dǎo)體器件。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在STI的襯墊氧化物層形成之前，通過在淺溝槽頂部角部進(jìn)行摻碳或者鍺的工藝，形成錯(cuò)位，可以很好的形成STI尖角圓滑化，這種工藝的引入可以不用使用DCE氧化制程，并且節(jié)省了后面襯墊氧化物層側(cè)壁的刻蝕的步驟，有效避免了由于刻蝕造成的襯墊氧化物層底部變薄而導(dǎo)致的STI漏電問題的產(chǎn)生，提高了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的隔離作用，進(jìn)而提高了器件的良率和性能。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1A-圖1D示出了現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟所獲得器件的剖視圖；

圖2A-2D示出了本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法依次實(shí)施所獲得器件的剖視圖；

圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

這里參考作為本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖來描述發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致的形狀偏 差。例如，顯示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣通常具有圓的或彎曲特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元改變。同樣，通過注入形成的埋藏區(qū)可導(dǎo)致該埋藏區(qū)和注入進(jìn)行時(shí)所經(jīng)過的表面之間的區(qū)中的一些注入。因此，圖中顯示的區(qū)實(shí)質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖顯示器件的區(qū)的實(shí)際形狀且并不意圖限定本發(fā)明的范圍。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例一

下面，參考圖2A-2D以及圖3對(duì)本發(fā)明一具體實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法做詳細(xì)描述。其中，圖2A-2D示出了本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法依次實(shí)施所獲得器件的剖視圖；圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。

作為示例，本實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的制造方法，具體包括如下步驟：

首先，如圖2A所示，提供半導(dǎo)體襯底200，在所述半導(dǎo)體襯底200的表面上形成有墊氧化物層201，在所述墊氧化物層201上形成有具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層202。

半導(dǎo)體襯底200可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。雖然在此描述了可以形成半導(dǎo)體襯底200的材料的幾個(gè)示例，但是可以作為半導(dǎo)體襯底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。此外，半導(dǎo)體襯底200可以被劃分有源區(qū)，和/或半導(dǎo)體襯底200中還可以形成有摻雜阱(未示出)等等。

示例性地，在半導(dǎo)體襯底200上有墊氧化物層201。墊氧化物層201可以是利用熱氧化生長(zhǎng)法形成的，墊氧化物層201可以為厚度為20埃到50埃的氧化硅層。該層結(jié)構(gòu)致密，因此可以在后續(xù)刻蝕工藝中作為保護(hù)層使用。

在所述墊氧化物層201上形成有具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的 硬掩膜層202。硬掩膜層202的材料可以是氮化物或者是其它具有疊層結(jié)構(gòu)的復(fù)合層。硬掩膜層202的厚度可以為100埃至2500埃。示例性地，在硬掩膜層202上可以形成具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的光刻膠層，該具有圖案的光刻膠層可以是通過旋涂工藝形成的光刻膠，然后經(jīng)曝光、顯影、清洗等工藝形成的。此外，為了增強(qiáng)光刻膠層的光吸收率，可以再旋涂光刻膠之前形成底部抗反射層等。以具有圖案的光刻膠層為掩膜對(duì)硬掩膜層202進(jìn)行刻蝕，以將圖案轉(zhuǎn)移到硬掩膜層202上。該刻蝕步驟可以為干法刻蝕，所采用的刻蝕氣體可以包括CF₄和CH₂F₂等含氟氣體以及氦氣(He)，其中含氟氣體主要用作反應(yīng)性離子刻蝕的氣體，而氦氣主要起到稀釋刻蝕氣體的作用。

接著，如圖2A所示，對(duì)暴露的所述墊氧化物層201進(jìn)行離子注入摻雜工藝，以形成位于所述墊氧化物層201內(nèi)的非晶區(qū)域201a。

在墊氧化物層201中摻雜雜質(zhì)形成非晶區(qū)域。在墊氧化物層201摻雜雜質(zhì)的方法有很多種，其中較佳地為離子注入工藝。相比之下，離子注入工藝的步驟簡(jiǎn)單，摻雜劑量和摻雜深度較容易控制。其中，所述離子注入的注入離子選自C或Ge或其組合，也可為其它可以在墊氧化物層201中形成非晶區(qū)域的離子。示例性地，控制晶圓角度在零度角進(jìn)行離子注入，也即所述離子注入的注入方向與所述半導(dǎo)體襯底200的表面垂直。非晶區(qū)域可以通過離子注入能量和劑量的控制來達(dá)到線性速率和拋物線速率的控制。采用離子注入工藝在墊氧化物層201中摻雜C或Ge，為了使C或Ge較多地停留在墊氧化物層201中，所述離子注入的深度小于等于所述墊氧化層的厚度，離子注入工藝所采用的注入能量可以為2-10Kev。實(shí)際操作中，根據(jù)所形成的墊氧化物層201的厚度，可以在該范圍內(nèi)選擇合適的注入能量。為了使墊氧化物層201中具有適當(dāng)?shù)臐舛?，離子注入工藝所采用的注入劑量范圍為1×10¹⁴-5×10¹⁴atom/cm²。

接著，如圖2B所示，進(jìn)行退火工藝，以使得所述非晶區(qū)域201a向兩側(cè)擴(kuò)散到部分所述硬掩膜層202的下方的所述墊氧化物層201 內(nèi)。

可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何方法進(jìn)行本步驟中的退火工藝，包括但不限制于使用爐管退火、快速退火或激光退火等方法。較佳地，退火工藝中退火溫度可以為900℃至1200℃，退火工藝中退火時(shí)間可以為10秒至2小時(shí)?？筛鶕?jù)實(shí)際工藝需要選擇合適的參數(shù)。經(jīng)過退火工藝使得非晶區(qū)域201a中摻雜的雜質(zhì)C或Ge進(jìn)一步向兩側(cè)的墊氧化物層201內(nèi)擴(kuò)散，使得非晶區(qū)域的面積擴(kuò)大到部分所述硬掩膜層202的下方。

接著，如圖2C所示，以所述硬掩膜層202為掩膜，依次刻蝕所述非晶區(qū)域201a和部分所述半導(dǎo)體襯底200，以形成淺溝槽203。

硬掩膜層202為掩膜對(duì)非晶區(qū)域201a和部分所述半導(dǎo)體襯底200進(jìn)行刻蝕，所采用的刻蝕工藝還可以為干法刻蝕?？涛g氣體可以包括CF₄、C₂F₆和CHF₃等含氟氣體以及氬氣，其中含氟氣體主要用作反應(yīng)性離子刻蝕的氣體，而氦氣主要起到稀釋刻蝕氣體的作用。經(jīng)上述刻蝕工藝后得到圖2C中所示的淺溝槽203。

其中，位于硬掩膜層202下方的非晶區(qū)域201a被保留。

接著，如圖2D所示，在所述淺溝槽203的底部和側(cè)壁上形成襯墊層204，使所述淺溝槽的頂部尖角在這個(gè)過程中得以被圓滑化。

該襯墊層204可以為襯墊氧化物層，其材料較佳地包括氧化硅，可以是采用熱氧化法或沉積法(例如化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法等)形成。襯墊層204的厚度可以為4～10nm。襯墊層204可以改善半導(dǎo)體襯底200與隨后填充的STI氧化物層的界面特性。

本實(shí)施例中，較佳地采用熱氧化法形成襯墊層204，由于非晶區(qū)域201a中的碳錯(cuò)位或者鍺錯(cuò)位的存在，因此襯墊層204只需要生長(zhǎng)很薄的厚度，就能滿足STI尖角圓滑化(corner rounding)的需求，也能滿足側(cè)壁和底部的氧化物厚度的需求，可以不需要再使用酸來刻蝕襯墊層的側(cè)壁以減薄側(cè)壁厚度的制程，進(jìn)而不會(huì)使底部的襯墊層204變薄。

對(duì)于制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，還包括以下步驟：沉積隔離材料填充所述淺溝槽，并覆蓋所述硬掩膜層；對(duì)所述隔離材料進(jìn)行平坦化，停止于所述硬掩膜層中；去除所述硬掩膜層，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

隔離材料非限制性實(shí)例包括氧化物、氮化物和氮氧化物，尤其是，硅的氧化物、氮化物和氮氧化物，但不包括其他元素的氧化物、氮化物和氮氧化物。在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用HDP(高密度等離子體)沉積工藝在所述淺溝槽內(nèi)以及硬掩膜層上形成氧化物層，氧化物層的材料優(yōu)選為二氧化硅，采用HDP-CVD(高密度等離子體化學(xué)氣相沉積)形成氧化物層，HDP-CVD工藝是在同一個(gè)反應(yīng)腔室中同步地進(jìn)行沉積與濺射反應(yīng)，HDP-CVD工藝采用的反應(yīng)氣體包括SiH₄和O₂，以及濺射用的氣體氫氣和氦氣。由于沉積和濺射工藝是同時(shí)進(jìn)行的，通過調(diào)整SiH₄和O₂以及氫氣和氦氣的含量以使濺射沉積比為1:1。

對(duì)半導(dǎo)體襯底上的隔離材料進(jìn)行平坦化處理，所述隔離材料的表面與所述硬掩膜層的表面平齊，具體的，去除位于硬掩膜上的隔離材料層，接著去除硬掩膜層，在原先硬掩膜層所在的位置形成了空位，使填充淺溝槽的隔離材料的表面遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他位置。

至此完成了本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法的關(guān)鍵步驟的介紹，對(duì)于完整的器件的制造還需要其他中間步驟或后續(xù)步驟，在此均不再贅述。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在STI的襯墊氧化物層形成之前，通過在淺溝槽頂部角部進(jìn)行摻碳或者鍺的工藝，形成錯(cuò)位，可以很好的形成STI尖角圓滑化，這種工藝的引入可以不用使用DCE氧化制程，并且節(jié)省了后面襯墊氧化物層側(cè)壁的刻蝕的步驟，有效避免了由于刻蝕造成的襯墊氧化物層底部變薄而導(dǎo)致的STI漏電問題的產(chǎn)生，提高了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的隔離作用，進(jìn)而提高了器件的良率和性能。

參照?qǐng)D3，其中示出了本發(fā)明一具體實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程。

步驟S301：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有墊氧化物層，在所述墊氧化物層上形成有具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層；

步驟S302：對(duì)暴露的所述墊氧化物層進(jìn)行離子注入摻雜工藝，以形成位于所述墊氧化物層內(nèi)的非晶區(qū)域；

步驟S303：進(jìn)行退火工藝，以使得所述非晶區(qū)域向兩側(cè)擴(kuò)散到部分所述硬掩膜層的下方的所述墊氧化物層內(nèi)；

步驟S304：以所述硬掩膜層為掩膜，依次刻蝕所述非晶區(qū)域和部分所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；

步驟S305：在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層，使所述淺溝槽的頂部尖角在這個(gè)過程中得以被圓滑化。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施二提供一種采用上述的實(shí)施例一中的方法形成的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，形成于所述半導(dǎo)體襯底中的淺溝槽，形成于淺溝槽側(cè)壁和底部的襯墊層，形成于襯墊層上填充所述淺溝槽的隔離材料，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上還形成有墊氧化層，其中，所述墊氧化物層靠近所述淺溝槽側(cè)壁的部分包括被摻雜的非晶區(qū)域。

半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。雖然在此描述了可以形成半導(dǎo)體襯底的材料的幾個(gè)示例，但是可以作為半導(dǎo)體襯底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。此外，半導(dǎo)體襯底可以被劃分有源區(qū)，和/或半導(dǎo)體襯底中還可以形成有摻雜阱(未示出)等等。

在所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽，在淺溝槽側(cè)壁和底部形成有襯墊層，在襯墊層上形成有填充所述淺溝槽的隔離材料。

該襯墊層可以為襯墊氧化物層，其材料較佳地包括氧化硅，可以是采用熱氧化法或沉積法(例如化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法等)形成。襯墊層的厚度可以為4～10nm。襯墊層可以改善半導(dǎo)體 襯底與填充的STI氧化物層的界面特性。

隔離材料非限制性實(shí)例包括氧化物、氮化物和氮氧化物，尤其是，硅的氧化物、氮化物和氮氧化物，但不包括其他元素的氧化物、氮化物和氮氧化物。在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用HDP(高密度等離子體)沉積工藝在所述淺溝槽內(nèi)以及硬掩膜層上形成氧化物層，氧化物層的材料優(yōu)選為二氧化硅。作為示例，該隔離材料的頂部高于半導(dǎo)體襯底的頂表面。

示例性地，在半導(dǎo)體襯底上有墊氧化物層。墊氧化物層可以是利用熱氧化生長(zhǎng)法形成的，墊氧化物層可以為厚度為20埃到50埃的氧化硅層。其中，所述墊氧化物層靠近所述淺溝槽側(cè)壁的部分包括被摻雜的非晶區(qū)域。作為示例，在非晶區(qū)域中摻雜的雜質(zhì)可以包括C或Ge或其組合。

淺溝槽、襯墊層和隔離材料共同構(gòu)成了淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，由于非晶區(qū)域的存在，使淺溝槽的頂部尖角被很好的圓滑化，因此本發(fā)明的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)具有很好的隔離作用。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。