1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有墊氧化物層，在所述墊氧化物層上形成有具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的圖案的硬掩膜層；
步驟S2：對(duì)暴露的所述墊氧化物層進(jìn)行離子注入摻雜工藝，以形成位于所述墊氧化物層內(nèi)的非晶區(qū)域；
步驟S3：進(jìn)行退火工藝，以使得所述非晶區(qū)域向兩側(cè)擴(kuò)散到部分所述硬掩膜層的下方的所述墊氧化物層內(nèi)；
步驟S4：以所述硬掩膜層為掩膜，依次刻蝕所述非晶區(qū)域和部分所述半導(dǎo)體襯底，以形成淺溝槽；
步驟S5：在所述淺溝槽的底部和側(cè)壁上形成襯墊層，使所述淺溝槽的頂部尖角在這個(gè)過程中得以被圓滑化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S5之后，還包括以下步驟：
沉積隔離材料填充所述淺溝槽，并覆蓋所述硬掩膜層；
對(duì)所述隔離材料進(jìn)行平坦化，停止于所述硬掩膜層中；
去除所述硬掩膜層，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述離子注入的注入離子選自C或Ge或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入的注入方向與所述半導(dǎo)體襯底的表面垂直。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入的能量范圍為2-10Kev，注入劑量范圍為1×1014-5×1014atom/cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入的深度小于等于所述墊氧化層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火工藝采用爐管退火或快速退火。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的退火溫度范圍為900℃至1200℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述襯墊層 的材料包括氧化硅。
10.一種采用如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法形成的半導(dǎo)體器件。