本發(fā)明屬于光轉(zhuǎn)換體封裝LED技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

LED具有高亮度、低熱量、長(zhǎng)壽命、環(huán)保、可再生利用等優(yōu)點(diǎn)，被稱為21世紀(jì)最有發(fā)展前景的新一代綠色照明光源。目前，雖然LED的理論壽命可以達(dá)到100000小時(shí)以上，然而在實(shí)際使用中，因?yàn)槭艿叫酒?、封裝失效、熱過應(yīng)力失效、電過應(yīng)力失效或/和裝配失效等多種因素的制約，其中以封裝失效尤為突出，而使得LED過早地出現(xiàn)了光衰或光失效的現(xiàn)象，這將阻礙LED作為新型節(jié)能型照明光源的前進(jìn)步伐。為了解決這些問題，業(yè)界許多學(xué)者已開展了相關(guān)研究，并且提出了一些能夠提高LED光效和實(shí)際使用壽命的改進(jìn)措施。如近幾年新發(fā)展起來(lái)的倒裝LED與傳統(tǒng)的正裝LED相比，具有高光效、高可靠性和易于集成的優(yōu)點(diǎn)，并且封裝材料大幅簡(jiǎn)化，如傳統(tǒng)封裝的金線、固晶膠、支架等都不再需要，封裝工藝流程也大大簡(jiǎn)化，如傳統(tǒng)封工藝的固晶、焊線，甚至是分光等竇不再需要，使得倒裝LED得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用；但同時(shí)也要看到，現(xiàn)有倒裝LED封裝技術(shù)大多采用的是有機(jī)硅樹脂類的光轉(zhuǎn)換體與倒裝LED芯片貼合的流延工藝、絲網(wǎng)印刷工藝、上下平板模工藝、單輥擺壓工藝等，因在這些工藝及其相配套的封裝裝備中無(wú)一例外地采用了機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體的制膜、膜固化、剝膜、貼合LED倒裝芯片的傳統(tǒng)工藝及裝備，對(duì)外層保護(hù)膜片的剝膜處理常帶來(lái)雜質(zhì)、氣孔，從而影響光轉(zhuǎn)換膜片的厚度均勻性，影響成品LED封裝體元件的出光效率、光色一致性等，使得機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體封裝LED的生產(chǎn)效率降低、良品率降低以及產(chǎn)品成本居高不下。

中國(guó)專利申請(qǐng)201010204860.9公開了“一種倒裝LED芯片的封裝方法”，其步驟包括：(a)通過絲網(wǎng)印刷把光轉(zhuǎn)換體涂覆于LED芯片表面，并對(duì)光轉(zhuǎn)換體進(jìn)行烘烤固化；(b)把LED芯片固定在芯片基板上，使LED芯片電極與芯片基板電極鍵合；(c)把LED芯片和芯片基板固定在支架反射杯的杯底；(d)利用導(dǎo)線將已固定的芯片基板的正負(fù)電極分別與支架的正負(fù)電極連接；(e)將封?；蛲哥R蓋在固定有LED芯片和芯片基板的支架 上，并充滿硅膠；(f)整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行烘烤固化。該方法雖然通過絲網(wǎng)印刷工藝來(lái)提高光轉(zhuǎn)換體涂覆厚度的均勻性，提高熒光粉顆粒分布的均勻性，以達(dá)到提高良品率的目的；但還存在以下明顯不足：一是絲網(wǎng)印刷把有機(jī)硅樹脂類的光轉(zhuǎn)換體涂覆于LED芯片表面，之后在烘烤固化過程中因受熱過應(yīng)力影響，還是會(huì)導(dǎo)致光轉(zhuǎn)換體涂層與LED芯片的涂覆面層局部產(chǎn)生氣泡而形成凹凸不平的瑕疵；二是將封模或透鏡蓋充滿硅膠與涂覆有光轉(zhuǎn)換體的LED芯片封裝，之后整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行烘烤固化過程中因受熱過應(yīng)力影響，還是會(huì)導(dǎo)致封模或透鏡蓋中的硅膠面層局部產(chǎn)生氣泡而形成凹凸不平的瑕疵，必然會(huì)導(dǎo)致LED光效下降，直接影響良品率的提升。

中國(guó)專利申請(qǐng)201310270747.4公開了“被覆有光轉(zhuǎn)換體層的LED、其制造方法以及LED裝置”，該方案包括：LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個(gè)面上配置LED；層配置工序，以被覆LED的方式在支撐片的厚度方向的一個(gè)面上配置光轉(zhuǎn)換體層，所述光轉(zhuǎn)換體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及光轉(zhuǎn)換體的熒光樹脂組合物形成；固化工序，對(duì)光轉(zhuǎn)換體層照射活性能量射線，使光轉(zhuǎn)換體層固化；裁切工序，與LED對(duì)應(yīng)地裁切光轉(zhuǎn)換體層，從而得到具備LED、和被覆LED的光轉(zhuǎn)換體層的被覆有光轉(zhuǎn)換體層的LED；以及LED剝離工序，在裁切工序之后，將被覆有光轉(zhuǎn)換體層的LED從支撐片剝離。該方法的目的在于提供光轉(zhuǎn)換體均勻配置在LED的周圍、以防損傷地而得到被覆有光轉(zhuǎn)換體層的LED、以及具備該被覆有光轉(zhuǎn)換體層的LED的LED裝置；但還存在以下明顯不足：一是光轉(zhuǎn)換體的熒光樹脂組合物在固化過程中，因受熱過應(yīng)力影響，還是會(huì)導(dǎo)致光轉(zhuǎn)換體面層的局部產(chǎn)生氣泡而形成凹凸不平的瑕疵；二是采用剝膜、涂膠、貼合LED工藝，必然會(huì)受到熱過應(yīng)力影響，導(dǎo)致中LED使用中出現(xiàn)光效下降，造成良品率降低；三是整個(gè)封裝工藝中的工序比較繁瑣，封裝LED的生產(chǎn)效率不高。

中國(guó)專利申請(qǐng)：201380027218.X公開了“樹脂片材層合體及使用其的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法”，該方案所述樹脂片材層合體是在基材上設(shè)置有含熒光體樹脂層，所述含熒光體樹脂層具有多個(gè)區(qū)塊，基材具有長(zhǎng)度方向和寬度方向，所述多個(gè)區(qū)塊在長(zhǎng)度方向上重復(fù)配置成列。雖然該方案的發(fā)明目的在于，通過所述樹脂片材層合體，提高貼附有含熒光體樹脂層的半導(dǎo)體發(fā)光元件的顏色和亮度的均勻性、制造的容易性、設(shè)計(jì)的自由度等，但還存在以下明顯不足：一是采用的熒光體樹脂片材為固化的熒光體樹脂片材，將無(wú)法有效消除其中可能殘留的氣孔、凹凸不平或其它加工瑕疵等；二是在粘接工序中， 將加壓工具自半導(dǎo)體發(fā)光元件側(cè)向進(jìn)行加壓，會(huì)損傷半導(dǎo)體發(fā)光元件；三是采用熒光體樹脂層中含粘接劑粘接工藝，很難清除被粘接后的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的殘留物，粘接過程極易產(chǎn)生氣孔，會(huì)造成良品率降低，同時(shí)還因粘接層的存在而降低了LED元件的出光效率等。

綜上所述，如何克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足已成為當(dāng)今于光轉(zhuǎn)換體封裝LED技術(shù)領(lǐng)域中亟待解決的重大難題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)，本發(fā)明具有以有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜替代剝膜的顯著優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體貼合封裝LED的條件需要，從而提高工業(yè)化批量LED封裝的生產(chǎn)效率和優(yōu)品率。

根據(jù)本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法，其特征在于，它包括如下基本步驟：

步驟1，精制光轉(zhuǎn)換膜片的滾壓成型：在真空加熱條件下，將外層保護(hù)膜片A、半固化光轉(zhuǎn)換材料以及外層保護(hù)膜片B通過一組或多組光面滾壓壓合裝置進(jìn)行滾壓，得到由外層保護(hù)膜片A、半固化光轉(zhuǎn)換膜片和外層保護(hù)膜片B組成的精制光轉(zhuǎn)換膜片；所述半固化光轉(zhuǎn)換材料為半固化光轉(zhuǎn)換膜或半固化光轉(zhuǎn)換漿料；所述外層保護(hù)膜B的材質(zhì)為含有光轉(zhuǎn)換材料的可融性有機(jī)硅光敏樹脂；

步驟2，光轉(zhuǎn)換膜片陣列的滾壓定形：在真空條件下，將所述帶有外層保護(hù)膜的精制光轉(zhuǎn)換膜片通過相向?qū)?zhǔn)的帶有凸塊陣列的滾壓裝置1與帶有凹槽陣列的滾壓裝置2進(jìn)行加熱滾壓定形，得到由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列；所述凹槽位于靠近外層保護(hù)膜片B的一側(cè)；

步驟3，光轉(zhuǎn)換膜片陣列的融膜：在真空光照條件下，對(duì)步驟2所述光轉(zhuǎn)換膜片陣列的外層保護(hù)膜片B進(jìn)行融膜，從而得到能夠符合貼合封裝LED的僅帶外層保護(hù)膜片A的具有單面半固化狀的光轉(zhuǎn)換膜片陣列；其中：所述融膜是指將外層保護(hù)膜片B通過光輻射方式融合并與步驟1所述半固化光轉(zhuǎn)換膜片合成一體。

上述本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法的裝備系統(tǒng)，其特征在于：它包括用于精制光轉(zhuǎn)換膜片的光面滾壓壓合裝置、對(duì)精制光轉(zhuǎn)換 膜片進(jìn)行加熱滾壓定形的滾壓定形裝置、對(duì)滾壓定形后的精制光轉(zhuǎn)換膜片進(jìn)行融膜的融膜裝置；所述光面滾壓壓合裝置、滾壓定形裝置、融膜裝置依次設(shè)置，且構(gòu)成協(xié)同聯(lián)動(dòng)的工序裝備；其中：所述光面滾壓壓合裝置包括一組或多組相向?qū)?zhǔn)滾壓的光面滾件A1與光面滾件B1；所述滾壓定形裝置包括相向?qū)?zhǔn)滾壓的帶有凸塊陣列的滾壓裝置1與帶有凹槽陣列的滾壓裝置2。

本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)原理是：為了更好地解決現(xiàn)有LED封裝工藝中所存在的關(guān)鍵問題，本發(fā)明巧妙地設(shè)計(jì)了基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的新工藝及裝備系統(tǒng)。本發(fā)明的制膜、融膜和貼合封裝原理在于：一方面是利用輥輪滾壓使半固化有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換膜片中的凹凸不平之處產(chǎn)生流動(dòng)，消除半固化有機(jī)硅光轉(zhuǎn)換膜片中可能殘留的氣孔、凹凸不平或其它加工瑕疵等，從而得到無(wú)氣孔、平整以及厚度均勻的精制半固化機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換膜片；另一方面所述外層保護(hù)膜片B的材質(zhì)采用含有光轉(zhuǎn)換材料的可融性有機(jī)硅光敏樹脂，能夠通過光照方式有效地將外層保護(hù)膜片B與半固化光轉(zhuǎn)換膜片融合并合成一體，形成含單側(cè)保護(hù)膜片的半固化光轉(zhuǎn)換膜片，使其與之后的LED滾壓貼合工藝相配套，以便制得高質(zhì)量的LED封裝體元件；再一方面本發(fā)明為流程式連續(xù)工藝，有利于滿足批量生產(chǎn)LED封裝體元件的加工條件和保證規(guī)格尺寸完全一致，不僅提高了LED封裝體元件的生產(chǎn)效率，同時(shí)提高了成品LED封裝體元件的光色一致性，使優(yōu)品率大幅提升。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比其顯著的優(yōu)點(diǎn)在于：

一是本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的新工藝及裝備系統(tǒng)，它克服了現(xiàn)有流延工藝、絲網(wǎng)印刷工藝、上下平板模工藝和單輥擺壓工藝等舊式工藝及設(shè)備所存在的貼合封裝LED的生產(chǎn)效率和優(yōu)品率明顯不足的問題，因此本發(fā)明能夠滿足半固化有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體貼合封裝LED的需要，從而提高了工業(yè)化批量LED封裝的生產(chǎn)效率和優(yōu)品率。

二是本發(fā)明提出了加熱滾壓定形的工藝，能夠有效地消除半固化有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換膜片中可能殘留的氣孔、凹凸不平以及其它加工瑕疵等，從而有利于提高后道工藝中的成品LED封裝體元件的光色一致性，如運(yùn)用本發(fā)明制得的LED封裝體元件的優(yōu)品率相比現(xiàn)有技術(shù)有明顯提高。

三是本發(fā)明提出的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的新工藝，外層保護(hù)膜片B的材質(zhì)采用含有光轉(zhuǎn)換材料的可融性有機(jī)硅光敏樹脂，能夠通過光照方式有效地將外層保護(hù)膜片B 與半固化光轉(zhuǎn)換膜片融合并合成一體，形成含單側(cè)保護(hù)膜片的半固化光轉(zhuǎn)換膜片，使其與后道工藝中的LED陣列膜片進(jìn)行滾壓貼合，以便制得高質(zhì)量的LED封裝體元件，很好地解決了現(xiàn)有傳統(tǒng)工藝中有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換膜片剝膜的重大難題。

四是本發(fā)明提出的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的新工藝的具體實(shí)施方案中，不僅革除了現(xiàn)有傳統(tǒng)工藝中的粘結(jié)層，簡(jiǎn)化了工序，而且還適于配套流程式連續(xù)工藝的裝備系統(tǒng)，更好地滿足工業(yè)化批量封裝LED的生產(chǎn)要求，從而顯著提高工業(yè)化批量封裝LED的生產(chǎn)效率。

五是本發(fā)明提出的工藝方法廣泛適用于有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體與各種功率大小LED的貼合封裝工藝，完全滿足工業(yè)化批量封裝LED過程中對(duì)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝過程實(shí)施精細(xì)化加工的需求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法的流程方框示意圖。

圖2為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)的流程布局結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3A為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)中制得精制光轉(zhuǎn)換膜片的第一種實(shí)施例的工序示意圖和用于精制光轉(zhuǎn)換膜片滾壓成型的光面滾壓壓合裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3B為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)中制得精制光轉(zhuǎn)換膜片的第二種實(shí)施例的工序示意圖和用于精制光轉(zhuǎn)換膜片滾壓成型的光面滾壓壓合裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3C為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)中制得精制光轉(zhuǎn)換膜片的第三種實(shí)施例的工序示意圖和用于精制光轉(zhuǎn)換膜片滾壓成型的光面滾壓壓合裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4A為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)中光轉(zhuǎn)換膜片陣列的滾壓定形的第一種實(shí)施例的工序示意圖和滾壓定形裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4B為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及 裝備系統(tǒng)中光轉(zhuǎn)換膜片陣列的滾壓定形的第二種實(shí)施例的工序示意圖和滾壓定形裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)中光轉(zhuǎn)換膜片陣列的融膜的工序示意圖和融膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明附圖中的編號(hào)說明如下：

1-1光面滾壓壓合裝置中的光面單輥輪A1。

1-2光面滾壓壓合裝置中的光面單輥輪B1。

1-3光面滾壓壓合裝置中的光面單輥輪A2。

1-4光面滾壓壓合裝置中的光面單輥輪B2。

1-5光面滾壓壓合裝置中的緩沖輥輪1。

1-6光面滾壓壓合裝置中的緩沖輥輪2。

2-1滾壓定形裝置中帶凸塊陣列的單輥輪1。

2-2滾壓定形裝置中帶凹槽陣列的單輥輪2。

2-3滾壓定形裝置中帶凹槽陣列的平面?zhèn)魉脱b置2。

2-4滾壓定形裝置中帶凸塊陣列的單輥輪1上的凸塊。

2-5滾壓定形裝置中帶凹槽陣列的單輥輪2上的凹槽。

2-6滾壓定形裝置中帶凹槽陣列的平面?zhèn)魉脱b置2上的凹槽。

3融膜裝置。

4收卷輥。

5-1半固化光轉(zhuǎn)換膜。

5-2半固化光轉(zhuǎn)換漿料。

5-3外層保護(hù)膜片A。

5-4外層保護(hù)膜片B。

5-5半固化光轉(zhuǎn)換膜片。

5-6精制光轉(zhuǎn)換膜片。

5-7融膜前由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列中的單塊光轉(zhuǎn)換膜片。

5-8融膜后的帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片所述組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列中的單塊光轉(zhuǎn)換膜片。

6緩沖輥

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

實(shí)施例1：結(jié)合圖1-2，本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法，它包括如下具體步驟：

步驟1，精制光轉(zhuǎn)換膜片的滾壓成型：在真空加熱條件下，將外層保護(hù)膜片A、半固化光轉(zhuǎn)換材料以及外層保護(hù)膜片B通過一組或多組光面滾壓壓合裝置進(jìn)行滾壓，得到由外層保護(hù)膜片A、半固化光轉(zhuǎn)換膜片和外層保護(hù)膜片B組成的精制光轉(zhuǎn)換膜片；所述半固化光轉(zhuǎn)換材料為半固化光轉(zhuǎn)換膜或半固化光轉(zhuǎn)換漿料；所述外層保護(hù)膜片B的材質(zhì)為含有光轉(zhuǎn)換材料的可融性有機(jī)硅光敏樹脂；

步驟2，光轉(zhuǎn)換膜片陣列的滾壓定形：在真空條件下，將所述帶有外層保護(hù)膜的精制光轉(zhuǎn)換膜片通過相向?qū)?zhǔn)的帶有凸塊陣列的滾壓裝置1與帶有凹槽陣列的滾壓裝置2進(jìn)行加熱滾壓定形，得到由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列；所述凹槽位于靠近外層保護(hù)膜片B的一側(cè)；

步驟3，光轉(zhuǎn)換膜片陣列的融膜：在真空光照條件下，對(duì)步驟2所述光轉(zhuǎn)換膜片陣列的外層保護(hù)膜B進(jìn)行融膜，從而得到能夠符合貼合封裝LED的僅帶外層保護(hù)膜片A的具有單面半固化狀的光轉(zhuǎn)換膜片陣列；其中：所述融膜是指將外層保護(hù)膜片B通過光輻射方式融合并與步驟1所述半固化光轉(zhuǎn)換膜片合成一體。參見圖5所示，圖5示出步驟3中融膜前由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-7)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列通過融膜裝置3，光轉(zhuǎn)換膜片陣列的外層保護(hù)膜片B(5-4)被光輻射照射，與半固化光轉(zhuǎn)換膜片合成一體，得到由融膜后帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-8)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列。

特別需要說明的是：

本發(fā)明適用于對(duì)與LED倒裝芯片結(jié)構(gòu)類同的光電器件或電子器件的生產(chǎn)加工。

本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法的進(jìn)一步優(yōu)選方案是：

步驟1所述精制光轉(zhuǎn)換膜片的滾壓成型，是指將外層保護(hù)膜片A、半固化光轉(zhuǎn)換材料以及外層保護(hù)膜片B通過一組或多組光面滾壓壓合裝置進(jìn)行滾壓，即依次通過一組或者多組相向?qū)?zhǔn)的光面雙輥滾壓壓合裝置或/和光面單輥輪與光面平面?zhèn)魉脱b置組合而成 的光面滾壓壓合裝置進(jìn)行滾壓，從而得到精制光轉(zhuǎn)換膜片。所述半固化光轉(zhuǎn)換材料為半固化光轉(zhuǎn)換膜或半固化光轉(zhuǎn)換漿料。參見圖3A、3B和3C所示，其中：圖3A示出步驟1中外層保護(hù)膜片A(5-3)、半固化光轉(zhuǎn)換膜(5-1)以及外層保護(hù)膜片B(5-4)通過一組光面滾壓壓合裝置(1-1和1-2)進(jìn)行滾壓，得到精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)；圖3B示出步驟1中外層保護(hù)膜片A(5-3)、半固化光轉(zhuǎn)換漿料(5-2)以及外層保護(hù)膜片B(5-4)通過一組光面滾壓壓合裝置(1-1和1-2)進(jìn)行滾壓，得到精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)；圖3C示出步驟1中外層保護(hù)膜片A(5-3)、半固化光轉(zhuǎn)換漿料(5-2)以及外層保護(hù)膜片B(5-4)通過兩組光面滾壓壓合裝置(1-1、1-2、1-3和1-4)進(jìn)行滾壓，得到精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)。

步驟1所述精制光轉(zhuǎn)換膜片的滾壓成型的溫度為50～120℃；最佳滾壓成型的溫度為80～100。

步驟1所述精制光轉(zhuǎn)換膜片的厚度為800μm以內(nèi)；最佳精制光轉(zhuǎn)換膜片的厚度為150～250μm。

步驟1所述半固化光轉(zhuǎn)換膜片的材料為半固化的有機(jī)硅樹脂熒光粉膜片或半固化的有機(jī)硅樹脂量子點(diǎn)熒光體膜片。

步驟1所述外層保護(hù)膜A的材質(zhì)為聚酯、聚烯烴或聚醚。

步驟1所述外層保護(hù)膜片B中的光轉(zhuǎn)換材料與步驟1所述半固化光轉(zhuǎn)換膜片中的光轉(zhuǎn)換材料的材質(zhì)和含量相同；所述外層保護(hù)膜片B的材質(zhì)中還包括粘接劑。

步驟2所述帶有凸塊陣列的滾壓裝置1為帶有凸塊陣列的單輥輪1或帶有凸塊陣列的平面?zhèn)魉脱b置1；所述帶有凹槽陣列的滾壓裝置2為帶凹槽陣列的單輥輪2或帶凹槽陣列的平面?zhèn)魉脱b置2；所述滾壓裝置1與滾壓裝置2中至少一個(gè)為單輥輪。參見圖4A和4B所示，其中：附圖4A示出步驟2中帶有外層保護(hù)膜片A(5-3)和外層保護(hù)膜片B(5-4)的精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)通過相向?qū)?zhǔn)的帶凸塊陣列的單輥輪1(2-1)和帶凹槽陣列的單輥輪2(2-2)進(jìn)行加熱滾壓定形，得到由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-7)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列；圖4B示出步驟2中帶有外層保護(hù)膜片A(5-3)和外層保護(hù)膜片B(5-4)的精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)通過相向?qū)?zhǔn)的帶凸塊陣列的單輥輪1(2-1)和帶凹槽陣列的平面?zhèn)魉脱b置2(2-3)進(jìn)行加熱滾壓定形，得到由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-7)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列。

步驟2所述帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片的外形形狀為弧形、半圓球形或矩形。

步驟2所述帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片中，凹槽的長(zhǎng)、寬、高尺寸為L(zhǎng)ED倒裝芯片長(zhǎng)、 寬、高尺寸的1.01～1.05倍；最佳的凹槽的長(zhǎng)、寬、高尺寸為L(zhǎng)ED倒裝芯片長(zhǎng)、寬、高尺寸的1.02倍。

步驟2所述光轉(zhuǎn)換膜片陣列的滾壓定形的溫度為50～120℃；最佳滾壓定形的溫度為80～100℃。

上述本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法的裝備系統(tǒng)，結(jié)合圖2，它包括用于精制光轉(zhuǎn)換膜片的光面滾壓壓合裝置、對(duì)精制光轉(zhuǎn)換膜片進(jìn)行加熱滾壓定形的滾壓定形裝置、對(duì)滾壓定形后的精制光轉(zhuǎn)換膜片進(jìn)行融膜的融膜裝置；所述光面滾壓壓合裝置、滾壓定形裝置、融膜裝置依次設(shè)置，且構(gòu)成協(xié)同聯(lián)動(dòng)的工序裝備；其中：所述光面滾壓壓合裝置包括一組或多組相向?qū)?zhǔn)滾壓的光面滾件A1與光面滾件B1；所述滾壓定形裝置包括相向?qū)?zhǔn)滾壓的帶有凸塊陣列的滾壓裝置1與帶有凹槽陣列的滾壓裝置2。

本發(fā)明提出的一種異形有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體貼合封裝LED的裝備系統(tǒng)所涉及的各工序的裝置、設(shè)備或部件等均可參照本發(fā)明具體實(shí)施方式的要求在現(xiàn)有精密機(jī)械制造領(lǐng)域中擇優(yōu)選用。

本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法的裝備系統(tǒng)的進(jìn)一步優(yōu)選方案是：

所述光面滾壓壓合裝置中的光面滾件A1為光面單輥輪A1或光面平面?zhèn)魉脱b置A1，所述光面滾件B1為光面單輥輪B1或光面平面?zhèn)魉脱b置B1；所述光面滾件A1與光面輥件B1中至少一個(gè)為單輥輪。參見圖3A、3B和3C所示，其中：圖3A示出光面滾壓壓合裝置包括相向?qū)?zhǔn)滾壓的光面單輥輪A1(1-1)和光面單輥輪B1(1-2)；圖3B示出滾壓壓合裝置包括相向?qū)?zhǔn)滾壓的光面單輥輪A1(1-1)和光面單輥輪B1(1-2)；圖3C示出光面滾壓壓合裝置包括相向?qū)?zhǔn)滾壓的光面單輥輪A1(1-1)和光面單輥輪B1(1-2)以及相向?qū)?zhǔn)滾壓的光面單輥輪A2(1-3)和光面單輥輪B2(1-4)；外層保護(hù)膜片A(8-3)、半固化光轉(zhuǎn)換膜(5-1)或半固化光轉(zhuǎn)換漿料(5-2)以及外層保護(hù)膜片B(5-4)通過一組或多組光面滾壓壓合裝置進(jìn)行滾壓，得到精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)。

所述帶有凸塊陣列的滾壓裝置1為帶有凸塊陣列的單輥輪1或帶有凸塊陣列的平面?zhèn)魉脱b置1；所述帶有凹槽陣列的滾壓裝置2為帶凹槽陣列的單輥輪2或帶凹槽陣列的平面?zhèn)魉脱b置2；所述帶有凸塊陣列的滾壓裝置1與帶有凹槽陣列的滾壓裝置2中至少一個(gè)為單輥輪。參見圖4A和圖4B所示，其中：圖4A示出滾壓定形裝置包括相向?qū)?zhǔn) 的帶凸塊陣列的單輥輪1(2-1)和帶凹槽陣列的單輥輪2(2-2)；圖4B示出滾壓定形裝置包括相向?qū)?zhǔn)的帶凸塊陣列的單輥輪1(2-1)和帶凹槽陣列的平面?zhèn)魉脱b置2(2-3)；帶有外層保護(hù)膜片A(5-3)和外層保護(hù)膜片B(5-4)的精制光轉(zhuǎn)換膜片(5-6)通過滾壓定形裝置進(jìn)行加熱滾壓定形，得到由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-7)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列。

所述融膜裝置為至少包括輻射光源和平面?zhèn)魉脱b置的光輻射裝置。參見附圖5所示，圖5示出融膜前由帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-7)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列通過融膜裝置3，光轉(zhuǎn)換膜片陣列的外層保護(hù)膜片B(5-4)被光輻射照射，與半固化光轉(zhuǎn)換膜片合成一體，得到由融膜后帶凹槽的單塊光轉(zhuǎn)換膜片(5-8)所組成的光轉(zhuǎn)換膜片陣列。

所述光面滾壓壓合裝置設(shè)有調(diào)節(jié)的光面滾件A與光面輥件B之間間距的位移調(diào)節(jié)裝置；滾壓定形裝置設(shè)有調(diào)節(jié)滾壓裝置1與滾壓裝置2之間間距的位移調(diào)節(jié)裝置。

所述光面滾壓壓合裝置的光面滾件A1與光面輥件B1中凡為單輥輪的，其輥徑向跳動(dòng)距離≤2μm；所述滾壓定形裝置的帶有凸塊陣列的滾壓裝置1與帶有凹槽陣列的滾壓裝置2中凡為單輥輪的，其輥徑向跳動(dòng)距離≤2μm。

所述滾壓定形裝置中帶有凸塊陣列的滾壓裝置1中凸塊陣列的凸塊的形狀為矩形，且其長(zhǎng)、寬、高尺寸為L(zhǎng)ED倒裝芯片長(zhǎng)、寬、高尺寸的1.01～1.05倍；最佳的凸塊的長(zhǎng)、寬、高尺寸為L(zhǎng)ED倒裝芯片長(zhǎng)、寬、高尺寸的1.02倍；所述帶有凹槽陣列的滾壓裝置2中凹槽陣列的凹槽形狀為弧形、半圓球形或矩形。

本發(fā)明所述裝備系統(tǒng)的光面滾壓壓合裝置、滾壓定形裝置和融膜裝置依次協(xié)同聯(lián)動(dòng)，構(gòu)成流程式的連續(xù)工序裝備。

本發(fā)明的具體實(shí)施方式中凡未涉到的說明屬于本領(lǐng)域的公知技術(shù)，可參考公知技術(shù)加以實(shí)施。

本發(fā)明經(jīng)反復(fù)試驗(yàn)驗(yàn)證，取得了滿意的試用效果。

以上具體實(shí)施方式及實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明提出的一種基于LED封裝的有機(jī)硅樹脂光轉(zhuǎn)換體融膜的工藝方法及裝備系統(tǒng)技術(shù)思想的具體支持，不能以此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡是按照本發(fā)明提出的技術(shù)思想，在本技術(shù)方案基礎(chǔ)上所做的任何等同變化或等效的改動(dòng)，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍。