1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：
提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有鰭片；
在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成覆蓋所述鰭片的溝道柵極區(qū)域的高k介電層、功函數(shù)調(diào)制層和金屬柵極，其中，
對(duì)于PMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括第一功函數(shù)調(diào)制層，對(duì)于NMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括第二功函數(shù)調(diào)制層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，對(duì)于PMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括自下而上鋁含量由低到高逐漸變化的鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層，對(duì)于NMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括自下而上氮含量由低到高逐漸變化的氮摻雜的第二功函數(shù)調(diào)制層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，對(duì)于PMOS，形成所述功函數(shù)調(diào)制層的步驟包括：
形成由第一功函數(shù)調(diào)制層、鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層和第一功函數(shù)調(diào)制層依次組成的第一疊層的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，對(duì)于PMOS，形成所述功函數(shù)調(diào)制層的步驟還包括：多次循環(huán)執(zhí)行形成所述第一疊層的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層中鋁的含量從5％逐漸調(diào)節(jié)到20％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)調(diào)制層的材料包括氮化鈦TiN。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，對(duì)于NMOS，形成所述功函數(shù)調(diào)制層的步驟包括：
形成由第一功函數(shù)調(diào)制層、鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層和第一功函數(shù)調(diào)制層依次組成的第二疊層的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，對(duì)于NMOS，形成所述功函數(shù)調(diào)制層的步驟還包括：多次循環(huán)執(zhí)行形成所述第二疊層的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，氮摻雜的第二功函數(shù)調(diào)制層中氮的含量從5％逐漸調(diào)節(jié)到15％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2或7或8或9所述的制造方法，其特征在于，所述第二功函數(shù)調(diào)制層的材料包括TiAl。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述高k介電層和所述功函數(shù)調(diào)制層之間形成覆蓋層，以及在所述功函數(shù)調(diào)制層和金屬柵極之間形成阻擋層的步驟。
12.一種如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的制造方法形成的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有鰭片；
依次位于所述半導(dǎo)體襯底上并覆蓋所述鰭片的溝道柵極區(qū)域的高k介電層、功函數(shù)調(diào)制層和金屬柵極，對(duì)于PMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括第一功函數(shù)調(diào)制層，對(duì)于NMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括第二功函數(shù)調(diào)制層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，對(duì)于PMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括自下而上鋁含量由低到高逐漸變化的鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層，對(duì)于NMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括自下而上氮含量由低到高逐漸變化的氮摻雜的第二功函數(shù)調(diào)制層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一功函數(shù)調(diào)制層為氮化鈦，所述第二功函數(shù)調(diào)制層為TiAl。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，對(duì)于PMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括：由第一功函數(shù)調(diào)制層、鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層和第一功函數(shù)調(diào)制層依次組成的第一疊層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，對(duì)于PMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層由多個(gè)所述第一疊層組成。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鋁摻雜的第一功函數(shù)調(diào)制層中鋁的含量從5％逐漸調(diào)節(jié)到20％。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，對(duì)于NMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層包括：
由第二功函數(shù)調(diào)制層、氮摻雜的第二功函數(shù)調(diào)制層和第二功函數(shù)調(diào)制層依次組成的第二疊層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，對(duì)于NMOS，所述功函數(shù)調(diào)制層由多個(gè)所述第二疊層組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，氮摻雜的第二功函數(shù)調(diào)制層中氮的含量從5％逐漸調(diào)節(jié)到15％。