技術(shù)編號：12065884
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)隨著CMOS器件尺寸的不斷縮小，促進了三維設(shè)計如鰭片場效應(yīng)晶體管(FinFET)的發(fā)展。相對于現(xiàn)有的平面晶體管，F(xiàn)inFET器件在溝道控制以及降低短溝道效應(yīng)等方面具有更加優(yōu)越的性能。當器件發(fā)展到14nm技術(shù)節(jié)點時，F(xiàn)inFET器件由于其優(yōu)越的性能而成為了主流器件。然而，隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小，F(xiàn)inFET器件的閾值電壓(Vt)調(diào)節(jié)離子注入的實現(xiàn)變的越來越來難，主要是因為離子注入對鰭片的損傷很難控制，以及很難避免的陰影...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。