技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種VDMOS器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，解決現(xiàn)有VDMOS器件的EAS易失效的問(wèn)題。本發(fā)明的VDMOS器件包括：N型襯底層；位于N型襯底層表面的N型外延層，且N型外延層上設(shè)置有第一溝槽，位于N型外延層上的柵極氧化層、多晶柵極、氧化物介質(zhì)層及金屬層，還包括：設(shè)置于第一溝槽內(nèi)、具有第一濃度的P型外延層，P型外延層內(nèi)鑲嵌有源區(qū)，所述源區(qū)的表面高出于N型外延層的表面設(shè)置，且源區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有第二溝槽，連通至金屬層；具有第二濃度的P型溝道區(qū)，位于N型外延層和柵極氧化層之間，且設(shè)置于源區(qū)和第二溝槽之外的區(qū)域，源區(qū)的表面與P型溝道區(qū)的表面持平。本發(fā)明有效提升了器件的EAS能力。

技術(shù)研發(fā)人員：趙圣哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510212247
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.29
技術(shù)公布日：2016.12.07