專(zhuān)利名稱(chēng)：光電元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電元件，特別涉及一種具有磁性構(gòu)件以產(chǎn)生磁場(chǎng)的光電元件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)是一種由半導(dǎo)體材料制作而成的發(fā)光元件。由于發(fā)光二極管屬于冷發(fā)光，具有耗電量低、元件壽命長(zhǎng)、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，再加上體積小容易制成極小或陣列式元件的特性，因此近年來(lái)隨著技術(shù)不斷地進(jìn)步，其應(yīng)用范圍涵蓋了電腦或家電產(chǎn)品的指示燈、液晶顯示裝置的背光源乃至交通標(biāo)志或是車(chē)用指示燈。圖1為一種已知的發(fā)光二極管元件1的側(cè)視示意圖。發(fā)光二極管元件1包括基板 11、N型半導(dǎo)體層12、多重量子阱層13、P型半導(dǎo)體層14、透光導(dǎo)電層15、第一電極16及第二電極17。在發(fā)光二極管元件1中，上述元件是由基板11往上一層一層堆疊而成，并沿Y 軸方向生長(zhǎng)。而多重量子阱層13作為主要發(fā)光區(qū)往往僅有數(shù)十或數(shù)百納米的厚度。當(dāng)電流從第二電極17(正極)流向第一電極16(負(fù)極)時(shí)，會(huì)具有沿X、Y、Z軸方向的速度分量 (圖1僅示VX、VY的速度分量)，且載流子會(huì)很快地通過(guò)主要發(fā)光區(qū)，而無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間停留在主要發(fā)光區(qū)做有效的復(fù)合并產(chǎn)生光子，因而造成發(fā)光二極管元件1的發(fā)光效能不佳。因此，如何提供一種光電元件通過(guò)改變載流子在光電元件中的運(yùn)動(dòng)路徑而提升光電元件的發(fā)光效能或發(fā)電效能，已成為重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種光電元件通過(guò)改變載流子在光電元件中的運(yùn)動(dòng)路徑而提升光電元件的發(fā)光效能。為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種光電元件包括光電疊層以及磁性構(gòu)件。磁性構(gòu)件設(shè)置于光電疊層內(nèi)或相鄰設(shè)置于光電疊層并產(chǎn)生磁場(chǎng)。在實(shí)施例中，光電元件可為發(fā)光二極管元件，通過(guò)磁性構(gòu)件所產(chǎn)生的磁場(chǎng)，可使發(fā)光二極管元件提升發(fā)光效能。在實(shí)施例中，磁性構(gòu)件可位于光電疊層之下或之上。如此皆可產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)以延長(zhǎng)載流子在光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)路徑。在實(shí)施例中，光電疊層具有基板及外延層，外延層設(shè)置于基板之上，光電疊層還具有電流擴(kuò)散層設(shè)置于外延層之上，磁性構(gòu)件埋設(shè)于電流擴(kuò)散層內(nèi)，且磁性構(gòu)件產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)以延長(zhǎng)載流子在光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)路徑。在實(shí)施例中，光電疊層具有基板及外延層，外延層設(shè)置于基板之上，外延層具有至少一凹槽以使該外延層形成平臺(tái)，磁性構(gòu)件位于外延層的凹槽內(nèi)。例如磁性構(gòu)件可包括兩磁性層，這些磁性層分別位于外延層的平臺(tái)的兩側(cè)并緊鄰?fù)庋訉拥亩嘀亓孔于鍖?，以產(chǎn)生穿過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)，以延長(zhǎng)載流子在光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)路徑。此外，在此實(shí)施例中，磁性構(gòu)件的高度可不超過(guò)平臺(tái)的高度以避免造成遮光。 在實(shí)施例中，光電疊層具有基板及外延層，外延層設(shè)置于基板之上，光電疊層還具有第一電極及第二電極，第一電極設(shè)置于外延層的凹槽內(nèi)，第二電極設(shè)置于外延層之上，磁性構(gòu)件位于第二電極與外延層之間，以產(chǎn)生穿過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)，以延長(zhǎng)載流子在光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)路徑。在實(shí)施例中，磁性構(gòu)件與第二電極至少部分重疊，通過(guò)使磁性構(gòu)件與第二電極具有重疊的部分，可減少兩者所造成的遮光量。在實(shí)施例中，磁性構(gòu)件包括鐵、鈷、鎳、錳、或其他磁性材料，另外，磁性構(gòu)件還可包括高反射材料，以作為反射層之用。在實(shí)施例中，磁性構(gòu)件可呈長(zhǎng)條狀、多點(diǎn)狀、或不連續(xù)分布狀，通過(guò)不同形狀或分布的磁性構(gòu)件，可產(chǎn)生不同強(qiáng)度或方向的電場(chǎng)，以對(duì)載流子產(chǎn)生不同的延長(zhǎng)效應(yīng)，進(jìn)而增加磁性構(gòu)件的應(yīng)用性。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一種光電元件包括光電疊層以及磁性構(gòu)件。光電疊層具有基板及外延層，外延層設(shè)置于基板之上，外延層具有至少一凹槽以使外延層形成平臺(tái)。磁性構(gòu)件位于外延層的凹槽，產(chǎn)生磁場(chǎng)通過(guò)光電疊層。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一種光電元件包括光電疊層以及磁性構(gòu)件。光電疊層具有基板及外延層，外延層設(shè)置于基板之上，光電疊層還具有第一電極及第二電極，第一電極設(shè)置于外延層的凹槽內(nèi)，第二電極設(shè)置于外延層之上。磁性構(gòu)件設(shè)置于光電疊層內(nèi)，并位于第二電極與外延層之間，產(chǎn)生磁場(chǎng)通過(guò)光電疊層。承上所述，本發(fā)明的光電元件通過(guò)磁性構(gòu)件的設(shè)置，磁性構(gòu)件可產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)，進(jìn)而使光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)中的載流子受到霍爾效應(yīng)(Hall effect)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑而提升光電效能。例如對(duì)發(fā)光二極管而言，利用霍爾效應(yīng)使光電疊層的運(yùn)動(dòng)載流子產(chǎn)生作用，改變其運(yùn)動(dòng)方向，進(jìn)而延長(zhǎng)載流子的運(yùn)動(dòng)路徑而達(dá)到電流擴(kuò)散目的、或增加載流子停留在主要發(fā)光區(qū)的時(shí)間而增加載流子復(fù)合發(fā)光的機(jī)會(huì)，而提升發(fā)光效能。


圖1為一種已知的發(fā)光二極管元件的側(cè)視示意圖；圖2為運(yùn)動(dòng)載流子受霍爾效應(yīng)而改變運(yùn)動(dòng)路徑的示意圖；圖3至圖5為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種光電元件及其磁性構(gòu)件的不同示例的示意圖；以及圖6A至圖6C為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種光電元件及其磁性構(gòu)件的不同示例的俯視示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1 發(fā)光二極管元件 11、21 基板12 :N型半導(dǎo)體層13、223 多重量子阱層14 =P型半導(dǎo)體層15 透光導(dǎo)電層16、23:第一電極17、24:第二電極2、2a 2e 光電元件 20 光電疊層22 外延層221 第一半導(dǎo)體層222 第二半導(dǎo)體層2M 凹槽25 反射鏡26 鈍化層
28:電流擴(kuò)散層30:磁性構(gòu)件31、32:磁性層B:磁場(chǎng)M 平臺(tái)
具體實(shí)施例方式以下將參照相關(guān)附圖，說(shuō)明依本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種光電元件，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說(shuō)明。在說(shuō)明本發(fā)明之前，先以圖2簡(jiǎn)述霍爾效應(yīng)(Hall effect)?；魻栃?yīng)是指當(dāng)固體導(dǎo)體有電流通過(guò)，且放置在一個(gè)磁場(chǎng)內(nèi)，導(dǎo)體內(nèi)的電荷載流子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓，除導(dǎo)體外，半導(dǎo)體也能產(chǎn)生霍爾效應(yīng)，而且半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)要強(qiáng)于導(dǎo)體。如圖2所示，載流子在X軸方向上以速度V運(yùn)動(dòng)，另有一磁場(chǎng)B存在于載流子的運(yùn)動(dòng)空間，其磁力方向?yàn)橹赋黾埫娴腪軸方向。當(dāng)載流子為正電荷時(shí)，受到磁場(chǎng)B的作用，按照右手定則， 正電荷會(huì)朝著垂直于速度V與磁場(chǎng)B的方向彎曲，即向下(Y軸方向)彎曲。同理，若載流子為負(fù)電荷，則受到磁場(chǎng)B的作用而向上彎曲，如此載流子的運(yùn)動(dòng)路徑即被改變。請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種光電元件2包括光電疊層20及磁性構(gòu)件30。本發(fā)明的光電元件可例如為發(fā)光二極管元件(light-emitting diode, LED)。光電疊層20包括基板21、外延層22、第一電極23以及第二電極24?；?1的材料可例如包括藍(lán)寶石(sapphire)、碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)或硅(Si)，在此以藍(lán)寶石為例。外延層22設(shè)置于基板21上。外延層22可為任意的半導(dǎo)體層，例如包括第一半導(dǎo)體層221及第二半導(dǎo)體層222，其中第一半導(dǎo)體層221與第二半導(dǎo)體層222具有不同的電性。在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層221為P型，第二半導(dǎo)體層為N型。且可依據(jù)發(fā)光二極管的功能，例如藍(lán)光二極管、綠光二極管、紅光二極管等等，而變化外延層22的材料。外延層22的材料可例如選自氮化鎵(GaN)系列的材料，例如包括氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AKiaN)或磷化鋁銦鎵(AlInGaP)系列等。另外，外延層22還可包括多重量子阱層 (multiple quantum well,MQff)223以產(chǎn)生所需的光，多重量子阱層223夾設(shè)于第一半導(dǎo)體層221與第二半導(dǎo)體層222之間。而為了電性導(dǎo)通第二半導(dǎo)體層222，第一半導(dǎo)體層221與多重量子阱層223中的一部分利用例如光刻蝕刻工藝移除而形成凹槽224，用以露出部分的第二半導(dǎo)體層222表面， 第一電極23設(shè)置于第二半導(dǎo)體層222所露出的表面上，亦即第一電極23設(shè)置于凹槽224 內(nèi)。光電元件2可還包括電流擴(kuò)散層沘，其為透光導(dǎo)電層(transparent conductive layer，TCL)，并設(shè)置于外延層22之上，用以使電流均勻擴(kuò)散后通過(guò)第一半導(dǎo)體層221，而后再通過(guò)多重量子阱層223。本實(shí)施例的電流擴(kuò)散層觀的材料可以例如為氧化銦錫(ITO)以避免遮光。第二電極M設(shè)置于外延層22之上以及電流擴(kuò)散層觀上。本發(fā)明的磁性構(gòu)件可設(shè)置于光電疊層20內(nèi)或相鄰設(shè)置于光電疊層20并產(chǎn)生通過(guò)光電疊層20的磁場(chǎng)。本實(shí)施例的磁性構(gòu)件30為磁性材料層并以相鄰設(shè)置于光電疊層20 為例，磁性構(gòu)件30設(shè)置于光電疊層20之下。于此，光電疊層20還包括反射鏡25，而磁性構(gòu)件30設(shè)置于反射鏡25之下。磁性構(gòu)件30的材料可例如包括鐵、鈷、鎳或錳，磁性構(gòu)件30還可包括高反射材料，例如鋁或銀，或者磁性構(gòu)件30可形成反射結(jié)構(gòu)，由此，光電疊層20可不需設(shè)置反射鏡25。磁性構(gòu)件30可通過(guò)蒸鍍或粘合而設(shè)置于光電疊層20下方。在設(shè)置之后，可施加強(qiáng)力磁場(chǎng)，使得磁性構(gòu)件30獲得固定的磁性(其N(xiāo)極與S極如圖所示)，在此磁性構(gòu)件30 所造成的磁場(chǎng)可提供Y軸方向的磁力給光電疊層20。當(dāng)然，若磁性構(gòu)件30本身的材料即帶有磁力可產(chǎn)生磁場(chǎng)，則不需施加磁場(chǎng)的步驟。通過(guò)光電疊層20的Y軸方向的磁場(chǎng)，可使光電疊層20的載流子在X、Z軸方向的速度分量受到霍爾效應(yīng)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑，例如是使載流子的運(yùn)動(dòng)變?yōu)槁菪隣?，因而延長(zhǎng)載流子從第二電極M至第一電極23的運(yùn)動(dòng)路徑，而達(dá)到電流擴(kuò)散目的、或增加載流子停留在主要發(fā)光區(qū)的時(shí)間而增加載流子復(fù)合發(fā)光的機(jī)會(huì)，而提升發(fā)光效能。除了上述位置之外，本發(fā)明的磁性構(gòu)件可設(shè)置于光電疊層的多種位置以產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)而使運(yùn)動(dòng)載流子受到霍爾效應(yīng)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑，以下舉例說(shuō)明。請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，在本示例的光電元件加中，光電元件加包括光電疊層20及磁性構(gòu)件。光電元件加具有兩凹槽224，以使外延層(包括第一半導(dǎo)體層221、第二半導(dǎo)體層 222與多重量子阱層22 形成平臺(tái)(Hiesa)M,并露出部分的第二半導(dǎo)體層222表面。光電元件加還包括鈍化層(passivation layer) 26，其設(shè)置并覆蓋于外延層、電流擴(kuò)散層觀、第一電極23及第二電極M之上，并延至至這些凹槽224。于此，磁性構(gòu)件包括兩磁性層31、32，這些磁性層31、32分別位于光電元件加的凹槽2M并位于平臺(tái)M的兩側(cè)。磁性層31、32亦相鄰設(shè)置于外延層22的多重量子阱層223 的兩側(cè)，且緊鄰多重量子阱層223。磁性層31、32可例如通過(guò)蒸鍍、光刻及蝕刻工藝而形成于凹槽2M。由此，磁性層31、32產(chǎn)生穿過(guò)光電疊層20的磁場(chǎng)，并可提供X軸方向的磁力給光電疊層20。通過(guò)光電疊層20的X軸方向的磁場(chǎng)，可使光電疊層20的載流子在Y、Z軸方向的速度分量受到霍爾效應(yīng)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑，例如是使載流子的運(yùn)動(dòng)變?yōu)槁菪隣?，因而延長(zhǎng)載流子從第二電極M至第一電極23的運(yùn)動(dòng)路徑，而達(dá)到電流擴(kuò)散目的、或增加載流子停留在主要發(fā)光區(qū)的時(shí)間而增加載流子復(fù)合發(fā)光的機(jī)會(huì)，而提升發(fā)光效能。此外，在此實(shí)施示例中，磁性構(gòu)件的磁性層31、32的高度可不超過(guò)平臺(tái)M的高度以避免遮光。如圖4所示的示例以磁性層31、32的高度與凹槽224的高度等高為例。由于磁性構(gòu)件相鄰設(shè)置于多重量子阱層223，而多重量子阱層223為主要發(fā)光區(qū)，所以在設(shè)置條件下，磁力能夠?qū)τ谳d流子在主要發(fā)光區(qū)造成較強(qiáng)的影響，所以較強(qiáng)的磁力能夠更有效的影響載流子的運(yùn)動(dòng)路徑，增加載流子復(fù)合發(fā)光的機(jī)會(huì)，而提升發(fā)光效能。請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，在本示例的光電元件2b中，光電元件2b包括光電疊層20及磁性構(gòu)件30。磁性構(gòu)件30設(shè)置于光電疊層20中，位于第二電極M與外延層22之間，在此， 磁性構(gòu)件30埋設(shè)于電流擴(kuò)散層觀內(nèi)，且位于第二電極M的正下方，且磁性構(gòu)件30與第二電極M至少部分重疊。由于磁性構(gòu)件30與第二電極M通常皆為遮光物質(zhì)，通過(guò)使磁性構(gòu)件30與第二電極M至少部分重疊，可以減少發(fā)光二極管所發(fā)出的光被遮住的面積，以減少遮光發(fā)生。以圖5為例，磁性構(gòu)件30位于第二電極M的正下方，且由第二電極M所完全覆蓋，所以磁性構(gòu)件30并不會(huì)造成額外的遮光效果。磁性構(gòu)件30可例如通過(guò)蒸鍍、光刻及蝕刻工藝而形成于外延層22上。由此，磁性構(gòu)件30產(chǎn)生穿過(guò)光電疊層20的磁場(chǎng)，并可提供Y軸方向的磁力給光電疊層20。通過(guò)光電疊層20的Y軸方向的磁場(chǎng)，可使光電疊層20的載流子在X、Z軸方向的速度分量受到霍爾效應(yīng)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑，例如是使載流子的運(yùn)動(dòng)變?yōu)槁菪隣?，因而延長(zhǎng)載流子從第二電極 24至第一電極23的運(yùn)動(dòng)路徑，而達(dá)到電流擴(kuò)散目的、或增加載流子停留在主要發(fā)光區(qū)的時(shí)間而增加載流子復(fù)合發(fā)光的機(jī)會(huì)，而提升發(fā)光效能。當(dāng)然，除了上述磁性構(gòu)件30的示例及設(shè)置位置之外，磁性構(gòu)件30可有其他變化示例及設(shè)置位置，例如磁性構(gòu)件30可包括至少三磁性層、磁性構(gòu)件30可設(shè)置于光電疊層之上、或外延層22內(nèi)、或是磁性構(gòu)件30可設(shè)置于光電疊層20的四側(cè)的任何一側(cè)，由此磁性構(gòu)件30可提供X、Y及/或Z軸方向的磁力給光電疊層20。此外，本發(fā)明不限制磁性構(gòu)件30的形狀，其可例如為長(zhǎng)條狀、多點(diǎn)狀、不連續(xù)分布狀、或其他幾何形狀。以下以圖6A至圖6C舉例說(shuō)明。圖6A至圖6C為光電元件2c至加的俯視示意圖。如圖6A所示，磁性構(gòu)件30位于第一電極23與第二電極M之間，磁性構(gòu)件30呈長(zhǎng)條形，且其長(zhǎng)軸方向與通過(guò)第一電極 23與第二電極M的假想線垂直。磁性構(gòu)件30所產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)為Y軸方向(指出紙面方向)。于此，磁性構(gòu)件30以埋設(shè)于光電疊層20之內(nèi)為例，當(dāng)然，磁性構(gòu)件30亦可位于光電疊層20之上或相鄰設(shè)置于光電疊層20。如圖6B所示，磁性構(gòu)件30位于第一電極23與第二電極M之間，磁性構(gòu)件30呈不連續(xù)分布的長(zhǎng)條形且包括三磁性層，這些磁性層的中間的磁性層的長(zhǎng)軸方向大致與通過(guò)第一電極23及第二電極M的假想線平行。通過(guò)三磁性層所分別產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)的交互作用，可讓運(yùn)動(dòng)載流子的運(yùn)動(dòng)路徑的改變效果更加顯著。如圖6C所示，磁性構(gòu)件30呈點(diǎn)狀并分布于光電疊層20內(nèi)。每一點(diǎn)狀的磁性構(gòu)件皆形成一小磁場(chǎng)，這些磁場(chǎng)的交互作用可使運(yùn)動(dòng)載流子有不同于圖6B所示示例的運(yùn)動(dòng)路徑。通過(guò)不同形狀或分布的磁性構(gòu)件，可產(chǎn)生不同強(qiáng)度或方向的電場(chǎng)，以對(duì)運(yùn)動(dòng)載流子產(chǎn)生不同的延長(zhǎng)效應(yīng)，進(jìn)而增加磁性構(gòu)件的應(yīng)用性。綜上所述，本發(fā)明的光電元件通過(guò)磁性構(gòu)件的設(shè)置，磁性構(gòu)件可產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)，進(jìn)而使光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)中的載流子受到霍爾效應(yīng)(Hall effect)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑而提升光電效能。例如對(duì)發(fā)光二極管而言，利用霍爾效應(yīng)使光電疊層的運(yùn)動(dòng)載流子產(chǎn)生作用，改變其運(yùn)動(dòng)方向，進(jìn)而延長(zhǎng)載流子的運(yùn)動(dòng)路徑而達(dá)到電流擴(kuò)散目的、或增加載流子停留在主要發(fā)光區(qū)的時(shí)間而增加載流子復(fù)合發(fā)光的機(jī)會(huì)，而提升發(fā)光效能。以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等同修改或變更，均應(yīng)包括于權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種光電元件，包括 光電疊層；以及磁性構(gòu)件，設(shè)置于該光電疊層內(nèi)或相鄰設(shè)置于該光電疊層并產(chǎn)生磁場(chǎng)通過(guò)該光電疊層。
2.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該光電元件為發(fā)光二極管元件。
3.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件位于該光電疊層之下或之上。
4.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該光電疊層具有基板及外延層，該外延層設(shè)置于該基板之上。
5.如權(quán)利要求4所述的光電元件，其中該光電疊層還具有電流擴(kuò)散層設(shè)置于該外延層之上，該磁性構(gòu)件埋設(shè)于該電流擴(kuò)散層內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4所述的光電元件，其中該外延層具有至少一凹槽以使該外延層形成平臺(tái)，該磁性構(gòu)件位于該凹槽。
7.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件的高度不超過(guò)該平臺(tái)的高度。
8.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該外延層具有多重量子阱層，該磁性構(gòu)件緊鄰該多重量子阱層。
9.如權(quán)利要求6所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件具有兩個(gè)磁性層，該兩個(gè)磁性層分別位于該平臺(tái)的兩側(cè)。
10.如權(quán)利要求4所述的光電元件，其中該光電疊層還具有第一電極及第二電極，該第一電極設(shè)置于該外延層的凹槽內(nèi)，該第二電極設(shè)置于該外延層之上，該磁性構(gòu)件位于該第二電極與該外延層之間。
11.如權(quán)利要求10所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件位于該第二電極的正下方。
12.如權(quán)利要求11所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件與該第二電極至少部分重疊。
13.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件包括鐵、鈷、鎳或錳。
14.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件包括高反射材料。
15.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件呈長(zhǎng)條狀、多點(diǎn)狀、或不連續(xù)分布狀。
16.一種光電元件，包括光電疊層，具有基板及外延層，該外延層設(shè)置于該基板之上，該外延層具有至少一凹槽以使該外延層形成平臺(tái)；以及磁性構(gòu)件，位于該外延層的該凹槽，產(chǎn)生磁場(chǎng)通過(guò)該光電疊層。
17.如權(quán)利要求16所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件的高度不超過(guò)該平臺(tái)的高度。
18.如權(quán)利要求16所述的光電元件，其中該外延層具有多重量子阱層，該磁性構(gòu)件緊鄰該多重量子阱層。
19.如權(quán)利要求16所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件具有兩個(gè)磁性層，該兩個(gè)磁性層分別位于該平臺(tái)的兩側(cè)。
20.一種光電元件，包括光電疊層，具有基板及外延層，該外延層設(shè)置于該基板之上，該光電疊層還具有第一電極及第二電極，該第一電極設(shè)置于該外延層的凹槽內(nèi)，該第二電極設(shè)置于該外延層之上；以及磁性構(gòu)件，設(shè)置于該光電疊層內(nèi)，并位于該第二電極與該外延層之間，產(chǎn)生磁場(chǎng)通過(guò)該光電疊層。
21.如權(quán)利要求20所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件位于該第二電極的正下方。
22.如權(quán)利要求21所述的光電元件，其中該磁性構(gòu)件與該第二電極至少部分重疊。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種光電元件，該光電元件包括光電疊層以及磁性構(gòu)件。磁性構(gòu)件設(shè)置于光電疊層內(nèi)或相鄰設(shè)置于光電疊層并產(chǎn)生磁場(chǎng)通過(guò)該光電疊層。通過(guò)磁性構(gòu)件產(chǎn)生通過(guò)光電疊層的磁場(chǎng)，進(jìn)而使光電疊層內(nèi)的運(yùn)動(dòng)載流子受到霍爾效應(yīng)而改變其運(yùn)動(dòng)路徑而提升光電效能。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102479893SQ201010606569
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者余國(guó)輝, 盧宗宏 申請(qǐng)人:佛山市奇明光電有限公司, 奇力光電科技股份有限公司