技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片及其制作方法。該集成單片包括集成設(shè)置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括從下向上依次設(shè)置的N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)以及P型氮化鎵層等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由從下向上依次設(shè)置的本征氮化鎵層和勢(shì)壘層組成的異質(zhì)結(jié)等，所述本征氮化鎵層形成在所述P型氮化鎵層上，其中所述HEMT的源電極還與GaN激光器的P型電極電性連接。本發(fā)明在不改變GaN激光器體積的前提下，將GaN?HEMT器件與激光器有機(jī)集成，充分利用HEMT的驅(qū)動(dòng)和柵控特點(diǎn)結(jié)合GaN激光器的發(fā)光特性，可以在通信和顯示領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：張志利;蔡勇;張寶順;付凱;于國(guó)浩;孫世闖;宋亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號(hào)碼：201510166797
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.10
技術(shù)公布日：2016.11.23