技術(shù)編號(hào)：11838599
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片及其制作方法。背景技術(shù)Ⅲ族氮化物HEMT器件(高電子遷移率晶體管)包括氮化鎵HEMT器件、鋁鎵氮HEMT器件，該HEMT器件是充分利用半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成的二維電子氣而制成的，與其他材料(如AlGaAs/GaAs)制成的HEMT相比，Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體由于壓電極化和自發(fā)極化效應(yīng)，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)上(Heterostructure)，能夠形成高濃度的二維電子氣。所以在使用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)制成的HE...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。