1.一種Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于包括集成設(shè)置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中所述GaN激光器包括從下向上依次設(shè)置的N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)以及P型氮化鎵層，所述量子阱結(jié)構(gòu)內(nèi)分布有有源區(qū)，所述有源區(qū)兩側(cè)分布有諧振腔，所述P型氮化鎵層和N型氮化鎵層還分別與P型電極和N型電極電性連接，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由從下向上依次設(shè)置的本征氮化鎵層和勢(shì)壘層組成的異質(zhì)結(jié)、漏電極、柵電極和源電極，所述本征氮化鎵層形成在所述P型氮化鎵層上，所述漏電極和源電極分布在勢(shì)壘層兩側(cè)，所述柵電極設(shè)置在勢(shì)壘層上，所述漏電極和源電極通過(guò)形成于所述異質(zhì)結(jié)內(nèi)的二維電子氣連接，所述柵電極分布于源電極和漏電極之間，并且所述源電極還與P型電極電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于：所述柵電極與勢(shì)壘層之間形成肖特基接觸；或者，所述異質(zhì)結(jié)內(nèi)于柵電極下方還分布有二維電子氣耗盡區(qū)；或者，所述柵電極與勢(shì)壘層之間還分布有柵介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于所述N型氮化鎵層形成在襯底上，且所述N型氮化鎵層與襯底之間還分布有緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于所述量子阱結(jié)構(gòu)主要由氮化鎵層和銦鎵氮層組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于所述源電極經(jīng)連接電極與P型電極電性連接，所述連接電極的材質(zhì)至少選自金屬及半導(dǎo)體材料，所述金屬包括鋁、鎳金或鈦金，所述半導(dǎo)體材料包括N型氮化鎵。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于所述諧振腔的兩側(cè)鍍有光學(xué)薄膜，其中一側(cè)光學(xué)薄膜的反射率大于90％，另一側(cè)光學(xué)薄膜的反射率在48％～52％之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片，其特征在于所述Ⅲ族氮化物HEMT包括GaN HEMT器件或AlGaN HEMT器件。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片的制作方法，其特征在于包括：
在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)以及P型氮化鎵層；
在P型氮化鎵層上依次生長(zhǎng)本征氮化鎵層和勢(shì)壘層；
在勢(shì)壘層上制作源電極、漏電極和柵電極；
分別在P型氮化鎵層和N型氮化鎵層上制作P型電極和N型電極；
將源電極與P型電極電性連接，并通過(guò)劃片方式對(duì)生長(zhǎng)形成的GaN激光器進(jìn)行解理以獲得平行的諧振腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片的制作方法，其特征在于包括：
在制作完成源電極及漏電極后，在勢(shì)壘層上形成柵介質(zhì)層；
或者，在制作完成柵電極后，使用凹柵、P型蓋帽層或F注入方式的任一種將柵電極下的二維電子氣耗盡，形成二維電子耗盡區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述Ⅲ族氮化物HEMT與GaN激光器的集成單片的制作方法，其特征在于包括：
在P型氮化鎵層上采用選區(qū)二次外延方式生長(zhǎng)形成本征氮化鎵層和勢(shì)壘層；
或者，在襯底上一次外延生長(zhǎng)形成緩沖層、N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)、P型氮化鎵層、本征氮化鎵層和勢(shì)壘層。