一種銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的合成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的合成方法，包括以下步驟：（1）配制電解液：將銅鹽、鋅鹽、錫鹽、硫代硫酸鈉、檸檬酸三鈉和酒石酸分別溶解到水中，然后再混合，混合均勻后調(diào)節(jié)pH值；（2）清洗基片：金屬M(fèi)o片作為基片，用氫氧化鈉溶液擦拭表面，除去表面銹跡，然后在乙醇、去離子水中逐次進(jìn)行超聲清洗，除去表面油漬；（3）電化學(xué)沉積：將清洗好的基片放入已經(jīng)配制好的電解液中，設(shè)定沉積電壓和時(shí)間并開(kāi)始，沉積結(jié)束后將基片取出，用大量的去離子水和乙醇沖洗并吹干；（4）將步驟（3）得到的樣品在氮?dú)饣蛘邭鍤庵徐褵?小時(shí)，得到銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。此方法成本低，過(guò)程簡(jiǎn)單，所制得的樣品性能優(yōu)良。
【專利說(shuō)明】一種銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的合成方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜的合成方法，尤其涉及一種銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的合成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)能源和環(huán)境問(wèn)題引起了人們關(guān)注，對(duì)高效、低成本的太陽(yáng)能吸收材料的研究也越來(lái)越多。銅鋅錫硫材料(縮寫(xiě)作CZTS)具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如:光吸收系數(shù)超過(guò)IO4CnT1,帶隙大約是1.5eV，銅、鋅、錫、硫元素在自然界儲(chǔ)量豐富，不污染環(huán)境。目前它應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的效率已經(jīng)達(dá)到了 12%。對(duì)于銅鋅錫硫薄膜的制備，通常使用物理方法，包括共蒸發(fā)、磁控濺射等等，這些方法成本太高，很不適合較大規(guī)模的生產(chǎn)。所以，近幾十年來(lái)，用化學(xué)方法制備銅鋅錫硫薄膜變成了重中之重。常用的化學(xué)方法有電化學(xué)法，連續(xù)離子層吸收反應(yīng)，水熱法等等。但是，這些方法制備出的銅鋅錫硫薄膜在進(jìn)一步結(jié)晶的時(shí)候都要經(jīng)過(guò)硫化(有劇毒)。其中，電化學(xué)方法是相對(duì)來(lái)講成本最低的。對(duì)于銅鋅錫硫這種四元硫化物來(lái)說(shuō)，預(yù)制金屬層再硫化方法被廣泛使用。然而，這種方法不但需要硫化，還要進(jìn)行2~3次電化學(xué)沉積。
[0003]出于這些考慮，本領(lǐng)域技術(shù)人員希望采用成本低、過(guò)程簡(jiǎn)單、安全無(wú)毒的合成方法。同時(shí)，積極開(kāi)拓一步電化學(xué)法制備多元硫化物的使用領(lǐng)域。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種一步電化學(xué)合成銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜(Cu2ZnSnS4-CuS-Cu3SnS4)的方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的一步電化學(xué)合成方法，合成過(guò)程中不使用表面活性劑，合成步驟如下:
[0006](I)配制電解液:將銅鹽、鋅鹽、錫鹽、硫代硫酸鈉、檸檬酸三鈉和酒石酸分別溶解到水中，然后再混合，混合均勻后調(diào)節(jié)PH值；
[0007](2)清洗基片:金屬M(fèi)o片作為基片，用氫氧化鈉溶液擦拭表面，除去表面銹跡，然后在乙醇、去離子水中逐次進(jìn)行超聲清洗，除去表面油潰；
[0008](3)電化學(xué)沉積:將清洗好的基片放入已經(jīng)配制好的電解液中，設(shè)定沉積電壓和時(shí)間并開(kāi)始，沉積結(jié)束后將基片取出，用大量的去離子水和乙醇沖洗并吹干；
[0009](4)將步驟(3)得到的樣品在氮?dú)饣蛘邭鍤庵徐褵齀小時(shí)，得到銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0010]優(yōu)選地，步驟(1)中，以摩爾計(jì)，銅鹽:鋅鹽:錫鹽:硫代硫酸鈉:檸檬酸三鈉:酒石酸=0.5~3:1:0.5~3:1~5:4~10:2~8 ;其中，當(dāng)銅鹽:鋅鹽:錫鹽:硫代硫酸鈉:朽1檬酸三鈉:酒石酸=2:3:2:3:20:10時(shí)，所合成的薄膜性能較好。
[0011]優(yōu)選地，步驟(1)中的銅鹽為硫酸銅、硝酸銅或氯化銅，鋅鹽為硫酸鋅、硝酸鋅或氯化鋅，錫鹽為氯化亞錫或硫酸亞錫。[0012]優(yōu)選地，步驟(I)中調(diào)節(jié)pH值范圍為2?7。
[0013]優(yōu)選地，基片清洗過(guò)程中，用來(lái)擦拭基片的氫氧化鈉濃度為I?15摩爾/升，超聲時(shí)間為5?30分鐘。基片的清潔程度，對(duì)成膜有很大的影響。
[0014]優(yōu)選地，電化學(xué)沉積過(guò)程中所用的電壓是-0.8V?-1.5V,沉積時(shí)間是15?60分鐘。沉積的電壓和時(shí)間會(huì)顯著影響薄膜的厚度和質(zhì)量。
[0015]優(yōu)選地，煅燒溫度范圍為200?600°C。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:
[0017](I)該制備方法簡(jiǎn)單易行，成本很低，安全無(wú)毒，適合工業(yè)化生產(chǎn)；
[0018](2)使用該方法所制得的銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜性能好；
[0019](3)可廣泛用于半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)以及光催化領(lǐng)域。
[0020]以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說(shuō)明，以充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是實(shí)施例1制得的銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的X射線衍射圖；
[0022]圖2是實(shí)施例1制得的薄膜的10000倍掃描電子顯微鏡照片；
[0023]圖3是實(shí)施例1制得的薄膜的50000倍掃描電子顯微鏡照片；
[0024]圖4是實(shí)施例2制得的薄膜的10000倍掃描電子顯微鏡照片；
[0025]圖5是實(shí)施例2制得的薄膜的50000倍掃描電子顯微鏡照片；
[0026]圖6是實(shí)施例1和實(shí)施例2制得的薄膜的電流-電壓曲線，銀/氯化銀電極作參比電極，鉬片(2x2cm2)作對(duì)電極，0.2摩爾/升的硫酸鈉做電解液，測(cè)試光強(qiáng)為15mW cm_2，掃描速率為0.0lV/s。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。
[0028]實(shí)施例1
[0029]室溫下分別配制0.02摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.02摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.05V(相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積45分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。將其命名為薄膜I。
[0030]實(shí)施例2
[0031]室溫下分別配制0.02摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.05V(相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積45分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。將其命名為薄膜2。
[0032]圖1為本實(shí)施例合成的銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的X射線衍射圖。從圖1中可以看出:該樣品中同時(shí)存在銅鋅錫硫(CZTS)、硫化銅(CuS)、銅錫硫(Cu3SnS4)。圖中基片Mo的峰很強(qiáng)，使硫化物的峰顯得很弱。
[0033]圖2、圖3、圖4、圖5為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的掃描電子顯微鏡(SEM)圖片，分別對(duì)應(yīng)IOOOOx (薄膜l)、50000x (薄膜l)、10000x (薄膜2)、50000x (薄膜2)。從圖2、圖3、圖4、圖5中可以看出:銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜是由很小的顆粒團(tuán)聚而成，其中薄膜I表面的顆粒傾向于聚集成更大的球狀，薄膜2表面的顆粒傾向于聚集成短鏈狀。
[0034]圖6為薄膜I和薄膜2的電流-電壓曲線。銀/氯化銀電極作參比電極，鉬片(2x2cm2)作對(duì)電極，0.2摩爾/升的硫酸鈉做電解液，測(cè)試光強(qiáng)為15mW cm—2，掃描速率為
0.0lV/s。從圖中可以看出，薄膜2的性能要比薄膜I的好，可能是因?yàn)檫@種短鏈結(jié)構(gòu)增加了薄膜的比表面積。
[0035]實(shí)施例3
[0036]室溫下分別配制0.02摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為7。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗20分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.5V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積15分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0037]實(shí)施例4
[0038]室溫下分別配制0.02摩爾/升硝酸銅、0.03摩爾/升硝酸鋅、0.02摩爾/升硫酸亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用12摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗10分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.05V(相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積25分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0039]實(shí)施例5
[0040]室溫下分別配制0.02摩爾/升氯化銅、0.03摩爾/升氯化鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用12摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗20分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.3V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積45分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0041]實(shí)施例6
[0042]室溫下分別配制0.02摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為2。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗5分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.3V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積35分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0043]實(shí)施例7
[0044]室溫下分別配制0.02摩爾/升硝酸銅、0.03摩爾/升硝酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)pH為6。用8摩爾/升的氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.5V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積25分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0045]實(shí)施例7
[0046]室溫下分別配制0.02摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用12摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-0.8V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積60分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0047]實(shí)施例8
[0048]室溫下分別配制0.02摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-0.8V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積35分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0049]實(shí)施例9
[0050]室溫下分別配制0.02摩爾/升氯化銅、0.03摩爾/升氯化鋅、0.02摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.2摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.1摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗20分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.3V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積25分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0051]實(shí)施例10
[0052]室溫下分別配制0.015摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.015摩爾/升氯化亞錫、0.03摩爾/升硫代硫酸鈉、0.12摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.06摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為5。用15摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.05V (相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積45分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0053]實(shí)施例11
[0054]室溫下分別配制0.09摩爾/升硫酸銅、0.03摩爾/升硫酸鋅、0.09摩爾/升氯化亞錫、0.15摩爾/升硫代硫酸鈉、0.3摩爾/升檸檬酸三鈉以及0.24摩爾/升酒石酸水溶液，將這些溶液等體積均勻混合，調(diào)節(jié)PH為6。用12摩爾/升的濃氫氧化鈉溶液擦拭Mo基片，并在乙醇和水中分別超聲清洗30分鐘。將基片放進(jìn)已經(jīng)攪拌均勻的電解液中。在恒定電壓-1.05V(相對(duì)于銀/氯化銀)條件下沉積45分鐘后，將樣品取出，用大量去離子水沖洗后吹干。所得到的薄膜在氬氣或者氮?dú)庵?50°C煅燒lh，得到的樣品即為銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
[0055]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思作出諸多修改和變化。因此，凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在由權(quán)利要求書(shū)所確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜的合成方法，其特征在于，合成步驟如下: (1)配制電解液:將銅鹽、鋅鹽、錫鹽、硫代硫酸鈉、檸檬酸三鈉和酒石酸分別溶解到水中，然后再混合，混合均勻后調(diào)節(jié)PH值； (2)清洗基片:金屬M(fèi)o片作為基片，用氫氧化鈉溶液擦拭表面，除去表面銹跡，然后在乙醇、去離子水中逐次進(jìn)行超聲清洗，除去表面油潰； (3)電化學(xué)沉積:將清洗好的基片放入已經(jīng)配制好的電解液中，設(shè)定沉積電壓和時(shí)間并開(kāi)始，沉積結(jié)束后將基片取出，用大量的去離子水和乙醇沖洗并吹干； (4)將步驟(3)得到的樣品在氮?dú)饣蛘邭鍤庵徐褵齀小時(shí)，得到銅鋅錫硫-硫化銅-銅錫硫薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(I)中，以摩爾計(jì)，銅鹽:鋅鹽:錫鹽:硫代硫酸鈉:檸檬酸三鈉:酒石酸=0.5?3:1:0.5?3:1?5:4?10:2?8。
3.如權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(I)中，以摩爾計(jì)，銅鹽:鋅鹽:錫鹽:硫代硫酸鈉:檸檬酸三鈉:酒石酸=2:3:2:3:20 =IO0
4.如權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(I)中銅鹽為硫酸銅、硝酸銅或氯化銅。
5.如權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(I)中鋅鹽為硫酸鋅、硝酸鋅或氯化鋅。
6.如權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(I)中錫鹽為氯化亞錫或硫酸亞錫。
7.如權(quán)利要求1所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(I)中調(diào)節(jié)pH值范圍為2?7。
8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(2)中的氫氧化鈉溶液濃度為I?15摩爾/升，超聲時(shí)間為5?30分鐘。
9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(3)中的電化學(xué)沉積過(guò)程中所用的電壓是-0.8V?-1.5V，沉積時(shí)間是15?60分鐘。
10.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的合成方法，其特征在于，所述步驟(4)中的煅燒溫度范圍為200?6000C ο
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103915528SQ201410124033
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】高濂, 王靜, 張鵬, 宋雪峰, 李泓墨 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)