沉積裝置、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及一種能夠?qū)崟r(shí)檢查形成的薄層的厚度或均勻性的沉積裝置，使用該沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法和使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。該沉積裝置包括可拆卸地固定有基底的移動(dòng)單元。傳送單元在第一方向或者第一方向的相反方向傳送移動(dòng)單元。沉積單元包括至少一個(gè)用于在基底上沉積沉積材料的沉積組件。排放數(shù)據(jù)獲取單元獲取與從至少一個(gè)沉積組件每單位時(shí)間排放的沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。發(fā)送單元發(fā)送由排放數(shù)據(jù)獲取單元獲取的數(shù)據(jù)。
【專利說(shuō)明】沉積裝置、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2013年5月3日遞交的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2013-0050093的根據(jù)35U.S.C.§ 119的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用整體合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明構(gòu)思涉及沉積裝置，更特別地，本發(fā)明構(gòu)思涉及使用沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示裝置相比其他顯示裝置可具有更大的視角、更好的對(duì)比度特性和更快的響應(yīng)速度，因此作為下一代顯示裝置備受矚目。這樣的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的中間層(包括發(fā)光層)。第一和第二電極以及中間層可以使用各種方法被形成，這些方法中的一種可以是獨(dú)立的沉積方法。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置使用沉積方法被制造時(shí)，具有與將被形成的中間層等的圖案相同的圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)可以被設(shè)置為緊密接觸中間層等被形成在其上的基底，中間層等的材料可以被沉積在FMM上，可以形成具有期望圖案的中間層等。
[0005]然而，在使用FMM的這種沉積方法中，需要使用大型FMM來(lái)通過(guò)使用大型基底制造大型有機(jī)發(fā)光顯示裝置，或者通過(guò)使用大型母基底來(lái)同時(shí)制造多個(gè)大型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。在這種情況下，掩?？赡苡捎谄渥陨碇亓慷麓?，因此難以形成具有精確的或預(yù)設(shè)的圖案的中間層等。此外，對(duì)準(zhǔn)基底和FMM以彼此緊密接觸、在其上進(jìn)行沉積以及從基底分離FMM的工藝是耗時(shí)的，導(dǎo)致制造時(shí)間長(zhǎng)并且生產(chǎn)效率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明構(gòu)思的方面致力于能夠?qū)崟r(shí)檢查所形成的薄層的厚度或均勻性的沉積裝置、使用該沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法、以及使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而，上述僅僅是示例，本發(fā)明構(gòu)思的范圍并不局限于此。
[0007]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種包括基底被可拆卸地固定在其上的移動(dòng)單元的沉積裝置。傳送單元包括第一傳送單元和第二傳送單元，以循環(huán)移動(dòng)移動(dòng)單元。第一傳送單元可以在第一方向傳送已經(jīng)可拆卸地固定有基底的移動(dòng)單元，第二傳送單元可以在第一方向的相反方向傳送與基底分離的移動(dòng)單元。沉積單元可以包括腔室和至少一個(gè)沉積組件，至少一個(gè)沉積組件以一定距離與基底分離，在第一傳送單元傳送被固定到移動(dòng)單元的基底時(shí)，沉積材料被沉積在基底上。排放數(shù)據(jù)獲取單元被設(shè)置在移動(dòng)單元上，并獲取與從至少一個(gè)沉積組件每單位時(shí)間排放的沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。發(fā)送單元被設(shè)置在移動(dòng)單元上，并可以發(fā)送由排放數(shù)據(jù)獲取單元獲取的數(shù)據(jù)。發(fā)送單元可以無(wú)線發(fā)送數(shù)據(jù)。
[0008]沉積裝置可以進(jìn)一步包括接收來(lái)自發(fā)送單元的數(shù)據(jù)的接收單元。接收單元可以被設(shè)置在腔室內(nèi)。
[0009]沉積裝置可以進(jìn)一步包括將由接收單元接收的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成關(guān)于由沉積形成的膜的厚度的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元。
[0010]沉積組件可以包括排放沉積材料的沉積源。沉積源噴嘴單元包括沉積源噴嘴，并被設(shè)置在沉積源的面對(duì)第一傳送單元的一側(cè)。圖案化縫隙片被設(shè)置在沉積源噴嘴單元的對(duì)面，并包括被布置在第一方向上的多個(gè)圖案化縫隙。
[0011]與從沉積組件每單位時(shí)間排放的沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)可以被實(shí)時(shí)獲取。
[0012]排放數(shù)據(jù)獲取單元可以被設(shè)置在移動(dòng)單元的至少一個(gè)邊緣上。
[0013]可以包括至少兩個(gè)排放數(shù)據(jù)獲取單元。
[0014]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。該方法可以包括當(dāng)基底被固定到移動(dòng)單元時(shí)傳送移動(dòng)單元進(jìn)入腔室，其中傳送由第一傳送單元執(zhí)行。在由第一傳送單元使基底相對(duì)于沉積組件移動(dòng)時(shí)，通過(guò)在基底上沉積從被設(shè)置在腔室內(nèi)的沉積組件排放的沉積材料來(lái)形成層，其中沉積組件以一定距離和基底分離。移動(dòng)單元與基底分離。返回與基底分離的移動(dòng)單元由被提供為穿過(guò)腔室的第二傳送單元執(zhí)行。層的形成可以包括在通過(guò)在基底上沉積從沉積組件排放的沉積材料來(lái)形成層時(shí)，獲取與從沉積組件每單位時(shí)間排放的沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。獲取可以由排放數(shù)據(jù)獲取單元執(zhí)行。由排放數(shù)據(jù)獲取單元獲取的數(shù)據(jù)可以被無(wú)線發(fā)送。發(fā)送由發(fā)送單元執(zhí)行。發(fā)送可以無(wú)線地進(jìn)行。
[0015]該方法可以進(jìn)一步包括接收來(lái)自發(fā)送單元的數(shù)據(jù)。接收可以由接收單元執(zhí)行。該方法可以進(jìn)一步包括將由接收單元接收的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成關(guān)于由沉積形成的層的厚度的數(shù)據(jù)。
[0016]沉積組件可以包括排放沉積材料的沉積源。沉積源噴嘴單元包括沉積源噴嘴，并被設(shè)置在沉積源的面對(duì)第一傳送單元的一側(cè)。圖案化縫隙片被設(shè)置在沉積源噴嘴單元的對(duì)面，并包括被布置在第一方向上的多個(gè)圖案化縫隙。
[0017]排放數(shù)據(jù)獲取單元可以被附著到移動(dòng)單元的一個(gè)或多個(gè)邊緣。
[0018]兩個(gè)或多個(gè)傳感器可以被包括在排放數(shù)據(jù)獲取單元中。
[0019]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了一種包括基底的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。多個(gè)薄膜晶體管被設(shè)置在基底上。多個(gè)像素電極被電連接到薄膜晶體管。多個(gè)沉積層被布置在多個(gè)像素電極上。對(duì)電極被設(shè)置在多個(gè)沉積層上。多個(gè)沉積層中的至少一個(gè)是使用上述有機(jī)層沉積裝置或上述方法形成的線性圖案化層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]通過(guò)參考結(jié)合附圖考慮時(shí)的下述詳細(xì)描述，本公開(kāi)的更完整的認(rèn)知及其多個(gè)隨之產(chǎn)生的方面由于變得更好理解而容易得到，附圖中:
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置的示意性平面圖；
[0022]圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的沉積裝置的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0023]圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的沉積裝置的沉積單元的一部分的示意性透視剖視圖；
[0024]圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的沉積單元的該部分的示意性剖視圖；
[0025]圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的示出了圖1的沉積裝置中包括的沉積單元的沉積組件、移動(dòng)單元和排放數(shù)據(jù)獲取單元的示意性側(cè)視概念圖；
[0026]圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的排放數(shù)據(jù)獲取單元的傳感器的示意性分解透視圖；
[0027]圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的排放數(shù)據(jù)獲取單元的傳感器的示意性分解透視圖；
[0028]圖8是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的移動(dòng)單元和排放數(shù)據(jù)獲取單元的一部分的示意性平面圖；和
[0029]圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的使用圖1等的沉積裝置制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將參考其中示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的附圖更完整地描述本發(fā)明構(gòu)思的各種示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式來(lái)體現(xiàn)，不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為局限于這里所提出的實(shí)施例，相反，提供這些實(shí)施例是為了公開(kāi)充分和完整，并且可以向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思。附圖中，為了便于解釋，層和區(qū)域的尺寸可能被放大或縮小。本發(fā)明構(gòu)思的范圍不局限于這里示出的實(shí)施例。
[0031]在下面的實(shí)施例中，X軸、y軸和z軸并不局限于直角坐標(biāo)系的軸，而可以更廣泛地是除了直接坐標(biāo)系之外的其它軸。例如，X軸、y軸和Z軸可能彼此呈直角交叉，也可能指向并不相互正交的不同方向。
[0032]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置的示意性平面圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的沉積裝置的沉積單元的示意性側(cè)視圖。
[0033]參考圖1、圖2和圖5，沉積裝置可以包括沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300、傳送單元400、基底2 (參考圖3等)可以被可拆卸地固定到其上的移動(dòng)單元430、圖案化縫隙片替換單元500、排放數(shù)據(jù)獲取單元600和/或發(fā)送單元610。傳送單元400可包括能夠在第一方向傳送基底2 (參考圖3等)可以被可拆卸地固定到其上的移動(dòng)單元430的第一傳送單元410、以及能夠在與第一方向相反的方向傳送基底2已經(jīng)從其分離的移動(dòng)單元430的第二傳送單元420。
[0034]裝載單元200可以包括第一架212、輸送室214、第一反轉(zhuǎn)室218和/或緩沖室219。
[0035]沉積材料還沒(méi)有被施加在其上的多個(gè)基底2可以被堆疊在第一架212上。輸送機(jī)器人可以被包括在輸送室214中，并可以從第一架212拾取基底2中的一個(gè),并可以將基底設(shè)置在由第二傳送單元420傳送并可以位于輸送室214內(nèi)的移動(dòng)單元430上?；?可以由夾具等被固定到移動(dòng)單元430。基底2可以被固定在其上的移動(dòng)單元430被移動(dòng)進(jìn)入第一反轉(zhuǎn)室218。在將基底2固定到移動(dòng)單元430之前可以進(jìn)行基底2和移動(dòng)單元430的對(duì)準(zhǔn)。
[0036]在第一反轉(zhuǎn)室218中，第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人可以反轉(zhuǎn)移動(dòng)單兀430。輸送室214的輸送機(jī)器人可以將基底2中的一個(gè)放置在移動(dòng)單元430的頂表面上，基底2可以被設(shè)置在其上的移動(dòng)單元430可以被傳送到第一反轉(zhuǎn)室218中。第一反轉(zhuǎn)室218的第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人可以反轉(zhuǎn)第一反轉(zhuǎn)室218，使得基底2在沉積單元100中上下顛倒。以這種狀態(tài)，第一傳送單元410可以傳送基底2可以被固定到其上的移動(dòng)單元430。
[0037]卸載單元300可以被配置為以與上述裝載單元200相反的方式操作。第二反轉(zhuǎn)室328中的第二反轉(zhuǎn)機(jī)器人可以反轉(zhuǎn)在基底2被設(shè)置在移動(dòng)單元430上的同時(shí)已經(jīng)通過(guò)沉積單元100的移動(dòng)單元430，然后可以移動(dòng)基底2被設(shè)置在其上的移動(dòng)單元430到排出室324。排出機(jī)器人等可以在排出室324中從移動(dòng)單元430分離基底2，并可以將基底2裝載到第二架322中。與基底2分離的移動(dòng)單元430可以由第二傳送單元420返回到裝載單元200。
[0038]然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于上述描述。例如，當(dāng)在移動(dòng)單元430上設(shè)置基底2時(shí)，基底2可以被固定在移動(dòng)單元430的下表面上，然后被移動(dòng)進(jìn)入沉積單元100。例如，第一反轉(zhuǎn)室218中第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二反轉(zhuǎn)室328中的第二反轉(zhuǎn)機(jī)器人不是必須的。第一反轉(zhuǎn)室218中的第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二反轉(zhuǎn)室328中的第二反轉(zhuǎn)機(jī)器人不需要反轉(zhuǎn)第一反轉(zhuǎn)室218或第二反轉(zhuǎn)室328，而是可以在第一反轉(zhuǎn)室218或第二反轉(zhuǎn)室328內(nèi)只反轉(zhuǎn)基底2已經(jīng)被固定在其上的移動(dòng)單元430。反轉(zhuǎn)室中的能夠傳送基底2已經(jīng)被固定在其上的移動(dòng)單元430的傳送單元可以在移動(dòng)單元430位于傳送單元上方的情況下旋轉(zhuǎn)180度，反轉(zhuǎn)室中的傳送單元可以被理解為起到了第一反轉(zhuǎn)機(jī)器人或第二反轉(zhuǎn)機(jī)器人的作用。反轉(zhuǎn)室內(nèi)的傳送單元可以是第一或第二傳送單元410或420的一部分。
[0039]如圖1和圖2所示，沉積單元100可包括多個(gè)沉積組件100-1、100-2至100_n可以被設(shè)置在其中的腔室101。參考圖1，十一個(gè)沉積組件，例如第一沉積組件100-1、第二沉積組件100-2至第十一沉積組件100-11被設(shè)置在腔室101中，但是沉積組件的數(shù)量可以根據(jù)所需的沉積材料和沉積條件而改變。腔室101可以被保持在真空或接近真空的狀態(tài)，并可以在沉積工藝期間被保持在真空或接近真空的狀態(tài)。
[0040]基底2被固定在其上的移動(dòng)單元430可以至少移動(dòng)到沉積單元100，或者由第一傳送單元410順序移動(dòng)到裝載單元200、沉積單元100和卸載單元300，并且在卸載單元300中與基底2分離的移動(dòng)單元430可以由第二傳送單元420移動(dòng)返回到裝載單元200。移動(dòng)單元430可以被第一和第二傳送單元410和420循環(huán)移動(dòng)。
[0041]第一傳送單元410可被設(shè)置為當(dāng)穿過(guò)沉積單元100時(shí)穿過(guò)腔室101，并且第二傳送單元420可被設(shè)置為傳送基底2從其分離的移動(dòng)單元430。
[0042]在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，沉積裝置可以被配置為使得第一傳送單元410和第二傳送單元420可被分別布置在上方和下方，這樣在穿過(guò)第一傳送單元410的同時(shí)沉積在其上已經(jīng)完成的移動(dòng)單元430在卸載單元300中與基底2分離之后，移動(dòng)單元430可以由形成在第一傳送單元410下方的第二傳送單元420返回到裝載單元200。第二傳送單元420可以位于第一傳送單元410的上方。
[0043]如圖1所示，沉積單元100可包括一個(gè)或多個(gè)沉積源替換單元190。一個(gè)或多個(gè)沉積源替換單元可以被設(shè)置在每個(gè)沉積組件的一側(cè)。一個(gè)或多個(gè)沉積源替換單元190可以被形成為可被抽出到每個(gè)有機(jī)層沉積組件的外部的盒式錄音帶型。因此，沉積組件(例如100-1)的沉積源110 (參考圖3)可以被容易地更換。
[0044]圖1和圖2例示了其中可以包括裝載單元200、沉積單元100、卸載單元300和傳送單元400的兩套結(jié)構(gòu)可以被并排布置的本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，圖案化縫隙片替換單元500可以被設(shè)置在兩個(gè)沉積裝置之間。
[0045]圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的沉積裝置的沉積單元100的一部分的示意性透視剖視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的沉積單元100的一部分的示意性剖視圖。參考圖3和圖4，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置的沉積單元100可以包括至少一個(gè)沉積組件100-1和腔室101。
[0046]腔室101可被形成為中空的盒型，并容納至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件(例如100-1)。如圖3和圖4所示，傳送單元400也可以被容納在腔室101內(nèi)。傳送單元400可從腔室101的內(nèi)部伸展到外部。
[0047]腔室101可容納下殼體103和上殼體104。腳102可被形成，并可將沉積單元100固定在地面上，下殼體103可被設(shè)置在腳102上，并且上殼體104可被設(shè)置在下殼體103上。在這點(diǎn)上，下殼體103和腔室101的連接部分可以被密封，使得腔室101的內(nèi)部與外部完全隔離。即使在腔室101反復(fù)收縮和膨脹時(shí)，下殼體103和上殼體104可被保持在固定位置。下殼體103和上殼體104可以用作沉積單元100中的參考系。
[0048]上殼體104可以包括沉積組件100-1和傳送單元400的第一傳送單元410，而下殼體103可包括傳送單元400的第二傳送單元420。在移動(dòng)單元430在第一傳送單元410和第二傳送單元420之間循環(huán)移動(dòng)時(shí)，可以在基底2上持續(xù)地進(jìn)行沉積工藝?；?可以被固定在移動(dòng)單元430上。移動(dòng)單元430可以包括承載體431和附著到承載體431的靜電卡盤(pán) 432。
[0049]承載體431可以包括主體部分431a、線性電機(jī)系統(tǒng)(LMS)磁鐵431b、非接觸式電源(CPS)模塊431c、電源單元431d和引導(dǎo)槽431e。在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，承載體431可進(jìn)一步包括凸輪從動(dòng)件。
[0050]主體部分431a可以形成承載體431的基本部分，并可以由諸如鐵的鐵磁材料制成。承載體431可以被維持為與第一傳送單元410的引導(dǎo)構(gòu)件412以一定距離分離。引導(dǎo)槽431e可以被分別形成在主體部分431a的兩側(cè)。引導(dǎo)槽431e可以容納第一傳送單元410的引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起412d或第二傳送單元420的輥引導(dǎo)件422。
[0051]LMS磁鐵431b可以在主體部分431a行進(jìn)的方向(例如Y軸方向)上沿著主體部分431a的中心線形成。LMS磁鐵431b和線圈411可被組合而構(gòu)成線性電機(jī)，于是承載體431和移動(dòng)單元430可在箭頭A方向上被傳送。承載體431和移動(dòng)單元430可以由線性電機(jī)傳送。移動(dòng)單元430還可以通過(guò)被施加到第一傳送單元410的線圈411的電流移動(dòng)。多個(gè)線圈411可以，例如在Y軸方向，以預(yù)定間隔被布置在腔室101內(nèi)。線圈411可以被布置在大氣中，并可以被設(shè)置在大氣(ATM)盒中。
[0052]CPS模塊431c和電源431d可以被分別形成在主體部分431a中的LMS磁鐵431b的兩側(cè)上。電源單元431d可以包括可再充電電池?？稍俪潆婋姵乜梢蕴峁╇娏?，使得靜電卡盤(pán)432可以?shī)A緊基底2并維持夾緊操作。CPS模塊431c可以是給電源單元431d的可再充電電池充電的無(wú)線充電模塊。被形成在第二傳送單元420中的充電架423可以被連接到變流器(未示出)。當(dāng)承載體431由第二傳送單元420傳送時(shí)，磁場(chǎng)可以被形成在充電架423和CPS模塊431c之間，并向CPS模塊431c提供電力。被提供到CPS模塊431c的電力可以被用來(lái)對(duì)電源單元431d充電。
[0053]靜電卡盤(pán)432可以包括主體。主體可以由陶瓷和電極形成，該電極被埋在主體中并且被提供電能。隨著高電壓從承載體431的主體部分431a的電源單元431d施加到被埋在靜電卡盤(pán)432的主體中的電極，基底2可以被附著到靜電卡盤(pán)432的主體的表面上。
[0054]第一傳送單元410可以在第一方向(例如+Y方向)傳送移動(dòng)單元430?；?可以被附著到移動(dòng)單元430。第一傳送單元410可以包括如上所述的線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412，并可以進(jìn)一步包括磁懸浮軸承或間隙傳感器。
[0055]線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412可以形成在上殼體104的內(nèi)表面上。例如，線圈411可以形成在上殼體104的上表面上，并且引導(dǎo)構(gòu)件412可以分別形成在上殼體104的兩個(gè)內(nèi)側(cè)表面上。
[0056]如上所述，線圈411可以和移動(dòng)單元430的主體部分431a的LMS磁鐵431b —起構(gòu)成線性電機(jī)。線性電機(jī)可使移動(dòng)單元430移動(dòng)。引導(dǎo)構(gòu)件412可引導(dǎo)移動(dòng)單元430在第一方向(例如+Y方向)上移動(dòng)。引導(dǎo)構(gòu)件412可以被形成為穿過(guò)沉積單元100。
[0057]引導(dǎo)構(gòu)件412可以容納移動(dòng)單元430的承載體431的兩側(cè)。引導(dǎo)構(gòu)件可以引導(dǎo)承載體431沿圖3所示的箭頭A的方向移動(dòng)。每個(gè)引導(dǎo)構(gòu)件412可包括設(shè)置在承載體431下方的第一容納部分412a、設(shè)置在承載體431的上方的第二容納部分412b、以及連接第一容納部分412a和第二容納部分412b的連接部分412c。容納槽可以由第一容納部分412a、第二容納部分412b和連接部分412c形成，引導(dǎo)突起412d可以被容納在容納槽內(nèi)。
[0058]磁懸浮軸承(未示出)可以被設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的連接部分412c中，并可以分別對(duì)應(yīng)于承載體431的兩側(cè)。磁懸浮軸承可以導(dǎo)致承載體431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離，使得承載體431可以沿引導(dǎo)構(gòu)件412移動(dòng)，而不接觸引導(dǎo)構(gòu)件412。每個(gè)磁懸浮軸承可以被設(shè)置在承載體431上方的第二容納部分412b中。磁懸浮軸承可以使承載體431沿引導(dǎo)構(gòu)件412移動(dòng)，而不接觸第一和第二容納部分412a和412b，并和第一和第二容納部分412a和412b之間保持恒定距離。為了確保承載體431和各引導(dǎo)構(gòu)件412之間的恒定距離，每個(gè)引導(dǎo)構(gòu)件412可進(jìn)一步包括被設(shè)置在第一容納部分412a和/或連接部分412c中的間隙傳感器(未示出)，并可對(duì)應(yīng)于承載體431的底部。磁懸浮軸承的磁力可以基于間隙傳感器測(cè)量的值而改變，承載體431和各引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離可以被實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)。使用磁懸浮軸承和間隙傳感器，承載體431的精確傳送可以被反饋控制。
[0059]在沉積單元100中完成沉積后，第二傳送單元420可以將在卸載單元300中基底2已經(jīng)從其分離的移動(dòng)單元430返回到裝載單元200。第二傳送單元420可以包括可以被設(shè)置在下殼體103中的線圈421、輥引導(dǎo)件422和充電架423。例如，線圈421和充電架423可被設(shè)置在下殼體103的頂部?jī)?nèi)表面上，輥引導(dǎo)件422可以被設(shè)置在下殼體103的兩個(gè)側(cè)向內(nèi)表面上。線圈421可以和第一傳送單兀410的線圈411 一樣被設(shè)置在ATM盒中。
[0060]類似于線圈411，線圈421可以和移動(dòng)單元430的承載體431的LMS磁鐵431b —起構(gòu)成線性電機(jī)。移動(dòng)單元430可以由線性電機(jī)沿與第一方向(例如+Y方向)相反的方向(例如-Y方向)移動(dòng)。
[0061]棍引導(dǎo)件422可以引導(dǎo)承載體431在與第一方向相反的方向移動(dòng)。在這方面,棍引導(dǎo)件422可被形成為穿過(guò)沉積單元100。輥引導(dǎo)件422可以支撐分別形成在移動(dòng)單元430的承載體431的兩側(cè)上的凸輪隨動(dòng)件(未示出)，以引導(dǎo)移動(dòng)單元430沿與第一方向(+Y方向)相反的方向(-Y方向)移動(dòng)。
[0062]第二傳送單元420可以被用在返回基底2已經(jīng)從其分離的移動(dòng)單元430的工序中，而不用在在基底2上沉積有機(jī)材料的工序中，相對(duì)于傳送單元410來(lái)說(shuō)可以不需要移動(dòng)單元430的位置精度。磁懸浮可以被應(yīng)用到移動(dòng)中的移動(dòng)單元430需要高位置精度的第一傳送單元410，常規(guī)的輥方法可以被應(yīng)用到可需要相對(duì)低的位置精度的第二傳送單元420。磁懸浮也可以像在第一傳送單元410中一樣被應(yīng)用到第二傳送單元420。
[0063]在第一傳送單兀410在第一方向(+Y方向)傳送被固定到移動(dòng)單兀430的基底2的同時(shí)，沉積組件100-1可以從一定的距離在基底上沉積沉積材料115，并且該一定的距離可以被保持為恒定。下面將詳細(xì)地描述沉積組件100-1的結(jié)構(gòu)。
[0064]每個(gè)沉積組件(例如沉積組件100-1)可以包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、屏蔽構(gòu)件140、第一臺(tái)150、第二臺(tái)160、相機(jī)170和傳感器180。圖3和圖4中所例示的沉積單元100的所有元件可以被設(shè)置在保持在適當(dāng)真空度下的腔室101中。
[0065]沉積源110可以排放沉積材料115。盡管圖3中例示了兩個(gè)沉積源110，每個(gè)沉積組件中包括的沉積源100的數(shù)量并不局限于兩個(gè)，每個(gè)沉積組件中可以包括一個(gè)沉積源110或多個(gè)沉積源110。沉積源110可以被布置在沉積組件(例如沉積組件100-1)的下部。容納在沉積源I1中的沉積材料115可以被升華或蒸發(fā)，并朝向基底2(例如，沿+Z方向朝上)。沉積源I1可以包括充滿沉積材料115的坩堝112以及對(duì)坩堝112加熱以蒸發(fā)沉積材料115的加熱器111。加熱器111可以被包含在坩堝112中。
[0066]沉積源噴嘴單元120可以包括形成在其上的多個(gè)沉積源噴嘴121，并可以被設(shè)置在沉積源I1的面對(duì)基底2的一側(cè)。
[0067]圖案化縫隙片130可以被設(shè)置為和沉積源噴嘴單元120相對(duì)，可以包括被布置在第一方向(例如X軸方向)上的多個(gè)圖案化縫隙。圖案化縫隙片130可以位于沉積源110和基底2之間。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115可以穿過(guò)沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130并可以被沉積在構(gòu)成沉積材料115可以被沉積于其上的目標(biāo)的基底2上。圖案化縫隙片130可以具有沿X軸延伸的孔。
[0068]圖案化縫隙片130可以通過(guò)在制造精細(xì)金屬掩模(FMM)，特別是條紋化的FMM，的常規(guī)方法中使用的蝕刻來(lái)制造。圖案化縫隙片130可以被設(shè)置為與沉積源110 (以及與沉積源110相連的沉積源噴嘴單元120)間隔一定距離，該距離可以被保持為恒定。
[0069]腔室101可以被保持在和使用FMM的沉積方法中的高真空狀態(tài)相同或相似的高真空狀態(tài)。此外，圖案化縫隙片130的溫度可以充分地低于沉積源110的溫度。例如，圖案化縫隙片130的溫度可以是大約100°C或更低。圖案化縫隙片130的溫度可以充分低，以降低圖案化縫隙片130的熱膨脹。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)圖案化縫隙片130的溫度升高時(shí)，圖案化縫隙片130的圖案化縫隙的大小、位置等可能由于熱膨脹而變形，圖案化縫隙片130可能形成為不同于基底2上的預(yù)設(shè)圖案的圖案。
[0070]基底2可以被設(shè)置在腔室101中?；?可以是用于平板顯示器的基底。用于制造多個(gè)平板顯示器的大型基底，比如母玻璃，可以被用作基底2。
[0071]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置中，可以在沉積組件100-1或基底2相對(duì)于彼此移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行沉積。例如，在第一傳送單兀410在第一方向(+Y方向)傳送被固定到移動(dòng)單元430的基底2時(shí)，和基底2間隔一定距離的沉積組件100-1可以在基底2上沉積沉積材料115?？梢栽诳梢晕挥诔练e組件(例如沉積組件100-1)的對(duì)面的基底2在圖3所示的箭頭A的方向上移動(dòng)的同時(shí)，以光柵掃描方式進(jìn)行沉積。盡管可以在基底2在圖3中的腔室101內(nèi)在+Y方向移動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行沉積，本發(fā)明構(gòu)思并不局限于此。例如，可以在沉積組件(例如沉積組件100-1)在-Y方向上移動(dòng)并且基底2被保持在固定位置的同時(shí)進(jìn)行沉積。
[0072]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置中，圖案化縫隙片130可以比常規(guī)的沉積方法中使用的FMM小很多。在根據(jù)本實(shí)施例的沉積裝置中，沉積可以被連續(xù)進(jìn)行(例如在基底2在Y軸方向上移動(dòng)的同時(shí)以光柵掃描的方式)。盡管圖案化縫隙片130在Y軸方向上的長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于基底2在Y軸方向的長(zhǎng)度，也可以在基底2的幾乎整個(gè)表面上充分地進(jìn)行沉積。
[0073]如圖3和圖4所示，上殼體104可以包括容納部分104_1，容納部分104_1可以被分別形成在沉積源I1以及沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)，并可以具有突出形狀。第一臺(tái)150、第二臺(tái)160和圖案化縫隙片130可以被順序形成在容納部分104-1上。
[0074]第一臺(tái)150可在X軸和Y軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。第一臺(tái)150可以包括多個(gè)致動(dòng)器，以相對(duì)于上殼體104在X軸和Y軸方向上移動(dòng)圖案化縫隙片130。第二臺(tái)160可以在Z軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。第二臺(tái)160可以包括多個(gè)致動(dòng)器，以相對(duì)于第一臺(tái)150在Z軸方向上移動(dòng)圖案化縫隙片130。
[0075]如上所述，圖案化縫隙片130可以經(jīng)由第一臺(tái)150和第二臺(tái)160和基底2對(duì)準(zhǔn)?？梢赃M(jìn)行基底2和圖案化縫隙片130之間的實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)。
[0076]上殼體104、第一臺(tái)150和第二臺(tái)160可引導(dǎo)沉積材料115的流動(dòng)路徑，使得通過(guò)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115不會(huì)分散到流動(dòng)路徑之外。沉積材料115的流動(dòng)路徑可以被上殼體104、第一臺(tái)150和第二臺(tái)160限定，沉積材料115在X軸方向的移動(dòng)可以被抑制。
[0077]沉積組件(例如100-1)可以進(jìn)一步包括相機(jī)170和傳感器180。相機(jī)170和傳感器180可以被用于圖案化縫隙片130和基底2的對(duì)準(zhǔn)。傳感器180可以是共焦傳感器。相機(jī)170可實(shí)時(shí)檢查形成在圖案化縫隙片130中的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)和形成在基底2上的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)。第一和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以被用來(lái)產(chǎn)生用于圖案化縫隙片130和基底2在XY平面上被精確對(duì)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)。傳感器180可產(chǎn)生關(guān)于圖案化縫隙片130和基底2之間的距離的數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)可以被用來(lái)保持圖案化縫隙片130和基底2之間的適當(dāng)距離。
[0078]使用相機(jī)170和傳感器180可以實(shí)時(shí)測(cè)量基底2和圖案化縫隙片130之間的距離?；?可以和圖案化縫隙片130實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)。
[0079]屏蔽構(gòu)件140可被設(shè)置在圖案化縫隙片130和沉積源110之間。屏蔽構(gòu)件140可以防止沉積材料115被沉積在基底2的非成膜區(qū)域上。屏蔽構(gòu)件140可包括兩個(gè)相鄰的板(未示出)。基底2的非成膜區(qū)域可以由屏蔽構(gòu)件140遮擋，可以在不使用單獨(dú)結(jié)構(gòu)的情況下有效地防止沉積材料115被沉積在基底2的非成膜區(qū)域上。
[0080]排放數(shù)據(jù)獲取單元600和發(fā)送單元610可以被包括在沉積裝置中。下面將參考圖5詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置。
[0081]圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的示出了包括在圖1的沉積裝置中的例如沉積單元100的沉積組件100-1、移動(dòng)單元430和排放數(shù)據(jù)獲取單元600的示意性側(cè)視概念圖。如圖5所示，排放數(shù)據(jù)獲取單元600可以被設(shè)置在移動(dòng)單元430上。排放數(shù)據(jù)獲取單元600可以包括，例如，傳感器601和振蕩器603。發(fā)送單元610也可以被設(shè)置在移動(dòng)單元430上，并且設(shè)置在振蕩器603上。在移動(dòng)單元430的邊緣中，排放數(shù)據(jù)獲取單元600的傳感器601可以被設(shè)置在移動(dòng)單元430的面向與移動(dòng)單元430所移動(dòng)的第一方向(例如+Y方向)相反的方向(例如-Y方向)的邊緣上。傳感器601可以是晶體傳感器。然而，本發(fā)明構(gòu)思并不局限于此。
[0082]如圖5所示，排放數(shù)據(jù)獲取單元600的傳感器601可被附著到移動(dòng)單元430的邊緣。排放數(shù)據(jù)獲取單元600的振蕩器603可被附著在移動(dòng)單元430的承載體431上。傳感器601可被附著到可被包括在移動(dòng)單元430中的承載體431和靜電卡盤(pán)432中的一個(gè)。
[0083]排放數(shù)據(jù)獲取單元600可以獲取與每單位時(shí)間從沉積組件100-1排放的沉積材料115的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。從沉積源110排放并沉積在被固定到移動(dòng)單元430的基底2上的沉積材料115的厚度可以使用排放數(shù)據(jù)獲取單元600來(lái)測(cè)量。
[0084]當(dāng)排放數(shù)據(jù)獲取單元600獲取與每單位時(shí)間從沉積組件100-1排放的沉積材料115的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)送單元610可以發(fā)送該數(shù)據(jù)，并且接收單元620可以接收該數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可以被無(wú)線發(fā)送。接收單元620可以通過(guò)穿過(guò)腔室101的外壁被附著到腔室101。接收單元620可以在腔室101內(nèi)接收所發(fā)送的數(shù)據(jù)。接收單元620可以被連接到位于腔室101外部的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640，并可以將關(guān)于每單位時(shí)間從沉積組件100-1排放的沉積材料115的量的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成關(guān)于沉積在基底2上的沉積材料115的厚度的數(shù)據(jù)。
[0085]排放數(shù)據(jù)獲取單元600可以根據(jù)各種方法獲取與每單位時(shí)間從沉積組件(例如沉積組件100-1)排放的沉積材料115的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)沉積組件排放沉積材料115時(shí)，沉積材料115可由被附著到移動(dòng)單元430的傳感器601檢測(cè)。傳感器601的頻率可根據(jù)每單位時(shí)間沉積在基底2上的沉積材料115的量而改變。因此，關(guān)于每單位時(shí)間從沉積組件排放的沉積材料115的量的數(shù)據(jù)可以是可根據(jù)每單位時(shí)間排放的沉積材料115的量而改變的傳感器601的頻率。
[0086]振蕩器603可以測(cè)量傳感器601的頻率。振蕩器603可被附著到移動(dòng)單元430。由振蕩器603測(cè)量的傳感器601的頻率可以經(jīng)由模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器被轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)可被發(fā)送到發(fā)送單元610。發(fā)送單元610可以發(fā)送關(guān)于接收單元620的頻率的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，發(fā)送可以無(wú)線進(jìn)行。接收單元620可以發(fā)送數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640可以通過(guò)使用數(shù)模(D/A)轉(zhuǎn)換器等將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640可以將關(guān)于傳感器601的頻率的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為關(guān)于每單位時(shí)間通過(guò)在基底2上沉積沉積材料115形成的薄膜的厚度的數(shù)據(jù)。
[0087]薄膜的厚度可在腔室101內(nèi)被實(shí)時(shí)測(cè)量，并且可以在腔室101外被實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。
[0088]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置中，當(dāng)沉積材料115被沉積在基底
2上時(shí)，每單位時(shí)間從沉積組件100-1排放的沉積材料115的量可以在腔室101中被測(cè)量，并且形成在基底2上的薄膜的厚度可以在無(wú)需中斷有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造的情況下被測(cè)量。
[0089]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置中，傳感器601可包括多個(gè)傳感單元602-1至602-11 (參考例如圖7)。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置中，即使當(dāng)多個(gè)沉積源被設(shè)置在單個(gè)沉積裝置中，也不需要多個(gè)測(cè)試基底。在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置中，在通過(guò)在基底2上形成薄膜來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的同時(shí)，能夠獲得與由沉積組件(例如沉積組件100-1)在基底2上形成的薄膜的厚度相關(guān)的數(shù)據(jù)。
[0090]除了數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640,可以進(jìn)一步包括數(shù)據(jù)比較單元(未示出)。由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640得到的數(shù)據(jù)或由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元640在轉(zhuǎn)換過(guò)程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)可以被反饋到數(shù)據(jù)比較單元，然后數(shù)據(jù)比較單元可以比較反饋的數(shù)據(jù)與以前的數(shù)據(jù)，以確定是否反饋的數(shù)據(jù)等于以前的數(shù)據(jù)。
[0091]圖6和圖7是排放數(shù)據(jù)獲取單元600的傳感器601的示意性分解透視圖。
[0092]參考圖6和圖7，傳感器601可以包括頻率獲取單元601a、連接單元601b以及蓋板601c。連接單元601b可以將頻率獲取單元601a連接到移動(dòng)單元430。蓋板601c可以具有傳感孔601d。傳感孔601d可以是偏離中心形成的孔。如圖7所示^一個(gè)傳感單元，即第一至第i^一傳感單元602-1到602-11，可被設(shè)置在傳感器601的頻率獲取單元601a的底面上。在傳感器601中包括的傳感單元的數(shù)量可以變化。傳感單元的數(shù)量可以根據(jù)沉積組件的數(shù)量和沉積材料而變化。例如，i^一個(gè)沉積組件100-1至100-11 (參考例如圖1)
可與1--個(gè)傳感單元602-1至602-11 --對(duì)應(yīng)地匹配,使得每個(gè)傳感單元,例如傳感單元
602-1，可以測(cè)量每單位時(shí)間從對(duì)應(yīng)的沉積組件，例如沉積組件100-1，排放的沉積材料115的量。
[0093]從單個(gè)沉積組件(例如沉積組件100-1)排放的沉積材料115或從單個(gè)沉積組件的沉積源I1排放的沉積材料115可以到達(dá)第一至第i^一傳感單元602-1至602-11。沉積材料115可以經(jīng)由傳感孔601d到達(dá)傳感單元(例如傳感單元602-1)。蓋板601c可屏蔽其它傳感單元(例如602-2至602-11)，以防止沉積材料115到達(dá)其它傳感單元(例如602-2至602-11)。每單位時(shí)間從多個(gè)沉積組件或多個(gè)沉積源分別排放的沉積材料115的量可以使用單個(gè)傳感器601來(lái)測(cè)量。
[0094]第一至第^^一傳感單元602-1至602-11可被形成在頻率獲取單元601a上。例如，如圖7所示，除了其它傳感單元(例如602-1至602-11)之外，可以包括假傳感單元602-0。
[0095]單個(gè)傳感器601可以識(shí)別分別從多個(gè)沉積組件或多個(gè)沉積源每單位時(shí)間排放的沉積材料115的量。在傳感器601經(jīng)過(guò)第一和第二沉積組件(例如100-1和100-2)之間時(shí)，從第一沉積組件排放的沉積材料115和從第二沉積組件排放的沉積材料115可以被混合，并到達(dá)傳感器601。在傳感器601經(jīng)過(guò)第一和第二沉積組件之間時(shí)，可以使假傳感單元602-0被暴露，在傳感器601經(jīng)過(guò)到參與到測(cè)量的沉積組件之上時(shí)，可以使對(duì)應(yīng)于參與到排放的沉積材料量的測(cè)量的沉積組件的傳感單元被暴露。
[0096]圖8是移動(dòng)單元430和排放數(shù)據(jù)獲取單元600的一部分的示意性平面圖。如圖8所示，在移動(dòng)單元430的邊緣中，傳感器601可以被設(shè)置在移動(dòng)單元430的面對(duì)與移動(dòng)單元430所移動(dòng)的第一方向(例如+Y方向)相反的方向(例如-Y方向)的邊緣上。多個(gè)傳感器601-1至601-η可以被設(shè)置在移動(dòng)單元430上。傳感器601可被設(shè)置在承載體431或靜電卡盤(pán)432上。
[0097]如圖8所示，第一傳感器601-1和第二傳感器601-2可被設(shè)置在不同的位置。第一傳感器和第二傳感器可單獨(dú)地測(cè)量基底2上的不同位置的薄膜的厚度。薄膜的厚度可被監(jiān)測(cè)，并且通過(guò)使用兩個(gè)所測(cè)量的厚度值的平均，測(cè)量的精度可以增加。
[0098]傳感器601-1至601-n的位置并不局限于此。傳感器601_1至601_n可被設(shè)置在移動(dòng)單元430的四個(gè)邊緣的任何一個(gè)上。
[0099]盡管已經(jīng)如上描述了沉積裝置，本發(fā)明構(gòu)思并不局限于此。通過(guò)使用這樣的沉積裝置來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法也屬于本發(fā)明構(gòu)思的范圍。
[0100]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示例性方法中，基底2可以被固定到其上的移動(dòng)單元430可以由第一傳送單元410移動(dòng)進(jìn)入腔室101。第一傳送單元410可被設(shè)置為穿過(guò)腔室101?；?可以相對(duì)沉積組件100-1被移動(dòng)?；?可以由第一傳送單元410移動(dòng)。沉積組件(例如100-1)和基底2可以彼此分隔可被保持為恒定的一定距離。沉積材料115可從沉積組件被排放。沉積材料115可被沉積在基底2上，以形成層。移動(dòng)單元430可以與基底2分離，基底可以由第二傳送單元420返回。第二傳送單元420可被提供為穿過(guò)腔室101，使得移動(dòng)單元430可以由第一傳送單元410和第二傳送單元420循環(huán)移動(dòng)。
[0101]沉積組件可以具有和包括在根據(jù)上述示例性實(shí)施例的沉積裝置中的沉積組件相同的結(jié)構(gòu)。層的形成可以包括通過(guò)使用排放數(shù)據(jù)獲取單元600獲取和每單位時(shí)間從一個(gè)或多個(gè)沉積組件(例如100-1)排放的沉積材料115的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)的操作。排放數(shù)據(jù)獲取單元600可以被設(shè)置在移動(dòng)單元430上。在通過(guò)在基底2上沉積從一個(gè)或多個(gè)沉積組件排放的沉積材料115來(lái)形成層時(shí)，排放數(shù)據(jù)獲取單元600可以通過(guò)使用發(fā)送單元610發(fā)送由排放數(shù)據(jù)獲取單元600獲取的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可以被無(wú)線發(fā)送。層的形成可以進(jìn)一步包括通過(guò)使用接收單元620接收由發(fā)送單元610發(fā)送的數(shù)據(jù)的操作。
[0102]如圖5所示，層的形成可包括將由接收單元620接收的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成關(guān)于層的厚度的數(shù)據(jù)的操作。
[0103]根據(jù)該方法，當(dāng)在基底2上形成層時(shí)，層的厚度可以被實(shí)時(shí)測(cè)量。層的形成與層的厚度的測(cè)量可以基本上同時(shí)進(jìn)行。
[0104]圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的使用圖1等的沉積裝置制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0105]參考圖9，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的組件可以被形成在基底50上?；?0可以是上述的基底2 (例如圖3)或者基底2的一部分?；?0可以由例如玻璃的透明材料、塑料或金屬形成。
[0106]緩沖層51、柵極絕緣層53和層間絕緣層55可以被形成在基底50的表面上，包括在基底50的整個(gè)表面的上方。包括溝道區(qū)52a、源極接觸區(qū)52b和漏極接觸區(qū)52c的圖案化半導(dǎo)體層52可以被形成，薄膜晶體管(TFT)的柵電極54、源電極56和漏電極57可以和圖案化半導(dǎo)體層52 —起被形成。
[0107]覆蓋TFT的鈍化層58以及位于鈍化層58上并具有頂表面的平整化層59可以被形成在基底上。鈍化層58的頂表面可以是接近平坦的。鈍化層58、TFT和平整化層59可以被形成在基底50的整個(gè)表面上。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)可以被形成在平整化層59上，有機(jī)發(fā)光二極管包括圖案化像素電極61、覆蓋基底50的幾乎整個(gè)表面的對(duì)電極63、以及被插入在圖案化像素電極61和對(duì)電極63之間并包括發(fā)光層的多層中間層62。中間層62的多層中的一些層可以是覆蓋基底50的幾乎整個(gè)表面的共用層，其它層可以是被圖案化以覆蓋圖案化像素電極61的圖案化層。圖案化像素電極61可以經(jīng)由孔被電連接到TFT。覆蓋圖案化像素電極61的邊緣并包括用于限定每個(gè)像素區(qū)域的開(kāi)口的像素限定層60可以被形成在平整化層59上，并可以覆蓋基底50的幾乎整個(gè)表面。
[0108]這樣的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的至少一些組件可通過(guò)使用根據(jù)上述實(shí)施例的沉積裝置被形成。
[0109]中間層62可以通過(guò)使用上述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沉積裝置被形成?？梢员话ㄔ谥虚g層62中的空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)可以通過(guò)使用根據(jù)上述實(shí)施例的沉積裝置被形成。
[0110]在沉積組件與基底分離可以被保持為恒定的一定距離的情況下，在具有沉積源、沉積噴嘴單元和圖案化縫隙片的沉積組件，或者將在其上進(jìn)行沉積的基底(例如在其上直到像素電極61被形成的基底)相對(duì)于另一個(gè)移動(dòng)的同時(shí)，可以進(jìn)行中間層62的每層的沉積。
[0111]中間層62可以被精確形成在具有例如40英寸或更大尺寸的基底的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中。
[0112]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，提供了能夠?qū)崟r(shí)檢查形成的薄層的厚度或均勻性的沉積裝置、通過(guò)使用該沉積裝置制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法、以及使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明構(gòu)思的范圍并不限于這里所描述的示例性實(shí)施例。
[0113]盡管參考其示例性實(shí)施例特別示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在不背離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下可以對(duì)于形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種沉積裝置，包括: 移動(dòng)單元，基底被可拆卸地固定到所述移動(dòng)單元； 傳送單元，包括第一傳送單元和第二傳送單元，所述第一傳送單元和所述第二傳送單元的每一個(gè)被配置為移動(dòng)所述移動(dòng)單元，其中所述第一傳送單元被配置為在第一方向傳送所述移動(dòng)單元，所述第二傳送單元被配置為在所述第一方向的相反方向傳送所述移動(dòng)單元; 沉積單元，包括腔室和至少一個(gè)沉積組件，所述至少一個(gè)沉積組件以預(yù)定距離與所述基底分離，并被配置為在所述基底上沉積沉積材料； 排放數(shù)據(jù)獲取單元，被配置為獲取與從所述至少一個(gè)沉積組件每單位時(shí)間排放的所述沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的排放數(shù)據(jù)；和 發(fā)送單元，被配置為發(fā)送由所述排放數(shù)據(jù)獲取單元獲取的所述排放數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括被配置為接收由所述發(fā)送單元發(fā)送的所述排放數(shù)據(jù)的接收單元。
3.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其中所述接收單元被設(shè)置在所述腔室內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括被配置為將由所述接收單元接收的所述排放數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成關(guān)于由所述沉積單元形成的膜的厚度的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元。
5.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述沉積組件包括: 沉積源，被配置為排放所述沉積材料； 沉積源噴嘴單元，包括一個(gè)或多個(gè)沉積源噴嘴，所述沉積源噴嘴被設(shè)置在所述沉積源的面對(duì)所述第一傳送單元的一側(cè)；和 圖案化縫隙片，被設(shè)置在所述沉積源噴嘴單元的對(duì)面的，并包括被布置在所述第一方向上的多個(gè)圖案化縫隙。
6.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中與從所述至少一個(gè)沉積組件每單位時(shí)間排放的所述沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的所述排放數(shù)據(jù)被實(shí)時(shí)獲取。
7.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述排放數(shù)據(jù)獲取單元被設(shè)置在所述移動(dòng)單元的至少一個(gè)邊緣上。
8.如權(quán)利要求7所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括至少兩個(gè)排放數(shù)據(jù)獲取單元。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括: 當(dāng)基底被固定到移動(dòng)單元時(shí)傳送所述移動(dòng)單元進(jìn)入腔室，其中所述傳送由第一傳送單元執(zhí)行； 在由所述第一傳送單元使所述基底相對(duì)于沉積組件移動(dòng)時(shí)，通過(guò)在所述基底上沉積從設(shè)置在所述腔室內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)沉積組件排放的沉積材料來(lái)形成層，其中所述一個(gè)或多個(gè)沉積組件以預(yù)定距離和所述基底分離；和 返回與所述基底分離的所述移動(dòng)單元，其中所述返回由被提供為穿過(guò)所述腔室的第二傳送單元執(zhí)行， 其中所述層的形成包括: 獲取與從所述沉積組件每單位時(shí)間排放的所述沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)，其中所述獲取由排放數(shù)據(jù)獲取單元執(zhí)行；和 發(fā)送由所述排放數(shù)據(jù)獲取單元獲取的所述數(shù)據(jù)，其中所述發(fā)送由發(fā)送單元執(zhí)行。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括接收來(lái)自所述發(fā)送單元的所述數(shù)據(jù)，其中所述接收由接收單元執(zhí)行。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括將由所述接收單元接收的所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成關(guān)于由所述沉積單元形成的所述層的厚度的數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述沉積組件包括: 沉積源，排放所述沉積材料； 沉積源噴嘴單元，包括沉積源噴嘴，并被設(shè)置在所述沉積源的面對(duì)所述第一傳送單元的一側(cè)；和 圖案化縫隙片，被設(shè)置在所述沉積源噴嘴單元的對(duì)面，并包括被布置在第一方向上的多個(gè)圖案化縫隙。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中與從所述沉積組件每單位時(shí)間排放的所述沉積材料的量相關(guān)聯(lián)的所述數(shù)據(jù)被實(shí)時(shí)獲取，并且所述層的形成和所述數(shù)據(jù)的獲取基本上同時(shí)進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述排放數(shù)據(jù)獲取單元被附著到所述移動(dòng)單元的至少一個(gè)邊緣。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述排放數(shù)據(jù)獲取單元包括至少兩個(gè)傳感器。
16.—種有機(jī)發(fā)光顯不裝置,包括: 基底； 被設(shè)置在所述基底上的多個(gè)薄膜晶體管； 被電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的多個(gè)像素電極； 被設(shè)置在所述多個(gè)像素電極上的多個(gè)沉積層；和 被設(shè)置在所述多個(gè)沉積層上的對(duì)電極， 其中所述多個(gè)沉積層中的至少一個(gè)是使用權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的沉積裝置形成的線性圖案化層。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述基底具有40英寸或更大的尺寸。
【文檔編號(hào)】H01L21/677GK104134760SQ201410078844
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月3日
【發(fā)明者】李泰勛, 鄭炳成, 金相洙, 成恩國(guó), 金晟換, 梁成元, 宋濟(jì)鉉, 金泰亨 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司