專利名稱：一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子元器件用觸點領(lǐng)域，特別是涉及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點。
背景技術(shù)：
觸點是各種電子元器件中常用的元件，它體積雖小，但對其性能的要求很高，復(fù)合觸點應(yīng)用范圍廣泛且常常用到貴金屬材料，一般采用手工鉚接和自動鉚接。目前市場上是用純銀的復(fù)合觸點，但純銀強度低、硬度低、抗熔焊性及耐電弧燒損性能低，且用量大、價格昂貴，生產(chǎn)成本高，只能應(yīng)用在無線電、通訊用微型開關(guān)及小電流電器等領(lǐng)域
實用新型內(nèi)容
·本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，采用了純銅和銀氧化錫氧化銦復(fù)合成型，材料強度、硬度高，抗材料轉(zhuǎn)移性能良好。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，包括銀化合物復(fù)合層和純銅基體，所述的純銅基體由頭部和圓柱狀腳部組成，所述的頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層復(fù)合于純銅基體的頭部一端并和頭部形成半球形。所述的銀化合物復(fù)合層的厚度為O. 2mm O. 6mm。所述的銀化合物復(fù)合層是由銀氧化錫氧化銦(AgSn02In203)組成。
_7] 有益.效果本實用新型涉及提供一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，采用了純銅和銀氧化錫氧化銦材料復(fù)合成型，氧化物顆粒較細(xì)，材料強度、硬度較高，抗材料轉(zhuǎn)移性能良好，t匕較適合應(yīng)用在交直流繼電器上。

圖I是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例，進(jìn)一步闡述本實用新型。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。如圖I所示，本實用新型的實施方式涉及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，包括銀化合物復(fù)合層I和純銅基體2，所述的純銅基體2由頭部和圓柱狀腳部組成，所述的頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層I復(fù)合于純銅基體2的頭部一端并和頭部形成半球形，所述的銀化合物復(fù)合層是由銀氧化錫氧化銦(AgSn02In203)，所述的銀化合物復(fù)合層的厚度為O. 2mm O. 6mm。
本實用新型主要的加工工藝是復(fù)合冷鐓，銀氧化錫氧化銦(AgSn02In203)和純銅兩種材料的絲材在冷鐓機沖擊力下，兩種金屬形成徑向塑性變形形成鐓形狀。
權(quán)利要求1.一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，包括銀化合物復(fù)合層(I)和純銅基體(2)，其特征在于所述的純銅基體(2)由頭部和圓柱狀腳部組成，所述的頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層(I)復(fù)合于純銅基體(2)的頭部一端并和頭部形成半球形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，其特征在于，所述的銀化合物復(fù)合層(I)的厚度為O. 2mm O. 6mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，其特征在于，所述的銀化合物復(fù)合層(I)是由銀氧化錫氧化銦組成。
專利摘要本實用新型及一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，一種采用純銅和銀化合物的雙復(fù)合觸點，包括銀化合物復(fù)合層(1)和純銅基體(2)，所述的純銅基體(2)由頭部和圓柱狀腳部組成，所述的頭部的厚度大于圓柱狀腳部的厚度，銀化合物復(fù)合層(1)復(fù)合于純銅基體(2)的頭部一端并和頭部形成半球形。本實用新型采用了純銅和銀氧化錫氧化銦材料復(fù)合成型，氧化物顆粒較細(xì)，材料強度、硬度較高，抗材料轉(zhuǎn)移性能良好，比較適合應(yīng)用在交直流繼電器上。
文檔編號H01H1/04GK202513045SQ20122005472
公開日2012年10月31日 申請日期2012年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月20日
發(fā)明者王海濤 申請人:寧波電工合金材料有限公司