一種高防硫化led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，LED支架底部的功能區(qū)基本上為鍍銀層，由于硫元素、鹵素、氧元素等很容易透過封裝膠體，與功能區(qū)的鍍銀層發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生黑色的銀化合物，導(dǎo)致LED器件出現(xiàn)光衰現(xiàn)象，甚至銀層被完全反應(yīng)，造成金線與基板剝離，出現(xiàn)死燈現(xiàn)象。
[0003]為防止LED支架底部功能區(qū)的銀層發(fā)生硫化反應(yīng)，有人提出一種LED封裝結(jié)構(gòu)，在支架的空腔內(nèi)壁及LED芯片上覆設(shè)一層防硫防氧膜，阻礙了通過封裝膠體進(jìn)入LED器件內(nèi)部，與功能區(qū)的銀層發(fā)生反應(yīng)，然而空腔內(nèi)壁涂覆防硫防氧膜，容易導(dǎo)致LED器件在使用過程中封裝膠體的剝離，降低LED器件的可靠性。
[0004]鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，急需研發(fā)一種高可靠性高防硫化的LED封裝結(jié)構(gòu)?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于，提供一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0007]—種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，包括:支架、設(shè)置在所述支架上的LED芯片以及覆蓋所述LED芯片的封裝膠體，其中，所述支架包括底座、設(shè)置在所述底座上的反射杯以及LED芯片安放區(qū)，其特征在于:在所述反射杯腔體內(nèi)的底部設(shè)置有一層防硫化薄膜。
[0008]優(yōu)選地，所述防硫化薄膜的厚度不大于所述LED芯片的厚度。
[0009]優(yōu)選地，所述防硫化薄膜的厚度為5微米到250微米之間。
[0010]優(yōu)選地，所述LED芯片表面不設(shè)置有所述防硫化薄膜。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述防硫化薄膜是一層絕緣透明材料。
[0012]優(yōu)選地，所述防硫化薄膜為氟化物或硅化物薄膜。
[0013]優(yōu)選地，所述防硫化薄膜通過點(diǎn)涂或噴涂的方式涂覆在所述反射杯腔體內(nèi)的底部。
[0014]優(yōu)選地，所述反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。
[0015]優(yōu)選地，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的高度不小于所述防硫化薄膜的厚度。
[0016]優(yōu)選地，所述反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置有階梯結(jié)構(gòu)。
[0017]本實(shí)用新型公開的LED封裝結(jié)構(gòu)，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0018]1.本實(shí)用新型提供一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，在反射杯腔體內(nèi)的底部設(shè)置有一層透明防硫化薄膜，有效阻止硫元素、鹵素、氧元素等滲入與反射杯腔體內(nèi)的底部鍍銀層發(fā)生反應(yīng)，造成器件出現(xiàn)光衰甚至死燈現(xiàn)象。
[0019]2.本實(shí)用新型提供的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，LED芯片表面不設(shè)置有防硫化薄膜，防止防硫化薄膜對LED芯片發(fā)出的光有吸收作用，確保了 LED器件的出光效率。
[0020]3.本實(shí)用新型提供的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，由于透明防硫化薄膜只涂覆在反射杯腔體內(nèi)的底部，且該薄膜的厚度不大于芯片的厚度，封裝膠體直接跟反射杯杯壁接觸，防止器件在長期使用過程中封裝膠體與反射杯剝離的現(xiàn)象。
[0021]4.本實(shí)用新型提供的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，在反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置臺(tái)階結(jié)構(gòu)或階梯結(jié)構(gòu)，能有效的防止透明防硫化薄膜在點(diǎn)涂的過程中沿著反射杯內(nèi)壁發(fā)生爬行現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0022]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的一種尚防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)不意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一■的一種尚防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)不意圖；
[0024]圖3為本實(shí)用新型其他實(shí)施例的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本實(shí)用新型其他實(shí)施例的一種尚防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)不意圖；
[0026]圖5為本實(shí)用新型其他實(shí)施例的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本實(shí)用新型的技術(shù)方案更加清楚，以下結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例來對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0028]實(shí)施例一
[0029]結(jié)合圖1，介紹本實(shí)用新型實(shí)施例一所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)。
[0030]如圖1所示，本實(shí)施例一提供一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，包括:一支架1、設(shè)置在所述支架I上的LED芯片2以及覆蓋所述LED芯片2的封裝膠體3。
[0031]所述支架I為金屬支架或PLCC支架等，本實(shí)施例中所述支架為金屬支架，其包括底座11以及設(shè)置在所述底座11上的反射杯12。其中，所述反射杯12內(nèi)壁為一光滑的斜面，所述反射杯12可以由PPA、PCT、EMC、SMC等材料注塑而成，其為本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)，此處不再贅述。
[0032]所述支架I包括LED芯片安放區(qū)用于承載LED芯片2，在所述反射杯12腔體內(nèi)的底部設(shè)置有一層防硫化薄膜13。
[0033]其中，所述防硫化薄膜13是一層連續(xù)的高致密高防水的絕緣透明材料，如娃化物或者氟化物薄膜等，其厚度不大于所述LED芯片2的厚度(常規(guī)的芯片厚度為80微米到450微米)，本實(shí)施例中所述防硫化薄膜13的厚度優(yōu)選為5微米到250微米。所述防硫化薄膜13可以通過點(diǎn)涂或者噴涂的方式涂覆在所述支架I的反射杯腔體內(nèi)的底部，涂覆方式優(yōu)選為點(diǎn)涂的方式。
[0034]由于所述防硫化薄膜13是一層連續(xù)的高致密高防水的絕緣透明材料，硫元素、鹵素、氧元素通過封裝膠體或其他部位進(jìn)入到LED器件內(nèi)部時(shí)，防硫化薄膜13能夠有效阻止硫元素、鹵素、氧元素進(jìn)一步與反射杯腔體內(nèi)的底部的鍍銀層發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)而防止LED器件在長期使用過程中由于鍍銀層被反應(yīng)造成的光衰現(xiàn)象發(fā)生，進(jìn)一步的，防硫化薄膜13雖然為透明材料，覆蓋在LED芯片2表面，仍然會(huì)在一定的程度上對LED芯片2發(fā)出的光有吸收作用，本實(shí)施例中，防硫化薄膜13僅設(shè)置于反射杯腔體內(nèi)的底部，LED芯片2表面不設(shè)置有該薄膜，不會(huì)吸收LED芯片2發(fā)出的光，保證了 LED器件的出光效率，最后，所述防硫化薄膜13僅在反射杯腔體內(nèi)的底部設(shè)置，保證了封裝膠體3與反射杯12內(nèi)壁有足夠的接觸面積，不會(huì)產(chǎn)生在長期使用過程中，封裝膠體3剝離的現(xiàn)象發(fā)生。
[0035]所述封裝膠體3位于反射杯12腔體內(nèi)部，完全覆蓋LED芯片2，所述封裝膠體3材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或硅樹脂，封裝膠體3中混有散射顆粒、紅色熒光粉、黃色熒光粉、綠色熒光粉中的一種或幾種。本實(shí)施例中優(yōu)選為混有黃色熒光粉和散射顆粒的有機(jī)硅膠，不限于本實(shí)施例。該封裝膠體用于防止LED芯片2受外界的環(huán)境如潮濕或者灰塵等雜質(zhì)的影響。
[0036]實(shí)施例二
[0037]結(jié)合圖2，介紹本實(shí)用新型實(shí)施例二所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)。
[0038]本實(shí)施例二所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一相似，其區(qū)別在于:在所述反射杯12內(nèi)壁底部設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)121，如圖2所示。具體地，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的高度不小于所述防硫化薄膜13的厚度。所述防硫化薄膜13僅設(shè)置于反射杯腔體內(nèi)的底部，此處所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)121能有效的防止防硫化薄膜13在點(diǎn)涂的過程中沿著反射杯12的內(nèi)壁爬行，導(dǎo)致防硫化薄膜13與反射杯12內(nèi)壁的接觸面積過大，從而產(chǎn)生在長期使用過程中所述封裝膠體3與反射杯12內(nèi)壁剝離的現(xiàn)象發(fā)生；另一方面，在所述反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)121，在點(diǎn)涂薄膜的過程中，有了臺(tái)階作為參照物，還有利于控制點(diǎn)涂防硫化薄膜13的厚度。
[0039]在其他實(shí)施例中，所述反射杯12內(nèi)壁底部還可以設(shè)置有階梯結(jié)構(gòu)122。如圖3至圖5所示，所述反射杯12內(nèi)壁底部階梯結(jié)構(gòu)122由垂直面、斜面或者圓弧面形式平滑過渡。所述防硫化薄膜13僅設(shè)置于反射杯腔體內(nèi)的底部。
[0040]本實(shí)用新型公開的LED封裝結(jié)構(gòu)，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0041]1.本實(shí)用新型提供一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，在反射杯腔體內(nèi)的底部設(shè)置有一層透明防硫化薄膜，有效阻止硫元素、鹵素、氧元素等滲入與反射杯腔體內(nèi)的底部鍍銀層發(fā)生反應(yīng)，造成器件出現(xiàn)光衰甚至死燈現(xiàn)象。
[0042]2.本實(shí)用新型提供的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，LED芯片表面不設(shè)置有防硫化薄膜，防止防硫化薄膜對LED芯片發(fā)出的光有吸收作用，確保了 LED器件的出光效率。
[0043]3.本實(shí)用新型提供的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，由于透明防硫化薄膜只涂覆在反射杯腔體內(nèi)的底部，且該薄膜的厚度不大于芯片的厚度，封裝膠體直接跟反射杯杯壁接觸，防止器件在長期使用過程中封裝膠體與反射杯剝離的現(xiàn)象。
[0044]4.本實(shí)用新型提供的高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，在反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置臺(tái)階結(jié)構(gòu)或階梯結(jié)構(gòu)，能有效的防止透明防硫化薄膜在點(diǎn)涂的過程中沿著反射杯內(nèi)壁發(fā)生爬行現(xiàn)象。
[0045]以上對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)介紹，文中應(yīng)用具體個(gè)例對本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，包括:支架、設(shè)置在所述支架上的LED芯片以及覆蓋所述LED芯片的封裝膠體，其中，所述支架包括底座、設(shè)置在所述底座上的反射杯以及LED芯片安放區(qū)，其特征在于:在所述反射杯腔體內(nèi)的底部設(shè)置有一層防硫化薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防硫化薄膜的厚度不大于所述LED芯片的厚度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防硫化薄膜的厚度為5微米到250微米之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED芯片表面不設(shè)置有所述防硫化薄膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防硫化薄膜是一層絕緣透明材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防硫化薄膜為氟化物或硅化物薄膜。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防硫化薄膜通過點(diǎn)涂或噴涂的方式涂覆在所述反射杯腔體內(nèi)的底部。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的高度不小于所述防硫化薄膜的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置有階梯結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種高防硫化LED封裝結(jié)構(gòu)，包括：支架、設(shè)置在所述支架上的LED芯片以及覆蓋所述LED芯片的封裝膠體，其中，所述支架包括底座、設(shè)置在所述底座上的反射杯以及LED芯片安放區(qū)，其特征在于：在所述反射杯腔體內(nèi)的底部設(shè)置有一層防硫化薄膜。該防硫化薄膜能夠有效阻止硫元素、鹵素、氧元素等滲入與反射杯腔體內(nèi)的底部鍍銀層發(fā)生反應(yīng)，造成器件出現(xiàn)光衰甚至死燈現(xiàn)象，LED芯片表面不設(shè)置有防硫化薄膜，防止防硫化薄膜對LED芯片發(fā)出的光有吸收作用，確保了LED器件的出光效率，在反射杯內(nèi)壁底部設(shè)置臺(tái)階結(jié)構(gòu)或階梯結(jié)構(gòu)，能有效的防止薄膜在點(diǎn)涂的過程中沿著反射杯內(nèi)壁發(fā)生爬行現(xiàn)象。
【IPC分類】H01L33/54, H01L33/60
【公開號(hào)】CN204834689
【申請?zhí)枴緾N201520589491
【發(fā)明人】李正凱, 董國帥, 韋昊軒, 潘利兵, 李軍政
【申請人】佛山市國星光電股份有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年8月7日