一種晶邊刻蝕方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶邊刻蝕方法，涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。該晶邊刻蝕方法，在對擬進行晶邊刻蝕的膜層進行晶邊刻蝕前，包括對所述擬進行晶邊刻蝕的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述膜層的晶邊刻蝕距離的步驟。本發(fā)明的晶邊刻蝕方法，由于在各膜層的晶邊刻蝕前對晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離，因此可以對各膜層的晶邊實現(xiàn)精確刻蝕，可以更好地改善各膜層在晶片邊緣造成的缺陷、擊穿以及應(yīng)力過剩等問題，提高了最終制造的半導(dǎo)體器件的良率。
【專利說明】一種晶邊刻蝕方法
【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種晶邊刻蝕方法。【背景技術(shù)】
[0001]在半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】中，在半導(dǎo)體器件的制造過程中，往往需要利用許多的多晶硅層、金屬內(nèi)連線層以及低介電材料層等材料來形成所需的半導(dǎo)體器件。然而，晶片上所沉積的膜層往往具有厚度均的問題或是表面水平高度不一的問題。這種膜層厚度不均的問題在晶邊(waferbevel)附件尤為明顯，往往會導(dǎo)致晶邊附近的晶片特別厚，這會造成半導(dǎo)體器件(尤其晶片邊緣的die)的缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessivestress)等問題，最終影響所制造的半導(dǎo)體器件的良率。
[0002]晶邊刻蝕(bevel etch)技術(shù)由于可以改善缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessive stress)等問題,提高最終制造的半導(dǎo)體器件的良率,因而越來越受到半導(dǎo)體制造業(yè)的重視。然而，如果晶邊刻蝕不能被很好地實施，尤其當(dāng)晶邊刻蝕距離無法被嚴(yán)格地控制，將無法達到改善缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessivestress)等問題的效果。在現(xiàn)有技術(shù)中，各種晶邊刻蝕的技術(shù)方案均沒有很好地控制晶邊刻蝕距離，因而所達到的提高半導(dǎo)體器件良率的效果往往并不理想。
[0003]因此，需要提出一種新的晶邊刻蝕方法，以提高制造的半導(dǎo)體器件的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種晶邊刻蝕方法。
[0005]該晶邊刻蝕方法，在對擬進行晶邊刻蝕的膜層進行晶邊刻蝕前，包括對所述擬進行晶邊刻蝕的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述膜層的晶邊刻蝕距離的步驟。
[0006]其中，所述擬進行晶邊刻蝕的膜層包括形成有源區(qū)的膜層、形成柵極的膜層、形成接觸孔的膜層、形成金屬層硬掩膜的膜層、形成通孔的膜層中的至少一種。
[0007]其中，所述方法包括對形成AA區(qū)的膜層、形成柵極的膜層、形成接觸孔的膜層、形成金屬層硬掩膜的膜層以及形成通孔的膜層進行晶邊刻蝕的步驟，并且所述各膜層的晶邊刻蝕距離逐漸減小。
[0008]其中，所述方法包括:
[0009]步驟SlOl:光刻形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)，并對形成有源區(qū)的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝；
[0010]步驟S102:對所述形成有源區(qū)的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成有源區(qū)的膜層的晶邊刻蝕距離；
[0011]步驟S103:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成有源區(qū)的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0012]優(yōu)選的，在所述步驟S 102中，所確定的晶邊刻蝕距離為1.5mm。[0013]進一步的，在所述步驟S103之后，還包括:
[0014]步驟S201、光刻形成柵極，并對形成柵極的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝；
[0015]步驟S202、對所述形成柵極的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成柵極的膜層的晶邊刻蝕距離；
[0016]步驟S203:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成柵極的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0017]優(yōu)選的，在所述步驟S202中，所確定的晶邊刻蝕距離為1.3mm。
[0018]進一步的，在所述步驟S203之后，還包括:
[0019]步驟S301:光刻形成接觸孔，并對形成接觸孔的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝；
[0020]步驟S302:對所述形成接觸孔的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕距離；
[0021]步驟S303:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成接觸孔的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0022]優(yōu)選的，在所述步驟S302中，所確定的晶邊刻蝕距離為1.1mm。
[0023]進一步的，在所述步驟S303之后，還包括:
[0024]步驟S401:光刻形成金屬層硬掩膜，并對形成金屬層硬掩膜的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝；
[0025]步驟S402:對所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊刻蝕距離；
[0026]步驟S403:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0027]優(yōu)選的，在所述步驟S402中，所確定的晶邊刻蝕距離為0.9mm。
[0028]進一步的，在所述步驟S403之后還包括:
[0029]步驟S501:光刻形成通孔，并對形成通孔的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝；
[0030]步驟S502:對所述形成通孔的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成通孔的膜層的晶邊刻蝕距離；
[0031]步驟S503:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成通孔的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0032]優(yōu)選的，在所述步驟S502中，所確定的晶邊刻蝕距離為0.5mm。
[0033]本發(fā)明實施例的晶邊刻蝕方法，由于在各膜層的晶邊刻蝕前對晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離，因此可以對各膜層的晶邊實現(xiàn)精確刻蝕，可以更好地改善各膜層在晶片邊緣造成的缺陷、擊穿以及應(yīng)力過剩等問題，提高了最終制造的半導(dǎo)體器件的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0035]附圖中:
[0036]圖1為本發(fā)明實施例提出的一種晶邊刻蝕方法的流程圖。
【具體實施方式】在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0037]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0038]除非另外定義，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還將理解，諸如普通使用的字典中所定義的術(shù)語應(yīng)當(dāng)理解為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域和/或本規(guī)格書的環(huán)境中的含義一致的含義，而不能在理想的或過度正式的意義上解釋，除非這里明示地這樣定義。
[0039]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的晶邊刻蝕方法。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0040]本發(fā)明實施例提供一種晶邊刻蝕方法。下面，參照圖1來描述本發(fā)明提出的晶邊刻蝕方法的一個示例性方法的詳細(xì)步驟。其中，圖1為本發(fā)明實施例提出的一種晶邊刻蝕方法的流程圖。
[0041]本發(fā)明實施例提供的晶邊刻蝕方法，用于控制從有源區(qū)(AA區(qū))晶邊刻蝕到后段制程(BE0L)晶邊刻蝕的晶邊刻蝕距離。其中，在本發(fā)明實施例中，晶邊刻蝕距離，是指從相應(yīng)膜層(擬進行晶邊刻蝕的膜層)的晶邊的最外延起算的、晶邊刻蝕時相應(yīng)膜層被刻蝕的寬度(距離);比如，如果刻蝕距離為1.5mm,則相應(yīng)膜層從晶邊的最外延起向內(nèi)側(cè)延伸的1.5mm寬度范圍內(nèi)的部分被刻蝕。在本發(fā)明實施例的晶邊刻蝕方法中，在進行每一步的晶邊刻蝕之前，都需要事先對晶邊進行監(jiān)測以確定實際的刻蝕距離，然后據(jù)此設(shè)定晶邊刻蝕設(shè)備，以使晶邊刻蝕更有針對性、更精確。并且，在本發(fā)明實施例的晶邊刻蝕方法中，對各膜層進行晶邊刻蝕時，所選定的刻蝕距離是逐漸減小的，即從AA區(qū)的晶邊刻蝕到后段制程(BEOL)的晶邊刻蝕，晶邊的刻蝕距離逐漸減小。在本發(fā)明實施例中，各膜層的晶邊刻蝕工藝并不限定在緊隨相應(yīng)膜層的刻蝕工藝(即對相應(yīng)膜層進行圖形化形成部件的工藝)之后，而是可以在其他任何半導(dǎo)體工藝之后執(zhí)行；當(dāng)然，一般仍需滿足在晶邊刻蝕的過程中，晶邊刻蝕距離可控且刻蝕距離小于前一膜層的晶邊刻蝕距離。
[0042]當(dāng)然，在本發(fā)明實施例中，所選定的最小的晶邊刻蝕距離，應(yīng)當(dāng)滿足設(shè)備的要求以及前工藝比如WEE或EBR的限制。如，如果WEE或EBR的最小距離為0.5mm,那么，在晶邊刻蝕時所選定的最小的晶邊刻蝕距離應(yīng)不小于0.5mm。
[0043]在本發(fā)明實施例中，形成AA區(qū)的膜層的晶邊刻蝕(AA BevelEtch)、形成柵極的膜層的晶邊刻蝕(Gate Bevel Etch)、形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕(CT Bevel Etch)、形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊刻蝕(M-HM Bevel Etch)、形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕(ΑΙ0EtchBevel Etch)等晶邊刻蝕工藝，均是指針對相應(yīng)膜層的晶邊進行的晶邊刻蝕工藝。并且，在具體進行晶邊刻蝕的步驟之前，需要暴露出相應(yīng)膜層(即擬進行晶邊刻蝕的膜層)的晶邊，故一般需要進行邊緣光刻膠去除(EBR，Edge Bead Removal)工藝(該工藝可去除邊緣光刻膠)，比如采用晶片邊緣曝光(WEE，Wafer Edge Exposure)工藝，具體地，在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解光刻膠，以去除邊緣光刻膠。
[0044]下面，以更具體的實施方式，示例性地介紹本發(fā)明實施例提供的晶邊刻蝕方法。本發(fā)明實施例的晶邊刻蝕方法，具體包括如下步驟:
[0045]步驟1、對形成AA區(qū)的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0046]具體地，步驟I可以包括如下步驟:
[0047]步驟101、光刻形成半導(dǎo)體器件的AA區(qū)(AA lithography),并對形成AA區(qū)的膜層進行邊緣光刻膠去除(EBR)工藝。
[0048]其中，EBR工藝優(yōu)選采用硅片邊緣曝光(WEE)工藝。
[0049]步驟102、對形成AA區(qū)的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離。
[0050]示例性地，在本發(fā)明實施例中，所確定的形成AA區(qū)的膜層的晶邊刻蝕距離為
1.5mm。
[0051]具體的，可以選用現(xiàn)有技術(shù)中任何可以對晶邊進行監(jiān)測的晶邊監(jiān)測設(shè)備，實現(xiàn)對晶邊的監(jiān)測。監(jiān)測的內(nèi)容主要是晶邊的形貌，以據(jù)此確定可以采用的合適的晶邊刻蝕距離。
[0052]在確定晶邊刻蝕距離后，一般據(jù)此對選用的晶邊刻蝕設(shè)備進行設(shè)置。其中，晶邊刻蝕可以選用現(xiàn)有技術(shù)中的任何可以進行晶邊刻蝕的設(shè)備，只要滿足工藝要求即可。比如，現(xiàn)有技術(shù)中，一般通過等離子體約束環(huán)(plasma confinement rings)實現(xiàn)對晶邊的刻蝕,應(yīng)用等離子體約束環(huán)的晶邊刻蝕設(shè)備，可以通過設(shè)置該刻蝕設(shè)備的upper PEZring的位置來設(shè)定晶邊刻蝕距離，那么，如果在本發(fā)明實施例中選用該設(shè)備，則應(yīng)根據(jù)上述確定的晶邊刻蝕距離，設(shè)定該設(shè)備的upper PEZring的位置。
[0053]關(guān)于晶邊監(jiān)測設(shè)備和晶邊刻蝕設(shè)備，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要進行選擇，在此不再贅述。
[0054]步驟103、以上述確定的晶邊刻蝕距離對所述形成AA區(qū)的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0055]具體地，在確定晶邊刻蝕距離后，利用晶邊刻蝕設(shè)備對所述形成AA區(qū)的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0056]本步驟的晶邊刻蝕(bevel etch),由于通過監(jiān)測確定了合適的刻蝕距離，因此,可以更好地改善形成AA區(qū)的膜層在晶片(娃片)邊緣造成的缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessive stress)等問題(即減少了缺陷的來源),提高最終制造的半導(dǎo)體器件尤其位于晶片邊緣的晶粒(die)的良率。
[0057]在本發(fā)明實施例的后續(xù)各步驟中，關(guān)于晶邊監(jiān)測設(shè)備的選擇以及晶邊刻蝕設(shè)備的設(shè)定等，與步驟I相同，故不再進行贅述。
[0058]步驟2、對形成柵極的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0059]具體地，步驟2可以包括如下步驟:
[0060]步驟201、光刻形成柵極(Gate lithography),并對形成柵極的膜層(比如多晶娃層)進行邊緣光刻膠去除(EBR)工藝。
[0061 ] 其中，EBR工藝優(yōu)選采用硅片邊緣曝光(WEE )工藝。
[0062]步驟202、對形成柵極的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離。
[0063]優(yōu)選的，形成柵極的膜層的晶邊刻蝕距離小于形成AA區(qū)的膜層的晶邊刻蝕距離。示例性地，在本發(fā)明實施例中，所確定的形成柵極的膜層的晶邊刻蝕距離為1.3mm。
[0064]步驟203、以上述確定的晶邊刻蝕距離對所述形成柵極的膜層的晶邊進行刻蝕。[0065]本步驟中的晶邊刻蝕(bevel etch),由于通過監(jiān)測確定了合適的刻蝕距離(并且，晶邊刻蝕距離小于前一層的晶邊刻蝕距離)，因此，可以更好地改善形成柵極的膜層在晶片(娃片)邊緣造成的缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessive stress)等問題，提高最終制造的半導(dǎo)體器件尤其位于晶片邊緣的晶粒(die)的良率。
[0066]步驟3、對形成接觸孔(CT)的膜層(比如層間介電層ILD)的晶邊進行刻蝕。
[0067]具體地，步驟3可以包括如下步驟:
[0068]步驟301、光刻形成接觸孔(CT Iithography),對形成接觸孔的膜層進行邊緣光刻膠去除(EBR)工藝。
[0069]其中，EBR工藝優(yōu)選采用硅片邊緣曝光(WEE)工藝。
[0070]步驟302、對形成接觸孔的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離。
[0071]優(yōu)選的，形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕距離小于形成柵極的膜層的晶邊刻蝕距離。示例性地，在本發(fā)明實施例中，所確定的形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕距離為1.1mm。
[0072]步驟303、以上述確定的晶邊刻蝕距離對所述形成接觸孔的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0073]本步驟中的晶邊刻蝕(bevel etch),由于通過監(jiān)測確定了合適的刻蝕距離(并且，其晶邊刻蝕距離小于前一層的晶邊刻蝕距離)，因此，可以更好地改善形成接觸孔的膜層在晶片(娃片)邊緣造成的缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessive stress)等問題，提聞最終制造的半導(dǎo)體器件尤其位于晶片邊緣的晶粒(die)的良率。
[0074]步驟4、對形成金屬層硬掩膜(M-HM)的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0075]具體地，步驟4可以包括如下步驟:
[0076]步驟401、光刻形成金屬層硬掩膜(M-HM lithography),并對形成金屬層硬掩膜的膜層(即金屬層硬掩膜層)進行邊緣光刻膠去除(EBR)工藝。
[0077]其中，EBR工藝優(yōu)選采用硅片邊緣曝光(WEE)工藝。
[0078]步驟402、對形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離。
[0079]優(yōu)選的，形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊刻蝕距離小于形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕距離。示例性地，在本發(fā)明實施例中，所確定的形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊刻蝕距離為0.9mm。
[0080]步驟403、以上述確定的晶邊刻蝕距離對所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0081]本步驟中的晶邊刻蝕(bevel etch),由于通過監(jiān)測確定了合適的刻蝕距離(并且，其晶邊刻蝕距離小于前一層的晶邊刻蝕距離)，因此，可以更好地改善形成金屬層硬掩膜的膜層在晶片(娃片)邊緣造成的缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessivestress)等問題，提高最終制造的半導(dǎo)體器件尤其位于晶片邊緣的晶粒(die)的良率。
[0082]步驟5、對形成通孔(Via)的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0083]具體地，步驟5可以包括如下步驟:
[0084]步驟501、光刻形成通孔(Via lithography),并對形成通孔的膜層(比如金屬層等)進行邊緣光刻膠去除(EBR)工藝。
[0085]其中，EBR工藝優(yōu)選采用硅片邊緣曝光(WEE)工藝。[0086]步驟502、對形成通孔的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離。
[0087]優(yōu)選的，形成通孔的膜層的晶邊刻蝕距離小于形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊刻蝕距離。示例性地，在本發(fā)明實施例中，所確定的形成通孔的膜層的晶邊刻蝕距離為0.5mm。
[0088]步驟503、以上述確定的晶邊刻蝕距離對所述形成通孔的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0089]本步驟中的晶邊刻蝕(bevel etch),由于通過監(jiān)測確定了合適的刻蝕距離(并且，其晶邊刻蝕距離小于前一層的晶邊刻蝕距離)，因此，可以更好地改善形成通孔的膜層在晶片(娃片)邊緣造成的缺陷(defect)、擊穿(arcing)以及應(yīng)力過剩(excessive stress)等問題，提高最終制造的半導(dǎo)體器件尤其位于晶片邊緣的晶粒(die)的良率。
[0090]至此，完成了本發(fā)明實施例的示例性的晶邊刻蝕方法的介紹。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明實施例的方法并不以此為限；雖然本發(fā)明實施例對與發(fā)明點無關(guān)的半導(dǎo)體器件制程中的其他步驟，比如在晶圓(也可以成為硅片或半導(dǎo)體襯底等)上形成各膜層的步驟、在相關(guān)膜層上形成光刻膠的步驟、以及對相應(yīng)的膜層進行圖形化以形成部件的步驟等，并未進行描述，但這并不代表本發(fā)明實施例的晶邊刻蝕方法不包括這些步驟，而是由于這些工藝步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同而不再贅述。并且，需要強調(diào)的是，在本發(fā)明實施例中，步驟I至5可以同時進行、分別進行、也可以通過任意組合的方式進行，在實際應(yīng)用時并不對此進行限定。凡是在晶邊刻蝕前進行晶邊監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離的方案，均落入本發(fā)明實施例的保護范圍。
[0091]在本發(fā)明實施例中，由于在各膜層的晶邊刻蝕前對晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定晶邊刻蝕距離，因此可以對各膜層的晶邊實現(xiàn)精確刻蝕，可以更好地改善各膜層在晶片邊緣造成的缺陷、擊穿以及應(yīng)力過剩等問題(即減少了缺陷來源)，提高最終制造的半導(dǎo)體器件的良率。
[0092]并且，進一步的，由于在晶邊刻蝕過程中，設(shè)定的各膜層的晶邊刻蝕距離逐漸減小，可以進一步保證對各膜層晶邊均實現(xiàn)理想刻蝕，可以進一步改善各膜層在晶片邊緣造成的缺陷、擊穿以及應(yīng)力過剩等問題，提高最終制造的半導(dǎo)體器件的良率。
[0093]參照圖1，其中示出了本發(fā)明提出的晶邊刻蝕方法中的一種典型方法的流程圖，用于簡要示出整個制造工藝的流程。該方法具體包括:
[0094]步驟S1:對擬進行晶邊刻蝕的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述擬進行晶邊刻蝕的膜層的晶邊刻蝕距離；
[0095]步驟S2:以所述晶邊刻蝕距離，對所述擬進行晶邊刻蝕的膜層的晶邊進行刻蝕。
[0096]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種晶邊刻蝕方法，其特征在于，所述方法在對擬進行晶邊刻蝕的膜層進行晶邊刻蝕前，包括對所述擬進行晶邊刻蝕的膜層的晶邊進行監(jiān)測并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述膜層的晶邊刻蝕距離的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，所述擬進行晶邊刻蝕的膜層包括形成有源區(qū)的膜層、形成柵極的膜層、形成接觸孔的膜層、形成金屬層硬掩膜的膜層、形成通孔的膜層中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括對形成AA區(qū)的膜層、形成柵極的膜層、形成接觸孔的膜層、形成金屬層硬掩膜的膜層以及形成通孔的膜層進行晶邊刻蝕的步驟，并且所述各膜層的晶邊刻蝕距離逐漸減小。
4.如權(quán)利要求1所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟SlOl:光刻形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)，并對形成有源區(qū)的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝； 步驟S102:對所述形成有源區(qū)的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成有源區(qū)的膜層的晶邊刻蝕距離； 步驟S103:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成有源區(qū)的膜層的晶邊進行刻蝕。
5.如權(quán)利要求4所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S102中，所確定的晶邊刻蝕距離為1.5mm。
6.如權(quán)利要求4所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S103之后，還包括: 步驟S201、光刻形成柵極，并對形成柵極的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝； 步驟S202、對所述形成柵極的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成柵極的膜層的晶邊刻蝕距離； 步驟S203:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成柵極的膜層的晶邊進行刻蝕。
7.如權(quán)利要求6所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S202中，所確定的晶邊刻蝕距離為1.3mm。
8.如權(quán)利要求6所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S203之后，還包括: 步驟S301:光刻形成接觸孔，并對形成接觸孔的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝； 步驟S302:對所述形成接觸孔的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成接觸孔的膜層的晶邊刻蝕距離； 步驟S303:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成接觸孔的膜層的晶邊進行刻蝕。
9.如權(quán)利要求8所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S302中，所確定的晶邊刻蝕距離為1.1mm。
10.如權(quán)利要求8所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S303之后，還包括: 步驟S401:光刻形成金屬層硬掩膜，并對形成金屬層硬掩膜的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝； 步驟S402:對所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊刻蝕距離； 步驟S403:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成金屬層硬掩膜的膜層的晶邊進行刻蝕。
11.如權(quán)利要求10所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S402中，所確定的晶邊刻蝕距離為0.9mm。
12.如權(quán)利要求10所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S403之后還包括: 步驟S501:光刻形成通孔，并對形成通孔的膜層進行邊緣光刻膠去除工藝； 步驟S502:對所述形成通孔的膜層的晶邊進行監(jiān)測，并根據(jù)反饋的監(jiān)測結(jié)果確定所述形成通孔的膜層的晶邊刻蝕距離； 步驟S503:以所述晶邊刻蝕距離對所述形成通孔的膜層的晶邊進行刻蝕。
13.如權(quán)利要求12所述的晶邊刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟S502中，所確定的晶邊刻蝕距 離為0.5mm。
【文檔編號】H01L21/66GK103794468SQ201210422871
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月29日
【發(fā)明者】張海洋, 王新鵬 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司