專利名稱：集成的無源器件和功率放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及機電及微電子系統(tǒng)。相關(guān)技術(shù)描述機電系統(tǒng)(EMS)包括具有電氣及機械元件、致動器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(包括鏡子)以及電子器件的設(shè)備。機電系統(tǒng)可以在各種尺度上制造，包括但不限于微米尺度和納米尺度。例如，微機電系統(tǒng)(MEMS)器件可包括具有范圍從大約ー微米到數(shù)百微米或以上的大小的結(jié)構(gòu)。納米機電系統(tǒng)(NEMS)器件可包括具有小于一微米的大小(包括，例如小于幾百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。機電元件可使用沉積、蝕刻、光刻和/或蝕刻掉基板和/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電氣及機電器件的其它微機械加工エ藝來制作。一種類型的EMS器件被稱為干涉測量(interferometric)調(diào)制器(IM0D)。如本文所使用的，術(shù)語干渉測量調(diào)制器或干涉測量光調(diào)制器是指使用光學(xué)干渉原理來選擇性地吸收和/或反射光的器件。在一些實現(xiàn)中，干渉測量調(diào)制器可包括ー對導(dǎo)電板，這對導(dǎo)電板中的一者或兩者可以是完全或部分透明的和/或反射性的，且能夠在施加恰適電信號時進行相對運動。在ー實現(xiàn)中，一塊板可包括沉積在基板上的靜止層，而另一塊板可包括與該靜止層相隔一氣隙的反射膜。一塊板相對于另一塊板的位置可改變?nèi)肷湓谠摳缮鏈y量調(diào)制器上的光的光學(xué)干渉。干渉測量調(diào)制器器件具有范圍廣泛的應(yīng)用，且預(yù)期將用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品以及創(chuàng)造新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品。近來，對制造小型功率放大器的興趣在增長。例如，一些功率放大器已被制造在絕緣體上覆硅(SOI)型的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)上。盡管此類功率放大器一般是令人滿意的，但仍期望提供具有更小的尺寸、更少的外封裝組件以及更高的性能的改善的小型功率放大器。概述本公開的系統(tǒng)、方法和設(shè)備各自具有若干個創(chuàng)新性方面，其中并不由任何單個方面全權(quán)負責(zé)本文中所公開的期望屬性。本文描述的ー些實現(xiàn)提供ー種器件，該器件包括在其上形成有至少ー個無源組件的基板。該基板可以是玻璃基板。集成電路管芯可被附連至該基板的第一表面。多個通孔可穿過該基板在該基板的第一表面和第二表面之間延伸。該些通孔可以是導(dǎo)電和/或?qū)岬?。該集成電路管芯可電連接至至少ー個無源組件和至少ー個通孔。該集成電路管芯可以是包括功率放大器電路的功率放大器芯片。在一些實現(xiàn)中，這些無源器件中的至少ー些可形成功率組合器電路。該功率放大器芯片和該功率組合器電路可形成功率放大系統(tǒng)。
本文描述的ー些實現(xiàn)涉及ー種集成器件，該集成器件包括具有第一表面和與該第一表面基本平行的第二表面的玻璃基板。該集成器件可具有由布置在該第一表面上的至少ー個圖案化層形成的至少ー個無源組件、以及附連至該玻璃基板的該第一表面的集成電路管芯。該集成器件可具有延伸于該玻璃基板的第一表面和第二表面之間的多個透玻通孔。該集成電路管芯可電連接至該至少一個無源組件和至少ー個透玻通孔。至少ー個無源組件可以是電阻器、電容器、可變電容器、可變電抗器、電感器、濾波器、變壓器、耦合器、定向耦合器、功率分配器、傳輸線、波導(dǎo)、和/或天線。在一些實現(xiàn)中，多個無源組件可形成功率組合器。該集成電路管芯可包括功率放大器電路。該至少一個無源組件和該集成電路管芯可形成功率放大系統(tǒng)。該集成器件可包括延伸于該玻璃基板的第一表面和第二表面之間的熱通孔。該熱通孔可與該集成電路管芯熱接觸。替換裝置可包括具有傳導(dǎo)通孔以及沉積了功率組合器電路的第一基板。在ー些實現(xiàn)中，該第一基板可以是玻璃基板。該功率組合器電路可包括沉積在該第一基板的至少第一側(cè)上的多個無源器件。這多個無源器件可包括電阻器、電容器、可變電容器、可變電抗器、電感器、濾波器、變壓器、耦合器、定向耦合器、功率分配器、傳輸線、波導(dǎo)、和/或天線中的至少ー者。該裝置還可包括沉積在第一基板的該第一側(cè)上的至少ー個有源組件。該裝置可包括具有形成在第二基板上的功率放大器電路的功率放大器芯片。該第ニ基板可以是玻璃基板、硅基板、分層的硅-絕緣體-硅基板、神化鎵基板、或藍寶石上覆硅基板。該功率放大器芯片可被布置在該功率組合器電路上并被配置成與該功率組合器電路電連接。該功率放大器電路和該功率組合器電路可形成功率放大系統(tǒng)。傳導(dǎo)通孔可包括被配置用于該功率放大系統(tǒng)與該第一基板的第二側(cè)上的導(dǎo)體之間的電連接的一個或多個互連通孔。該裝置可包括該第一基板的第二側(cè)上的金屬化墊片。互連通孔可被配置用于該功率放大系統(tǒng)與這些金屬化墊片之間的電連接。傳導(dǎo)通孔可包括被配置用于傳導(dǎo)來自該功率放大系統(tǒng)的熱量的至少ー個熱通孔。至少ー個熱通孔可比至少ー個互連通孔寬。在一些實現(xiàn)中，熱通孔可具有互連通孔至少兩倍的寬度。在ー些此類實現(xiàn)中，熱通孔具有介于互連通孔兩倍到五倍之間的寬度。這些熱通孔中的至少ー個熱通孔可被配置成用于在該功率放大系統(tǒng)和該第一基板的第二側(cè)之間導(dǎo)電。然而，在一些實現(xiàn)中，至少ー個熱通孔可不被配置成用于在該功率放大系統(tǒng)和該第一基板的第二側(cè)之間導(dǎo)電。功率放大器芯片可被配置成用于經(jīng)由焊料凸塊與該功率組合器電路電連接。該功率放大器芯片可覆蓋無源器件的至少一部分。該裝置可包括沉積在該第一基板的第二側(cè)上并被配置成用于與該功率放大系統(tǒng)電連接的至少ー個無源器件或有源器件。該裝置還可包括顯示器以及配置成與該顯示器通信的處理器。該處理器可配置成處理圖像數(shù)據(jù)。該裝置還可包括配置成與該處理器通信的存儲器設(shè)備。該裝置還可包括配置成將至少ー個信號發(fā)送給該顯示器的驅(qū)動器電路以及配置成將圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送至該驅(qū)動器電路的控制器。該裝置可包括配置成接收輸入數(shù)據(jù)并將輸入數(shù)據(jù)傳達給處理器的輸入設(shè)備。該裝置還可包括接收器、收發(fā)器和/或發(fā)射器。該裝置可包括形成于該功率放大系統(tǒng)周圍的包封。在一些實現(xiàn)中，該包封可包括模制，諸如環(huán)氧樹脂模制。在一些實現(xiàn)中，該包封可包括金屬籠。該包封可包括具有內(nèi)部傳導(dǎo)涂層的電介質(zhì)蓋，諸如玻璃蓋。該傳導(dǎo)涂層可以是金屬涂層。該內(nèi)部傳導(dǎo)涂層可被電接地。封裝的電子設(shè)備可包括該裝置。該封裝的電子設(shè)備可包括至少ー個附加的集成電路。本文描述的ー些方法涉及在玻璃基板中形成多個通孔，用傳導(dǎo)材料至少部分地填充通孔，在該玻璃基板的至少第一側(cè)上沉積無源器件以形成功率組合器電路并將功率放大器芯片配置成用于與該功率組合器電路電連接以形成功率放大系統(tǒng)。該功率放大器芯片可包括形成在另一基板(諸如半導(dǎo)體基板)上的功率放大器電路。形成這多個通孔可涉及通過激光鉆孔、噴砂或蝕刻來形成通孔。該形成過程可涉及形成被配置用于傳導(dǎo)來自該功率放大系統(tǒng)的熱量的至少ー個熱通孔以及形成被配置用于該功率放大系統(tǒng)與該玻璃基板的第二側(cè)上的導(dǎo)體之間的電連接的互連通孔。填充通孔可涉及用導(dǎo)電材料填充至少互連通孔。填充通孔可涉及用導(dǎo)熱材料填充至少熱通孔。熱通孔中的至少ー個熱通孔可被形成有比互連通孔中的至少ー個互連通孔更大的寬度。在一些實現(xiàn)中，熱通孔中的至少ー個熱通孔可被形成有互連通孔中的至少ー個互連通孔至少兩倍的寬度。在ー些此類實現(xiàn)中，熱通孔中的至少ー個熱通孔可被形成有介于互連通孔中的至少ー個互連通孔兩倍到五倍之間的寬度。該配置過程可涉及經(jīng)由倒裝芯片焊料接合エ藝、銅柱倒裝芯片接合エ藝、或各向異性傳導(dǎo)膜エ藝將該功率放大器芯片附連至該功率組合器電路。該配置過程可涉及將該功率放大器芯片附連至該功率組合器電路并用電絕緣的粘合劑對該功率放大器芯片進行底部填充。該配置過程可涉及通過用導(dǎo)熱材料對功率放大器芯片進行底部填充以用于耗散來自功率放大器系統(tǒng)的熱量的方式將該功率放大器芯片附連至該功率組合器電路。在ー些實現(xiàn)中，該功率放大器芯片可覆蓋無源器件的至少一部分。該方法可涉及在該玻璃基板的第ニ側(cè)上沉積無源器件。本說明書中所描述的主題內(nèi)容的一個或多個實現(xiàn)的詳情在附圖及以下描述中闡述。盡管本公開提供的示例主要是以基于機電系統(tǒng)(EMS)和微機電系統(tǒng)(MEMS)的顯示器的形式來描述的，但是本文提供的構(gòu)思可適用于其他類型的顯示器，諸如液晶顯示器、有機發(fā)光二極管(“0LED”)顯示器和場致發(fā)射顯示器。其它特征、方面和優(yōu)點將從該描述、附圖和權(quán)利要求書中變得明了。注意，以下附圖的相對尺寸可能并非按比例繪制。附圖簡述

圖1示出描繪了干渉測量調(diào)制器(IMOD)顯示設(shè)備的一系列像素中的兩個毗鄰像素的等軸視圖的示例。圖2示出解說納入了 3X3干渉測量調(diào)制器顯示器的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。圖3示出解說圖1的干渉測量調(diào)制器的可移動反射層位置相對于所施加電壓的圖示的示例。圖4示出解說在施加各種共用電壓和分段電壓時干渉測量調(diào)制器各種狀態(tài)的表的示例。圖5A示出解說圖2的3X3干渉測量調(diào)制器顯示器中的一幀顯示數(shù)據(jù)的圖示的示例。圖5B示出可用于寫圖5A中所解說的該幀顯示數(shù)據(jù)的共用信號和分段信號的時序圖的示例。
圖6A示出圖1的干渉測量調(diào)制器顯示器的局部橫截面的示例。圖6B - 6E示出干渉測量調(diào)制器的不同實現(xiàn)的橫截面的示例。圖7示出解說干涉測量調(diào)制器的制造エ藝的流程圖的示例。圖8A - SE示出制作干渉測量調(diào)制器的方法中的各個階段的橫截面示意圖解的示例。圖9示出解說用于形成包括與形成在玻璃基板上的無源器件相組合的集成電路的裝置的過程的流程圖的示例。圖10A-10G示出可根據(jù)圖9的過程而形成的組件的示例。圖1lA示出包括功率放大器芯片和功率組合器電路的功率放大系統(tǒng)的示例。圖1lB示出可被用在功率組合器電路中的無源器件的示例。圖1lC示出功率放大系統(tǒng)的另一示例。圖12示出堆疊在玻璃管芯上的集成電路的透視圖的示例，該玻璃管芯被搭載在印刷電路板上。圖13示出解說用于在玻璃基板上形成無源器件的過程的流程圖的示例。圖14A-14L示出在根據(jù)圖13的無源器件制造過程中的各階段期間的局部器件橫截面的示例。圖15A和15B示出解說包括多個干涉測量調(diào)制器的顯示設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。各個附圖中相似的附圖標(biāo)記和命名指示相似要素。詳細描述以下描述針對g在用于描述本公開的創(chuàng)新性方面的某些實現(xiàn)。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易認識到本文的教義可以多種不同方式來應(yīng)用。所描述的實現(xiàn)可在可配置成顯示圖像的任何設(shè)備或系統(tǒng)中實現(xiàn)，無論該圖像是運動的(例如，視頻)還是不動的(例如，靜止圖像)，且無論其是文本的、圖形的還是畫面的。更具體而言，構(gòu)想了所描述的實現(xiàn)可被包括在各種各樣的電子設(shè)備中或與各種各樣的電子設(shè)備相關(guān)聯(lián)，這些電子設(shè)備諸如但不限干:移動電話、具有因特網(wǎng)能力的多媒體蜂窩電話、移動電視接收機、無線設(shè)備、智能電話、藍牙 設(shè)備、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機、上網(wǎng)本、筆記本、智能本、平板電腦、打印機、復(fù)印機、掃描儀、傳真設(shè)備、GPS接收機/導(dǎo)航儀、相機、MP3播放器、攝錄像機、游戲控制臺、手表、鐘表、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀設(shè)備(即，電子閱讀器)、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(包括里程表和速度表顯示器等)、駕駛座艙控件和/或顯示器、相機取景顯示器(諸如車輛中的后視相機的顯示器)、電子照片、電子告示牌或招牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體音響系統(tǒng)、卡式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電、便攜式存儲器芯片、洗衣機、烘干機、洗衣機/烘干機、停車計時器、封裝(諸如在機電系統(tǒng)(EMS)、微機電系統(tǒng)(MEMS)和非MEMS應(yīng)用中)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示)以及各種各樣的EMS設(shè)備。本文中的教示還可用在非顯示器應(yīng)用中，諸如但不限于:電子交換設(shè)備、射頻濾波器、傳感器、加速計、陀螺儀、運動感測設(shè)備、磁力計、用于消費者電子設(shè)備的慣性組件、消費者電子產(chǎn)品的部件、可變電抗器、液晶設(shè)備、電泳設(shè)備、驅(qū)動方案、制造エ藝以及電子測試裝備。因此，這些教示無意被局限于只是在附圖中描繪的實現(xiàn)，而是具有如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易明白的廣泛應(yīng)用性。本公開提供用于將沉積在可以是玻璃基板的第一基板上的器件與形成在諸如基于硅的基板的第二基板上的至少ー個集成電路相組合的系統(tǒng)、方法和裝置。沉積在第一基板上的器件中的至少ー些器件可以是無源器件。盡管本公開的大部分內(nèi)容涉及以此類方式形成功率放大系統(tǒng)，但是本公開并不限于此類實現(xiàn)。作為替代，本文描述的許多方面一般應(yīng)用于將集成電路管芯與形成在玻璃上的無源器件相組合。例如，類似于本文所描述過程的過程可被用于形成接收/發(fā)射無線電(RTR)、低噪聲放大器、混頻器、有源濾波器、數(shù)字信號處理器、控制器、線驅(qū)動器、光收發(fā)機、無線傳感器、電源偏置產(chǎn)生或管制電路、相控陣電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器或數(shù)模轉(zhuǎn)換器、存儲器、其組合和/或其他器件。在ー個方面，該(些)無源器件可包括一個或多個電阻器、電容器、可變電容器、可變電抗器、電感器、濾波器、變壓器、耦合器、有向耦合器、功率分配器、傳輸線、波導(dǎo)、或天線。該裝置還可包括沉積在第一基板的第一側(cè)上的至少ー個有源組件。該裝置還可包括沉積在第一基板的第二側(cè)上的至少ー個無源器件或有源器件。集成電路管芯可被附連至第一基板的第一表面。多個通孔可穿過第一基板在第一基板的第一表面和第二表面之間延伸。該些通孔可以是導(dǎo)電和/或?qū)岬摹Ｔ摷呻娐饭苄究呻娺B接至至少ー個無源組件和至少ー個通孔。在一些實現(xiàn)中，第一基板可由具有類似于玻璃的性質(zhì)的材料(諸如塑料)來形成。該集成電路管芯可形成在分層的“硅-絕緣體-硅”基板上，后者也被稱為“絕緣體上覆硅”(SOI)基板。在ー些其他實現(xiàn)中，該集成電路管芯可形成在玻璃基板上、硅基板上、神化鎵基板上、或藍寶石上覆硅基板上。功率組合器電路可包括沉積在第一基板的至少第一側(cè)上的無源器件中的至少ー些無源器件。該集成電路管芯可包括布置在該功率組合器電路上并且被配置成與該功率組合器電路電連接以形成功率放大系統(tǒng)的功率放大器電路。導(dǎo)熱的通孔可被配置用于將熱量從該功率放大系統(tǒng)傳導(dǎo)至該基板的第二側(cè)上的熱阱。根據(jù)特定實現(xiàn)，該些導(dǎo)熱的通孔可以導(dǎo)電或者不導(dǎo)電。該些導(dǎo)熱的通孔中的ー些通孔可以比導(dǎo)電的互連通孔寬，例如兩倍至五倍寬。可實現(xiàn)本公開中所描述的主題內(nèi)容的具體實現(xiàn)以達成以下潛在優(yōu)點中的ー項或多項。例如，功率組合器的無源組件先前已與有源功率放大電路共同制造在SOI晶片上。在一些實例中，此類集成電路的臺面面積(footprint)可能由于制造エ藝的成本或?qū)π⌒螤钜蜃拥男枨蠖芟?。根?jù)本文提供的一些實現(xiàn)，無源器件可以被擴展在比集成電路的臺面面積更大的面積上。這可能是有利的，因為在玻璃上制造無源器件會相對較為廉價。而且，根據(jù)本文提供的ー些實現(xiàn)，SOI基板和玻璃基板的堆疊導(dǎo)致功率放大系統(tǒng)所占用的總面積比起假如將無源器件與SOI基板集成在一起的情況有所減小。此類方案還可消除分別分裝和組裝的要求，并降低了單獨組件的總數(shù)。在一些透玻(through-glass)通孔實現(xiàn)中，無源器件可被制造在玻璃基板的頂側(cè)和底側(cè)上。在其他透玻通孔實現(xiàn)中，ー些無源器件可橫跨玻璃基板的頂側(cè)和底側(cè)兩者。此類實現(xiàn)可提供性能的進ー步改善和/或總占用面積的進一歩降低。在一些堆疊式實現(xiàn)中，在玻璃基板上形成無源器件相比于在功率放大芯片或印刷電路板上形成無源器件可具有以下優(yōu)點:更高的Q (品質(zhì)因數(shù))、更大的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性和容限、更低的寄生效應(yīng)、更高的可靠性、以及更低的成本。在一些堆疊式實現(xiàn)中，焊球、無源組件、有源元件、以及透玻通孔可被配置成降低損耗以及使功率放大系統(tǒng)的電氣端子之間不期望的耦合最小化，由此提供更高的電隔離。在一些堆疊式實現(xiàn)中，焊球、無源組件、有源元件、以及透玻通孔被配置成精確地控制功率放大系統(tǒng)的電互連的阻抗水平和跡線長度。使電線長度最小化可降低噪聲耦合，并降低回波損耗和插入損耗。降低損耗可進ー步降低系統(tǒng)中產(chǎn)生的熱量，進而改善功率放大系統(tǒng)的穩(wěn)定性和整體性能。在一些實現(xiàn)中，將無源器件與從功率放大器芯片產(chǎn)生的熱量隔離可改善可靠性或組件穩(wěn)定性。而且，在一些實現(xiàn)中，堆疊還可降低功率放大系統(tǒng)的整體面積或臺面面積。在一些實現(xiàn)中，堆疊將功率組合器無源和有源電路抬升到印刷電路板(PCB)上方，這可降低源于PCB或其他外圍電路元件的寄生效應(yīng)的耦合噪聲或損耗。由于功率放大器電路消耗典型電子器件中相當(dāng)一部分的功率，因此使發(fā)射鏈中的任何損耗最小化(否則將降低效率)很重要。將無源器件從SOI或CMOS基板轉(zhuǎn)移掉在無源器件相對于功率放大系統(tǒng)的其他元件(諸如有源電路或焊球)的位置的設(shè)計上提供了額外的自由度。此靈活性可有助于降低插入損耗和回波損耗、部分地通過使跡線長度和阻抗不連續(xù)性最小化來改善電隔離和電匹配、以及改善可靠性?？蓱?yīng)用所描述實現(xiàn)的合適EMS或MEMS器件的一示例是反射式顯示設(shè)備。反射式顯示設(shè)備可納入干渉測量調(diào)制器(MOD)以使用光學(xué)干渉原理來選擇性地吸收和/或反射入射到其上的光。IMOD可包括吸收體、可相對于該吸收體移動的反射體、以及限定在該吸收體與該反射體之間的光學(xué)諧振腔。該反射體可被移至兩個或多個不同位置，這可以改變光學(xué)諧振腔的大小并由此影響該干渉測量調(diào)制器的反射。IMOD的反射譜可創(chuàng)建相當(dāng)廣的譜帶，這些譜帶可跨可見波長移位以產(chǎn)生不同顔色。譜帶的位置可通過改變光學(xué)諧振腔的厚度來調(diào)節(jié)。改變光學(xué)諧振腔的ー種方法是通過改變反射體的位置。圖1示出描繪了干渉測量調(diào)制器(IMOD)顯示設(shè)備的一系列像素中的兩個毗鄰像素的等軸視圖的示例。該IMOD顯示設(shè)備包括ー個或多個干涉測量MEMS顯示元件。在這些設(shè)備中，MEMS顯示元件的像素可處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)，顯示元件將入射可見光的很大部分反射掉(例如，去往用戶)。相反，在暗(“致動”、“關(guān)閉”或“關(guān)斷”)狀態(tài)，顯示元件幾乎不反射所入射的可見光。在一些實現(xiàn)中，可顛倒接通和關(guān)斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可配置成主導(dǎo)性地在特定波長上發(fā)生反射，從而除了黑白以外還允許彩色顯示。IMOD顯示設(shè)備可包括IMOD的行/列陣列。姆個頂OD可包括ー對反射層，即，可移動反射層和固定的部分反射(partially reflective)層,這些反射層定位在彼此相距可變且可控的距離處以形成氣隙(也稱為光學(xué)間隙或腔)?？梢苿臃瓷鋵涌稍谥辽賰蓚€位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)，可移動反射層可定位在離該固定的部分反射層有相對較大距離處。在第二位置(即，致動位置)，該可移動反射層可定位成更靠近該部分反射層。取決于可移動反射層的位置，從這兩個層反射的入射光可相長地或相消地干渉，從而產(chǎn)生每個像素總體上的反射或非反射的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，頂OD在未致動時可處于反射狀態(tài)，此時反射可見譜內(nèi)的光，并且在未致動時可處于暗狀態(tài)，此時吸收和/或相消地干涉可見范圍內(nèi)的光。然而，在ー些其它實現(xiàn)中，IMOD可在未致動時處于暗狀態(tài)，而在致動時處于反射狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，所施加電壓的引入可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。在ー些其它實現(xiàn)中，所施加電荷可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。圖1中所描繪的像素陣列部分包括兩個毗鄰的干渉測量調(diào)制器12 (S卩，IMOD像素)。在左側(cè)(如圖所示)的M0D12中，可移動反射層14圖解為處于離光學(xué)堆棧16有ー距離(該距離可基于設(shè)計參數(shù)被預(yù)先確定)的松弛位置，光學(xué)堆棧16包括部分反射層?？缱髠?cè)的IM0D12施加的電壓Vtl不足以引起對可移動反射層14的致動。在右側(cè)的IM0D12中，可移動反射層14圖解為處于靠近、紙鄰或觸及光學(xué)堆棧16的致動位置。跨右側(cè)的IM0D12施加的電壓Vfla足以移動可移動反射層14并可將可移動反射層14維持在致動位置。在圖1中，這些像素12的反射性質(zhì)用指示入射在像素12上的光的箭頭13、以及從左側(cè)的像素12反射的光的箭頭15來一般化地解說。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易認識到入射在像素12上的光13可透射穿過透明基板20傳向光學(xué)堆棧16。入射在光學(xué)堆棧16上的光的一部分可透射穿過光學(xué)堆棧16的部分反射層，且一部分將被反射回去穿過透明基板
20。光13透射穿過光學(xué)堆棧16的那部分可在可移動反射層14處朝向透明基板20反射回去(并穿過透明基板20)。從光學(xué)堆棧16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長的或相消的)將決定從像素12反射的光15的波長。光學(xué)堆棧16可包括單層或若干層。該(些)層可包括電極層、部分反射且部分透射層以及透明介電層中的一者或多者。在一些實現(xiàn)中，光學(xué)堆棧16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，并且可以例如通過將上述層中的一者或多者沉積在透明基板20上來制造。電極層可由各種各樣的材料形成，諸如各種金屬，例如氧化銦錫(IT0)。部分反射層可由各種各樣的部分反射的材料形成，諸如各種金屬(諸如鉻(Cr))、半導(dǎo)體以及電介質(zhì)。部分反射層可由ー層或多層材料形成，且每ー層可由單種材料或由材料組合形成。在一些實現(xiàn)中，光學(xué)堆棧16可包括單個半透明的金屬或半導(dǎo)體厚層，其既用作光吸收體又用作電導(dǎo)體，而(例如，IMOD的光學(xué)堆棧16或其它結(jié)構(gòu)的)不同的、更導(dǎo)電的層或部分可用于在IMOD像素之間匯流信號。光學(xué)堆棧16還可包括覆蓋ー個或多個傳導(dǎo)層或?qū)щ?光吸收層的ー個或多個絕緣或介電層。在一些實現(xiàn)中，光學(xué)堆棧16的(諸)層可被圖案化為平行條帶，并且可如下文進ー步描述地形成顯示設(shè)備中的行電極。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，術(shù)語“圖案化”在本文中用于指掩模以及蝕刻エ藝。在一些實現(xiàn)中，可將高傳導(dǎo)且高反射的材料(諸如，鋁(Al))用于可移動反射層14，且這些條帶可形成顯示設(shè)備中的列電極。可移動反射層14可形成為一個或數(shù)個沉積金屬層的一系行平行條帶(與光學(xué)堆棧16的行電極正交)，以形成沉積在柱子18以及各個柱子18之間所沉積的居間犧牲材料頂上的列。當(dāng)該犧牲材料被蝕刻掉吋，便可在可移動反射層14與光學(xué)堆棧16之間形成限定的間隙19或即光學(xué)腔。在一些實現(xiàn)中，各個柱子18之間的間距可為近似1- lOOOum，而間隙19可近似小于10，000埃(A)。在一些實現(xiàn)中，頂OD的每個像素(無論處于致動狀態(tài)還是松弛狀態(tài))實質(zhì)上是由該固定反射層和移動反射層形成的電容器。在無電壓被施加時，可移動反射層14保持在機械松弛狀態(tài)，如由圖1中左側(cè)的像素12所解說的，其中在可移動反射層14與光學(xué)堆棧16之間存在間隙19。然而，當(dāng)將電位差(例如，電壓)施加至所選行和列中的至少ー者時，在對應(yīng)像素處的該行電極和列電極的交叉處形成的電容器變?yōu)閹щ姷?，且靜電力將這些電極拉向一起。若所施加電壓超過閾值，則可移動反射層14可形變并且移動到靠近或靠倚光學(xué)堆棧
16。光學(xué)堆棧16內(nèi)的介電層(未示出)可防止短路并控制層14與層16之間的分隔距離，如圖1中右側(cè)的致動像素12所解說的。不管所施加電位差的極性如何，行為都是相同的。雖然陣列中的一系列像素在一些實例中可被稱為“行”或“列”，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解，將ー個方向稱為“行”并將另一方向稱為“列”是任意的。要重申的是，在一些取向中，行可被視為列，而列被視為行。此外，顯示元件可均勻地排列成正交的行和列(“陣列”)，或排列成非線性配置，例如關(guān)于彼此具有某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語“陣列”和“馬賽克”可以指任ー種配置。因此，雖然將顯示器稱為包括“陣列”或“馬賽克”，但在任何實例中，這些元件本身不一定要彼此正交地排列、或部署成均勻分布，而是可包括具有非対稱形狀以及不均勻分布的元件的布局。圖2示出解說納入了 3X3干渉測量調(diào)制器顯示器的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。該電子設(shè)備包括處理器21，其可配置成執(zhí)行ー個或多個軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)，處理器21還可配置成執(zhí)行ー個或多個軟件應(yīng)用，包括web瀏覽器、電話應(yīng)用、電子郵件程序、或任何其它軟件應(yīng)用。處理器21可配置成與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包括例如向顯示陣列或面板30提供信號的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。圖1中所解說的MOD顯示設(shè)備的橫截面由圖2中的線1-1示出。盡管圖2為清晰起見解說了 3X3的IMOD陣列，但顯示陣列30可包含很大數(shù)目的M0D，并且可在行中具有與列中不同的數(shù)目的MOD，以及反之。圖3示出解說圖1的干渉測量調(diào)制器的可移動反射層位置相對于所施加電壓的圖示的示例。對于MEMS干渉測量調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫規(guī)程可利用這些器件的如圖3中所解說的滯后(hysteresis)性質(zhì)。干渉測量調(diào)制器可能需要例如約10伏的電位差以使可移動反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變?yōu)橹聞訝顟B(tài)。當(dāng)電壓從該值減小時，可移動反射層隨電壓降回至例如10伏以下而維持其狀態(tài)，然而，可移動反射層并不完全松弛，直至電壓降至2伏以下。因此，如圖3中所示，存在ー電壓范圍(大約為3至7伏)，在此電壓范圍中有該器件要么穩(wěn)定于松弛狀態(tài)要么穩(wěn)定于致動狀態(tài)的所施加電壓窗ロ。該窗ロ在本文中稱為“滯后窗”或“穩(wěn)定態(tài)窗”。對于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫規(guī)程可被設(shè)計成毎次尋址一行或多行，以使得在對給定行尋址期間，被尋址行中要被致動的像素暴露于約10伏的電壓差，而要被松弛的像素暴露于接近0伏的電壓差。在尋址之后，這些像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)或偏置電壓差，以使得它們保持在先前的閘選狀態(tài)中。在該示例中，在被尋址之后，每個像素都經(jīng)受落在約3-7伏的“穩(wěn)定態(tài)窗”內(nèi)的電位差。該滯后性質(zhì)特征使得(例如圖1中所解說的)像素設(shè)計能夠在相同的所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在要么致動要么松弛的事先存在的狀態(tài)中。由于每個頂OD像素(無論是處于致動狀態(tài)還是松弛狀態(tài))實質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，因此該穩(wěn)定狀態(tài)在落在該滯后窗內(nèi)的平穩(wěn)電壓下可得以保持，而基本上不消耗或損失功率。此外，若所施加電壓電位保持基本上固定，則實質(zhì)上很少或沒有電流流入MOD像素中。在一些實現(xiàn)中，可根據(jù)對給定行中像素的狀態(tài)所期望的改變(若有)，通過沿該組列電極施加“分段(segment)”電壓形式的數(shù)據(jù)信號來創(chuàng)建圖像的幀?？奢喠鲗ぶ吩撽嚵械拿恳恍校允沟脷按螌懺搸囊恍?。為了將期望數(shù)據(jù)寫到第一行中的像素，可在諸列電極上施加與該第一行中的像素的期望狀態(tài)相對應(yīng)的分段電壓，并且可向第一行電極施加特定的“共用(common)”電壓或信號形式的第一行脈沖。該組分段電壓隨后可被改變?yōu)閷?yīng)于對第二行中像素的狀態(tài)所期望的改變(若有)，且可向第二行電極施加第二共用電壓。在ー些實現(xiàn)中，第一行中的像素不受沿諸列電極施加的分段電壓上的改變的影響，而是保持于它們在第一共用電壓行脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)。可按順序方式對整個行系列(或替換地對整個列系列)重復(fù)此過程以產(chǎn)生圖像幀。通過以每秒某個期望數(shù)目的幀來不斷地重復(fù)此過程，便可用新圖像數(shù)據(jù)來刷新和/或更新這些幀?？缑總€像素施加的分段信號和共用信號的組合(S卩，跨每個像素的電位差)決定每個像素結(jié)果所得的狀態(tài)。圖4示出解說在施加各種共用電壓和分段電壓時干渉測量調(diào)制器各種狀態(tài)的表的示例。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解的，可將“分段”電壓施加于列電極或行電極，并且可將“共用”電壓施加于列電極或行電極中的另ー者。如圖4中(以及圖5B中所示的時序圖中)所解說的，當(dāng)沿共用線施加有釋放電壓VCeel吋，沿該共用線的所有干渉測量調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)，替換地稱為釋放狀態(tài)或未致動狀態(tài)，不管沿各分段線所施加的電壓如何(即，高分段電壓VSh和低分段電壓VSJ。具體而言，當(dāng)沿共用線施加有釋放電壓VC-時，在沿該像素的對應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh和低分段電壓這兩種情況下，跨該調(diào)制器的電位電壓(替換地稱為像素電壓)皆落在松弛窗(參見圖3，也稱為釋放窗)內(nèi)。當(dāng)在共用線上施加有保持電壓時(諸如高保持電壓VCmD H或低保持電壓VCmD d，該干涉測量調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。例如，松弛的IMOD將保持在松弛位置，而致動的IMOD將保持在致動位置。保持電壓可被選擇成使得在沿對應(yīng)的分段線施加高分段電壓VSh和低分段電壓這兩種情況下，像素電壓皆將保持落在穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)。因此，分段電壓擺幅(即，高分段電壓VSh與低分段電壓VSlj之差)小于正穩(wěn)定態(tài)窗或負穩(wěn)定態(tài)窗任一者的寬度。當(dāng)在共用線上施加有尋址或即致動電壓(諸如高尋址電壓VCaddh或低尋址電壓VCadd J時，通過沿各自相應(yīng)的分段線施加分段電壓，就可選擇性地將數(shù)據(jù)寫到沿該線的各調(diào)制器。分段電壓可被選擇成使得致動是取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿共用線施加有尋址電壓時，施加一個分段電壓將結(jié)果得到落在穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)的像素電壓，從而使該像素保持未致動。相反，施加另ー個分段電壓將結(jié)果得到超出該穩(wěn)定態(tài)窗的像素電壓，從而導(dǎo)致該像素的致動。引起致動的特定分段電壓可取決于使用了哪個尋址電壓而變化。在一些實現(xiàn)中，當(dāng)沿共用線施加有高尋址電壓VCadd H時，施加高分段電壓VSh可使調(diào)制器保持在其當(dāng)前位置，而施加低分段電壓可引起該調(diào)制器的致動。作為推論，當(dāng)施加有低尋址電壓VCaddじ時，分段電壓的效果可以是相反的，其中高分段電壓VSh引起該調(diào)制器的致動，而低分段電壓對該調(diào)制器的狀態(tài)無影響(即，保持穩(wěn)定)。在一些實現(xiàn)中，可使用總是產(chǎn)生相同極性的跨調(diào)制器電位差的保持電壓、尋址電壓和分段電壓。在ー些其它實現(xiàn)中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交變的信號?？缯{(diào)制器極性的交變(即，寫規(guī)程極性的交變)可減少或抑制在反復(fù)的單極性寫操作之后可能發(fā)生的電荷累積。圖5A示出解說圖2的3X3干渉測量調(diào)制器顯示器中的一幀顯示數(shù)據(jù)的圖示的示例。圖5B示出可用于寫圖5A中所解說的該幀顯示數(shù)據(jù)的共用信號和分段信號的時序圖的示例?？蓪⑦@些信號施加于例如圖2的3X3陣列，這將最終結(jié)果導(dǎo)致圖5A中所解說的線時間60e的顯示布局。圖5A中的致動調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，其中所反射光的大體部分在可見譜之外，從而給例如觀看者造成暗觀感。在寫圖5A中所解說的幀之前，這些像素可處于任何狀態(tài)，但圖5B的時序圖中所解說的寫規(guī)程假設(shè)了在第一線時間60a之前，每個調(diào)制器皆已被釋放且駐留在未致動狀態(tài)中。
在第一線時間60a期間:在共用線I上施加有釋放電壓70 ;在共用線2上施加的電壓始于高保持電壓72且移向釋放電壓70 ;并且沿共用線3施加有低保持電壓76。因此，沿共用線I的調(diào)制器(共用1，分段I)、(共用1，分段2)和(共用1，分段3)在第一線時間60a的歷時里保持在松弛或即未致動狀態(tài)，沿共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2，2)和(2，3)將移至松弛狀態(tài)，而沿共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)和(3，3)將保持在其先前狀態(tài)中。參考圖4，沿分段線1、2和3施加的分段電壓將對諸干渉測量調(diào)制器的狀態(tài)沒有影響，這是因為在線時間60a期間，共用線1、2或3皆不暴露于引起致動的電壓水平(S卩，VC- -松弛和VChold l -穩(wěn)定)。在第二線時間60b期間，共用線I上的電壓移至高保持電壓72，并且由于沒有尋址或即致動電壓施加在共用線I上，因此沿共用線I的所有調(diào)制器皆保持在松弛狀態(tài)中，不管所施加的分段電壓如何。沿共用線2的諸調(diào)制器由于釋放電壓70的施加而保持在松弛狀態(tài)中，而當(dāng)沿共用線3的電壓移至釋放電壓70吋，沿共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)和(3，3)將松弛。在第三線時間60c期間，通過在共用線I上施加高尋址電壓74來尋址共用線I。由于在該尋址電壓的施加期間沿分段線I和2施加了低分段電壓64，因此跨調(diào)制器(1，I)和(1,2)的像素電壓大于這些調(diào)制器的正穩(wěn)定態(tài)窗的高端(即，電壓差分超過了預(yù)定義閾值)，并且調(diào)制器(1，I)和(1，2)被致動。相反，由于沿分段線3施加了高分段電壓62，因此跨調(diào)制器(1，3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，I)和(1，2)的像素電壓，并且保持在該調(diào)制器的正穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。同樣在線時間60c期間，沿共用線2的電壓減小至低保持電壓76，且沿共用線3的電壓保持在釋放電壓70，從而使沿共用線2和3的調(diào)制器留在松弛位置。在第四線時間60d期間，共用線I上的電壓返回至高保持電壓72，從而使沿共用線I的調(diào)制器留在其各自相應(yīng)的被尋址狀態(tài)中。共用線2上的電壓減小至低尋址電壓78。由于沿分段線2施加了高分段電壓62，因此跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于該調(diào)制器的負穩(wěn)定態(tài)窗的下端，從而導(dǎo)致調(diào)制器(2，2)致動。相反，由于沿分段線I和3施加了低分段電壓64，因此調(diào)制器(2，I)和(2，3)保持在松弛位置。共用線3上的電壓増大至高保持電壓72，從而使沿共用線3的調(diào)制器留在松弛狀態(tài)中。最終，在第五線時間60e期間，共用線I上的電壓保持在高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持在低保持電壓76，從而使沿共用線I和2的調(diào)制器留在其各自相應(yīng)的被尋址狀態(tài)中。共用線3上的電壓増大至高尋址電壓74以尋址沿共用線3的調(diào)制器。由于在分段線2和3上施加了低分段電壓64，因此調(diào)制器(3，2)和(3，3)致動，而沿分段線I施加的高分段電壓62使調(diào)制器(3，I)保持在松弛位置。因此，在第五線時間60e結(jié)束時，該3X3像素陣列處于圖5A中所示的狀態(tài)，且只要沿這些共用線施加有保持電壓就將保持在該狀態(tài)中，而不管在沿其它共用線(未示出)的調(diào)制器正被尋址時可能發(fā)生的分段電壓變化如何。在圖5B的時序圖中，給定的寫規(guī)程(即，線時間60a_60e)可包括使用高保持和尋址電壓或使用低保持和尋址電壓。一旦針對給定的共用線已完成該寫規(guī)程(且該共用電壓被設(shè)為與致動電壓具有相同極性的保持電壓)，該像素電壓就保持在給定的穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)且不會穿越松弛窗，直至在該共用線上施加了釋放電壓。此外，由于每個調(diào)制器在被尋址之前作為該寫規(guī)程的一部分被釋放，因此可由調(diào)制器的致動時間而非釋放時間來決定必需的線時間。具體地，在調(diào)制器的釋放時間大于致動時間的實現(xiàn)中，釋放電壓的施加可長于單個線時間，如圖5B中所描繪的。在ー些其它實現(xiàn)中，沿共用線或分段線施加的電壓可變化以計及不同調(diào)制器(諸如不同顔色的調(diào)制器)的致動電壓和釋放電壓的差異。根據(jù)上文闡述的原理來操作的干渉測量調(diào)制器的結(jié)構(gòu)細節(jié)可以廣泛地變化。例如，圖6A-6E示出包括可移動反射層14及其支承結(jié)構(gòu)的干渉測量調(diào)制器的不同實現(xiàn)的橫截面的示例。圖6A示出圖1的干渉測量調(diào)制器顯示器的局部橫截面的示例，其中金屬材料條帶(g卩，可移動反射層14)沉積在從基板20正交延伸出的支承18上。在圖6B中，每個MOD的可移動反射層14為大致方形或矩形的形狀，且在拐角處或拐角附近靠系帶32附連至支承。在圖6C中，可移動反射層14為大致方形或矩形的形狀且懸掛于可形變層34，可形變層34可包括柔性金屬。可形變層34可圍繞可移動反射層14的周界直接或間接連接至基板20。這些連接在本文中稱為支承柱。圖6C中所示的實現(xiàn)具有源自可移動反射層14的光學(xué)功能與其機械功能(這由可形變層34實施)解耦的附加益處。這種解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料與用于可形變層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料被彼此獨立地優(yōu)化。圖6D示出IMOD的另ー示例,其中可移動反射層14包括反射子層14a。可移動反射層14支托在支承結(jié)構(gòu)(諸如，支承柱18)上。支承柱18提供了可移動反射層14與下靜止電極(即，所解說IMOD中的光學(xué)堆棧16的部分)的分離，從而使得(例如當(dāng)可移動反射層14處在松弛位置吋)在可移動反射層14與光學(xué)堆棧16之間形成間隙19?？梢苿臃瓷鋵?4還可包括傳導(dǎo)層14c和支承層14b，傳導(dǎo)層14c可配置成用作電極。在此示例中，傳導(dǎo)層14c部署在支承層14b的在基板20遠端的ー側(cè)上，而反射子層14a部署在支承層14b的在基板20近端的另ー側(cè)上。在一些實現(xiàn)中，反射子層14a可以是傳導(dǎo)性的并且可部署在支承層14b與光學(xué)堆棧16之間。支承層14b可包括一層或多層介電材料，例如氧氮化硅(SiON)或ニ氧化硅(Si02)。在一些實現(xiàn)中，支承層14b可以是諸層的堆棧，諸如舉例而言Si02/Si0N/SiO2三層堆棧。反射子層14a和傳導(dǎo)層14c中的任一者或這兩者可包括例如具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金、或其它反射性金屬材料。在介電支承層14b上方和下方采用傳導(dǎo)層14a、14c可平衡應(yīng)カ并提供增強的傳導(dǎo)性。在一些實現(xiàn)中，反射子層14a和傳導(dǎo)層14c可由不同材料形成以用于各種各樣的設(shè)計目的，諸如達成可移動反射層14內(nèi)的特定應(yīng)カ分布。如圖6D中所解說的，ー些實現(xiàn)還可包括黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非活躍區(qū)域中(例如，在各像素之間或在柱子18下方)以吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示器的非活躍部分反射或透射穿過顯示器的非活躍部分以由此提高對比率來改善顯示設(shè)備的光學(xué)性質(zhì)。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可以是傳導(dǎo)性的并且配置成用作電匯流層。在一些實現(xiàn)中，行電極可連接至黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連接的行電極的電阻。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可使用各種各樣的方法來形成，包括沉積和圖案化技木。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包括ー層或多層。例如，在一些實現(xiàn)中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包括用作光學(xué)吸收體的鑰鉻(MoCr)層、SiO2層、以及用作反射體和匯流層的鋁合金，其厚度分別在約30-80 A.500-1000 A和500-6000 A的范圍內(nèi)。這ー層或多層可使用各種各樣的技術(shù)來圖案化，包括光刻和干法蝕刻，包括例如用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)和/或氧氣
(O2),以及用于鋁合金層的氯(Cl2)和/或三氯化硼(BCl3X在一些實現(xiàn)中，黒色掩模23可以是標(biāo)準(zhǔn)具(etalon)或干渉測量堆棧結(jié)構(gòu)。在此類干涉測量堆棧黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，傳導(dǎo)性的吸收體可用于在每行或每列的光學(xué)堆棧16中的下靜止電極之間傳送或匯流信號。在一些實現(xiàn)中，分隔層35可用于將吸收體層16a與黒色掩模23中的傳導(dǎo)層大體上電隔離。圖6E示出頂OD的另ー示例，其中可移動反射層14是自支承的。不同于圖6D，圖6E的實現(xiàn)不包括支承柱18。作為代替，可移動反射層14在多個位置接觸底下的光學(xué)堆棧16，且可移動反射層14的曲度提供足夠的支承以使得在跨該干涉測量調(diào)制器的電壓不足以引起致動時，可移動反射層14返回至圖6E的未致動位置。出于清晰起見，可包含多個(若干)不同層的光學(xué)堆棧16在此處被不為包括光學(xué)吸收體16a和電介質(zhì)16b。在一些實現(xiàn)中，光學(xué)吸收體16a既可用作固定電極又可用作部分反射層。在諸實現(xiàn)中，諸如圖6A-6E中所示的那些實現(xiàn)中，MOD用作直視設(shè)備，其中是從透明基板20的前側(cè)(即，與布置調(diào)制器的一側(cè)相對的那側(cè))來觀看圖像。在這些實現(xiàn)中，可對該設(shè)備的背部(即，該顯示設(shè)備的在可移動反射層14后面的任何部分，包括例如圖6C中所解說的可形變層34)進行配置和操作而不沖突或不利地影響該顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量，因為反射層14在光學(xué)上屏蔽了該設(shè)備的那些部分。例如，在一些實現(xiàn)中，在可移動反射層14后面可包括總線結(jié)構(gòu)(未圖解)，這提供了將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與該調(diào)制器的機電性質(zhì)(諸如，電壓尋址和由此類尋址所導(dǎo)致的移動)分離的能力。另外，圖6A - 6E的實現(xiàn)可簡化處理(諸如，圖案化)。圖7示出解說干涉測量調(diào)制器的制造エ藝80的流程圖的示例，并且圖8A - SE示出此類制造エ藝80的相應(yīng)階段的橫截面示意圖解的示例。在一些實現(xiàn)中，可實現(xiàn)制造エ藝80加上圖7中未示出的其它框以制造例如圖1和6中所解說的一般類型的干渉測量調(diào)制器。參考圖1、6和7，エ藝80在框82處開始以在基板20上方形成光學(xué)堆棧16。圖8A解說了在基板20上方形成的此類光學(xué)堆棧16。基板20可以是透明基板(諸如，玻璃或塑料)，其可以是柔性的或是相對剛性且不易彎曲的，并且可能已經(jīng)歷了在先制備エ藝(例如，清洗)以便于高效地形成光學(xué)堆棧16。如上文所討論的，光學(xué)堆棧16可以是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，并且可以是例如通過將具有期望性質(zhì)的ー層或多層沉積在透明基板20上來制造的。在圖8A中，光學(xué)堆棧16包括具有子層16a和16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實現(xiàn)中可包括更多或更少的子層。在一些實現(xiàn)中，子層16a、16b中的一者可配置成具有光學(xué)吸收和傳導(dǎo)性質(zhì)兩者，諸如組合式導(dǎo)體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或多者可被圖案化成平行條帶，并且可形成顯示設(shè)備中的行電極。此類圖案化可通過掩模和蝕刻エ藝或本領(lǐng)域已知的另ー合適エ藝來執(zhí)行。在一些實現(xiàn)中，子層16a、16b中的一者可以是絕緣層或介電層，諸如沉積在ー個或多個金屬層(例如，ー個或多個反射和/或傳導(dǎo)層)上方的子層16b。另外，光學(xué)堆棧16可被圖案化成形成顯示器的諸行的個體且平行的條帶。エ藝80在框84處繼續(xù)以在光學(xué)堆棧16上方形成犧牲層25。犧牲層25稍后被移除(例如，在框90處)以形成腔19，且因此在圖1中所解說的結(jié)果所得的干渉測量調(diào)制器12中未示出犧牲層25。圖SB解說包括形成在光學(xué)堆棧16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制造的器件。在光學(xué)堆棧16上方形成犧牲層25可包括以所選厚度來沉積ニ氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(諸如，鑰(Mo)或非晶硅(Si))，該厚度被選擇成在后續(xù)移除之后提供具有期望設(shè)計大小的間隙或腔19 (也參見圖1和SE)。沉積犧牲材料可使用諸如物理汽相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子體增強型化學(xué)汽相沉積(PECVD)、熱化學(xué)汽相沉積(熱CVD)、或旋涂等沉積技術(shù)來實施。エ藝80在框86處繼續(xù)以形成支承結(jié)構(gòu)(例如，圖1、6和8C中所解說的柱子18)。形成柱子18可包括:圖案化犧牲層25以形成支承結(jié)構(gòu)孔，然后使用沉積方法(諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂)將材料(例如，聚合物或無機材料，例如氧化硅)沉積至該孔中以形成柱子18。在一些實現(xiàn)中，在犧牲層中形成的支承結(jié)構(gòu)孔可延伸穿過犧牲層25和光學(xué)堆棧16兩者到達底下的基板20，從而柱子18的下端接觸基板20，如圖6A中所解說的。替換地，如圖SC中所描繪的，在犧牲層25中形成的孔可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學(xué)堆棧16。例如，圖8E解說了支承柱18的下端與光學(xué)堆棧16的上表面接觸?？赏ㄟ^在犧牲層25上方沉積支承結(jié)構(gòu)材料層并將該支承結(jié)構(gòu)材料的位于遠離犧牲層25中的孔的部分圖案化來形成柱子18或其它支承結(jié)構(gòu)。這些支承結(jié)構(gòu)可位于這些孔內(nèi)(如圖SC中所解說的)，但是也可至少部分地延伸在犧牲層25的一部分上方。如上所述，對犧牲層25和/或支承柱18的圖案化可通過圖案化和蝕刻エ藝來執(zhí)行，但也可通過替換的蝕刻方法來執(zhí)行。エ藝80在框88處繼續(xù)以形成可移動反射層或膜，諸如圖1、6和8D中所解說的可移動反射層14?？梢苿臃瓷鋵?4可通過采用ー個或多個沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個或多個圖案化、掩模和/或蝕刻步驟來形成?？梢苿臃瓷鋵?4可以是導(dǎo)電的，且被稱為導(dǎo)電層。在一些實現(xiàn)中，可移動反射層14可包括如圖8D中所示的多個子層14a、14b、14c。在一些實現(xiàn)中，這些子層中的一者或多者(諸如子層14a、14c)可包括為其光學(xué)性質(zhì)所選擇的高反射子層，且另一子層14b可包括為其機械性質(zhì)所選擇的機械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的經(jīng)部分制造的干渉測量調(diào)制器中，因此可移動反射層14在此階段通常是不可移動的。包含犧牲層25的經(jīng)部分制造的MOD在本文也可稱為“未脫摸” MOD。如上文結(jié)合圖1所描述的，可移動反射層14可被圖案化成形成顯示器的諸列的個體且平行的條帶。エ藝80在框90處繼續(xù)以形成腔，例如圖1、6和8E中所解說的腔19。腔19可通過將(在框84處沉積的)犧牲材料25暴露于蝕刻劑來形成。例如,可蝕刻的犧牲材料(諸如鑰(Mo)或非晶硅(Si))可通過干法化學(xué)蝕刻來移除，例如通過將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸汽蝕刻劑(諸如，由固態(tài)XeF2得到的蒸汽)長達能有效地移除期望量的材料(通常是相對于圍繞腔19的結(jié)構(gòu)被選擇性地移除)的一段時間來移除。還可使用其他蝕刻方法，例如濕法蝕刻和/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除了犧牲層25，因此可移動反射層14在此階段之后通常是可移動的。在移除犧牲材料25之后，結(jié)果所得的已完全或部分制造的頂OD在本文中可被稱為“已脫?！?MOD。圖9示出解說用于形成包括與形成在玻璃基板上的無源器件相組合的集成電路的裝置的過程的流程圖的示例。與本文描述的其他過程一祥，過程900的操作可涉及比所解說或明確描述的操作多或少的操作。而且，這些操作不一定按所指示的次序執(zhí)行。例如，集成電路可能已經(jīng)被形成在基于硅的基板(諸如SOI基板)上。在一些實現(xiàn)中，集成電路可能已經(jīng)根據(jù)互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)エ藝被形成在基于硅的晶片上，井隨后被切單(singulate)為個體“芯片”。盡管在過程900中，集成電路是功率放大器芯片，但這只是ー示例，不應(yīng)將該示例理解為以任何方式構(gòu)成限定。例如，類似過程可被用于制造低噪聲放大器、混頻器、有源濾波器、數(shù)字信號處理器、控制器、線驅(qū)動器、光收發(fā)機、無線傳感器、電源偏置產(chǎn)生或管制電路、相控陣電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器或數(shù)模轉(zhuǎn)換器、存儲器、其組合和/或其他器件。在此示例中，玻璃基板在被添加集成電路或其他特征前經(jīng)過處理。在框905，在玻璃基板中形成通孔。這些通孔可以例如通過激光鉆孔、通過噴砂、通過蝕刻、或者通過諸エ藝的組合來形成。在一些實現(xiàn)中，通孔直徑可介于100到500微米之間。在ー些其他實現(xiàn)中，通孔可被制成其他形狀或大小。而且，在替換實現(xiàn)中，通孔可在過程900的不同階段制造，諸如在框912或框915之后。在一些實現(xiàn)中，框905可涉及形成可被配置用于造成穿透玻璃基板的電連接的互連通孔。在框910，可用導(dǎo)電材料來填充此類互連通孔。在框912，可在互連通孔的至少ー端上形成導(dǎo)電結(jié)合墊片或?qū)?dǎo)電結(jié)合墊片與互連通孔的至少一端電連接?？稍谶^程900的此階段或在稍后階段將焊球附于該結(jié)合墊片。圖10A-10G示出可根據(jù)圖9的過程而形成的組件的示例。在圖1OA中所繪的示例中，互連通孔IOlOa被配置用于造成穿透玻璃基板1007的電連接。相應(yīng)地，形成于玻璃基板1007的一側(cè)上的無源器件1025a、1025b和1025c可被配置成與形成于玻璃基板1007的另ー側(cè)上的結(jié)合墊片1015和焊球1020電連接。然而，在一些實現(xiàn)中，至少ー些通孔1010可不被配置用于造成穿透玻璃基板1007的電連接。在一些實現(xiàn)中，玻璃基板1007的厚度可介于300微米到700微米之間。在ー些其他實現(xiàn)中，玻璃基板1007可更厚或更薄。功率放大器具有高電流要求，并且可產(chǎn)生大量的熱量。因此，形成具有熱通孔IOlOb的玻璃基板可為包括功率放大器和/或其他產(chǎn)生大量熱量的器件的實現(xiàn)提供有用的散熱功能性。盡管具有熱通孔的玻璃基板提供了用于散熱的有效路徑，但是在一些實現(xiàn)中，集成電路與玻璃之間的間隙、和/或玻璃與印刷電路板之間的間隙可用電絕緣的底部填充材料填充來進一歩改善導(dǎo)熱性和可靠性。相應(yīng)地，框905還可涉及形成熱通孔，熱通孔可被配置用于將熱量從玻璃基板的一側(cè)傳導(dǎo)至玻璃基板的另ー側(cè)。在一些實現(xiàn)中，熱通孔可不被用于將電從玻璃基板的ー側(cè)傳導(dǎo)至另ー側(cè)。在圖1OA到圖1OG中，例如，ー些熱通孔IOlOb可不被配置成造成穿透玻璃基板1007的電連接。在ー些此類實現(xiàn)中，在玻璃基板1007的ー側(cè)上ー些熱通孔IOlOb的末端處可以不形成結(jié)合墊片1015和焊球1020。一個此類示例是圖1OA到IOC的熱通孔IOlObl0在圖1OA到圖1OG中，ー些熱通孔IOlOb (諸如熱通孔IOlObl)看起來具有與互連通孔IOlOa近乎相同的直徑。然而，取決于實現(xiàn)，通孔無需被制成近乎相同的形狀或大小。例如，在一些實現(xiàn)中，框905可涉及形成直徑比互連通孔IOlOa的直徑更大的熱通孔1010b。一個此類示例是在圖1OA到IOG中繪出的熱通孔1010b2。根據(jù)ー些此類實現(xiàn)，一個或多個熱通孔1010b2可被形成為具有至少為互連通孔IOlOa的直徑兩倍的寬度或直徑。在一些實現(xiàn)中，熱通孔1010b2可被形成為具有介于互連通孔IOlOa的寬度或直徑的兩倍到五倍大小之間的寬度或直徑。在一些此類示例中，互連通孔IOlOa可具有近100微米的直徑，并且熱通孔IOlOb可具有近200微米到近500微米的范圍的寬度或直徑。通孔1010橫截面不一定是圓形的。在一些實現(xiàn)中，通孔1010中的至少ー些可以橫截面是多邊形。例如，在一些實現(xiàn)中，通孔1010可以橫截面是六邊形。彼此毗鄰地布置的六邊形通孔1010可使得能夠?qū)崿F(xiàn)像蜂巢ー樣的高裝填密度。相應(yīng)地，六邊形的熱通孔IOlOb可增強散熱。
在一些實現(xiàn)中，一個或多個通孔1010可作用于同時傳導(dǎo)電信號和提供熱傳導(dǎo)。在一些實現(xiàn)中，一個或多個通孔1010可被用于通過接地將玻璃基板1007的部分熱隔離或?qū)⒉ＡЩ?007的部分電隔離。框910可涉及用導(dǎo)熱材料填充熱通孔，該導(dǎo)熱材料可以與用于填充互連通孔的材料相同或不同。熱通孔IOlOb可用導(dǎo)電材料填充或不填充。例如，導(dǎo)熱膜(諸如，類金剛石碳膜)可使用真空沉積エ藝被沉積在熱通孔IOlOb中?？墒沟么祟惸な菍?dǎo)熱但不導(dǎo)電的。然而，更簡單的是使用相同材料填充互連通孔IOlOa和熱通孔1010b?？墒褂闷渌牧蟻硖畛渫?，包括例如銅、(可為糊劑形式的)焊料和/或環(huán)氧樹脂。例如，在一些實現(xiàn)中，至少ー些通孔可用包括環(huán)氧樹脂和焊料的組合的糊劑來填充、或用包括環(huán)氧樹脂、焊料和銅粒子的組合的糊劑來填充。然而，可代替銅(或在銅之外補充)使用其他傳導(dǎo)材料，諸如金(Au)、銀(Ag)、鋁等等。若熱通孔IOlOb用導(dǎo)電材料填充，則可使此類熱通孔IOlOb電接地或浮置。在一些實現(xiàn)中，框910可涉及通過濺射、化學(xué)汽相沉積(CVD)、無電鍍敷エ藝或其他此類エ藝來使透玻通孔的側(cè)壁金屬化。隨后經(jīng)由電鍍用諸如銅之類的傳導(dǎo)金屬來填充通孔。在一些實現(xiàn)中，通孔壁可用鎳(Ni)和/或金來鍍敷。通孔的芯可用聚合物、具有傳導(dǎo)和非傳導(dǎo)填充料的糊劑、焊料、或其某種組合來填充。通孔可用電鍍銅來填充并用鎳和金來封頂。在一些實現(xiàn)中，填充エ藝可以不全然地填充通孔。例如，一些實現(xiàn)可涉及在通孔上形成傳導(dǎo)壁，但是不用傳導(dǎo)材料完全填充通孔。ー些此類實現(xiàn)可涉及在通孔中形成環(huán)形傳導(dǎo)環(huán)。玻璃基板上的過剩金屬可例如通過蝕刻和/或化學(xué)機械拋光/整平(CMP)來移除。在一些實現(xiàn)中，導(dǎo)電結(jié)合墊片(諸如圖1OA到IOG中描繪的結(jié)合墊片1015)可通過選擇性地移除此類過剩金屬而形成在互連通孔的至少一端上(參見框912)。在ー些替換實現(xiàn)中，通孔可在側(cè)壁被金屬化后通過其他エ藝來填充。填充エ藝可涉及通過施加焊料糊劑、通過施加環(huán)氧樹脂和焊料的組合或者通過施加環(huán)氧樹脂、銅和焊料的組合來填充通孔。例如，通孔可通過ー種或多種糊劑的絲網(wǎng)印刷來填充，這些糊劑可從上述糊劑中選擇。在用糊劑填充了通孔之后，過程900可包括回流焊接エ藝以熔化焊料并創(chuàng)造傳導(dǎo)性的且被填充的透玻通孔而不使其他組件過熱和受損。在ー些其它替換實現(xiàn)中，過程900可始于接收具有預(yù)形成的通孔、預(yù)填充的通孔和/或結(jié)合墊片的玻璃基板。在此類實現(xiàn)中，框905到912中的一個或多個框可被省去。在一些實現(xiàn)中，此類預(yù)形成的通孔可如本文所描述地形成。替換地或者補充地，此類預(yù)形成的通孔可包括鎢(W)絲、摻雜硅和/或電鍍金屬。在框915，諸如電阻器、電容器、可變電容器、可變電抗器、電感器、濾波器、變壓器、耦合器、有向耦合器、功率分配器、傳輸線、波導(dǎo)、和/或天線之類的無源器件被沉積在玻璃基板1007的至少ー側(cè)上。在玻璃基板上形成有源和無源組件的一些示例在下文中參照圖13和14A及后續(xù)諸圖來描述。在一些實現(xiàn)中，沉積在玻璃基板上的無源組件可被用于形成功率組合器電路1029，功率組合器電路的示例在圖1lA到IlC中繪出并在下文描述。這里，功率組合器電路1029被配置成用于與互連通孔IOlOa電通信。然而在ー些其他實現(xiàn)中，框915 (圖9)可涉及在玻璃基板上形成其他無源組件和/或有源組件。例如，框915可涉及形成電阻器、電感器、電容器、ニ極管、晶體管等。這些組件可被用于形成各種器件，諸如接收/發(fā)射無線電。將無源器件轉(zhuǎn)移至玻璃允許就無源器件的位置而言有額外的自由度。
在任選的框920中，單個或多個管芯(管芯可從ー種或多種類型的基板切單而來，這些基板包括但不限于半導(dǎo)體基板和玻璃基板)可被附連至具有無源和/或有源組件以及透玻通孔互連的該玻璃基板。在框925，集成電路被附連至無源組件中的至少ー些無源組件。該集成電路還可被配置成用于與無源組件電通信。在一些實現(xiàn)中，集成電路和無源器件可被組合以形成低噪聲放大器、混頻器、有源濾波器、數(shù)字信號處理器、控制器、線驅(qū)動器、光收發(fā)機、無線傳感器、電源偏置產(chǎn)生或管制電路、相控陣電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器或數(shù)模轉(zhuǎn)換器、存儲器、其組合和/或其他器件。然而在此示例中，功率放大器芯片被配置成用干與功率組合器電路電連接以形成功率放大系統(tǒng)。在ー些此類實現(xiàn)中,框925可涉及將功率放大器芯片堆疊在功率組合器電路上。堆疊式實現(xiàn)可能是有利的，因為它們?yōu)樵O(shè)計焊球、透玻通孔、無源組件、以及有源元件提供了額外的自由度以便使功率放大系統(tǒng)的整體性能最優(yōu)化。例如，在一些堆疊式實現(xiàn)中，玻璃上的無源器件相比于在功率放大芯片或在印刷電路板上的無源器件可具有以下優(yōu)點:更高的Q(品質(zhì)因數(shù))、更大的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性和容限、更低的寄生效應(yīng)、更高的可靠性、以及更低的成本。在一些堆疊式實現(xiàn)中，焊球、無源組件、有源元件、以及透玻通孔可被配置成降低損耗以及使功率放大系統(tǒng)的電氣端子之間不期望的耦合最小化，由此提供更高的電隔離。在一些堆疊式實現(xiàn)中，焊球、無源組件、有源元件、以及透玻通孔被配置成精確地控制功率放大系統(tǒng)的電互連的阻抗水平和跡線長度。使電線長度最小化可降低噪聲耦合，并降低回波損耗和插入損耗。降低損耗可進ー步降低系統(tǒng)中產(chǎn)生的熱量，進而改善功率放大系統(tǒng)的穩(wěn)定性和整體性能。在一些實現(xiàn)中，將無源器件與從功率放大器芯片產(chǎn)生的熱量隔離可改善可靠性或組件穩(wěn)定性。而且，在一些實現(xiàn)中，堆疊還可降低功率放大系統(tǒng)的整體面積或臺面面積。在ー些實現(xiàn)中，堆疊將功率組合器無源器件和有源電路抬升到印刷電路板(PCB)上方，這可降低源于PCB或其他外圍電路元件的寄生效應(yīng)的耦合噪聲或損耗。一些此類示例在圖1OA到IOG中示出。在這些示例中的一些示例中，該集成電路管芯是功率放大器芯片1050，然而本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易認識到在ー些其他實現(xiàn)中該集成電路管芯可包括ー個或多個其他電組件。功率放大器芯片1050可以是已被配置成用于倒裝芯片結(jié)合的CMOS芯片。在圖1OA所示的示例中，功率放大器芯片1050具有焊料凸塊1055，焊料凸塊1055已被沉積在功率放大器芯片1050的導(dǎo)電芯片墊片1052上。例如，焊料凸塊1055可已在晶片加工步驟期間被沉積在晶片頂側(cè)上的芯片墊片1052上。為了將功率放大器芯片1050搭載至功率組合器電路1029，功率放大器芯片1050可被倒翻以使其頂側(cè)朝下。可使焊料凸塊1055與功率組合器電路1029頂部的傳導(dǎo)墊片對齊并與之接觸。參照圖10B，可看到使得焊料凸塊1055中的一些與無源器件1025a和1025b接觸。無源器件1025a和1025b經(jīng)由互連通孔IOlOa分別被電連接至結(jié)合墊片1015a和1015b。相應(yīng)地，在焊料凸塊1055的焊料已被流焊以在功率放大器芯片1050和功率組合器電路1029之間形成電連接和物理連接之后，結(jié)果得到的功率放大系統(tǒng)1060被配置成與焊球1020具有電連通性。在此示例中，其他焊料凸塊1055與傳導(dǎo)墊片1027a和1027b連接。墊片1027a和1027b以及熱通孔IOlOb由導(dǎo)熱材料制成，取決于實現(xiàn)，該導(dǎo)熱材料可以導(dǎo)電或不導(dǎo)電。如圖1OC中所示，導(dǎo)熱路徑1065a和1065b可提供分別從熱點1062a和1062b到所附連的PCB或其他器件的高效散熱。導(dǎo)熱路徑1065a包括導(dǎo)電芯片墊片1052、焊料凸塊1055、墊片1027b、熱通孔1010b2、其中ー個結(jié)合墊片1015a以及其中一個焊球1020。導(dǎo)熱路徑1065b包括無源器件1025b、熱通孔1010b3、其中ー個結(jié)合墊片1015a以及其中一個焊球1020。焊球1020可搭載在熱阱(諸如PCB的相應(yīng)部分)上。可通過填充功率放大器芯片1050和功率組合器電路1029之間的間隙，例如通過使用電絕緣粘性材料1030進行底部填充，來使集成電路管芯與基板1007之間的連接更結(jié)實。圖1OD示出ー替換實現(xiàn)。在此示例中，互連通孔IOlOa在無源器件1025d和1025e、傳導(dǎo)墊片1015和焊球1020之間形成電連接。熱通孔IOlObl和1010b2被配置成形成通往相應(yīng)焊球1020的導(dǎo)熱路徑，焊球1020可被附連至熱阱，諸如PCB。熱通孔1010b3在無源器件1025f和其中ー個傳導(dǎo)墊片1015之間形成導(dǎo)熱路徑，該傳導(dǎo)墊片1015在此示例中沒有相附連的焊球1020。其中ー個互連通孔IOlOa形成從無源器件1025f穿透玻璃基板1007的電連接。在此示例中，其中另ー個互連通孔IOlOa形成從無源器件1025g穿透玻璃基板1007的電連接和導(dǎo)熱路徑。根據(jù)特定實現(xiàn)，框930可涉及各種類型的最終處理、封裝等。例如，框930可涉及包封功率放大器芯片1050和/或玻璃管芯1005。在一些實現(xiàn)中，如圖1OE中所示，該包封可包括模制1070。例如，模制1070可以是環(huán)氧樹脂模制或其他此類模制。替換地，框930可涉及在功率放大系統(tǒng)1060周圍形成金屬籠，如圖1OF中所示。在此示例中，金屬的電磁籠1075包封并屏蔽功率放大系統(tǒng)1060。在此示例中，電磁籠1075通過地連接1080被電接地。密封環(huán)1085將電磁籠1075附連至玻璃管芯1005?？稍陔姶呕\1075中形成一個或多個開ロ 1095以允許進出空氣便于附加的散熱和/或降低電寄生效應(yīng)。在一些實現(xiàn)中，電磁籠1075可與功率放大器芯片1050的頂表面1051物理和/或電接觸。在圖1OG中所示的示例中，具有凹腔的玻璃蓋1087覆蓋功率放大系統(tǒng)1060。在一些實現(xiàn)中，玻璃蓋1087可具有內(nèi)部金屬涂層1090。在此示例中，該內(nèi)部金屬涂層1090通過地連接1080被電接地。密封環(huán)1085將該玻璃蓋1087附連至玻璃管芯1005。在ー些實現(xiàn)中，密封環(huán)1085包括環(huán)氧樹脂、玻璃或金屬中的至少ー者。密封環(huán)1085的示例寬度范圍可從約20微米至500微米。密封環(huán)1085的示例厚度范圍可從約0.1至100微米。密封環(huán)1085可在覆蓋玻璃和玻璃基板之間提供氣密的或非氣密的密封。在一些實現(xiàn)中，在框905到930的過程之后，功率放大器芯片1050和玻璃管芯1005可被組合井隨后被切単。在此階段，功率放大器芯片1050和功率組合器電路1029形成功率放大系統(tǒng)1060。圖1lA示出包括功率放大器芯片1050和功率組合器電路1029的功率放大系統(tǒng)的示例。在功率放大系統(tǒng)1060的此示例中，功率放大器芯片1050包括功率放大器電路PAl和PA2。功率放大器電路PAl被配置成向功率組合器電路1029的輸入端子(IN) 1105提供功率，而功率放大器電路PA2被配置成向輸入端子1110提供功率。功率經(jīng)由輸出端子(OUT)1115從功率組合器電路1029輸出。圖1lB示出可被用在功率組合器電路中的無源器件的示例。在此示例中，功率組合器電路1029包括電感器1120a、1120b、1120c和1120d、以及電容器1125a、1125b和1125c。電容器1125可以是例如射頻金屬-絕緣體-金屬(RF MM)電容器。在一些實現(xiàn)中，電容器1125a和1125b可具有近似相等的電容，而電容器1125c可具有電容器1125a和1125b近似兩倍的電容。在一些實現(xiàn)中，電感器1120a和1120b可具有近似相等的電感。在此示例中，電感器1120c具有高于電感器1120a和1120b的電感，而電感器1120d具有低于電感器1120a和1120b的電感。供應(yīng)給輸入端子1105的電流通過電感器1120a，并且供應(yīng)給輸入端子1110的電流通過電感器1120b。組合的信號穿過電感器1120c后經(jīng)由輸出端子1115輸出。圖1lC示出功率放大系統(tǒng)的另一示例。在此示例中，功率放大系統(tǒng)1060包括作為功率放大器芯片1050的SOI CMOS管芯、以及ー替換的功率組合器電路1029。功率放大器芯片1050包括功率放大器電路PAl、PA2和PA3。來自功率放大器芯片1050上的PA1、PA2和PA3的功率由功率組合器電路1029的變壓器1150、1155和1160組合。變壓器1150、1155和1160可例如由堆疊的或橫向耦合的線圈形成。盡管示出了三個功率放大器電路和變壓器，但是在一些實現(xiàn)中可使用更多或更少數(shù)目的功率放大器電路及變壓器。除了功率放大器電路PA1、PA2和PA3以外，功率放大器芯片1050可包括其他有源和無源電路。PAl被配置成將功率提供給變壓器1150的初級線圈端子1150a和1150b，PA2被配置成將功率提供給變壓器1155的初級線圈端子1155a和1155b，并且PA3被配置成將功率提供給變壓器1160的初級線圈端子1160a和1160b。端子1150c和1150d被連接至變壓器1150的次級線圈，端子1155c和1155d被連接至變壓器1155的次級線圈，并且端子1160c和1160d被連接至變壓器1160的次級線圏。這些次級線圈串聯(lián)連接在一起并驅(qū)動輸出端子1115a和1115b。來自PA1、PA2和PA3的輸出信號可以是差分的。在一個實現(xiàn)中，PA1、PA2和PA3的電壓輸出信號是同相的，并通過變壓器1150、1155和1160的次級線圈的串聯(lián)連接被加總在一起。在此類實現(xiàn)中，PAU PA2和PA3的功率可被組合以驅(qū)動連接至輸出端子1115a和1115b的負載。此辦法的優(yōu)點在于可跨端子1115a和1115b達成相比于跨個體電路PAl、PA2或PA3達成的電壓擺幅更大的電壓擺幅。PA1、PA2或PA3的輸出電壓擺幅可部分地受到電路中的ニ極管結(jié)的擊穿電壓或半導(dǎo)體材料的帶隙的限制。在一些實現(xiàn)中，變壓器1150、1155和1160可具有等于1、小于I或大于I的匝數(shù)比。在一些實現(xiàn)中，變壓器1150、1155和1160的匝數(shù)比是相同的，而在其他實現(xiàn)中匝數(shù)比是不同的。在一些實現(xiàn)中，變壓器1150、1155和1160還有提供阻抗變換的作用。在此示例中，到框925的過程完成時，功率放大系統(tǒng)1060可被搭載在玻璃管芯1005上，并且可被配置成穿過玻璃管芯1005電連接至結(jié)合墊片1015和焊球1020。在ー些實現(xiàn)中，框930可涉及將玻璃管芯1005搭載在印刷電路板上或另ー器件上。一個此類示例在圖12中繪出。圖12是示出堆疊在玻璃管芯1005上的集成電路管芯1050的示例的透視圖，該玻璃管芯1005被搭載在印刷電路板1205上。在此示例中，集成電路管芯是包括形成在硅基板上的功率放大器電路的功率放大器芯片1050。集成電路管芯可包括其他電路。在替換實現(xiàn)中，集成電路管芯可具有不同的功能和/或可形成在不同的基板上，諸如玻璃基板上。例如，集成電路管芯可包括以下的至少部分:低噪聲放大器、混頻器、有源濾波器、數(shù)字信號處理器、控制器、線驅(qū)動器、光收發(fā)機、無線傳感器、電源偏置產(chǎn)生或管制電路、相控陣電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器或數(shù)模轉(zhuǎn)換器、存儲器、其組合和/或其他器件。在此示例中，功率放大器芯片1050已經(jīng)搭載在沉積于玻璃管芯1005上的功率組合器電路1029上并被配置成與其電連接，以形成功率放大系統(tǒng)1060。這里，功率組合器電路1029包括沉積在玻璃管芯1005上的數(shù)個無源器件。在此實現(xiàn)中，電感器1120e是功率組合器電路1029的組件之一。然而，功率組合器電路1029中包括無源器件在內(nèi)的其他組件被功率放大器芯片1050覆蓋并因此在圖12中不可見。裝置1200還包括已形成在玻璃管芯1005上的MEMS器件1210 (諸如MEMS可變電抗器)。MEMS器件1210與功率放大系統(tǒng)1060電連接。在此示例中，互連通孔IOlOa和熱通孔IOlOb已形成在玻璃管芯1005上。另外的互連通孔IOlOa和熱通孔IOlOb位于功率放大系統(tǒng)1060下方，并因此在圖12中不可見。玻璃管芯1005的近處的拐角以“剖視”圖繪出，以使得可以看到其中ー個互連通孔IOlOa和其中一個焊球1020的導(dǎo)電填料。這里，焊球1020與電路板1205的傳導(dǎo)墊片1215接觸。以此方式，玻璃管芯1005上的功率放大系統(tǒng)1060和其他器件可被配置成與電路板1205電連接。在一些實現(xiàn)中，傳導(dǎo)墊片1215還被用于向電路板1205的熱傳導(dǎo)。在一些實現(xiàn)中，傳導(dǎo)墊片1215還可被用于向電路板1205的信號電傳導(dǎo)和熱傳導(dǎo)。其他電互連通孔IOlOa和熱通孔IOlOb (未示出)可直接位于功率放大器芯片1050的下面?，F(xiàn)在將參照圖13和14A到14L來描述形成無源器件的ー些示例。圖13示出解說用于在玻璃基板上形成無源器件的過程的流程圖的示例。圖14A-14L示出在根據(jù)圖13的無源器件制造過程中的各階段期間的局部器件橫截面的示例。在圖13的框1301中，在玻璃基板上沉積ー個或多個氧化層。圖14A和14B中提供了示例，其中氧化層1401被沉積在玻璃基板1007上并且第二氧化層1403被沉積在氧化層1401上。在此示例中，氧化層1401由350埃的ニ氧化硅形成，并且第二氧化層1403由Ium的ニ氧化硅制成。然而在ー些其他實現(xiàn)中，氧化層1401可由其他合適的電介質(zhì)形成，這些電介質(zhì)諸如有氧化鋁、氧化鋯、氧化鋁、氧化鋯、氧氮化硅、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺和/或氮化硅。在一些實現(xiàn)中，至少ー些此類層可使用原子層沉積エ藝來沉積。在ー些其他實現(xiàn)中，氧化層1401和1403可被形成為范圍從50埃到Ium的層。在圖13的框1305中，沉積并圖案化第一金屬層。圖14B中示出了ー個示例，其中金屬層1405已被沉積并在隨后被圖案化為由間隙1407隔開的金屬部分1405a、1405b和1405c。在此示例中，金屬層1405為近I微米厚，并且包括形成在氧化層1403上的AlSi層和形成在AlSi層上的Mo層。在ー些其他實現(xiàn)中，金屬層1405厚度范圍可從0.1到3微米，并且可由其他合適的導(dǎo)電材料形成，這些導(dǎo)電材料諸如有Al、AlCu、Mo、鎳(Ni )、鈦(Ti )、釕(Ru)、銅、金、銀和/或鶴。在框1310,沉積介電層。圖14C中不出了ー個不例,其描繪了已沉積在金屬部分1405a、1405b和1405c以及氧化層1403的先前暴露部分上的介電層1409。在此示例中，介電層1409是350埃厚的SiO2層。在ー些其他實現(xiàn)中，介電層1409厚度范圍可從50到10，000埃，并且可由其他合適的介電材料來形成，這些介電材料諸如有鉿、鋁或鋯的氧化物、氮化鋁、或多個此類層的組合。在此示例中，框1315涉及沉積并圖案化第二金屬層。在圖14D中所示的示例中，金屬層1411已被沉積和圖案化，只留下金屬層1411的蓋在金屬部分1405a上的部分。在此示例中，金屬層1411為近0.1微米厚，并且包括形成在介電層1409上的AlSi層和形成在AlSi層上的Mo層。在ー些其他實現(xiàn)中，金屬層1411厚度范圍可從0.1到2微米，并且可由其他合適的導(dǎo)電材料形成，這些導(dǎo)電材料諸如有AlCu、鎳、鈦、釕、銅、金、銀和/或鎢。在框1320中，沉積并圖案化氧化層。圖14E中示出了ー個示例，其描繪了氧化層1413。已蝕刻出穿透氧化層1413和介電層1409的通孔1415a、1415b和1415c以暴露金屬部分1405a、1405b和1405c的區(qū)域。已蝕刻出穿透氧化層1413到達金屬層1411的通孔1417。在此示例中，氧化層1413是I微米厚的氧氮化硅層。在ー些其他實現(xiàn)中，氧化層1413厚度范圍可從0.5到3微米，并且可由其他合適的介電材料形成，諸如ニ氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、苯并環(huán)丁烯(BCB )、聚酰亞胺或碳化硅。在此示例中，在框1325中形成透玻通孔?，F(xiàn)在參照圖14F，已經(jīng)形成穿透玻璃基板1007且穿透層1401、1403、1409和1413的互連通孔1010a。在此示例中，種子層1419已被沉積在互連通孔IOlOa中。在ー些其他實現(xiàn)中，種子層1419可形成在頂表面1418上和/或形成在下表面1420上。在此示例中，種子層1419由300埃的鈦繼之以2000埃的Cu來形成。在ー些其他實現(xiàn)中，種子層1419可由其他傳導(dǎo)材料形成，諸如Cr和Au、或者Cr和Cu。在框1330，傳導(dǎo)層經(jīng)由電鍍或雙側(cè)濺射被沉積并隨后被圖案化。圖14G中示出了該結(jié)果的ー個示例，其描繪了已形成在頂表面1418上、底表面1420上以及互連通孔IOlOa的壁上的銅層1421。間隙1423已被圖案化在銅層1421中以便形成并分隔各種導(dǎo)電和/或?qū)崧窂?。例如，已在銅層1421的已形成于通孔1415a中的第一部分和銅層1421的已形成于通孔1417中的第二部分之間形成了間隙1423。銅層1421的這些部分分別提供與形成電容器1425的下極板和上極板的金屬部分1405a和金屬層1411的電連通性?？捎山饘俨糠?405b和1405c形成一個或多個其他無源器件，諸如單匝或多匝電感器?？?335涉及填充透玻通孔。在圖14H中所示的示例中，互連通孔IOlOa已用導(dǎo)電材料1427填充。用于填充互連通孔IOlOa的材料可包括例如銅、(可為糊劑形式的)焊料和/或填充了金屬的環(huán)氧樹脂。例如，在一些實現(xiàn)中，至少ー些通孔可用包括環(huán)氧樹脂和焊料的組合的糊劑來填充、或用包括環(huán)氧樹脂、焊料和銅粒子的組合的糊劑來填充。然而，可代替銅或在銅之外補充使用其他傳導(dǎo)材料，諸如金、銀、鋁等等。而且，在一些實現(xiàn)中，可使用電鍍エ藝來填充互連通孔1010a?？?335可涉及或可不涉及用導(dǎo)電材料填充熱通孔IOlOb(參見，例如圖10A)。作為替代，如上所述的，框1335可涉及用不導(dǎo)電的導(dǎo)熱材料來填充熱通孔1010b。然而，可能更簡單的是使用相同的導(dǎo)電材料來填充互連通孔IOlOa和熱通孔IOlOb0在此示例中，在框1340中形成鈍化層。參照圖141，鈍化層1430已形成在頂表面1418上和底表面1420上。鈍化層1430例如可由聚酰亞胺、BCB、或其他合適的絕緣材料來形成。鈍化層1430厚度可為數(shù)十微米，例如在10到50微米厚的范圍內(nèi)。在圖14J中所繪的階段，已形成穿透鈍化層1430以暴露銅層1421的部分的通孔1435a和1435b(參見圖13的框1345)。在框1350，形成傳導(dǎo)墊片。如圖14K中所示，可在鈍化層1430上和在通孔1435a和1435b中形成金屬層1440。該金屬層1440隨后被圖案化以在頂表面1418上形成結(jié)合墊片1015c以及在底表面1420上形成結(jié)合墊片1015d。在此示例中，金屬層1440通過電鍍銅、再是鎳(Ni)、然后金(Au)來形成。在ー些此類實現(xiàn)中，銅層可具有范圍從5um到25um的厚度，鎳層可具有范圍從Ium到5um的厚度，以及金層可具有范圍從0.03um到0.1um的厚度，然而本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易認識到該些厚度可取決于特定實現(xiàn)而有所不同。在ー些其他實現(xiàn)中，其他傳導(dǎo)材料可被用于形成金屬層1440。在框1355，傳導(dǎo)墊片中的一個或多個可被配置成形成與另ー器件的電連接。在圖14L中所示的示例中，已在傳導(dǎo)墊片1015d上形成焊球1020。焊球1020可被用于配置傳導(dǎo)墊片1015d以得到與另ー器件(諸如印刷電路板)的相應(yīng)部分的電連通性。例如，焊球1020可被用于將傳導(dǎo)墊片1015d與圖12中所示的電路板1205的傳導(dǎo)墊片1215電連接。在一些實現(xiàn)中，焊球1020還可被用于提供用于散熱的路徑。在框1360中，集成電路管芯被附連至上表面1418上的傳導(dǎo)墊片1015c和其他傳導(dǎo)墊片1015并配置成與它們電連通。在一些實現(xiàn)中，該集成電路管芯可以是CMOS SOI芯片。該集成電路管芯可通過倒裝芯片エ藝被附連至傳導(dǎo)墊片1015。可添加底部填充層以進一步確保集成電路管芯與上表面1418之間的連接。在一些實現(xiàn)中，結(jié)果得到的器件可類似于圖1OC或圖1OD中所示的器件。圖15A和15B示出解說包括多個干涉測量調(diào)制器的顯示設(shè)備40的系統(tǒng)框圖的示例。顯示設(shè)備40可以是例如智能電話、蜂窩或移動電話。然而，顯示設(shè)備40的相同組件或其稍有變動的變體也解說諸如電視、平板電腦、電子閱讀器、手持式設(shè)備和便攜式媒體播放器等各種類型的顯示設(shè)備。顯示設(shè)備40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入設(shè)備48、以及話筒
46。外殼41可由各種各樣的制造エ藝(包括注模和真空成形)中的任何制造エ藝來形成。另外，外殼41可由各種各樣的材料中的任何材料制成，包括但不限于:塑料、金屬、玻璃、橡膠、和陶瓷、或其組合。外殼41可包括可拆卸部分(未示出)，其可與具有不同顔色、或包含不同徽標(biāo)、圖片或符號的其它可拆卸部分互換。顯示器30可以是各種各樣的顯示器中的任何顯示器，包括雙穩(wěn)態(tài)顯示器或模擬顯示器，如本文中所描述的。顯示器30也可配置成包括平板顯示器(諸如，等離子體、EL、0LED、STN IXD或TFT IXD)、或非平板顯示器(諸如，CRT或其它電子管設(shè)備)。另外，顯示器30可包括干渉測量調(diào)制器顯示器，如本文中所描述的。在圖15B中示意性地解說顯示設(shè)備40的組件。顯示設(shè)備40包括外殼41，并且可包括被至少部分地包封于其中的附加組件。例如，顯示設(shè)備40包括網(wǎng)絡(luò)接ロ 27，該網(wǎng)絡(luò)接ロ 27包括耦合至收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接至處理器21，該處理器21連接至調(diào)理硬件52。調(diào)理硬件52可配置成調(diào)理信號(例如，對信號濾波)。調(diào)理硬件52連接至揚聲器45和話筒46。處理器21還連接至輸入設(shè)備48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合至幀緩沖器28并且耦合至陣列驅(qū)動器22，該陣列驅(qū)動器22進而耦合至顯示陣列30。在一些實現(xiàn)中，電源系統(tǒng)50可向特定顯示設(shè)備40設(shè)計中的幾乎所有組件提供電力。網(wǎng)絡(luò)接ロ 27包括天線43和收發(fā)器47，從而顯示設(shè)備40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與ー個或多個設(shè)備通信。網(wǎng)絡(luò)接ロ 27也可具有一些處理能力以減輕例如對處理器21的數(shù)據(jù)處理要求。天線43可發(fā)射和接收信號。在一些實現(xiàn)中，天線43根據(jù)IEEE16.11標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE16.11(a)、(b)或(g))或IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE802.11a、b、g、n)及其進ー步實現(xiàn)來發(fā)射和接收RF信號。在ー些其它實現(xiàn)中，天線43根據(jù)藍牙標(biāo)準(zhǔn)來發(fā)射和接收RF信號。在蜂窩電話的情形中，天線43設(shè)計成接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用分組無線電服務(wù)(GPRS)、增強型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、地面集群無線電(TETRA)、寬帶CDMA (W-CDMA)、演進數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、lxEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-D0修訂版B、高速分組接入(HSPA)、高速下行鏈路分組接入(HSDPA)、高速上行鏈路分組接入(HSUPA)、演進高速分組接入(HSPA+)、長期演進(LTE)、AMPS、或用于在無線網(wǎng)絡(luò)(諸如，利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號，以使得這些信號可由處理器21接收并進一歩操縱。收發(fā)器47也可處理從處理器21接收的信號，以使得可從顯示設(shè)備40經(jīng)由天線43發(fā)射這些信號。在一些實現(xiàn)中，收發(fā)器47可由接收器代替。另外，在一些實現(xiàn)中，網(wǎng)絡(luò)接ロ 27可由圖像源代替，該圖像源可存儲或生成要發(fā)送給處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示設(shè)備40的整體操作。處理器21接收數(shù)據(jù)(諸如來自網(wǎng)絡(luò)接ロ 27或圖像源的經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))，并將該數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送給驅(qū)動器控制器29或發(fā)送給幀緩沖器28以進行存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指標(biāo)識圖像內(nèi)每個位置處的圖像特性的信息。例如，此類圖像特性可包括色彩、飽和度和灰度級。處理器21可包括微控制器、CPU、或用于控制顯示設(shè)備40的操作的邏輯單元。調(diào)理硬件52可包括用于將信號傳送至揚聲器45以及用于從話筒46接收信號的放大器和濾波器。調(diào)理硬件52可以是顯示設(shè)備40內(nèi)的分立組件，或者可被納入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或者可從幀緩沖器28取由處理器21生成的原始圖像數(shù)據(jù)，并且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交撛紙D像數(shù)據(jù)以用于向陣列驅(qū)動器22高速傳輸。在一些實現(xiàn)中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有類光柵格式的數(shù)據(jù)流，以使得其具有適合跨顯示陣列30進行掃描的時間次序。然后，驅(qū)動器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送至陣列驅(qū)動器22。雖然驅(qū)動器控制器29 (諸如，LCD控制器)往往作為自立的集成電路(IC)來與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但此類控制器可用許多方式來實現(xiàn)。例如，控制器可作為硬件嵌入在處理器21中、作為軟件嵌入在處理器21中、或以硬件形式完全與陣列驅(qū)動器22集成在一起。陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化的信息并且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組并行波形，這些波形被每秒許多次地施加至來自顯示器的x_y像素矩陣的數(shù)百條且有時是數(shù)千條(或更多)引線。在一些實現(xiàn)中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22、以及顯示陣列30適用于本文中所描述的任何類型的顯示器。例如，驅(qū)動器控制器29可以是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(諸如，IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動器22可以是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(諸如，IMOD顯示器驅(qū)動器)。此外，顯示陣列30可以是常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(諸如，包括IMOD陣列的顯示器)。在一些實現(xiàn)中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動器22集成在一起。此類實現(xiàn)在高度集成的系統(tǒng)中可能是有用的，這些系統(tǒng)例如有移動電話、便攜式電子設(shè)備、手表或其他小面積顯示器。在一些實現(xiàn)中，輸入設(shè)備48可配置成允許例如用戶控制顯示設(shè)備40的操作。輸入設(shè)備48可包括按鍵板(諸如，QWERTY鍵盤或電話按鍵板)、按鈕、開關(guān)、搖桿、觸敏屏幕、與顯示陣列30相集成的觸敏屏幕、或者壓敏或熱敏膜。話筒46可配置成作為顯示設(shè)備40的輸入設(shè)備。在一些實現(xiàn)中，可使用通過話筒46的語音命令來控制顯示設(shè)備40的操作。電源系統(tǒng)50可包括各種能量存儲設(shè)備。例如，電源系統(tǒng)50可包括可再充電電池，諸如鎳鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池的實現(xiàn)中，該可再充電電池可以是可使用例如來自光致電壓設(shè)備或陣列的墻壁插座的電カ來充電的。替換地，該可再充電電池可以是可無線地充電的。電源系統(tǒng)50也可包括可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑料太陽能電池或太陽能電池涂料。電源系統(tǒng)50也可配置成從墻上插座接收電力。電源系統(tǒng)50可包括如本文描述的功率放大系統(tǒng)。在一些實現(xiàn)中，控制可編程性駐留在驅(qū)動器控制器29中，驅(qū)動器控制器29可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干個地方。在ー些其它實現(xiàn)中，控制可編程性駐留在陣列驅(qū)動器22中。上述優(yōu)化可以用任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件并在各種配置中實現(xiàn)。結(jié)合本文中所公開的實現(xiàn)來描述的各種解說性邏輯、邏輯塊、模塊、電路和算法步驟可實現(xiàn)為電子硬件、計算機軟件、或這兩者的組合。硬件與軟件的這種可互換性已以其功能性的形式作了一般化描述，并在上文描述的各種解說性組件、框、模塊、電路、和步驟中作了解說。此類功能性是以硬件還是軟件來實現(xiàn)取決于具體應(yīng)用和加諸于整體系統(tǒng)的設(shè)計約束。用于實現(xiàn)結(jié)合本文中所公開的方面描述的各種解說性邏輯、邏輯塊、模塊和電路的硬件和數(shù)據(jù)處理裝置可用通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其他可編程邏輯器件、分立的門或晶體管邏輯、分立的硬件組件、或其設(shè)計成執(zhí)行本文中描述的功能的任何組合來實現(xiàn)或執(zhí)行。通用處理器可以是微處理器，或者是任何常規(guī)的處理器、控制器、微控制器、或狀態(tài)機。處理器還可以被實現(xiàn)為計算設(shè)備的組合，諸如DSP與微處理器的組合、多個微處理器、與DSP核心協(xié)作的ー個或多個微處理器、或任何其他此類配置。在一些實現(xiàn)中，特定步驟和方法可由專門針對給定功能的電路系統(tǒng)來執(zhí)行。在ー個或多個方面，所描述的功能可以用硬件、數(shù)字電子電路系統(tǒng)、計算機軟件、固件(包括本說明書中所公開的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合來實現(xiàn)。本說明書中所描述的主題內(nèi)容的實現(xiàn)也可實現(xiàn)為一個或多個計算機程序，即，編碼在計算機存儲介質(zhì)上以供數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行或用于控制數(shù)據(jù)處理裝置的操作的計算機程序指令的ー個或多個模塊。如果在軟件中實現(xiàn)，則諸功能可以作為一條或多條指令或代碼存儲在計算機可讀介質(zhì)上或藉其進行傳送。本文中所公開的方法或算法的步驟可在可駐留在計算機可讀介質(zhì)上的處理器可執(zhí)行軟件模塊中實現(xiàn)。計算機可讀介質(zhì)包括計算機存儲介質(zhì)和通信介質(zhì)兩者，其包括可被賦予將計算機程序從一地轉(zhuǎn)移到另一地的能力的任何介質(zhì)。存儲介質(zhì)可以是能被計算機訪問的任何可用介質(zhì)。作為示例而非限定，此類計算機可讀介質(zhì)可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲、磁盤存儲或其它磁存儲設(shè)備、或能被用來存儲指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的期望程序代碼且能被計算機訪問的任何其它介質(zhì)。任何連接也可被正當(dāng)?shù)胤Q為計算機可讀介質(zhì)。如本文中所使用的盤和碟包括壓縮碟(CD)、激光碟、光碟、數(shù)字通用碟(DVD)、軟盤和藍光碟，其中盤(disk)往往以磁的方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)而碟(disc)利用激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上述的組合也可被包括在計算機可讀介質(zhì)的范圍內(nèi)。另外，方法或算法的操作可作為代碼和指令之一或者代碼和指令的任何組合或集合而駐留在可被納入計算機程序產(chǎn)品中的機器可讀介質(zhì)和計算機可讀介質(zhì)上。
對本公開中描述的實現(xiàn)的各種改動對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可能是明顯的，并且本文中所定義的普適原理可應(yīng)用于其他實現(xiàn)而不會脫離本公開的精神或范圍。由此，權(quán)利要求并非g在被限定于本文中示出的實現(xiàn)，而是應(yīng)被授予與本公開、本文中所公開的原理和新穎性特征一致的最廣義的范圍。本文中專門使用詞語“示例性”來表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實現(xiàn)不必然被解釋為優(yōu)于或勝過其他可能性或?qū)崿F(xiàn)。另外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易領(lǐng)會，術(shù)語“上”和“下/低”有時是為了便于描述附圖而使用的，且指示與取向正確的頁面上的附圖取向相對應(yīng)的相對位置，且可能并不反映如所實現(xiàn)的IMOD的真正取向。本說明書中在分開實現(xiàn)的上下文中描述的某些特征也可組合地實現(xiàn)在單個實現(xiàn)中。相反，在單個實現(xiàn)的上下文中描述的各種特征也可分開地或以任何合適的子組合實現(xiàn)在多個實現(xiàn)中。此外，雖然諸特征在上文可能被描述為以某些組合的方式起作用且甚至最初是如此要求保護的，但來自所要求保護的組合的一個或多個特征在一些情形中可從該組合被切除，且所要求保護的組合可以針對子組合、或子組合的變體。類似地，雖然在附圖中以特定次序描繪了諸操作，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易認識到此類操作無需以所示的特定次序或按順序次序來執(zhí)行、也無需要執(zhí)行所有所解說的操作才能達成期望的結(jié)果。此外，附圖可能以流程圖的形式示意性地描繪ー個或多個示例過程。然而，未描繪的其它操作可被納入示意性地解說的示例過程中。例如，可在任何所解說操作之前、之后、同時或之間執(zhí)行一個或多個附加操作。在某些環(huán)境中，多任務(wù)處理和并行處理可能是有利的。此外，上文所描述的實現(xiàn)中的各種系統(tǒng)組件的分開不應(yīng)被理解為在所有實現(xiàn)中都要求此類分開，并且應(yīng)當(dāng)理解，所描述的程序組件和系統(tǒng)一般可以一起整合在單個軟件產(chǎn)品中或封裝成多個軟件產(chǎn)品。另外，其它實現(xiàn)也落在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些情形中，權(quán)利要求中敘述的動作可按不同次序來執(zhí)行并且仍達成期望的結(jié)果。
權(quán)利要求
1.ー種集成器件，包括: 玻璃基板，其具有第一表面和與所述第一表面基本平行的第二表面； 至少ー個無源組件，其由布置在所述第一表面上的至少ー個圖案化層形成； 集成電路管芯，其附連至所述玻璃基板的所述第一表面；以及 多個透玻通孔，其延伸于所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面之間，其中所述集成電路管芯電連接至所述至少一個無源組件和至少ー個透玻通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述至少ー個無源組件是電容器或電感器。
3.如權(quán)利要求1或2所述的集成器件，其特征在于，所述至少ー個無源組件包括功率組合器。
4.如權(quán)利要求1到3中的任一項所述的集成器件，其特征在于，所述集成電路管芯包括功率放大器電路。
5.如權(quán)利要求1到4中的任一項所述的集成器件，其特征在于，所述至少ー個無源組件和所述集成電路管芯形成功率放大系統(tǒng)。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的集成器件，其特征在于，還包括: 延伸于所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面之間的熱通孔，所述熱通孔與所述集成電路管芯熱接觸。
7.ー種裝置，包括: 包括傳導(dǎo)通孔的第一基板； 沉積在所述第一基板的第一側(cè)上的功率組合器電路，所述功率組合器電路包括沉積在所述第一基板的至少所述第一側(cè)上的多個無源器件；以及 包括形成在第二基板上的功率放大器電路的功率放大器芯片，所述功率放大器芯片布置在所述功率組合器電路上并被配置成用干與所述功率組合器電路電連接， 其中所述功率放大器電路和所述功率組合器電路形成功率放大系統(tǒng)，且其中所述傳導(dǎo)通孔包括被配置用于傳導(dǎo)來自所述功率放大系統(tǒng)的熱量的至少ー個熱通孔以及被配置用于所述功率放大系統(tǒng)與所述第一基板的第二側(cè)上的導(dǎo)體之間的電連接的一個或多個互連通孔。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述第二基板是玻璃基板、硅基板、分層的硅-絕緣體-硅基板、神化鎵基板、或藍寶石上覆硅基板。
9.如權(quán)利要求7或8所述的裝置，其特征在于，還包括所述第一基板的所述第二側(cè)上的金屬化墊片，其中所述互連通孔被配置用于所述功率放大系統(tǒng)與所述金屬化墊片之間的電連接。
10.如權(quán)利要求7到9中任一項所述的裝置，其特征在于，所述功率放大器芯片被配置成用于經(jīng)由焊料凸塊與所述功率組合器電路電連接。
11.如權(quán)利要求7到10中任一項所述的裝置，其特征在于，所述功率放大器芯片覆蓋所述無源器件的至少一部分。
12.如權(quán)利要求7到11中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括沉積在所述第一基板的第二側(cè)上并被配置成用干與所述功率放大系統(tǒng)電連接的至少ー個無源器件或有源器件。
13.如權(quán)利要求7到12中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括:顯示器； 配置成與所述顯示器通信的處理器，所述處理器被配置成處理圖像數(shù)據(jù)；以及 存儲器設(shè)備，其配置成與所述處理器通信。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，還包括: 驅(qū)動器電路，其配置成將至少ー個信號發(fā)送給所述顯示器；以及 控制器，其配置成將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送至所述驅(qū)動器電路。
15.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，還包括: 輸入設(shè)備，其配置成接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳達給所述處理器。
16.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，還包括接收器、收發(fā)器、和發(fā)射器中的至少ー者。
17.如權(quán)利要求7到16中任一項所述的裝置，其特征在于，至少ー個熱通孔比至少ー個互連通孔寬。
18.如權(quán)利要求7到17中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括沉積在所述第一基板的所述第一側(cè)上的至少ー個有源組件。
19.如權(quán)利要求7到18中任一項所述的裝置，其特征在于，所述多個無源器件包括電阻器、電容器、可變電容器、可變電抗器、電感器、濾波器、變壓器、耦合器、有向耦合器、功率分配器、傳輸線、波導(dǎo)、或天線中的至少ー者。
20.如權(quán)利要求7到19中任一項所述的裝置，其特征在于，所述第一基板是玻璃基板。
21.如權(quán)利要求7到20中任一項所述的裝置，其特征在于，所述熱通孔中的至少ー個熱通孔被配置成用于在所述功率放大系統(tǒng)和所述第一基板的所述第二側(cè)之間導(dǎo)電。
22.如權(quán)利要求7到21中任一項所述的裝置，其特征在于，至少一個熱通孔不被配置成用于在所述功率放大系統(tǒng)和所述第一基板的所述第二側(cè)之間導(dǎo)電。
23.如權(quán)利要求7到22中任一項所述的裝置，其特征在于，所述熱通孔具有所述互連通孔至少兩倍的寬度。
24.如權(quán)利要求7到23中任一項所述的裝置，其特征在于，所述熱通孔具有介于所述互連通孔兩倍到五倍之間的寬度。
25.如權(quán)利要求7到24中任一項所述的裝置，其特征在于，還包括形成于所述功率放大系統(tǒng)周圍的包封。
26.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，所述包封是模制。
27.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，所述包封是金屬籠。
28.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，所述包封是具有內(nèi)部金屬涂層的玻璃蓋。
29.如權(quán)利要求28所述的裝置，其特征在于，所述內(nèi)部金屬涂層是電接地的。
30.ー種包括如權(quán)利要求7到29中任一項所述的裝置的封裝電子設(shè)備。
31.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述封裝電子設(shè)備包括至少ー個附加的集成電路。
32.—種方法,包括: 在玻璃基板中形成多個通孔； 用傳導(dǎo)材料填充所述通孔； 在所述玻璃基板的至少第一側(cè)上沉積無源器件以形成功率組合器電路；以及將功率放大器芯片配置成用干與所述功率組合器電路電連接以形成功率放大系統(tǒng)，所述功率放大器芯片包括形成在半導(dǎo)體基板上的功率放大器電路，其中所述形成涉及形成被配置用于傳導(dǎo)來自所述功率放大系統(tǒng)的熱量的至少ー個熱通孔以及形成被配置用于所述功率放大系統(tǒng)與所述玻璃基板的第二側(cè)上的導(dǎo)體之間的電連接的互連通孔。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，填充所述通孔包括用導(dǎo)電材料填充至少所述互連通孔。
34.如權(quán)利要求32或33所述的方法，其特征在于，填充所述通孔包括用導(dǎo)熱材料填充至少所述熱通孔。
35.如權(quán)利要求32到34中任一項所述的方法，其特征在于，所述熱通孔中的至少ー個熱通孔被形成為具有比所述互連通孔中的至少ー個互連通孔更大的寬度。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于，所述熱通孔中的至少ー個熱通孔被形成為具有所述互連通孔中的至少ー個互連通孔至少兩倍的寬度。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于，所述熱通孔中的至少ー個熱通孔被形成為具有介于所述互連通孔中的至少ー個互連通孔兩倍到五倍之間的寬度。
38.如權(quán)利要求32到37中任一項所述的方法，其特征在于，形成所述多個通孔包括通過激光鉆孔、噴砂或蝕刻來形成所述通孔。
39.如權(quán)利要求32到38中任一項所述的方法，其特征在于，所述配置包括經(jīng)由倒裝芯片焊料接合エ藝、銅柱倒裝芯片結(jié)合エ藝、或各向異性傳導(dǎo)膜エ藝將所述功率放大器芯片附連至所述功率組合器電路。
40.如權(quán)利要求32到39中任一項所述的方法，其特征在于，所述配置包括將所述功率放大器芯片附連至所述功率組合器電路并用電絕緣的粘合劑對所述功率放大器芯片進行底部填充。
41.如權(quán)利要求32到40中任一項所述的方法，其特征在于，配置所述功率放大系統(tǒng)包括通過用導(dǎo)熱材料對所述功率放大器芯片進行底部填充以耗散來自所述功率放大器系統(tǒng)的熱量的方式將所述功率放大器芯片附連至所述功率組合器電路。
42.如權(quán)利要求32到41中任一項所述的方法，其特征在于，所述功率放大器芯片覆蓋所述無源器件的至少一部分。
43.如權(quán)利要求32到42中任一項所述的方法，其特征在于，還包括在所述玻璃基板的第二側(cè)上沉積無源器件。
44.一種設(shè)備，包括: 第一基板裝置，其包括傳導(dǎo)裝置，其中所述傳導(dǎo)裝置包括被配置用于傳導(dǎo)來自所述第一基板裝置的第一側(cè)上的功率放大系統(tǒng)的熱量的至少ー個熱通孔以及被配置用于所述功率放大系統(tǒng)與所述第一基板裝置的第二側(cè)上的導(dǎo)體之間的電連接的互連通孔； 功率組合器裝置，其沉積在所述第一基板裝置的所述第一側(cè)上；以及 功率放大器裝置，其沉積在第二基板上并被配置成用干與所述功率組合器裝置電連接， 其中所述功率放大器裝置和所述功率組合器裝置形成所述功率放大系統(tǒng)。
45.如權(quán)利要求44所述的設(shè)備，其特征在干，所述功率組合器裝置包括沉積在所述第一基板裝置的至少所述第一側(cè)上的多個無源器件。
46.如權(quán)利要求44或45所述的設(shè)備，其特征在于，所述功率放大器裝置包括形成在半導(dǎo)體基板或玻璃基板上的集成電路。
47.如權(quán)利要求44到46中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一基板裝置是玻璃基板。
48.如權(quán)利要求44到47中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述至少ー個熱通孔具有所述互連通孔至少兩倍的寬度。
49.如權(quán)利要求44到48中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述功率放大系統(tǒng)包括功率放大器電路和變壓器。
全文摘要
本公開提供用于將沉積在第一基板上的器件與形成在諸如半導(dǎo)體基板或玻璃基板的第二基板上的集成電路相組合的系統(tǒng)、方法和裝置。該第一基板可以是玻璃基板。第一基板可包括傳導(dǎo)通孔。功率組合器電路可被沉積在該第一基板的第一側(cè)上。該功率組合器電路可包括沉積在該第一基板的至少該第一側(cè)上的無源器件。該集成電路可包括布置在該功率組合器電路上并且被配置成與該功率組合器電路電連接以形成功率放大系統(tǒng)的功率放大器電路。傳導(dǎo)通孔可包括被配置用于傳導(dǎo)來自該功率放大系統(tǒng)的熱量的熱通孔和/或被配置用于該功率放大系統(tǒng)與該第一基板的第二側(cè)上的導(dǎo)體之間的電連接的互連通孔。
文檔編號H01L21/56GK103119703SQ201180045796
公開日2013年5月22日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月23日
發(fā)明者J·P·布萊克, R·V·夏諾伊, E·P·格瑟夫, A·哈德吉克里斯托, T·A·邁爾斯, J·金, M·F·維倫茨, J-H·J·蘭, C·S·羅 申請人:高通Mems科技公司