專利名稱：光致抗蝕劑的除去方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體裝置、液晶顯示器等的制造工序中使用的光致抗蝕劑的除去方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置、液晶顯示器等的制造工序中，例如使用光刻法、蝕刻法作為加工微細電路圖案的方法。在光刻法、蝕刻法中，均用抗蝕劑膜在被處理物的表面形成掩模，形成電路圖案。由于需要對抗蝕劑膜的掩模自身進行微細加工，所以對抗蝕劑膜使用紫外線固化樹脂等光致抗蝕劑。由于光致抗蝕劑掩模在電路圖案形成后變得不需要，所以有必要將其除去。
光致抗蝕劑的除去可使用硫酸與過氧化氫水的混合物等酸性液體、氫氧化鈉等堿性液體、或者單乙醇胺等有機溶劑(以下，簡稱為化學(xué)藥品)等。但是，近年來出于對地球環(huán)境的保護，提出了控制這些化學(xué)藥品的使用而使用環(huán)境負荷更小的臭氧水的清洗方法。由于臭氧水用于清洗處理后，溶于水中的臭氧分子迅速分解成氧分子，所以環(huán)境負荷變小。
然而，如果使用以往一直使用的一般的清洗機來進行臭氧水清洗，則光致抗蝕劑的除去速度低，難以實用。除去速度低的原因主要是在從臭氧水制造裝置向清洗槽供給臭氧水時臭氧水的壓力降低至大氣壓附近所致的在臭氧水中臭氧濃度的降低。因此，為了應(yīng)用臭氧水清洗，需要采取了防止臭氧濃度降低的對策的專用清洗機和臭氧水制造裝置這兩者。因此，就從使用以往的化學(xué)藥品清洗方法向臭氧水清洗的切換而言，經(jīng)濟負擔(dān)大，成為臭氧水清洗未普及的原因。
臭氧水制造裝置和專用清洗機的組合的典型例記載在專利文獻I中。在專利文獻 I記載的光致抗蝕劑膜除去方法中，將采用了用于在硅片表面提高臭氧水流速的結(jié)構(gòu)的臭氧水專用清洗槽和臭氧水制造裝置進行組合，確保了實用化所必需的抗蝕劑除去速度。
專利文獻
專利文獻1:日本特開2002-33300號公報發(fā)明內(nèi)容
如上所述，為了在要用臭氧水除去光致抗蝕劑時確保充分的除去速度，有必要使用具有特定結(jié)構(gòu)的清洗裝置，無法使用通常的清洗裝置而得到充分的除去速度。
本發(fā)明的目的在于提供即便使用通常的清洗裝置也能夠達到充分的除去速度的光致抗蝕劑的除去方法。
本發(fā)明是一種光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去在基體表面形成的光致抗蝕劑的除去操作。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在抑制上述過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態(tài)下，進行上述除去操作。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選上述除去操作是在蓄留上述過飽和水溶液的浸潰槽中，浸潰形成有光致抗蝕劑的基體的操作，
上述浸潰槽由密閉容器構(gòu)成，在上述密閉容器內(nèi)的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下浸潰上述基體。
另外，在本發(fā)明中，其特征在于，上述除去操作是從噴嘴噴出上述過飽和水溶液并將上述過飽和水溶液噴灑到在上述基體的表面形成的光致抗蝕劑的操作，
使上述噴嘴與光致抗蝕劑的距離接近，在對上述過飽和水溶液施加的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下向光致抗蝕劑噴灑。
根據(jù)本發(fā)明，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去在基體表面形成的光致抗蝕劑的除去操作。
由此，即便使用通常的清洗裝置，也能夠達到充分的除去速度。而且，與從使用以往的化學(xué)藥品的清洗方法向臭氧水清洗的切換相伴的經(jīng)濟負擔(dān)變小，能夠容易實現(xiàn)環(huán)境負荷小的臭氧水清洗。
根據(jù)本發(fā)明，通過在抑制上述過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態(tài)下進行上述除去操作，從而能夠進一步提高除去速度。
根據(jù)本發(fā)明，上述除去操作是在蓄留上述過飽和水溶液的浸潰槽中，浸潰形成有光致抗蝕劑的基體的操作，上述浸潰槽由密閉容器構(gòu)成，在上述密閉容器內(nèi)的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下浸潰上述基體。
由此，能夠改進通常的批量處理方式的裝置而抑制臭氧濃度的降低。
根據(jù)本發(fā)明，上述除去操作是從噴嘴噴出上述過飽和水溶液，將上述過飽和水溶液噴灑到在上述基體的表面形成的光致抗蝕劑的操作，使上述噴嘴與光致抗蝕劑的距離接近，在對上述過飽和水溶液施加的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下向光致抗蝕劑噴灑。
由此，能夠改進通常的葉片處理方式的裝置而抑制臭氧濃度的降低。
本發(fā)明的目的、特色以及優(yōu)點通過下述詳細說明和附圖而變得明確。


圖1是表示制造過飽和臭氧水的臭氧水制造裝置I的構(gòu)成的概略圖。
圖2A是表示通常的清洗裝置的例子的圖。
圖2B是表示通常的清洗裝置的例子的圖。
圖3A是表示具備抑制臭氧濃度降低的功能的清洗裝置的例子的圖。
圖3B是表示具備抑制臭氧濃度降低的功能的清洗裝置的例子的圖。
具體實施方式
參考以下附圖，詳細說明本發(fā)明優(yōu)選的實施方式。
本發(fā)明是一種光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去在基體表面形成的光致抗蝕劑的除去操作。
形成有光致抗蝕劑的基體沒有特別限定，是硅片、玻璃基板等用光刻法、蝕刻法等形成利用光致抗蝕劑的掩模的部件。
作為可用作光致抗蝕劑的材質(zhì)，主要使用線型酚醛清漆樹脂，除此以外，也可使用 (甲基)丙烯酸酯、降冰片烯衍生物以及由它們衍生的聚合物等。
所謂臭氧的過飽和水溶液是指臭氧的溶存狀態(tài)成為過飽和狀態(tài)的水溶液，是超過飽和溶解量地溶解了高濃度的臭氧的水溶液。應(yīng)予說明，以下，將為飽和溶解量以下的臭氧濃度的水溶液稱為通常臭氧水，將超過飽和溶解而呈過飽和狀態(tài)的水溶液稱為過飽和臭氧水。在溶液原理方面，過飽和臭氧水應(yīng)該與通常臭氧水完全區(qū)分開。
例如，如果從在專利文獻I中記載的制造條件判斷，則專利文獻I記載的發(fā)明中使用的臭氧水為通常臭氧水。
如果概述專利文獻I所示的臭氧水的制造方法和制造條件，則如下所述。作為溶質(zhì)的臭氧氣體，是在臭氧氣體產(chǎn)生器生成濃度為230g/Nm3左右的臭氧氣體后用濃縮器將生成的臭氧氣體濃縮至800g/Nm3左右的濃度而成的。另一方面，作為溶劑的水是使用在溫度 45 50°C、壓力O.1 O. 2MPa下對超純水進行加熱而成的水。通過混合該濃縮臭氧氣體和加熱純水，從而制造濃度為50mg/L (= ppm)左右的加熱臭氧水。
如果由這些條件驗算專利文獻I所示的加熱臭氧水的飽和溶解濃度，則在50°C下的飽和溶解濃度為296mg/L，專利文獻I所示的濃度為50mg/L左右，由此判斷加熱臭氧水為與飽和溶解濃度相比充分低的通常臭氧水。
在此，飽和溶解濃度由Henry法則求出。Henry法則是在含有揮發(fā)性溶質(zhì)的稀溶液與氣相處于平衡時，氣相內(nèi)的溶質(zhì)的分壓(P)與溶液中的濃度(摩爾分數(shù)，X)成比例。因此，下述式(I)成立。
P = Hx …(I)
在此，H為亨利常數(shù)。將該式變形，求出X，在此基礎(chǔ)上，將X值變換成mg/L單位， 算出飽和溶解濃度?！?br> H的值使用由下述式(2)所示的Roth & Sullivan式求出的近似值。
H= 3. 842XlO7 [OH—] ci ci35expG2428A.. (2)
在此
為氫氧根離子的濃度，T為液溫。
利用臭氧水除去光致抗蝕劑的方法未普及是因為需要使用具有特定結(jié)構(gòu)的清洗裝置，無法使用通常的清洗裝置而得到充分的除去速度。
在此，實用的除去速度是指在利用浸潰等的批量處理方式中為O. 2μπι/π η以上， 在利用噴嘴噴灑等的葉片處理方式中為l.Oym/min以上。
本發(fā)明通過使用過飽和臭氧水除去光致抗蝕劑，從而使用通常的清洗裝置來實現(xiàn)充分的除去速度。
在利用臭氧水的光致抗蝕劑除去中，除去速度與臭氧水的溶存臭氧濃度成比例。 另外，除了臭氧濃度之外，臭氧水的水溫也對除去速度造成影響，水溫越高，則除去速度越提高。例如，如果利用光致抗蝕劑分解反應(yīng)的除去按照Arrhenies法則，則如下述式(3)所示，光致抗蝕劑的分解反應(yīng)的速度常數(shù)(k)是因溫度上升而導(dǎo)致以指數(shù)函數(shù)的方式變大的。
k = A exp (-E/RT)…(3)
在此，A為頻率因子、E為活化能、R為氣體常數(shù)、且T為溫度。
然而，由于像臭氧水那樣使常溫 常壓下處于氣體狀態(tài)的分子溶解在水中，所以從式(I)和式(2 )可知，與低溫相比高溫變得不利。即，如果水溫高，則飽和溶解度變低，所以通常臭氧水難以在高溫下高濃度化。
因此，在本發(fā)明中通過形成超過飽和溶解度的過飽和狀態(tài)，從而即便在高溫下也可使用高濃度的臭氧水，兼顧高溫、高濃度條件下提高除去速度的特性。
圖1是表示制造過飽和臭氧水的臭氧水制造裝置I的構(gòu)成的概略圖。臭氧水制造裝置I包含臭氧發(fā)生器(臭氧制造器)2、循環(huán)槽3、循環(huán)用泵4、熱交換用溫水槽5，還包含來自CO2 (二氧化碳)氣體、O2 (氧)氣體、N2 (氮氣)氣體以及水的各供給源的導(dǎo)入配管、被設(shè)置在各配管的閥、流量計等。
在臭氧水制造裝置I中，未設(shè)置用于混合臭氧氣體和水的混合器，利用循環(huán)用泵4 進行混合，使臭氧溶解于水中。
CO2氣體被導(dǎo)入到循環(huán)槽3的起泡器3a，被供給到蓄留在循環(huán)槽3的臭氧水。通過將CO2氣體供給到臭氧水，從而將臭氧水調(diào)節(jié)到所希望的pH。臭氧水的pH根據(jù)臭氧水的使用目的等而改變其最優(yōu)值，但大概為pH = 4 6。
CO2氣體的供給量根據(jù)設(shè)置在供給源與起泡器3a之間的閥Vl的開關(guān)和流量計 FRl來調(diào)節(jié)流量。作為CO2氣體的供給，例如，將供給壓力設(shè)為O. 31 O. 40MPa，將流量設(shè)為 100 IOOOmL · mirT1。
O2氣體和N2氣體被導(dǎo)入到臭氧發(fā)生器2，在臭氧發(fā)生器2中產(chǎn)生臭氧。產(chǎn)生的臭氧與被供給的水混合之后，向循環(huán)用泵4導(dǎo)入。使用T型連接頭，使來自臭氧發(fā)生器2的配管與流向循環(huán)用泵4的水配管連接，將水和產(chǎn)生的臭氧氣體進行混合。
O2氣體的供給量通過設(shè)置在供給源與臭氧發(fā)生器2之間的閥V2的開關(guān)和流量計 FR2來調(diào)節(jié)流量，N2氣體的供給量通過設(shè)置在供給源與臭氧發(fā)生器2之間的閥V3的開關(guān)和流量計FR3來調(diào)節(jié)流量。作為O2氣體的供給，例如，將供給壓力設(shè)為O. 31 O. 40MPa，將流量設(shè)為I IOL · mirT1。作為N2氣體的供給，例如，將供給壓力設(shè)為O. 31 O. 40MPa，將流量設(shè)為 10 10OmT, · mirT1。
水的供給量通過設(shè)置在供給源與循環(huán)用泵4之間的閥V4的開關(guān)和流量計FR4來 調(diào)節(jié)流量。
預(yù)先混合的水與臭氧氣體在循環(huán)用泵4內(nèi)部進一步混合，使臭氧氣體溶解于水中。臭氧水通過循環(huán)用泵4向循環(huán)槽3噴出，如上所述，與CO2氣體混合。
在此，循環(huán)用泵4必須也兼具混合功能，優(yōu)選使用波紋管泵、隔膜泵等定容積移動型泵。在使用離心泵等作為循環(huán)用泵4時，水的壓力變動的速度快，臭氧分子會被機械能分解成氧。另外，如果供給的臭氧氣體的量變多，則變得無法正常送液，所以不優(yōu)選。如果考慮混合功能，則作為循環(huán)用泵4，優(yōu)選約O. 5 5L/循環(huán)左右的能力作為噴出量。
被蓄留在循環(huán)槽3的臭氧水的一部分被返回到水配管，與產(chǎn)生的臭氧氣體混合之后，被導(dǎo)入到循環(huán)用泵4。然后循環(huán)下述循環(huán)線路臭氧水從循環(huán)槽3噴出，混合新的水和臭氧氣體，導(dǎo)入到循環(huán)用泵4，返回到循環(huán)槽3。來自循環(huán)槽3的噴出量通過設(shè)置在循環(huán)槽 3與向水配管的連接部之間的閥V5的開關(guān)來調(diào)節(jié)。
在循環(huán)槽3中，要使臭氧水常蓄留2 20L (升)，就循環(huán)液量而言，來自循環(huán)槽3 的排出流量(使用量)優(yōu)選設(shè)為I IOL · mirT1的4倍以上，即4 40L · mirT1以上。
從循環(huán)槽3排出的臭氧水被導(dǎo)入到設(shè)置在溫水槽5內(nèi)部的熱交換器5a，加熱至規(guī)定的溫度。在溫水槽5中，蓄留作為熱交換介質(zhì)的溫水，被加熱器5b加熱到適當(dāng)溫度。
就利用鎧裝加熱器等的臭氧水直接加熱而言，在局部施加大量熱能，其剩余的熱能會將臭氧水中的臭氧分子分解成氧，因此優(yōu)選利用熱交換器的加熱。就熱交換器5a而言，優(yōu)選在導(dǎo)熱管中使用例如PFA或鈦。PFA為四氟乙烯(TFE)與全氟烷氧基乙烯的共聚物。
被熱交換器5a加熱至規(guī)定溫度的臭氧水被供給到后段的清洗裝置等。
循環(huán)槽3的容積為5 50L，循環(huán)槽內(nèi)的壓力被壓力控制閥3b調(diào)節(jié)到例如O. 30 O.39MPa。
另外，該循環(huán)槽3是為了臭氧水中的氣液分離而設(shè)置的。未溶解于臭氧水中的剩余的臭氧氣體在循環(huán)槽3中與溶液進行氣液分離。然后，不僅該剩余的臭氧氣體，而且臭氧氣體隨時間自身分解的氧氣也介由上述壓力控制閥3b被排出。應(yīng)予說明，在向大氣排出之前，排氣中的臭氧氣體被臭氧分解器6分解。
在用如上所述的臭氧水制造裝置I制造過飽和臭氧水時，即便水溫為70°C的高溫，也能夠?qū)崿F(xiàn)300mg/L以上的高濃度臭氧水。應(yīng)予說明，基于臭氧水制造裝置I的臭氧水生成條件，由式(I)和式(2)求出的在水溫70°C下的臭氧的飽和溶解濃度為149mg/L， 300mg/L以上的濃度的臭氧水為處于過飽和狀態(tài)的過飽和臭氧水。
圖2A和圖2B是表示通常的清洗裝置的例子的圖。圖2A是在過飽和臭氧水14中浸潰形成有光致抗蝕劑的基體而除去光致抗蝕劑的批量處理式清洗裝置10的概略圖，圖 2B是從噴嘴噴出過飽和臭氧水14并將其噴灑到形成有光致抗蝕劑的基體而除去光致抗蝕劑的葉片處理式清洗裝置20的概略圖。
批量處理式清洗裝置10向大氣開放，具備蓄留過飽和臭氧水14的浸潰槽11、從浸潰槽11的底部供給過飽和臭氧水14的過飽和臭氧水供給配管12以及調(diào)節(jié)在過飽和臭氧水供給配管12內(nèi)流動的過飽和臭氧水14的流量的針型閥13。臭氧水制造裝置I與過飽和臭氧水供給配管12連接，將在臭氧水制造裝置I中制造的過飽和臭氧水14供給到浸潰槽 11。
葉片處理式清洗裝置20具備用于噴出過飽和臭氧水14并將其噴灑到光致抗蝕劑的噴嘴21、將過飽和臭氧水14供給到噴嘴21的過飽和臭氧水供給配管22、調(diào)節(jié)在過飽和臭氧水供給配管22內(nèi)流動的過飽和臭氧水14的流量的針型閥23以及以與噴嘴21對置的方式載置在表面形成有光致抗蝕劑的硅片15的載置臺24。臭氧水制造裝置I與過飽和臭氧水供給配管22連接，將在臭氧水制造裝置I中制造的過飽和臭氧水14供給到噴嘴21。
批量處理式清洗裝置10和葉片處理式清洗裝置20為通常的清洗裝置，使用過飽和臭氧水14作為這些清洗裝置中使用的臭氧水。
在批量處理式清洗裝置10中，在浸潰槽11中預(yù)先蓄留過飽和臭氧水14，浸潰多張在表面形成有光致抗蝕劑的硅片15。通過在規(guī)定時間浸潰之后提起硅片15，從而除去光致抗蝕劑。
在葉片處理式清洗裝置20中，通過從噴嘴21噴出過飽和臭氧水14，將過飽和臭氧水14噴灑到在硅片15表面形成的光致抗蝕劑，從而除去光致抗蝕劑。
即便是通常的清洗裝置，通過使用過飽和臭氧水，也能夠?qū)崿F(xiàn)對于通常臭氧水而言不可能實現(xiàn)的除去速度。
另外，通過在抑制了過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態(tài)下進行清洗，從而能夠進一步提聞除去速度。
圖3A和圖3B是表示具備抑制臭氧濃度降低的功能的清洗裝置的例子的圖。圖3A為批量處理式清洗裝置30的概略圖，圖3B為葉片處理式清洗裝置40的概略圖。
批量處理式清洗裝置30以可密閉的方式構(gòu)成，具備蓄留過飽和臭氧水14的浸潰槽31、從浸潰槽31的底部供給過飽和臭氧水14的過飽和臭氧水供給配管32、用于從浸潰槽31排出過飽和臭氧水14的排水管33以及調(diào)節(jié)在排水管33內(nèi)流動的過飽和臭氧水14 的流量的針型閥34。臭氧水制造裝置I與過飽和臭氧水供給配管32連接，將在臭氧水制造裝置I中制造的過飽和臭氧水14供給到浸潰槽31。
浸潰槽31在浸潰多張硅片15的狀態(tài)下密閉，通過調(diào)節(jié)在排水管33內(nèi)流動的過飽和臭氧水14的流量而成為浸潰槽31內(nèi)的壓力比大氣壓高的狀態(tài)。由此，能夠以抑制過飽和臭氧水14的臭氧濃度降低的方式浸潰。
葉片處理式清洗裝置40具備用于噴出過飽和臭氧水14并噴灑到光致抗蝕劑的噴嘴41、將過飽和臭氧水14供給到噴嘴41的過飽和臭氧水供給配管42、調(diào)節(jié)在過飽和臭氧水供給配管42內(nèi)流動的過飽和臭氧水14的流量的針型閥43以及以與噴嘴41對置的方式載置在表面形成有光致抗蝕劑的硅片15的載置臺44。臭氧水制造裝置I與過飽和臭氧水供給配管42連接，將在臭氧水制造裝置I中制造的過飽和臭氧水14供給到噴嘴41。
在通常的葉片處理式清洗裝置20中，以噴嘴21的前端與硅片15的距離為IOmm 左右的方式設(shè)置有載置臺24。與此相對，在葉片處理式清洗裝置40中，以噴嘴41的前端與硅片15的距離成為Imm左右的方式設(shè)置載置臺44。由此，能夠使噴嘴41與光致抗蝕劑的距離接近，在對過飽和水溶液施加·的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下噴灑到光致抗蝕劑。
如上所述，通過抑制過飽和臭氧水的臭氧濃度降低，從而能夠進一步提高光致抗蝕劑的除去速度。
(實驗例I)
在實驗例I中，為了比較通常臭氧水與過飽和臭氧水的光致抗蝕劑的除去速度， 使用如圖2A和圖2B所示的批量處理式清洗裝置10和葉片處理式清洗裝置20進行光致抗蝕劑的除去。
在此,通常臭氧水使用專利文獻I所示的溫度50°C、濃度50mg/L的臭氧水。另一方面，過飽和臭氧水使用由臭氧水制造裝置I制造的溫度70°C、濃度300mg/L的臭氧水。
實驗所用的測試樣本是將以線型酚醛清漆樹脂為基體聚合物的正型樹脂以2μπι 的厚度涂布在硅基板后實施烘焙而成的。應(yīng)予說明，在該實驗樣本中無電路圖案，硅基板表面整體被抗蝕劑覆蓋。
將使用該樣本測定光致抗蝕劑的除去速率的結(jié)果示于表I。
表I
除去速度(βm/m i η )通常臭氧水過飽和臭氧水批量處理方式0.06O . 2 9單片處理方式0.6 72.18
在批量處理方式中使用過飽和臭氧水時的除去速度呈O. 29ym/min,該速度與使用通常臭氧水的情況相比變得高約5倍。進而，該速度達到成為實用化目標的O. 2 μ m/min 以上的速度。
另外,在葉片處理方式中使用了過飽和臭氧水時的除去速度呈2. 18ym/min,該速度與使用通常臭氧水的情況相比也變得高約3倍。進而，該速度也達到成為實用化目標的1.O μ m/min以上的速度。
因此，由這些結(jié)果可確認，使用過飽和臭氧水的光致抗蝕劑的除去方法的高有效性。
(實驗例2)
本發(fā)明的目的是為了廣泛地普及環(huán)境負荷小的臭氧水清洗而減輕從以往的清洗切換時的經(jīng)濟負擔(dān)。但是，與經(jīng)濟性相比，優(yōu)先考慮提高光致抗蝕劑除去速度的情況下，優(yōu)選使用如圖3A和圖3B所示的具備有抑制臭氧濃度降低的機構(gòu)的批量處理式清洗裝置30 和葉片處理式清洗裝置40。
在批量處理式清洗裝置30和葉片處理式清洗裝置40中使用過飽和臭氧水(溫度 70°C，濃度300mg/L)，進行光致抗蝕劑的除去，與實驗例I同樣地測定除去速度。將結(jié)果示于表2。
表 權(quán)利要求
1.一種光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去形成在基體表面的光致抗蝕劑的除去操作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，在抑制所述過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態(tài)下進行所述除去操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，所述除去操作是在蓄留所述過飽和水溶液的浸潰槽中浸潰形成有光致抗蝕劑的基體的操作， 所述浸潰槽由密閉容器構(gòu)成，在所述密閉容器內(nèi)的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下浸潰所述基體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，所述除去操作是從噴嘴噴出所述過飽和水溶液，將所述過飽和水溶液噴灑到在所述基體的表面形成的光致抗蝕劑的操作， 使所述噴嘴與光致抗蝕劑的距離接近，在對所述過飽和水溶液施加的壓力比大氣壓高的狀態(tài)下向光致抗蝕劑噴灑。
全文摘要
本發(fā)明涉及即便使用通常的清洗裝置也能夠達到充分的除去速度的光致抗蝕劑除去方法。使用臭氧的過飽和水溶液除去形成在基體表面的光致抗蝕劑。進一步優(yōu)選在抑制過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態(tài)下進行除去操作。
文檔編號H01L21/027GK103003919SQ201180035620
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者南樸木孝至, 方志教和 申請人:夏普株式會社