專利名稱：用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法和設(shè)備，其中，通過氣溶膠在基質(zhì)上的沉積制造MgB2的超導(dǎo)層。
背景技術(shù)：
超導(dǎo)導(dǎo)線的技術(shù)和工業(yè)使用對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來說要求大的長(zhǎng)度。此長(zhǎng)度必須不僅技術(shù)上可制造而且可低成本制造。這在帶有MgB2材料的高溫超導(dǎo)體(HTS導(dǎo)體)方面正好是一種苛求?；旧?，對(duì)于HTS導(dǎo)體存在兩個(gè)制造過程，一是所謂的粉末套管(Power-1n-Tube， 縮寫PIT)方法，且另外還有薄層沉積方法，例如化學(xué)蒸汽沉積(CVD)、金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積(M0CVD)、脈沖激光沉積(PLD)、濺鍍以及熱蒸發(fā)。這些薄層沉積方法共同點(diǎn)是，基質(zhì)處于高溫。這要么由方法本身決定，即，由載體介質(zhì)的必須的反應(yīng)動(dòng)力學(xué)決定，要么由層的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)，例如用于在層內(nèi)組織形成的溫度范圍決定。用于MgB2的PIT方法使用在所謂的器外變體或器內(nèi)變體中。器外在此是指MgB2相在導(dǎo)線外形成，在器內(nèi)變體中，將成分混合且在導(dǎo)線內(nèi)才反應(yīng)得到MgB2。在此，變體要求例如300°C至700°C的高溫。高溫不允許在導(dǎo)線內(nèi)使用銅(Cu)或要求一體化的擴(kuò)散屏障。因?yàn)殂~是最快擴(kuò)散的金屬之一，且因?yàn)镸gB2對(duì)于Cu的添加很敏感地反應(yīng)，即，降質(zhì)，所以銅在超導(dǎo)層內(nèi)是不希望的。附加的擴(kuò)散屏障降低了總電流密度且使電流難以從超導(dǎo)體傳遞到分流器材料內(nèi)。但能量和磁體技術(shù)的大多數(shù)應(yīng)用要求足夠好地導(dǎo)電及耦合的分流器材料。在超導(dǎo)體材料內(nèi)的擴(kuò)散屏障或銅的添加不僅導(dǎo)致不希望的物理效果或提高了用于制造帶有良好超導(dǎo)特征的導(dǎo)線的技術(shù)耗費(fèi)，而且它也提高了成本。因此，擴(kuò)散屏障的使用要求在導(dǎo)線或電纜制造中的附加的制造步驟，且銅的添加導(dǎo)致在運(yùn)行中更高的電損失或必須通過增加的技術(shù)耗費(fèi)補(bǔ)償。高的沉積溫度或析出溫度使制造過程更耗能且因此也更昂
蟲
貝ο氣溶膠沉積方法的使用實(shí)現(xiàn)了超導(dǎo)層在近似室溫下或在基本上室溫下的沉積，SP在大約25°C的溫度下的沉積。由現(xiàn)有技術(shù)已知了用于微機(jī)械系統(tǒng)的涂層、顯示器、燃料電池、光學(xué)部件和用于高頻應(yīng)用的設(shè)備的制造方法。因此，例如在作者Jun Akedo發(fā)表于2008年 6 月出版的 Journal of Thermal Spray Technology, Volumel7 (2)上自第 181 頁起的文章“Room Temperature Impact Consolidation(RTIC)of Fine Ceramic Powder by AerosolDeposition Method and Applications to Microdevices” 中描述了一種用于在離散基質(zhì)上沉積氣溶膠以制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的方法。所述方法的缺點(diǎn)是，使用真空室為離散基質(zhì)涂層。在此，基質(zhì)在室內(nèi)施加到帶有加熱裝置的基質(zhì)支架上，且基質(zhì)的部分可以以掩膜覆蓋。該真空室被真空密封地封閉，且在室內(nèi)通過泵產(chǎn)生真空。然后，通過氣溶膠沉積方法以掩膜對(duì)固定在基質(zhì)支架上的基質(zhì)涂層。在涂層完成之后，將已涂層的基質(zhì)從室取出，其中為改進(jìn)層特征，可事先通過加熱裝置加熱。
所述方法的缺點(diǎn)是，使用所述結(jié)構(gòu)僅可給離散的基質(zhì)相繼地，即有時(shí)間間隔地進(jìn)行涂層，且為將基質(zhì)引入到室內(nèi)、產(chǎn)生真空以及將已涂層的基質(zhì)從該真空室中取出，必須耗費(fèi)很多時(shí)間和能量，從而產(chǎn)生大量成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，給出一種用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法和設(shè)備，所述方法和設(shè)備不要求離散的、時(shí)間間隔地依次進(jìn)行地沉積超導(dǎo)材料，且導(dǎo)致了低花費(fèi)和低成本。此外，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，超導(dǎo)層可在低能耗下可靠地連續(xù)沉積在例如帶形的材料上，而不產(chǎn)生例如由于在高溫下加強(qiáng)的銅擴(kuò)散所導(dǎo)致的超導(dǎo)材料的污染。該技術(shù)問題在用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法方面通過根據(jù)權(quán)利要求1的特征解決，且在用于借助于前述方法在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的設(shè)備方面以根據(jù)權(quán)利要求15的特征解決。 用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法和用于借助于前述方法在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的 設(shè)備的有利設(shè)計(jì)方案從所屬的非獨(dú)立的從屬權(quán)利要求中得出。在此，可將從屬權(quán)利要求的特征相互組合。在根據(jù)本發(fā)明的用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法中，通過氣溶膠在基質(zhì)上的沉積制造MgB2的超導(dǎo)層。該方法執(zhí)行為連續(xù)工序過程。這實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)的超導(dǎo)導(dǎo)線或電纜的制造。為進(jìn)行氣溶膠沉積不需要高真空，以此保持了低費(fèi)用和成本。在室內(nèi)范圍內(nèi)的低溫度實(shí)現(xiàn)了在低能耗下的沉積，且不存在例如由于高溫下加強(qiáng)的銅擴(kuò)散所導(dǎo)致的超導(dǎo)材料的污染。連續(xù)過程可作為連續(xù)工序過程進(jìn)行，尤其通過由滾子連續(xù)地提供的基質(zhì)進(jìn)行。作為滾子的替代，該材料也可從另外成型的載體中展開或在無載體的情況下以線圈形式地存在。滾子的使用導(dǎo)致不受阻礙地提供用于氣溶膠沉積的基質(zhì)，而不會(huì)使基質(zhì)打結(jié)或糾纏?；|(zhì)可以以帶的形式存在，且在很長(zhǎng)的帶形基質(zhì)的情況下很好地從例如滾子展開。以此，可保證為沉積過程連續(xù)地提供基質(zhì)。在此長(zhǎng)條形的、帶狀的、尤其是帶有矩形的橫截面的基質(zhì)稱作帶子。這些帶子具有其上可沉積超導(dǎo)材料的、平坦的表面。上側(cè)尤其就側(cè)面而言面積大很多?？墒褂媒饘倩|(zhì)，尤其是銅制或鋼制的基質(zhì)。銅具有良好的電特性，以例如作為旁路橋接超導(dǎo)材料內(nèi)的缺陷。而鋼具有更高的機(jī)械穩(wěn)定性。材料的組合，尤其是具有層疊形式的或作為合金的材料的組合也是可以的。超導(dǎo)層可由MgB2粉末制成。替代地，超導(dǎo)層可由Mg和B的粉末混合物制成，所述粉末混合物隨后即在氣溶膠沉積之后反應(yīng)得到MgB2。在此，在氣溶膠沉積之后，例如在高于800°C的范圍內(nèi)溫度后處理作用。即使MgB2粉末用作原材料，前述溫度后處理也可用于改進(jìn)所沉積的層的超導(dǎo)特性或電特性。通過使用氣溶膠沉積方法，不帶有例如高于800°C的高溫的溫度步驟的制造同樣也是可以的，由此例如可以使用銅基質(zhì)而無銅和超導(dǎo)材料之間的擴(kuò)散屏障層，而不導(dǎo)致銅污染地?cái)U(kuò)散到超導(dǎo)材料內(nèi)。超導(dǎo)層也可由MgB2粉末和/或Mg和B粉末與尤其是FeCr-Ni合金或Cu-Ni合金的分流器材料混合地制造。然后，分流器材料負(fù)責(zé)對(duì)于超導(dǎo)材料內(nèi)的缺陷的良好的電橋接，或負(fù)責(zé)超導(dǎo)晶體之間的良好的電連接?？墒褂煤ぁ⒌蚩諝庾鳛橛糜跉馊苣z制造和氣溶膠沉積的載氣。氮在此是廉價(jià)的且與空氣相比不存在將參與方法的物質(zhì)氧化的風(fēng)險(xiǎn)。該方法可在基本上室溫尤其是在25°C執(zhí)行。以此得到了前述優(yōu)點(diǎn)，例如低成本、低能耗和例如銅的材料向超導(dǎo)材料內(nèi)的更少擴(kuò)散或不擴(kuò)散，并因此沒有超導(dǎo)材料的污染。以此，例如可實(shí)現(xiàn)使用銅作為基質(zhì)而無擴(kuò)散屏障層?？僧a(chǎn)生層厚度大于等于I μ m的超導(dǎo)層。氣溶膠沉積方法正好與濺鍍的另外的沉積方法相比允許尤其以更少的時(shí)間和成本花費(fèi)產(chǎn)生厚的層。方法可在涂層室內(nèi)執(zhí)行，所述涂層室具有至少一個(gè)閘門，尤其是用于引入基質(zhì)的閘門和用于引出基質(zhì)的閘門，即用于將涂層室的內(nèi)部空間與涂層室的環(huán)境氣氛分離的兩個(gè) 閘門。以此，可在希望的壓力下工作，且在例如保護(hù)氣氛下工作，和/或可防止例如來自環(huán)境的污染物或塵埃所導(dǎo)致的污染。通過閘門將涂層室相對(duì)于環(huán)境封閉，且可無污染地制造層。替代地，方法也可在與環(huán)境完全密閉的設(shè)備內(nèi)執(zhí)行，尤其是用于將該方法相對(duì)于設(shè)備的環(huán)境氣氛氣密性地封閉。在此，設(shè)備可在密閉的空間內(nèi)包括用于未涂層基質(zhì)的源滾子和/或已涂層的基質(zhì)的目的滾子，由此可省掉用于未涂層基質(zhì)和已涂層基質(zhì)的連續(xù)運(yùn)行的閘門。也可使用閘門以便給該設(shè)備裝上例如基質(zhì)滾子且取下帶有制成的已涂層的基質(zhì)的滾子。但這在技術(shù)上比前述示例中的連續(xù)工作的閘門實(shí)施起來更簡(jiǎn)單。另外的優(yōu)點(diǎn)類似于前述示例。在氣溶膠沉積之后可進(jìn)行另外的涂層過程，尤其是用于產(chǎn)生銅層和/或鋁層的涂層。此層可用作旁路層，以在超導(dǎo)斷裂時(shí)保持正常的導(dǎo)電和/或?qū)⒊瑢?dǎo)層內(nèi)的缺陷進(jìn)行電橋接。層也可用于另外的機(jī)械穩(wěn)定。然后，可執(zhí)行絕緣過程。替代地，也可在氣溶膠沉積之后立即執(zhí)行絕緣過程。因此，超導(dǎo)電纜或超導(dǎo)導(dǎo)線無需另外的步驟制成，且與環(huán)境電絕緣。在根據(jù)本發(fā)明的用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的方法的第一步驟中，可使載氣通過可使氣體通過的支承件進(jìn)入氣溶膠室內(nèi)，其中在支承件上布置粉末，所述粉末在載氣流動(dòng)穿過支承件時(shí)以微粒形式被吸收。在第二步驟中，載氣-粉末混合物可通過尤其是可調(diào)節(jié)或可控制的噴嘴尤其是通過縫隙形狀的噴嘴引入到涂層室內(nèi)，其中粉末通過氣溶膠沉積過程沉積在連續(xù)地運(yùn)動(dòng)通過涂層室的基質(zhì)上。在時(shí)間上在第一步驟和第二步驟之間可進(jìn)行第三步驟，其中，由粉末和載氣組成的氣溶膠流過預(yù)處理器，在所述預(yù)處理器中，濾除對(duì)于沉積而言過大的粉末微粒，和/或?qū)崿F(xiàn)粉末微粒的動(dòng)能的一致。因此，所制成的超導(dǎo)層在其結(jié)構(gòu)上更均勻，且具有更好的電特性。根據(jù)本發(fā)明的用于在基質(zhì)上制造超導(dǎo)層的設(shè)備可包括涂層室，該涂層室?guī)в兄辽僖粋€(gè)用于帶形基質(zhì)的入口和至少一個(gè)用于已涂覆有超導(dǎo)層的帶形基質(zhì)的出口。此外，設(shè)備可包括用于提供氣溶膠的設(shè)備，以便以MgB2對(duì)基質(zhì)涂層。用所述設(shè)備可執(zhí)行前述方法，其中，前述的方法上的優(yōu)點(diǎn)同樣適用于所述設(shè)備。


在下文中根據(jù)附圖進(jìn)一步闡述帶有根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的特征的有利的擴(kuò)展設(shè)計(jì)的、本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形式，但并不限制于此。附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的用于通過氣溶膠沉積在基質(zhì)15上制造超導(dǎo)層的設(shè)備I的示意性剖視圖，和圖2是在圖1中所示的設(shè)備I完全密閉的示意性剖視圖?！?br> 具體實(shí)施例方式在圖1中示出了根據(jù)本發(fā)明的用于通過氣溶膠在基質(zhì)15上的沉積制造超導(dǎo)層的設(shè)備I的示意性剖視圖。通過此設(shè)備I可執(zhí)行前述根據(jù)本發(fā)明的方法。設(shè)備I包括用粉末4和載氣產(chǎn)生氣溶膠的氣溶膠室2。載氣通過載氣管路5提供給氣溶膠室2。作為載氣，可使用例如氮。通過安裝在載氣管路5內(nèi)的氣體調(diào)節(jié)器6調(diào)節(jié)或控制載氣的進(jìn)氣流且因此調(diào)節(jié)或控制壓力和進(jìn)入側(cè)質(zhì)量流量。載氣通過入口 7流入到氣溶膠室2內(nèi)。入口 7布置在氣溶膠室2的下端部。在氣溶膠室2內(nèi)，來自下方的載氣流動(dòng)通過可使氣體通過的支承件3，在所述支承件3上布置了粉末。所述粉末可以例如由MgB2微粒組成。來自可使氣體通過的支承件3的載氣流動(dòng)通過粉末，且通過流動(dòng)攜帶粉末微粒。以此形成了氣溶膠。由載氣和微粒構(gòu)成的氣溶膠在上端處通過出口 8離開氣溶膠室2。預(yù)處理器9布置為通過管路連接或直接在氣溶膠室2上尤其是流體密封地連接。氣溶膠流過預(yù)處理器9，其中將過大的微粒濾除，且實(shí)現(xiàn)保持在氣溶膠內(nèi)的微粒的動(dòng)能一致。但根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備也可不構(gòu)造預(yù)處理器9。以此簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，但因此所沉積的層較更不均勻并且具有更差的電特性，尤其是更差的超導(dǎo)特性。來自預(yù)處理器9的氣溶膠通過在出口端部處設(shè)計(jì)成縫隙形狀的噴嘴10在涂層室11內(nèi)流動(dòng)到待涂層的基質(zhì)15上。基質(zhì)15例如可以是厚度在微米范圍內(nèi)且寬度在毫米范圍內(nèi)的鋼帶。但基質(zhì)15也可具有另外的形狀，例如帶有圓形橫截面的導(dǎo)線形狀。在帶有矩形橫截面的帶形的基質(zhì)15,此外僅稱為帶形基質(zhì)15的情況下,噴嘴10的出口指向基質(zhì)帶15的表面，該基質(zhì)帶表面的寬度例如為數(shù)毫米，而基質(zhì)15的側(cè)面的寬度在微米的范圍內(nèi)。因此，基質(zhì)15的寬、平坦的這側(cè)在遇到氣溶膠微粒時(shí)以微粒物質(zhì)，例如MgB2晶體微粒被涂層。粉末微粒保持“粘附”或附著在基質(zhì)15上，且因此在基質(zhì)15的一側(cè)形成封閉的超導(dǎo)層。帶形基質(zhì)15連續(xù)地從滾子16即源滾子展開，通過入口閘門13運(yùn)動(dòng)到涂層室11內(nèi)，且從噴嘴10旁經(jīng)過，通過出口閘門14移離涂層室11，以便卷繞在滾子17，即目的滾子上。兩個(gè)滾子16、17可同時(shí)被驅(qū)動(dòng)且以相同的旋轉(zhuǎn)方向和相同的轉(zhuǎn)速運(yùn)動(dòng)。替代地，也可僅驅(qū)動(dòng)一個(gè)滾子，例如目的滾子17，其中，基質(zhì)帶15通過拉力從源滾子16展開，或在源滾子被驅(qū)動(dòng)的情況下基質(zhì)15可通過壓力卷繞在目的滾子17上。為制造均勻的超導(dǎo)層，即具有在基質(zhì)15的整個(gè)一側(cè)上均勻分布的厚度的超導(dǎo)層，基質(zhì)15的進(jìn)給速度，即滾子16、17的周向轉(zhuǎn)速在整個(gè)涂層過程期間應(yīng)保持恒定。噴嘴10應(yīng)以均勻的流動(dòng)速度釋放氣溶膠，且氣溶膠內(nèi)的微粒數(shù)和微粒尺寸應(yīng)不波動(dòng)或不劇烈波動(dòng)。有利的是也使用縫隙形噴嘴10，其中，縫隙的縱向平行于基質(zhì)15待涂層側(cè)的寬度或表面布置。使氣溶膠在縫隙長(zhǎng)度上均勻地釋放并因此使它可均勻地沉積在與縫隙對(duì)置布置的基質(zhì)15的表面上也有利于形成均勻的層。如在圖1中所圖示，可選擇的是，在涂層室11內(nèi)設(shè)置抽空接頭12，通過所述抽空接頭12可將室11和/或閘門13和14排空。替代地，也可通過連接件12提供保護(hù)氣體，例如氮。以此，可在涂層室11內(nèi)產(chǎn)生負(fù)壓直至真空，或者產(chǎn)生保護(hù)氣氛。因此，可排除超導(dǎo)層被微?；颦h(huán)境空氣的組成部分污染的可能性。也可防止氣溶膠內(nèi)微粒的組成部分的氧化，且因此防止超導(dǎo)層的氧化。但不帶有抽空接頭12和/或閘門13、14的設(shè)備的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)也是可以的。當(dāng)然，如果環(huán)境空氣的影響不干擾氣溶膠沉積和超導(dǎo)層的形成，涂層室11可能并非強(qiáng)制需要。雖然真空是有利的，但高真空不是必需的。方法甚至也可使用在大氣壓力或環(huán)境壓力下。在圖2中圖示了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備I的替代的實(shí)施形式。設(shè)備I類似于圖1中所示的設(shè)備I而形成，僅帶有附加的完全密閉的源滾子16和目的滾子17。因此，整個(gè)設(shè)備的內(nèi)部空間可空氣密封地封閉，且例如通過抽空接頭12，如前所述可被抽空或可填充有保護(hù)氣氛。也可因此通過密閉裝置18甚至在展開和卷繞時(shí)排除已涂有超導(dǎo)層的基質(zhì)15的氧化或被塵埃和污染微粒污染的可能性?？稍O(shè)置未圖示的閘門，以提供或取出設(shè)備的整個(gè)滾子16、17。前述實(shí)施例也可組合。因此，例如可以密閉僅一個(gè)滾子17，而基質(zhì)15通過閘門由滾子16提供給涂層室11。在設(shè)備的完全密閉18中，也可省去用于將基質(zhì)15輸入和輸出涂層室11的閘門13和14。所給出的根據(jù)本發(fā)明的方法和用于執(zhí)行方法的設(shè)備實(shí)現(xiàn)了在很長(zhǎng)的長(zhǎng)度上以MgB2給例如帶形基質(zhì)涂層的超導(dǎo)層。因此，基質(zhì)帶長(zhǎng)度可在數(shù)厘米直至數(shù)百米的范圍內(nèi)。沉積的層可在整個(gè)基質(zhì)帶長(zhǎng)度上以均勻的厚度、均勻的電特性在室溫下制造。因此，實(shí)現(xiàn)了帶有超導(dǎo)層的基質(zhì)帶的新結(jié)構(gòu)，這些新結(jié)構(gòu)例如由銅組成并且不需要在基質(zhì)和超導(dǎo)層之間的、作為擴(kuò)散屏障的中間層。在沉積時(shí)(沒必要高真空)低的沉積溫度和對(duì)于壓力關(guān)系的低要求導(dǎo)致了與例如濺鍍的常規(guī)過程相比的節(jié)能。用此方法能以高生產(chǎn)量即短時(shí)間制造厚的層。
權(quán)利要求
1.一種用于在基質(zhì)(15)上制造超導(dǎo)層的方法，其中，通過氣溶膠在所述基質(zhì)(15)上的沉積制造MgB2的超導(dǎo)層，其特征在于，所述方法執(zhí)行為連續(xù)的過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述連續(xù)過程作為連續(xù)工序過程進(jìn)行，尤其通過由滾子(16 )連續(xù)地提供的基質(zhì)(15 )進(jìn)行。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，使用帶形基質(zhì)(15)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，使用金屬基質(zhì)(15)，尤其是使用銅制或鋼制的基質(zhì)(15)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述超導(dǎo)層由MgB2粉末(4)制成或由Mg和B的粉末混合物(4)制成，或所述超導(dǎo)層由MgB2粉末(4)和/或Mg和B的粉末(4)與分流器材料,尤其是FeCr-Ni合金或Cu-Ni合金混合而制成。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，使用氦、氮或空氣作為載氣。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法在基本上室溫下、尤其是在25°C執(zhí)行。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述超導(dǎo)層以大于等于Iym的層厚度產(chǎn)生。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法在涂層室(11)內(nèi)執(zhí)行，所述涂層室(11)具有用于使涂層室(11)的內(nèi)部空間與涂層室(11)的環(huán)境氣氛相分離的至少一個(gè)閘門(13、14),尤其是用于導(dǎo)入基質(zhì)(15)的閘門(13)和用于導(dǎo)出基質(zhì)(15)的閘門(13)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法在設(shè)備(I)內(nèi)執(zhí)行， 尤其是在帶有用于基質(zhì)(15)的源滾子(16)和/或用于已涂層的基質(zhì)(15)的目的滾子(17) 的設(shè)備(I)內(nèi)執(zhí)行，且所述設(shè)備(I)相對(duì)于環(huán)境完全密閉以將所述方法相對(duì)于所述設(shè)備(I) 的環(huán)境氣氛氣密性地封閉。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在氣溶膠沉積之后進(jìn)行另外的涂層過程，尤其是進(jìn)行用于產(chǎn)生銅層和/或鋁層的涂層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在氣溶膠沉積之后立即執(zhí)行絕緣過程。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在第一步驟中使載氣穿過可使氣體通過的支承件(3)進(jìn)入氣溶膠室(2)內(nèi)，其中，在所述支承件(3)上布置了粉末(4)， 所述粉末(4)在載氣流動(dòng)穿過支承件(3)時(shí)以微粒形式被吸收，且在第二步驟中，所述載氣-粉末混合物通過可調(diào)節(jié)或可控制的噴嘴(9)，尤其是縫隙形狀的噴嘴(9)引入到涂層室(11)內(nèi)，其中，所述粉末(4)通過氣溶膠沉積過程沉積在連續(xù)地運(yùn)動(dòng)通過涂層室(11)的基質(zhì)(15)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在時(shí)間上在第一步驟和第二步驟之間進(jìn)行第三步驟，其中，由粉末(4)和載氣組成的氣溶膠流過預(yù)處理器(8)，在所述預(yù)處理器 (8)中濾除對(duì)于沉積而言過大的粉末微粒(4)，和/或?qū)崿F(xiàn)所述粉末微粒(4)的動(dòng)能的一致。
15.一種用于根據(jù)權(quán)利要求1至14中一項(xiàng)所述的方法在基質(zhì)(15)上制造超導(dǎo)層的設(shè)備(I )，所述設(shè)備(I)包括帶有至少一個(gè)用于帶形基質(zhì)(15)的入口和至少一個(gè)用于已涂層有超導(dǎo)層的帶形基質(zhì)(15)的出口的涂層室(11)，且?guī)в杏糜谔峁┑臍馊苣z的設(shè)備，以便以MgB2對(duì)基質(zhì)(15)涂層。/
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在基質(zhì)(15)上以連續(xù)的過程制造超導(dǎo)層的方法和設(shè)備(1)，其中通過氣溶膠在基質(zhì)(15)上的沉積制造包括MgB2的超導(dǎo)側(cè)。
文檔編號(hào)H01R4/00GK103025918SQ201180035634
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月21日
發(fā)明者T.阿恩特 申請(qǐng)人:西門子公司