專利名稱：具有不連續(xù)的半導體部分的微電子裝置及制作這種裝置的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種包括不連續(xù)的半導體部分的微電子裝置，并且更具體地說，涉及一種包括一個或多個晶體管的微電子裝置，這些晶體管通過這種不連續(xù)的半導體部分形成作為有源區(qū)。本發(fā)明尤其適合于薄膜晶體管(TFT)領域，尤其是有機薄膜晶體管(0FET或OTFT)ο
背景技術：
薄膜裝置(如，包括例如基于有機材料的薄半導體層的薄膜晶體管)的制造意味著形成這種半導體層，從而，然后可以制作形成電源極接觸和漏極觸點的電極，而且，使得所 獲得的晶體管具有較小的電流Itjff (對應于Ves=O并且Vlis=Valim時的電流IDS，)以及可能最低的寄生電容。用于沉積半導體層的設備必須具有對準系統(tǒng)，從而可形成半導體層。這種類型的對準設備來自于普通的印刷設備，例如輥對輥(roll-to-roll)處理機，這些輥對輥處理機通常具有較差的對準精度性能。由于這種較差的對準精度，所以這些薄膜晶體管的邊緣(在尺寸上)尺寸大于最小的設備對準公差，這很大程度上限制了對于這些晶體管而言可獲得的集成密度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于提出一種新型半導體裝置以及一種制作這種半導體裝置的新方法，該半導體裝置的結構可消除當根據(jù)現(xiàn)有技術制作薄膜半導體裝置時要使用的對準步驟。為此，本發(fā)明提出了一種微電子裝置，包括-多個不連續(xù)的半導體部分，具有相似的尺寸L%、WS。以及相似的形狀，這些半導體部分彼此電隔離并且形成半導體層，每個半導體部分與相鄰的半導體部分的間距為基本上恒定的距離esch、escv，-至少兩個電極，設置成與半導體層接觸或與之相鄰，使得分隔兩個電極的最大距離于其中一個半導體部分的最大尺寸Lse,其中，設置半導體部分的形狀和尺寸LSC、WS。，半導體部分之間的間距ESQI、ESCT，電極的形狀和尺寸lsd、wsd以及電極相對于半導體部分的布局，使得至少一個半導體部分將兩個電極彼此電連接。因此，本發(fā)明提出了制作微電子裝置的半導體層，具有一套小半導體部分的形式，例如，均勻分布的且尺寸和間距使得，該裝置的至少兩個電極與這些半導體部分接觸，而無需相對于這些半導體部分特別對準，所獲得的統(tǒng)計結果在于，至少一個半導體表面相對于這些電極“自對準”，換言之，能夠在兩個電極之間進行導電，例如，在該至少一個半導體表面上形成有裝置的一個或多個有源區(qū)。因此，可制作這種裝置，使得至少一個半導體部分能夠在兩個電極之間進行導電，而無需將電極相對于半導體部分進行對準。而且，通過在裝置的電極之間選擇適當?shù)淖钚￠g距，這種半導體層可用于制作彼此相鄰的若干個半導體裝置(例如，晶體管)，這些半導體裝置將彼此自動電隔離，只要半導體部分最初彼此電隔離，僅僅每個裝置的電極通過一個或多個半導體部分彼此電連接。有利地，半導體層可為薄層，換言之，當半導體為有機材料時，為大約IOnm或更小的層，或者當半導體為無機材料時，為大約IOOnm或幾十納米或更小(例如大約50nm)的層。權利要求I中所限定的裝置具有的另一個優(yōu)點在于，涉及電連接兩個電極的半導體部分的數(shù)量的離差(dispersion)較小，所以在該裝置的電特性上具有較小的離差。每個半導體部分具有細長或長方形形狀，其最大尺寸Ls。與其他半導體部分的最大尺寸Lse大致平行。 根據(jù)一個有利的實施例，每個半導體部分可具有大致矩形的形狀。半導體部分可布置在與半導體層的主面平行的平面內(nèi)，電極設置成與半導體層接觸，形成具有平行行的規(guī)則圖案。這種圖案的一個特殊優(yōu)點在于，由于可由幾行半導體部分形成的圖案具有重復性，所以可容易地產(chǎn)生這種圖案，該圖案將重復一次或幾次。在這種情況下，一行上的半導體部分之間的間距Esqi可相對于相鄰行的半導體部分之間的間距并沿著與各行平行的方向偏移距離D，該距離大約等于半導體部分的最大尺寸Ls。除以n，其中，η為大于I的實數(shù)。因此，所獲得的結果為半導體部分的行間偏移形成所述行的規(guī)則的重復圖案。在這種情況下，半導體部分的最大尺寸Ls。可大致等于分隔兩個電極的最大距離L !的η倍，和/或電極的最大尺寸Wsd可大于半導體部分的最小尺寸Ws。的大約η倍。半導體部分的最大尺寸Ls。大致垂直于電極的最大尺寸Wsd，這些電極可以具有相似的形狀和尺寸wSD、lsd。該裝置可包括至少一個晶體管，該晶體管的有源區(qū)可由所述至少一個半導體部分構成，所述半導體部分將兩個電極彼此電連接，所述電極形成晶體管的源電極和漏電極。該裝置可包括多個晶體管，每個晶體管可以包括-至少兩個電極，形成與半導體層接觸而布置的源電極和漏電極，使得分隔其中一個晶體管的兩個電極的最大距離Lm1大約小于其中一個半導體部分的最大尺寸Ls。，-有源區(qū)，由至少一個半導體部分構成，所述半導體部分將所述晶體管的兩個電極電連接在一起，并且其中，-半導體部分的最大尺寸Ls?？纱笾麓怪庇陔姌O的最大尺寸WSD，所述電極可具有相似的形狀和尺寸WSD、Lsd,-沿著與半導體部分的最大尺寸平行的方向分隔兩個晶體管的電極的距離ETR可大約大于半導體部分的最大尺寸，并且-兩個晶體管的電極可沿著與電極的最大尺寸Wsd大致平行的方向偏移距離Eaj，該距離大約大于半導體部分的最小尺寸Ws。。該晶體管或每個晶體管還可包括柵極介電層以及柵極，設置成面向所述晶體管的有源區(qū)。
半導體部分可包括至少一個有機半導體。本發(fā)明還涉及一種制作微電子裝置的方法，至少包括以下步驟-制作多個不連續(xù)的半導體部分，這些半導體部分具有相似的尺寸Ls。、Wsc以及形狀，所述半導體部分彼此電隔離并且形成半導體層，每個半導體部分與相鄰的半導體部分相隔基本上恒定的距離Esch、Escv,-制作與半導體層接觸的至少兩個電極，使得分隔這兩個電極的最大距離Lm1大約小于其中一個半導體部分的最大尺寸Ls。，設置半導體部分的形狀和尺寸Lsc、Wsc,半導體部分之間的間距Esra、Escv,電極的形狀和尺寸LSD、wSD以及電極相對于半導體部分的配置，使得至少一個半導體部分將這兩個電極彼此電連接。 利用絲網(wǎng)印刷、模壓或日光膠版術(heliography)類型的半導體沉積步驟，或者利用在沉積一層所述半導體的步驟之后通過半導體層的激光或光刻或模壓進行的剝離步驟，可制作半導體部分?？墒紫仍谝r底上制作半導體部分，然后在半導體部分上制作電極。在一個變型中，可首先在襯底上制作電極，然后可在電極上制作半導體部分。


在參考附圖閱讀示例性實施例的描述之后，可更好地理解本發(fā)明，這些示例性實施例僅為了指導而給出并且絕不是限制性的，附圖中圖I至圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個特定實施例的微電子裝置的部分元件的示意性俯視圖；圖4和圖5為根據(jù)本發(fā)明的兩個特定實施例的微電子裝置的示意性截面圖。下面所描述的不同附圖中的相同、相似或等效部件具有相同的參考標號，以便于在不同附圖之間進行比較。圖中所示的不同部件不必都以相同的比例顯示，以便這些圖更易讀。不同的可能性(變型和實施例)必須理解為不相互排斥，并且這些不同的可能性可
結合在一起。
具體實施例方式參照圖I開始進行描述，圖I示意性且部分地示出了微電子裝置100，該微電子裝置包括由多個不連續(xù)的半導體部分104形成的半導體層102。這些不連續(xù)的半導體部分104在圖I的實例中都具有矩形形狀，并且這些不同部分的尺寸相似。鑒于這些部分104不連續(xù)，換言之，這些部分彼此不接觸，所以這些部分彼此電隔離。圖I示出了半導體部分104在(X、Y)平面內(nèi)形成離散的規(guī)則的矩形圖案，形成半導體部分104的相互平行的行(line)。而且，分隔半導體部分104的間距在所有的半導體部分104之間具有基本上恒定的尺寸。作為一種變型，半導體部分104可具有矩形以外的形狀，同時保持均勻分布。相鄰行內(nèi)的半導體部分104在彼此之上并未豎直對準(沿著Y軸)。相鄰行內(nèi)的半導體部分104水平偏移(沿著X軸)。而且，該水平偏移具有規(guī)律性。由部分104形成的圖案包括彼此疊置的多行半導體部分構成的相似的幾個組。因此，在圖I的實例中，可看出由這套半導體部分104形成的圖案包括彼此疊置的四行構成的相似的幾個組。換言之，一行中的半導體部分104與其下面的第四行所在行內(nèi)的以及其上面的第四行所在行內(nèi)的半導體部分104豎直對準(沿著Y軸)。圖2中示出了由層102內(nèi)的半導體部分104形成的另一實例圖案。在該實例中，可看出，半導體部分104從一行到下一行水平偏移距離D。而且，在該實例中，一行中的半導體部分104與該行上面和下面的第五行所在行內(nèi)的半導體部分104豎直對準(沿著Y軸)。由于從一行到下一行的這種偏移D相同，因此結果如下LSG+ESCH=n X D其中，Lsc為半導體部分104的長度(或者更通常地，最大尺寸)，Esch為兩個半導體部分104之間的水平間距，換言之，同一行內(nèi)分隔兩個相鄰的半導體部分104的距離，η為形成重復步驟的半導體部分104的數(shù)量，大于I。在圖2的實例中，η=5，這是因為一行半導體部分104的初始對準位于遠離五行處。在圖2的實例中，由Esw表示兩行半導體部分104之間的間距，該間距可與兩個半導體部分104之間的水平間距大致相似，從而Esct=Esqi。雖然圖I和圖2的實例中的每個半導體部分104為矩形，這些部分也可具有不同的形狀，但有利地，它們具有長方形或細長的形狀。不連續(xù)的半導體部分104中的一些將形成微電子裝置100的有源區(qū)，并且將與微電子裝置100的電極接觸。在圖I的實例中，微電子裝置100包括兩個晶體管106a、106b，每個晶體管包括兩個電極，分別以參考標號108a、108b和108c、108d表示。這些電極108a_108d對應于晶體管106a、106b的源電極和漏電極，并且布置成與半導體部分104所形成的半導體層102接觸。這些電極108a-108d中的每個電極的形狀大致為矩形，長度(最長尺寸)與半導體部分104的長度大致垂直。而且，每個晶體管106a、106b的兩個電極108a、108b和108c、108d彼此的間距等于距離Ljlil，該距離對應于晶體管通道的長度，小于Lsc。因此，與晶體管106a、106b中的一個的兩個電極108a、108b或108c、108d接觸的半導體部分104因此能夠在這兩個電極之間形成導電路徑。因此，這些半導體部分104形成晶體管的有源區(qū)(源極+漏極+通道)。在圖I的實例中，可看出，晶體管106a和106b的每個有源區(qū)由九個半導體部分104構成，這些半導體部分與所述晶體管的兩個電極108a、108b或108c、108d接觸。由于半導體部分104和電極108a_108d的尺寸使得LMil〈Lsc，，并且電極108a_108d的位置使得每個電極108a-108d的長度大致垂直于半導體部分104的長度，因此可以在半導體部分104所形成的層102上的任何地方制作電極108a-108d，而無需將電極108a_108d相對于半導體層102進行任何預先對準，由于與電極108a-108d的位置無關，一個或多個半導體部分104必須與每個晶體管106a、106b的兩個電極108a、108b或108c、108d接觸并且形成晶體管106a、106b的有源區(qū)。最靠近晶體管106a、106b的電極108a_108d之間(在圖I的實例中，電極108b和108c之間)的距離對應于兩個晶體管106a、106b之間的水平間距，該距離選擇為大于半導體部分104的長度Lsc，以防止晶體管106a、106b之間發(fā)生短路。因此，通過遵守條件ETK>LSC，任何一個半導體部分104都不會造成每個晶體管106a、106b的最靠近電極發(fā)生短路，而與晶體管106a、106b在半導體層102上的位置無關。 電極108a_108d的長度由Wsd表示，優(yōu)選地選擇該長度，使得WSD WSC或者WSD>nXWs。，其中，由于半導體部分104可具有矩形以外的形狀，所以Ws。對應于半導體部分104的寬度或者更通常地對應于部分104的最小尺寸。由于制作電極108a-108d時無需相對于半導體層102對準，所以遵守條件^>>13?；騑SD>nXWs?？稍斐砂雽w部分104的數(shù)量具有較低的統(tǒng)計離差，這些半導體部分形成由半導體部分104制成的不同晶體管的有源區(qū)，并且因此，這些不同晶體管之間的電流I 具有較小的離差。因此，可看出，該離差將隨著由半導體部分104形成的圖案的數(shù)量η的增大而減小?？色@得的晶體管的密度取決于兩個晶體管之間的間距Ετκ，并且因此取決于Lsc的 值(由于 ETK>LSC)。
因此，參數(shù)η為控制微電子裝置100的各元件的特性離差與這些元件的密度之間的折中的參數(shù)。晶體管106a、106b還包括電連接至電極108a_108d并且形成在半導體層102上的連接線或電線110。例如，圖3中示出了這種電線110。由于這些電線110可在半導體層102上延伸，使得這些電線位于相鄰晶體管的其他觸點或電線和/或其他電極之上或之下，所以這些線110的位置使得與兩個不同的晶體管的兩個導電元件之間的間距對應的距離Ero大于Ws。，換言之，大于半導體部分104的寬度。因此，通過遵守條件Ea^Ws。，確保與彼此疊置的兩個導電元件(電線或電極)中的一個接觸的半導體部分104不會與這兩個元件中的另一個接觸。因此，可以制作電極108a_108d，而無需相對于微電子裝置100的有源區(qū)進行任何特別對準。在這里所描述的實例中，兩個晶體管106a、106b是相同類型的，例如，它們都為η摻雜型或P摻雜型。然而，這兩個晶體管106a、106b也可以為不同類型的晶體管，從而可以形成CMOS裝置。通過沉積具有不同類型摻雜劑(例如η型和P型)的摻雜的半導體區(qū)，或者通過在單個晶體管內(nèi)或在兩個晶體管之間沉積不同的電極材料，可獲得這種裝置?，F(xiàn)在參照圖4，該圖示出了微電子裝置100的第一實施例的截面圖。微電子裝置100包括襯底112，該襯底例如包含玻璃或任何其他絕緣材料或由絕緣膜覆蓋的任何材料，半導體部分104位于該襯底上，形成半導體層102。半導體部分104可包含任何有機或無機的半導體材料。當半導體部分104包含有機材料時，該材料例如可以為并五苯或聚(三芳胺)。當半導體部分104包含無機材料時，該材料例如可以為氧化鋅(ΖηΟ)、非晶硅或多晶硅。在半導體部分104上制作電極108a-108d，并且這些電極包含導電材料，例如金屬(如金)。部分104的在圖4中由虛線界定的區(qū)域114a、114b形成晶體管106a、106b的有源區(qū)。半導體部分104以及電極108a_108d由介電層115覆蓋，該介電層例如包含Si02、Si3N4、或絕緣聚合物(如，聚苯乙烯)或含氟聚合物(如，CYTOP⑧)，在該介電層上，制作晶體管106a、106b的柵極116a、116b，所述柵極例如包含金屬(如，金、銀)或金屬油墨或多晶硅。介電層115的位于柵極116a、116b與有源區(qū)114a、114b之間的部分118a、118b形成晶體管106a、106b的柵極介電層。在該第一示例性實施例的一個變型中，電極108a_108d可布置成與襯底112直接相對或者與之接觸，然后，可形成半導體部分104，使得半導體部分覆蓋電極108a-108d。在這種情況下，半導體部分104由介電層115覆蓋,柵極116a、116b位于該介電層上。
現(xiàn)在參照圖5，該圖示出了微電子裝置100的第二示例性實施例的截面圖。與圖4中的第一示例性實施例不同，柵極116a、116b首先設置成與襯底112接觸。這些柵極116a、116b由介電層115覆蓋。然后，在介電層115上制作電極108a_108d。最后，在介電層115上以及在電極108a_108d上制作半導體部分104。在該第二示例性實施例的一個變型中，半導體部分104可以設置成與介電層115接觸，并且然后可以在半導體部分104上制作電極108a-108d。在上述實例中，微電子裝置100包括多個晶體管。然而，微電子裝置100很可能包括其他電子元件，而非晶體管，每個電子元件包括至少兩個電極，例如二極管?？梢允褂貌煌纳a(chǎn)技術來制作包括不連續(xù)的半導體部分104的半導體層102。尤其根據(jù)半導體部分104的尺寸來選擇要使用的技術。因此，對于寬度Wse大約為I μ m或者更通常地小于大約10 μ m的半導體部分104而言，可通過納米壓印(Nanoimprint lithography)或通過模壓,或者在沉積整個半導體層后通過對該層進行激光剝離或光刻，有利地制作這些部分104。對于寬度Ws。大于或等于大約IOym的半導體部分104而言，可通過日光膠版術或通過上面提到的技術，有利地制作這些部分104。數(shù)量η可選擇得相對較大，例如，大約為10或在10至20之間，以在半導體裝置100的各元件的電特性上獲得較小的離差(大約10%)。因此，對于數(shù)量η等于10并且寬度Wsc等于大約I μ m,電極的長度Wsd將選擇為大于大約10 μ m。例如，通道長度!^^等于大約5 μ m。在這種情況下，部分104的長度Ls。例如等于大約nX Lm，換言之，等于大約50 μ m。因此，晶體管之間的間距Etk將選擇為大于50 μ m，例如，等于大約60 μ m。半導體部分之間的尺寸Esq^PEsct可選擇為盡可能地小，只要半導體部分104之間的電絕緣性保持良好。當通過日光膠版術制作部分104時，這些尺寸可為大約一微米，或者當通過模壓制作部分104時，這些尺寸可為大約lOOnm，或者當通過光刻或通過激光剝離制作部分104時，這些尺寸可為大約幾十納米。通常，可獲得的最小尺寸將取決于用于制作半導體層102的技術。上述尺寸清晰地闡述了以下事實，由于半導體裝置100的制造不需要對準步驟，所以可增大由半導體層102制作的電子元件的集成密度。因此，如上所述，其中一個晶體管的通道長度可等于大約5 μ m,該通道長度遠遠小于根據(jù)一般慣例并且需要對準步驟制作的晶體管的通道長度。在上述實例中，電極的長度Wsd例如等于大約10 μ m，該長度也遠遠小于需要對準步驟的晶體管的電極的長度(通常等于大約1_)。
權利要求
1.一種微電子裝置(100),包括 多個不連續(xù)的半導體部分(104)，具有相似的尺寸Ls。、Wsc以及相似的形狀，所述半導體部分彼此電隔離并且形成半導體層(102)，每個半導體部分(104)與相鄰的半導體部分(104)的間距為基本上恒定的距離EsanEsw并且具有細長形狀，每個半導體部分的最大尺寸Lsc與其他半導體部分(104)的最大尺寸Ls。大致平行， 至少兩個電極(108a、108b、108c、108d)，所述電極設置成與半導體層(102)接觸，使得分隔所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)的最大距離Lm道小于其中一個所述半導體部分(104)的最大尺寸Lsc， 其中，設置所述半導體部分(104)的形狀和尺寸Ls。、Ws。，所述半導體部分(104)之間的間距Esch、Esw，所述電極(108a、108b、108c、108d)的形狀和尺寸LSD、WSD以及所述電極(108a、108b、108c、108d)相對于所述半導體部分(104)的布局，使得至少一個所述半導體部分(104)將所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)彼此電連接， 并且其中，所述半導體部分(104)的最大尺寸Ls。大致垂直于所述電極(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸WSD，所述電極(108a、108b、108c、108d)具有相似的形狀和尺寸WSD、Lsd。
2.根據(jù)權利要求I所述的裝置(100)，其中，每個所述半導體部分(104)具有大致矩形的形狀。
3.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的裝置(100)，其中，所述半導體部分(104)布置在與所述半導體層(102)的主面平行的平面內(nèi)，所述電極(108a、108b、108c、108d)設置成與所述半導體層接觸，形成具有平行行的規(guī)則圖案。
4.根據(jù)權利要求3所述的裝置(100)，其中，一行上的所述半導體部分(104)之間的間距Esqi相對于相鄰行的所述半導體部分(104)之間的間距并沿著與各行平行的方向偏移距離D，該距離大約等于所述半導體部分(104)的最大尺寸Ls。除以n，其中，η為大于I的實數(shù)。
5.根據(jù)權利要求4所述的裝置(100)，其中，所述半導體部分(104)的最大尺寸Ls。大致等于分隔所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)的最大距離Lm道的η倍，和/或其中，所述電極(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸Wsd大于所述半導體部分(104)的最小尺寸%c的大約η倍。
6.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的裝置(100)，包括至少一個晶體管(106a、106b)，所述晶體管的有源區(qū)(114a、114b)由所述至少一個半導體部分(104)構成，所述半導體部分將所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)彼此電連接，所述電極(108a、108b、108c、108d)形成所述晶體管(106a、106b)的源電極和漏電極。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的裝置(100)，包括多個晶體管(106a、106b)，每個晶體管(106a、106b)包括 至少兩個電極(108a、108b、108c、108d)，形成與所述半導體層(102)接觸而布置的源電極和漏電極，使得分隔其中一個所述晶體管(106a、106b)的兩個電極(108a、108b、108c、108d)的最大距離Lail大約小于其中一個所述半導體部分(104)的最大尺寸Lsc, 有源區(qū)(114a、114b)，由至少一個所述半導體部分(104)構成，所述半導體部分將所述晶體管(106a、106b)的所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)電連接在一起，并且其中， 所述半導體部分(104)的最大尺寸Lse大致垂直于所述電極(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸WSD，所述電極(108a、108b、108c、108d)具有相似的形狀和尺寸WSD、Lsd, 沿著與所述半導體部分(104)的最大尺寸Ls。平行的方向分隔兩個晶體管(106a、106b)的電極(108b、108c)的距離Etk可大約大于所述半導體部分(104)的最大尺寸Ls。，并且 兩個晶體管(106a、106b)的電極(108a、108b、108c、108d)沿著與所述電極(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸Wsd大致平行的方向偏移距離Ew該距離大約大于所述半導體部分(104)的最小尺寸Wsc。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的裝置(100)，其中，所述晶體管或每個晶體管(106a、106b)還包括柵極介電層(118a、118b)以及柵極(116a、116b)，設置成面向所述晶體管(106a、106b)的有源區(qū)(114a、114b)。
9.一種制作微電子裝置(100)的方法，至少包括以下步驟 制作多個不連續(xù)的半導體部分(104)，這些半導體部分具有相似的尺寸Ls。、Wsc以及形狀，所述半導體部分彼此電隔離并且形成半導體層(102)，每個半導體部分(104)與相鄰的半導體部分(104)相隔基本上恒定的距離Esra、Esw并且具有細長的形狀，每個半導體部分的最大尺寸Lse與其他半導體部分(104)的最大尺寸Lse大致平行， 制作布置成與所述半導體層(102)接觸的至少兩個電極(108a、108b、108c、108d)，使得分隔所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)的最大距離Lm道小于其中一個所述半導體部分(104)的最大尺寸Lsc， 設置所述半導體部分(104)的形狀和尺寸Ls。、Ws。，所述半導體部分(104)之間的間距^、Esct，所述電極(108a、108b、108c、108d)的形狀和尺寸LSD、Wsd以及所述電極(108a、108b、108c、108d)相對于半導體部分(104)的布局，使得至少一個所述半導體部分(104)將所述兩個電極(108a、108b、108c、108d)彼此電連接， 并且其中，所述半導體部分(104)的最大尺寸Ls。大致垂直于所述電極(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸WSD，所述電極(108a、108b、108c、108d)具有相似的形狀和尺寸WSD。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，利用絲網(wǎng)印刷、模壓或日光膠版術類型的半導體沉積步驟，或者利用在沉積一層所述半導體的步驟之后通過所述半導體層的激光或光刻或模壓進行的剝離步驟，制作所述半導體部分(104)。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的方法，其中，首先在襯底(112)上制作半導體部分(104)，然后，在所述半導體部分(104)上制作電極(108a、108b、108c、108d)，或者其中，首先在襯底(112)上制作電極(108a、108b、108c、108d)，然后在所述電極(108a、108b、108c、108d)上制作半導體部分(104)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微電子裝置(100)，包括多個相似的不連續(xù)的半導體部分(104)，所述半導體部分彼此電隔離并且形成半導體層(102)，所述半導體部分以恒定的距離隔開并且包括與其他部分平行的形狀；以及兩個電極(108a、108b、108c、108d)，所述電極設置成與半導體層接觸，使得分隔兩個電極的最大距離小于一個半導體部分的最大尺寸，其中，設置半導體部分的形狀和尺寸、半導體部分之間的間距、電極的形狀和尺寸以及電極相對于半導體部分的布局，使得至少一個半導體部分將兩個電極彼此電連接，并且其中，半導體部分的最大尺寸垂直于電極的最大尺寸，所述電極是相似的。
文檔編號H01L51/05GK102884647SQ201180022483
公開日2013年1月16日 申請日期2011年5月3日 優(yōu)先權日2010年5月5日
發(fā)明者羅曼·格沃齊茨基, 羅曼·科普帕爾德 申請人:法國原子能及替代能源委員會