專利名稱：動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法及曝光掃瞄系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓對(duì)位的方法，特別涉及在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體組件的制造過(guò)程中，許多曝光制程都需要將晶圓對(duì)位至特定方位，以達(dá)到晶圓上每一層圖案的重迭精準(zhǔn)度的需求。在曝光制程中，晶圓上通常形成有對(duì)位記號(hào)，以標(biāo)示晶圓上特定層的圖案的參考方位。晶圓通常具有多個(gè)曝光照射區(qū)(shot area)，一個(gè)曝光照射區(qū)是通過(guò)在曝光制程中利用光罩在晶圓上形成一個(gè)曝光區(qū)域而定義的。曝光設(shè)備對(duì)晶圓上方的光阻照射光線以進(jìn)行曝光制程，曝光設(shè)備包含曝光頭、對(duì)位記號(hào)傳感器、對(duì)位平臺(tái)(alignment stage)以及曝光平臺(tái)(exposure stage) 0在傳統(tǒng)的晶圓對(duì)位方法中，在晶圓上每隔幾個(gè)曝光照射區(qū)設(shè)置一個(gè)對(duì)位記號(hào)，對(duì)位記號(hào)傳感器在對(duì)位平臺(tái)上對(duì)整個(gè)晶圓的對(duì)位記號(hào)的方位進(jìn)行偵測(cè)， 以得到整個(gè)晶圓對(duì)位的平均補(bǔ)償值，并且將此晶圓對(duì)位的平均補(bǔ)償值傳遞至曝光平臺(tái)。然后，依據(jù)回饋至曝光平臺(tái)的晶圓對(duì)位的平均補(bǔ)償值，使用曝光頭在曝光平臺(tái)上對(duì)整個(gè)晶圓全部曝光照射區(qū)的光阻層進(jìn)行曝光。近年來(lái)，針對(duì)新世代的電子組件，半導(dǎo)體組件的特征尺寸變得越來(lái)越小，半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)規(guī)則也隨之縮減。因此，很難擴(kuò)大半導(dǎo)體組件的制程條件范圍(process window), 特別是針對(duì)曝光制程，在曝光設(shè)備中對(duì)晶圓對(duì)位精準(zhǔn)度的要求，以及對(duì)晶圓上每一層圖案的重迭準(zhǔn)確度的要求，都很難擴(kuò)大其制程條件范圍。通常在晶圓的一個(gè)區(qū)域內(nèi)的曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位補(bǔ)償值與此晶圓的另一個(gè)區(qū)域內(nèi)的曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位補(bǔ)償值是不同的， 然而，在傳統(tǒng)的晶圓對(duì)位方法中，晶圓上所有曝光照射區(qū)的光阻層都依據(jù)相同的晶圓對(duì)位平均補(bǔ)償值進(jìn)行曝光，因此，傳統(tǒng)的晶圓對(duì)位方法無(wú)法滿足特征尺寸更小的半導(dǎo)體組件所需的較高晶圓對(duì)位準(zhǔn)確度。因此，業(yè)界亟需一種在曝光設(shè)備中改良的晶圓對(duì)位方法，其可以克服上述問(wèn)題，達(dá)到較高的晶圓對(duì)位準(zhǔn)確度。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，提供在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中曝光掃瞄系統(tǒng)包含曝光設(shè)備、光學(xué)感測(cè)設(shè)備以及晶圓平臺(tái)，并具有掃瞄路徑。此方法包括以下步驟(a)提供具有多個(gè)曝光照射區(qū)的晶圓，其中每個(gè)曝光照射區(qū)上具有多個(gè)對(duì)位記號(hào)；(b) 在晶圓上形成光阻層；(c)利用光學(xué)感測(cè)設(shè)備，沿著掃瞄路徑偵測(cè)位于一個(gè)曝光照射區(qū)的一部份的對(duì)位記號(hào)，得到針對(duì)此曝光照射區(qū)的該部份的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值；(d)將此曝光照射區(qū)的該部份的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值實(shí)時(shí)回饋至晶圓平臺(tái)；(e)在實(shí)時(shí)地將此曝光照射區(qū)的該部份的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值回饋至晶圓平臺(tái)之后，利用曝光設(shè)備，沿著掃瞄路徑對(duì)位于此曝光照射區(qū)的該部份的光阻層進(jìn)行曝光；(f)在此曝光照射區(qū)沿著掃瞄路徑連續(xù)地重復(fù)步驟(c)至(e)，直至位于此曝光照射區(qū)的全部光阻層都被曝光；以及(g)重復(fù)步驟(f)，直至晶圓上全部曝光照射區(qū)的光阻層都被曝光。依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)。此曝光掃瞄系統(tǒng)包括曝光設(shè)備；光學(xué)感測(cè)設(shè)備，具有設(shè)置于曝光設(shè)備上的多個(gè)對(duì)位記號(hào)傳感器；以及單一的晶圓平臺(tái)，設(shè)置于曝光設(shè)備下方。在此曝光掃瞄系統(tǒng)中，光學(xué)感測(cè)設(shè)備偵測(cè)晶圓上的多個(gè)對(duì)位記號(hào)，得到動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值，并且實(shí)時(shí)地將動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值回饋至單一的晶圓平臺(tái)，在實(shí)時(shí)地將饋動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值回饋至單一的晶圓平臺(tái)之后，曝光設(shè)備對(duì)晶圓上的光阻層進(jìn)行曝光。為了讓本發(fā)明的上述目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明。


圖1是顯示依據(jù)本發(fā)明的一 個(gè)實(shí)施例的曝光掃瞄系統(tǒng)的側(cè)視示意圖2是顯示具有多個(gè)曝光照射區(qū)的晶圓的平面示意圖3是顯示依據(jù)本發(fā)明的--個(gè)實(shí)施例在單一曝光照射區(qū)內(nèi)對(duì)位記號(hào)布局的平面示意圖4是顯示依據(jù)本發(fā)明的--個(gè)實(shí)施例在曝光掃瞄系統(tǒng)中動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法的流程圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
100 晶圓；
102 單一曝光照射區(qū)；
104-H-* LL 心片；
106 對(duì)位記號(hào)；
108 切割線；
200 曝光掃瞄系統(tǒng)；
202 曝光設(shè)備；
203 掃瞄路徑；
204 光學(xué)感測(cè)設(shè)備；
205 晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值；
206 晶圓平臺(tái)；
208 晶圓平臺(tái)的移動(dòng)路徑
209 對(duì)位記號(hào)傳感器；
400 動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法的流程402、404、406、408、410、412、414 流程圖的步驟。
具體實(shí)施例方式以下描述為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳實(shí)施例，此描述用于說(shuō)明本發(fā)明的一般原理，并非用于限定本發(fā)明。圖1為依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的曝光掃瞄系統(tǒng)(exposure scannersystem) 200 的側(cè)視示意圖。曝光掃瞄系統(tǒng)200包含曝光設(shè)備202 ；光學(xué)感測(cè)設(shè)備204，其包含多個(gè)對(duì)位記號(hào)傳感器(alignment mark sensor) 209設(shè)置在曝光設(shè)備202的兩相反側(cè)上的多個(gè)對(duì)位記號(hào)傳感器(alignment mark sensor) 209 ；以及單一的晶圓平臺(tái)(wafer stage)206，設(shè)置于曝光設(shè)備202下方。在曝光掃瞄系統(tǒng)200中，曝光設(shè)備202與光學(xué)感測(cè)設(shè)備204具有相同的掃瞄路徑(scan path) 203,晶圓平臺(tái)206所具有的移動(dòng)路徑208則與掃瞄路徑203為相反方向。在晶圓平臺(tái)206上提供晶圓100，晶圓100上具有光阻層(圖中未示出)，此外晶圓100還具有形成于其上的多個(gè)對(duì)位記號(hào)(圖中未示出)。光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器209是依據(jù)晶圓100上對(duì)位記號(hào)的位置而設(shè)置的，由此偵測(cè)對(duì)位記號(hào)的方位信息 (orientation information)，設(shè)置在曝光設(shè)備202兩側(cè)上的光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器209分別用于執(zhí)行向上方向的掃瞄以及向下方向的掃瞄，或者分別用于執(zhí)行向左方向的掃瞄以及向右方向的掃瞄。光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器209的偵測(cè)區(qū)域可以涵蓋與對(duì)位記號(hào)傳感器209的位置產(chǎn)生偏移的對(duì)位記號(hào)所存在的位置。此外，光學(xué)感測(cè)設(shè)備204還包括信號(hào)處理器(圖中未示出)，其用于處理對(duì)位記號(hào)的方位信息，由此得到晶圓對(duì)位(wafer alignment)的補(bǔ)償值(compensation data) 205，然后，將晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值 205實(shí)時(shí)回饋(real time feedback)至晶圓平臺(tái)206。晶圓平臺(tái)206通常具有晶圓移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其可以依據(jù)從光學(xué)感測(cè)設(shè)備204傳送而來(lái)的晶圓對(duì)位補(bǔ)償值205的信號(hào)，在X與Y兩個(gè)方向帶動(dòng)晶圓100并將晶圓100旋轉(zhuǎn)至特定位置，并且還可以在Z方向使晶圓100傾斜至特定角度，此晶圓移動(dòng)機(jī)構(gòu)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，在此不再詳述其細(xì)節(jié)。曝光設(shè)備202 —般包含紫外光(UV)光源，并使用光罩的圖案對(duì)晶圓100上的光阻層進(jìn)行曝光，在晶圓平臺(tái)206接收實(shí)時(shí)回饋的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值205并進(jìn)行晶圓對(duì)位之后，曝光設(shè)備202沿著掃瞄路徑對(duì)一個(gè)曝光照射區(qū)(shot area)的光阻層連續(xù)地進(jìn)行曝光制程。參閱圖2，其是顯示具有多個(gè)曝光照射區(qū)102的晶圓100的平面示意圖，一個(gè)曝光照射區(qū)102是使用光罩在晶圓100上進(jìn)行曝光所產(chǎn)生的曝光區(qū)域而定義的，并且光罩一般包含多個(gè)芯片的圖案，使用曝光設(shè)備202沿著掃瞄路徑203，使用光罩對(duì)一個(gè)曝光照射區(qū)的光阻層進(jìn)行曝光，直到在這一個(gè)曝光照射區(qū)的光阻層全部都被曝光。然后，使用曝光設(shè)備202 及光罩沿著另一掃瞄路徑對(duì)下一個(gè)曝光照射區(qū)的光阻層進(jìn)行曝光，此掃瞄路徑與掃瞄路徑 203的方向相反，重復(fù)且連續(xù)地進(jìn)行曝光步驟，直到晶圓100上全部曝光照射區(qū)的光阻層都被曝光，晶圓100上的多個(gè)曝光照射區(qū)102排列成如圖2所示的數(shù)行與數(shù)列。接著，參閱圖3，其是顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在晶圓100上的單一曝光照射區(qū)102內(nèi)對(duì)位記號(hào)布局的平面示意圖。單一曝光照射區(qū)102可對(duì)應(yīng)多個(gè)芯片104，例如6 個(gè)芯片、8個(gè)芯片或12個(gè)芯片，如圖3所示的單一曝光照射區(qū)102為8個(gè)芯片(8-chips) 的曝光照射區(qū)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，單一曝光照射區(qū)102上具有多個(gè)對(duì)位記號(hào)106， 對(duì)位記號(hào)106形成于切割線(scribe line) 108上，切割線108設(shè)置于任意兩個(gè)相鄰的芯片104之間。通過(guò)光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器209，沿著掃瞄路徑203對(duì)單一曝光照射區(qū)102的一部分的全部或數(shù)個(gè)對(duì)位記號(hào)106進(jìn)行偵測(cè)，以得到該單一曝光照射區(qū) 102的該部分的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值205。如圖3所示，光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器 209的位置是對(duì)應(yīng)于對(duì)位記號(hào)106的位置而設(shè)置的。補(bǔ)償值205有關(guān)于此單一曝光照射區(qū) 102的該部分的晶圓對(duì)位的方位信息與傾斜信息，將此單一曝光照射區(qū)102的該部分的補(bǔ)償值205實(shí)時(shí)回饋至晶圓平臺(tái)206，并且立即對(duì)此單一曝光照射區(qū)102的該部分的光阻層進(jìn)行曝光。在曝光掃瞄系統(tǒng)200中，偵測(cè)對(duì)位記號(hào)106、實(shí)時(shí)地將晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值205回饋至晶圓平臺(tái)206、以及對(duì)光阻層進(jìn)行曝光都是在一個(gè)曝光照射區(qū)102內(nèi)同時(shí)且連續(xù)地進(jìn)行。當(dāng)沿著掃瞄路徑偵測(cè)一個(gè)曝光照射區(qū)的一部分的對(duì)位記號(hào)時(shí)，在鄰接此曝光照射區(qū)的該部分的另一部份的光阻層也會(huì)沿著此掃瞄路徑被曝光，換言之，在對(duì)鄰接此曝光照射區(qū) 102的該部分的另一部份的光阻層進(jìn)行曝光時(shí)，在此曝光照射區(qū)102的該部分正進(jìn)行預(yù)對(duì)位(pre-alignment)的動(dòng)作。此外，在一個(gè)曝光照射區(qū)102內(nèi)偵測(cè)對(duì)位記號(hào)106以及對(duì)光阻層進(jìn)行曝光都是在單一的晶圓平臺(tái)206上同時(shí)進(jìn)行的。圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法的流程圖400，此動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法可以在圖1所示的曝光掃瞄系統(tǒng)200中進(jìn)行。在步驟402 中，提供晶圓100，如圖2所示，此晶圓100具有多個(gè)曝光照射區(qū)102。如圖3所示，每個(gè)曝光照射區(qū)102具有多個(gè)芯片102，并且還具有形成于切割線108上的多個(gè)對(duì)位記號(hào)106。在步驟404中，在晶圓100上形成光阻層，例如可通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法形成光阻層。在步驟406中，如圖3所示，通過(guò)光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器209，沿著掃瞄路徑203對(duì)一個(gè)曝光照射區(qū)102的一部分的一個(gè)以上的對(duì)位記號(hào)106進(jìn)行偵測(cè)，得到此單一曝光照射區(qū)102的該部分的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值，此補(bǔ)償值包括晶圓偏移的補(bǔ)償值、 晶圓旋轉(zhuǎn)的補(bǔ)償值、晶圓傾斜的補(bǔ)償值或它們的組合。在一實(shí)施例中，選擇一個(gè)曝光照射區(qū) 102內(nèi)的一些對(duì)位記號(hào)106，這些對(duì)位記號(hào)106被光學(xué)感測(cè)設(shè)備204的對(duì)位記號(hào)傳感器209 偵測(cè)；在另一實(shí)施例中，一個(gè)曝光照射區(qū)102內(nèi)全部的對(duì)位記號(hào)106都會(huì)被光學(xué)感測(cè)設(shè)備 204的對(duì)位記號(hào)傳感器209偵測(cè)，以得到更完整的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值。然后，在步驟408，將此單一曝光照射區(qū)102的該部分的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值實(shí)時(shí)回饋至晶圓平臺(tái)206，同時(shí)，進(jìn)行步驟412，連續(xù)地偵測(cè)在此單一曝光照射區(qū)102的另一部份上的超過(guò)一個(gè)以上的對(duì)位記號(hào)106，此另一部份鄰接此單一曝光照射區(qū)102的該部分，而該部分已經(jīng)被光學(xué)感測(cè)設(shè)備204掃瞄過(guò)。在步驟410中，在將此單一曝光照射區(qū)102的該部分的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值實(shí)時(shí)地回饋至晶圓平臺(tái)206之后，在相同的晶圓平臺(tái)206上，使用曝光設(shè)備202沿著掃瞄路徑203 立即對(duì)此曝光照射區(qū)102的該部分的光阻層進(jìn)行曝光。在一個(gè)曝光照射區(qū)內(nèi)，沿著掃瞄路徑203，步驟406、408及410依序連續(xù)地重復(fù)執(zhí)行，直到在這一個(gè)曝光照射區(qū)內(nèi)的全部光阻層都被曝光。此外，在一個(gè)曝光照射區(qū)102內(nèi)，步驟406、408及410是同時(shí)執(zhí)行的。在步驟414，結(jié)束一個(gè)曝光照射區(qū)102的步驟406、408、410及412的執(zhí)行，直到晶圓100上全部曝光照射區(qū)102的光阻層都被曝光完畢。為了順應(yīng)新世代的電子產(chǎn)品，半導(dǎo)體組件的特征尺寸持續(xù)地越變?cè)叫?，并且晶圓的尺寸持續(xù)地越變?cè)酱?，因此，在晶圓上不同位置的曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位補(bǔ)償值也會(huì)不同。然而，在曝光掃瞄系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的晶圓對(duì)位方法是依據(jù)晶圓對(duì)位的平均補(bǔ)償值對(duì)晶圓上全部的曝光照射區(qū)的光阻層進(jìn)行曝光，因此，傳統(tǒng)的晶圓對(duì)位方法無(wú)法滿足特征尺寸較小的半導(dǎo)體組件的晶圓對(duì)位準(zhǔn)確度的要求。依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，在晶圓上的一個(gè)曝光照射區(qū)的光阻層是基于將此曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值實(shí)時(shí)回饋至晶圓平臺(tái)而進(jìn)行曝光的。由于此曝光照射區(qū)的光阻層是依據(jù)將此曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值實(shí)時(shí)回饋至晶圓平臺(tái)而進(jìn)行曝光的，因此，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，可以提升在曝光制程中晶圓上全部曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位的準(zhǔn)確度。另外，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，可以克服在一批(lot)晶圓中，晶圓與晶圓之間晶圓對(duì)位的精準(zhǔn)度的偏差，并且也可以克服在量產(chǎn)制程中，一批晶圓與一批晶圓之間晶圓對(duì)位的精準(zhǔn)度的偏差。
雖然本發(fā)明已公開(kāi)了上述的較佳實(shí)施例，但本發(fā)明并不限于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)本發(fā)明做變動(dòng)與改進(jìn)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中所述曝光掃瞄系統(tǒng)具有掃瞄路徑，包含曝光設(shè)備、光學(xué)感測(cè)設(shè)備以及晶圓平臺(tái)，所述方法包括以下步驟(a)提供晶圓，所述晶圓具有多個(gè)曝光照射區(qū)，其中每個(gè)曝光照射區(qū)上具有多個(gè)對(duì)位記號(hào)；(b)在所述晶圓上形成光阻層；(c)利用所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備，沿著所述掃瞄路徑，偵測(cè)位于一曝光照射區(qū)的一部份的所述對(duì)位記號(hào)，得到針對(duì)所述一曝光照射區(qū)的所述一部份的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值；(d)將所述一曝光照射區(qū)的所述一部份的晶圓對(duì)位的所述補(bǔ)償值實(shí)時(shí)回饋至所述晶圓平臺(tái)；(e)在實(shí)時(shí)地將所述一曝光照射區(qū)的所述部份的晶圓對(duì)位的所述補(bǔ)償值回饋至所述晶圓平臺(tái)之后，利用所述曝光設(shè)備，沿著所述掃瞄路徑，對(duì)位于所述一曝光照射區(qū)的所述一部份的所述光阻層進(jìn)行曝光；(f)在所述一曝光照射區(qū)，沿著所述掃瞄路徑連續(xù)地重復(fù)步驟(c)至(e)，直至位于所述一曝光照射區(qū)的全部的所述光阻層都被曝光；以及(g)重復(fù)步驟(f)，直至位于所述晶圓上全部的所述多個(gè)曝光照射區(qū)的所述光阻層都被曝光。
2.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中在所述一曝光照射區(qū)內(nèi)偵測(cè)所述對(duì)位記號(hào)，實(shí)時(shí)地將晶圓對(duì)位的所述補(bǔ)償值回饋至所述晶圓平臺(tái)，以及同時(shí)進(jìn)行對(duì)所述光阻層的曝光。
3.如權(quán)利要求2所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中沿著所述掃瞄路徑對(duì)位于一曝光照射區(qū)的一部份的所述對(duì)位記號(hào)進(jìn)行偵測(cè)時(shí)，同時(shí)沿著該掃瞄路徑對(duì)鄰接于所述曝光照射區(qū)的所述一部份的另一部份的所述光阻層進(jìn)行曝光。
4.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備具有多個(gè)對(duì)位記號(hào)傳感器。
5.如權(quán)利要求4所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中所述對(duì)位記號(hào)傳感器是依據(jù)所述對(duì)位記號(hào)的位置而設(shè)置的。
6.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中偵測(cè)用于晶圓對(duì)位的所述對(duì)位記號(hào)以及對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光是在相同的所述晶圓平臺(tái)上進(jìn)行的。
7.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中每個(gè)曝光照射區(qū)包括多個(gè)芯片，以及設(shè)置在任意兩個(gè)相鄰的所述芯片之間的切割線，其中所述對(duì)位記號(hào)設(shè)置在所述切割線上。
8.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中用于晶圓對(duì)位的所述補(bǔ)償值包括晶圓偏移的補(bǔ)償值、晶圓旋轉(zhuǎn)的補(bǔ)償值、晶圓傾斜的補(bǔ)償值或晶圓偏移的補(bǔ)償值、晶圓旋轉(zhuǎn)的補(bǔ)償值、晶圓傾斜的補(bǔ)償值的組合。
9.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中每個(gè)曝光照射區(qū)的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值都不同。
10.如權(quán)利要求1所述的在曝光掃瞄系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法，其中針對(duì)一個(gè)曝光照射區(qū)，所述曝光設(shè)備與所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備具有相同的所述掃瞄路徑。
11.一種用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，包括曝光設(shè)備；光學(xué)感測(cè)設(shè)備，具有多個(gè)對(duì)位記號(hào)傳感器，設(shè)置于所述曝光設(shè)備上；以及單一的晶圓平臺(tái)，設(shè)置于所述曝光設(shè)備下方，其中所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備偵測(cè)在晶圓上的多個(gè)對(duì)位記號(hào)，得到所述動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值，并且實(shí)時(shí)地將所述動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的所述補(bǔ)償值回饋至所述單一的晶圓平臺(tái)，在實(shí)時(shí)地將所述動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的所述補(bǔ)償值回饋至所述單一的晶圓平臺(tái)之后，所述曝光設(shè)備對(duì)所述晶圓上的光阻層進(jìn)行曝光。
12.如權(quán)利要求11所述的用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，其中所述對(duì)位記號(hào)傳感器是依據(jù)所述晶圓上的所述對(duì)位記號(hào)的位置而設(shè)置的。
13.如權(quán)利要求11所述的用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，其中所述曝光設(shè)備與所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備具有相同的掃瞄路徑。
14.如權(quán)利要求13所述的用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，其中所述曝光設(shè)備與所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備的操作是沿著所述相同的掃瞄路徑同時(shí)執(zhí)行的。
15.如權(quán)利要求11所述的用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，其中所述曝光設(shè)備與所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備的操作在所述單一的晶圓平臺(tái)上執(zhí)行。
16.如權(quán)利要求11所述的用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，其中所述光學(xué)感測(cè)設(shè)備的所述對(duì)位記號(hào)傳感器設(shè)置在所述曝光設(shè)備的兩個(gè)相反側(cè)上。
17.如權(quán)利要求11所述的用于動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位的曝光掃瞄系統(tǒng)，其中所述單一的晶圓平臺(tái)具有移動(dòng)路徑，所述移動(dòng)路徑與所述曝光設(shè)備的掃瞄路徑為相反方向。
全文摘要
本發(fā)明提供動(dòng)態(tài)晶圓對(duì)位方法及曝光掃瞄系統(tǒng)，曝光掃瞄系統(tǒng)包含曝光設(shè)備、光學(xué)感測(cè)設(shè)備以及晶圓平臺(tái)，并具有掃瞄路徑。此方法包含以下步驟(a)提供具有多個(gè)曝光照射區(qū)的晶圓，每個(gè)曝光照射區(qū)上具有多個(gè)對(duì)位記號(hào)；(b)在晶圓上形成光阻層；(c)利用光學(xué)感測(cè)設(shè)備沿著掃瞄路徑偵測(cè)位于曝光照射區(qū)的一部份的對(duì)位記號(hào)，得到曝光照射區(qū)的此部份的晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值；(d)將晶圓對(duì)位的補(bǔ)償值實(shí)時(shí)回饋至晶圓平臺(tái)；(e)沿著掃瞄路徑對(duì)曝光照射區(qū)的此部份的光阻層進(jìn)行曝光；(f)沿著掃瞄路徑連續(xù)地重復(fù)步驟(c)至(e)，直至曝光照射區(qū)的全部光阻層都被曝光；以及(g)重復(fù)步驟(f)，直至晶圓上全部曝光照射區(qū)的光阻層都被曝光。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102486995SQ20111008317
公開(kāi)日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者施江林, 邱垂福 申請(qǐng)人:南亞科技股份有限公司