專利名稱：蝕刻設(shè)備及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種工藝設(shè)備，特別是一種蝕刻設(shè)備及其控制方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示板的生產(chǎn)工藝中，有一道工序以蝕刻方式將板片表面無(wú)關(guān)乎線路的導(dǎo)電金屬或非金屬溶蝕，以保留線路部份，而目前所實(shí)行的，一般為濕蝕刻。濕蝕刻技術(shù)的原理是利用蝕刻液與欲蝕刻薄膜產(chǎn)生的化學(xué)反應(yīng)，首先蝕刻液內(nèi)的反應(yīng)物將利用擴(kuò)散效應(yīng)通過(guò)一層厚度相當(dāng)薄的邊界層，以到達(dá)被蝕刻薄膜的表面。在蝕刻工序后，則須以風(fēng)刀將殘留于板片上的蝕刻液予以吹除。由于是在濕式環(huán)境中作業(yè)，使得經(jīng)過(guò)蝕刻化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生蝕刻液的結(jié)晶會(huì)附著于風(fēng)刀的刀口上。因此，當(dāng)進(jìn)行送風(fēng)時(shí)，結(jié)晶會(huì)造成風(fēng)壓不均，易將板片表面導(dǎo)電金屬膜的光阻剔除，或是結(jié)晶完全堵塞風(fēng)刀的刀口，而降低清除殘留于板片的蝕刻液的清潔效果，進(jìn)而造成產(chǎn)品不良，亟待改善。因此，面對(duì)此風(fēng)刀口的結(jié)晶，通常必須定期予以清除，此項(xiàng)清除作業(yè)，一般為每周一次，且須停止蝕刻機(jī)，拆解風(fēng)刀，而清除后再裝上風(fēng)刀重新啟動(dòng)蝕刻機(jī)，其所須人力約2 至3人，而所花時(shí)間為4-5小時(shí)，因此，造成人力耗費(fèi)外，并影響產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種無(wú)須停機(jī)以人力清洗風(fēng)刀的蝕刻設(shè)備及其控制方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種蝕刻設(shè)備，包括蝕刻腔室、蝕刻液儲(chǔ)存槽、 清潔裝置以及導(dǎo)電度監(jiān)控裝置。清潔裝置具有風(fēng)刀、第一流體管路、液體泵以及第一閥門， 其中風(fēng)刀設(shè)置于蝕刻腔室內(nèi)，而第一流體管路的一端與風(fēng)刀連接并相通，另一端則與液體泵連通，此外，第一閥門設(shè)置于第一流體管路上。導(dǎo)電度監(jiān)控裝置，分別耦接第一閥門與蝕刻液儲(chǔ)存槽，用以監(jiān)控蝕刻液儲(chǔ)存槽內(nèi)的導(dǎo)電度及控制第一閥門的啟閉。藉此，若第一閥門開啟時(shí)，第一流體管路得以將液體泵的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室中設(shè)有風(fēng)刀之處，進(jìn)而清除風(fēng)刀上的結(jié)晶，無(wú)須停機(jī)以人力清洗風(fēng)刀。為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種蝕刻設(shè)備的控制方法，其中蝕刻設(shè)備包含一蝕刻腔室與一蝕刻液儲(chǔ)存槽，在執(zhí)行此控制方法時(shí)，可先檢測(cè)蝕刻液儲(chǔ)存槽中蝕刻液的導(dǎo)電度，當(dāng)導(dǎo)電度高于一預(yù)定上限值時(shí)，將一液體泵的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室中設(shè)有一風(fēng)刀之處，然后將流入蝕刻腔室中的液體導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽。藉此，當(dāng)蝕刻液儲(chǔ)存槽內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度過(guò)高時(shí)，液體泵的液體可先用來(lái)清洗風(fēng)刀，再流入蝕刻液儲(chǔ)存槽，以將低蝕刻液的濃度，達(dá)到一舉兩得的效果。本發(fā)明的技術(shù)效果在于本發(fā)明的第一閥門開啟時(shí)，第一流體管路得以將液體泵的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室中設(shè)有風(fēng)刀之處，進(jìn)而清除風(fēng)刀上的結(jié)晶，無(wú)須停機(jī)以人力清洗風(fēng)刀。另外，當(dāng)蝕刻液儲(chǔ)存槽內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度過(guò)高時(shí)，液體泵的液體可先用來(lái)清洗風(fēng)刀，再流入蝕刻液儲(chǔ)存槽，以將低蝕刻液的濃度，達(dá)到一舉兩得的效果。 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種蝕刻設(shè)備的示意圖；圖2是圖1的導(dǎo)電度監(jiān)控裝置的框圖；圖3是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種蝕刻設(shè)備的控制方法的流程圖<其中，附圖標(biāo)記100蝕刻設(shè)備120蝕刻液儲(chǔ)存槽131 風(fēng)刀133液體泵136第三閥門150流體導(dǎo)管162第二流體管路166第四閥門171控制閥173 幫浦183第四流體管路210檢測(cè)單元230導(dǎo)電度檢測(cè)單元250驅(qū)動(dòng)單元310-350 步驟
110蝕刻腔室 130清潔裝置 132第一流體管路 134第一閥門 140導(dǎo)電度監(jiān)控裝置 160蝕刻液補(bǔ)充泵 164第二閥門 170第三流體管路 172控制閥 182幫浦 184噴嘴 220主控制單元 240計(jì)時(shí)單元 260自動(dòng)切換單元
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，可參照附圖及以下所述各種實(shí)施例，圖中相同的號(hào)碼代表相同或相似的組件。另一方面，眾所周知的組件與步驟并未描述于實(shí)施例中，以避免對(duì)本發(fā)明造成不必要的限制。在實(shí)施方式與申請(qǐng)專利范圍中，除非內(nèi)文中對(duì)于冠詞有所特別限定，否則“一”與 “該”可泛指單一個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)。本文中所使用的“約”、“大約”或“大致”用以修飾任何可些微變化的數(shù)量，但這種些微變化并不會(huì)改變其本質(zhì)。于實(shí)施方式中若無(wú)特別說(shuō)明，則代表以“約”、“大約”或“大致”所修飾的數(shù)值的誤差范圍一般是容許在百分之二十以內(nèi)，較佳地是于百分之十以內(nèi)，而更佳地則是于百分之五以內(nèi)。請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種蝕刻設(shè)備100的示意圖。如圖1所示，蝕刻設(shè)備100包括蝕刻腔室110、蝕刻液儲(chǔ)存槽120與流體導(dǎo)管150，其中流體導(dǎo)管150 的一端與蝕刻腔室110連通，另一端則與蝕刻液儲(chǔ)存槽120連通。蝕刻液儲(chǔ)存槽120可儲(chǔ)存蝕刻液(如草酸水溶液、溴化氫水溶液、鹽酸與硝酸混合水溶液、或其它合適溶液或上述的組合)。為了將蝕刻液供應(yīng)給蝕刻腔室110進(jìn)行濕蝕刻工藝，蝕刻設(shè)備100可包括泵182、第四流體管路183以及噴嘴184，其中泵180與第四流體管路183結(jié)合，第四流體管路183的一端與蝕刻液儲(chǔ)存槽120連通，第四流體管路183的另一端則設(shè)有噴嘴184并配置于蝕刻腔室110內(nèi)。在使用時(shí)，泵182將蝕刻液儲(chǔ)存槽120 中的蝕刻液從第四流體管路183的一端抽出，再把蝕刻液經(jīng)由第四流體管路183另一端的噴嘴184噴灑于蝕刻腔室110內(nèi)，以便于執(zhí)行濕蝕刻工藝。在液晶顯示面板的濕蝕刻工藝中，以一屏蔽層覆蓋住基板上的透明導(dǎo)電層，例如氧化銦錫構(gòu)成的透明導(dǎo)電層，再將基板浸入蝕刻液中，以去除基板上未被屏蔽層覆蓋的透明導(dǎo)電層，并于基板上定義出畫素電極。蝕刻設(shè)備100也包括清潔裝置130，以清潔蝕刻腔室110。清潔裝置130具有風(fēng)刀 131、第一流體管路132、液體泵133、第一閥門134以及第三閥門136。在結(jié)構(gòu)上，風(fēng)刀131 設(shè)置于蝕刻腔室110內(nèi)，而第一流體管路132的一端與風(fēng)刀131連接并相通，第一流體管路 132的另一端則與液體泵133連通，此外，第一閥門134及第三閥門136設(shè)置于第一流體管路132上。在使用時(shí)，以風(fēng)刀131將殘留于基板上的蝕刻液予以吹除。舉例來(lái)說(shuō)，風(fēng)刀131具狹小的隙縫，該隙縫可為一直線，因此，在送風(fēng)時(shí)，風(fēng)壓會(huì)由該隙縫吹出，形成風(fēng)幕，而基板即可以垂直方向經(jīng)過(guò)風(fēng)刀131，以吹除殘液。然而，在濕蝕刻過(guò)程中，會(huì)因蝕刻液與透明導(dǎo)電層反應(yīng)的結(jié)晶，而附著于風(fēng)刀131 的刀口上。因此，于清潔裝置130中，若第一閥門134與第三閥門136開啟時(shí)，第一流體管路132得以將液體泵133的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室100中設(shè)有風(fēng)刀131處，進(jìn)而清除風(fēng)刀131 上的結(jié)晶。藉此，無(wú)須停機(jī)以人力清洗風(fēng)刀131。舉例來(lái)說(shuō)，蝕刻液可為草酸水溶液，但草酸與氧化銦錫反應(yīng)會(huì)生成草酸銦結(jié)晶 (In2(C204)3)，而噴濺于風(fēng)刀131，造成風(fēng)刀131阻塞。于是，以液體泵133的液體沖洗風(fēng)刀 131，由于草酸銦結(jié)晶遇水速溶，施以水液，則可使其溶解并自風(fēng)刀131的刀口脫離。有鑒于濕蝕刻為一化學(xué)反應(yīng)，故蝕刻液濃度對(duì)于反應(yīng)速率影響很大，濃度過(guò)高會(huì)造成蝕刻速率過(guò)快，進(jìn)而導(dǎo)致欲定義的圖案產(chǎn)生底切現(xiàn)象，影響后續(xù)工藝的成品率，且若蝕刻液的濃度不穩(wěn)定，則無(wú)法有效控制蝕刻反應(yīng)，將造成像素電極質(zhì)量不穩(wěn)定而影響成品率。因此，蝕刻設(shè)備100也包括導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140，通過(guò)監(jiān)測(cè)蝕刻液導(dǎo)電度大小可得知蝕刻液的濃度高低，若蝕刻液濃度愈高，則導(dǎo)電度相對(duì)愈高。導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140分別耦接第一閥門Π4與蝕刻液儲(chǔ)存槽120，用以監(jiān)控蝕刻液儲(chǔ)存槽120內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度及控制第一閥門134的啟閉。在本實(shí)施例中，第一閥門134為自動(dòng)閥，其受控于導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140，而第三閥門136可為手動(dòng)閥，此手動(dòng)閥通常保持開啟狀態(tài)。若第一閥門134故障、第一流體管路132 破裂或其它異常狀況發(fā)生時(shí)，才將第三閥門136關(guān)閉。若導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140監(jiān)測(cè)到導(dǎo)電度高于一預(yù)定上限值時(shí)，其可開啟第一閥門 134。于是第一流體管路132得以將液體泵133的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室110中設(shè)有風(fēng)刀131 之處，進(jìn)而清除風(fēng)刀131上的結(jié)晶，此結(jié)晶隨后雖然會(huì)流入蝕刻腔室110，但基本上不會(huì)影響工藝。接著，流體導(dǎo)管150將流入蝕刻腔室110中的液體導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽120。藉此， 當(dāng)蝕刻液儲(chǔ)存槽120內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度過(guò)高時(shí)，液體泵133的液體可先用來(lái)清洗風(fēng)刀131， 再流入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，以將低蝕刻液的濃度，達(dá)到一舉兩得的效果。
實(shí)踐中，上述的預(yù)定上限值可約為從68mS/cm至85mS/cm的范圍中的任一數(shù)值。倘若蝕刻液的導(dǎo)電度超過(guò)85mS/cm，則代表蝕刻液濃度過(guò)高，濃度過(guò)高會(huì)造成蝕刻速率過(guò)快， 從而導(dǎo)致基板上欲定義的圖案產(chǎn)生底切現(xiàn)象。另，蝕刻設(shè)備100可包括蝕刻液補(bǔ)充泵160、第二流體管路162、第二閥門164以及第四閥門166。第二流體管路162的一端與蝕刻液儲(chǔ)存槽120連通，第二流體管路162的另一端則與蝕刻液補(bǔ)充泵160連通。第二閥門164與第四閥門166設(shè)置于第二流體管路162 上，其中第二閥門164耦接導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140。在本實(shí)施例中，第二閥門164為自動(dòng)閥，其受控于導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140，而第四閥門166可為手動(dòng)閥，此手動(dòng)閥通常保持開啟狀態(tài)。假使第二閥門164故障、第二流體管路 162破裂或其它異常狀況發(fā)生時(shí)，才將第四閥門166關(guān)閉。若導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140監(jiān)測(cè)到導(dǎo)電度低于一預(yù)定下限值時(shí)，其可開啟第二閥門 164，且關(guān)閉第一閥門134。于是第二流體管路162得以將蝕刻液補(bǔ)充泵160的蝕刻液導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽120。藉此，當(dāng)蝕刻液儲(chǔ)存槽120內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度過(guò)低時(shí)，蝕刻液補(bǔ)充泵160 實(shí)時(shí)把新蝕刻液補(bǔ)入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，以將提高蝕刻液的濃度。實(shí)踐中，上述的預(yù)定下限值可約為從Mms/cm至55mS/cm的范圍中的任一數(shù)值。倘若蝕刻液的導(dǎo)電度超過(guò)陽(yáng)皿/皿，則代表蝕刻液濃度過(guò)低，濃度過(guò)低會(huì)造成蝕刻速率過(guò)慢， 從而拉長(zhǎng)工藝時(shí)間，甚至讓基板上欲定義的圖案難以形成。另外，蝕刻液溫度越高，蝕刻速率越快，在蝕刻時(shí)，倘若蝕刻液溫度不均勻，將容易造成基板各角落的線寬不同。為了避免這類狀況發(fā)生，蝕刻設(shè)備100可包括第三流體管路 170、控制閥171、控制閥172以及泵173。第三流體管路170的兩端均與蝕刻液儲(chǔ)存槽120 連通，控制閥171、172設(shè)置于第三流體管路170上，泵173與第三流體管路170結(jié)合。若控制閥171、172開啟時(shí)，泵173將蝕刻液儲(chǔ)存槽120中的蝕刻液從第三流體管路170的一端抽出，再把蝕刻液由第三流體管路170的另一端回流至蝕刻液儲(chǔ)存槽120，藉此攪動(dòng)蝕刻液儲(chǔ)存槽120的蝕刻液，使得蝕刻液溫度平均，此程序在本文中稱為“溫控小循環(huán)”。或者，在蝕刻設(shè)備100中，每隔一段時(shí)間，可由泵182將蝕刻液通過(guò)第四流體管路 183以及噴嘴184打進(jìn)蝕刻腔室110中，然后蝕刻液再通過(guò)流體導(dǎo)管150流回蝕刻液儲(chǔ)存槽 120本身，使得蝕刻液流經(jīng)的管路維持住預(yù)設(shè)的溫度，此程序在本文中稱為“溫控大循環(huán)”。請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2是導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140的框圖。如圖2所示，導(dǎo)電度監(jiān)控裝置140 包括檢測(cè)單元210、主控制單元220、導(dǎo)電度檢測(cè)單元230、計(jì)時(shí)單元M0、驅(qū)動(dòng)單元250以及自動(dòng)切換單元260。為了避免蝕刻液濃度過(guò)高，檢測(cè)單元210可檢測(cè)蝕刻液儲(chǔ)存槽120的蝕刻液的導(dǎo)電度，導(dǎo)電度檢測(cè)單元230可檢測(cè)導(dǎo)電度是否高于一預(yù)定上限值。當(dāng)導(dǎo)電度高于預(yù)定上限值時(shí)，主控制單元220可令計(jì)時(shí)單元240計(jì)算一液體補(bǔ)充時(shí)間，并產(chǎn)生一液體補(bǔ)充信號(hào)。驅(qū)動(dòng)單元250可基于液體補(bǔ)充時(shí)間及液體補(bǔ)充信號(hào)，驅(qū)動(dòng)自動(dòng)切換單元沈0，以使自動(dòng)切換單元260關(guān)閉第二閥門164以阻止蝕刻液補(bǔ)充泵160的蝕刻液流入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，并于液體補(bǔ)充時(shí)間中開啟第一閥門134以將液體泵133的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室110中設(shè)有風(fēng)刀 131 處。如此，預(yù)先估計(jì)一段以液體流經(jīng)風(fēng)刀131再補(bǔ)充入蝕刻液儲(chǔ)存槽120而得以讓蝕刻液濃度適中所需的適當(dāng)時(shí)間(即，液體補(bǔ)充時(shí)間)，再于此時(shí)間內(nèi)補(bǔ)充液體，以避免液體補(bǔ)充過(guò)多反而導(dǎo)致蝕刻液濃度過(guò)低的現(xiàn)象發(fā)生。另一方面，導(dǎo)電度檢測(cè)單元230可檢測(cè)導(dǎo)電度是否低于一預(yù)定下限值。當(dāng)導(dǎo)電度低于預(yù)定下限值時(shí)，主控制單元220可令計(jì)時(shí)單元240計(jì)算一蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間，并產(chǎn)生一蝕刻液補(bǔ)充信號(hào)，驅(qū)動(dòng)單元250可基于蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間及蝕刻液補(bǔ)充信號(hào)以驅(qū)動(dòng)自動(dòng)切換單元260，以使自動(dòng)切換單元260關(guān)閉第一閥門134以阻止液體泵133的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室 110中設(shè)有風(fēng)刀131處，并于蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間中開啟第二閥門164以將蝕刻液補(bǔ)充泵160的蝕刻液導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽120。如此，預(yù)先估計(jì)一段以蝕刻液補(bǔ)充入蝕刻液儲(chǔ)存槽120而得以讓蝕刻液濃度適中所需的適當(dāng)時(shí)間(即，蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間)，再于此時(shí)間內(nèi)補(bǔ)充蝕刻液，以避免蝕刻液補(bǔ)充過(guò)多反而導(dǎo)致蝕刻液濃度過(guò)高的現(xiàn)象發(fā)生。如上所述的檢測(cè)單元210、主控制單元220、導(dǎo)電度檢測(cè)單元230、計(jì)時(shí)單元M0、驅(qū)動(dòng)單元250以及自動(dòng)切換單元260等，其具體實(shí)施方式
可為軟件、硬件與/或固件。舉例來(lái)說(shuō)，若以執(zhí)行速度及精確性為首要考慮，則該等單元基本上可選用硬件與/或固件為主；若以設(shè)計(jì)彈性為首要考慮，則該等單元基本上可選用軟件為主；或者，該等單元可同時(shí)采用軟件、硬件及固件協(xié)同作業(yè)。應(yīng)了解到，以上所舉的這些例子并沒(méi)有所謂孰優(yōu)孰劣之分，也并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)視當(dāng)時(shí)需要，彈性選擇該等單元的具體實(shí)施方式
。另外，所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者當(dāng)可明白，上述各單元依其執(zhí)行的功能予以命名，僅為了讓本案的技術(shù)更加明顯易懂，并非用以限定該等單元。將各單元予以整合成同一單元或分拆成多個(gè)單元，或者將任一單元的功能更換到另一單元中執(zhí)行，均仍屬于本公開內(nèi)容的實(shí)施方式。請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種蝕刻設(shè)備的控制方法的流程圖。 如圖3所示，此控制方法包含步驟310-350 (應(yīng)了解到，在本實(shí)施例中所提及的步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實(shí)際需要調(diào)整其前后順序，甚至可同時(shí)或部分同時(shí)執(zhí)行)。于步驟310檢測(cè)蝕刻液儲(chǔ)存槽中蝕刻液的導(dǎo)電度是否高于一預(yù)定上限值或低于一預(yù)定下限值。當(dāng)導(dǎo)電度高于預(yù)定上限值時(shí)，于步驟330將一液體泵的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室中設(shè)有一風(fēng)刀處，接著將流入蝕刻腔中的液體導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽。藉此，當(dāng)蝕刻液儲(chǔ)存槽 120內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度過(guò)高時(shí)，液體泵133的液體可先用來(lái)清洗風(fēng)刀131，再流入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，以降低蝕刻液的濃度，達(dá)到一舉兩得的效果。再者，于步驟330中，當(dāng)導(dǎo)電度高于預(yù)定上限值時(shí)，計(jì)算一液體補(bǔ)充時(shí)間，于液體補(bǔ)充時(shí)間中將液體泵133的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室110中設(shè)有風(fēng)刀131處，并阻止蝕刻液補(bǔ)充泵160的蝕刻液流入蝕刻液儲(chǔ)存槽120。如此，預(yù)先估計(jì)一段以液體流經(jīng)風(fēng)刀131再補(bǔ)充入蝕刻液儲(chǔ)存槽120而得以讓蝕刻液濃度適中所需的適當(dāng)時(shí)間(即，液體補(bǔ)充時(shí)間)，再于此時(shí)間內(nèi)補(bǔ)充液體，以避免液體補(bǔ)充過(guò)多反而導(dǎo)致蝕刻液濃度過(guò)低的現(xiàn)象發(fā)生。另一方面，當(dāng)導(dǎo)電度低于預(yù)定下限值時(shí)，于步驟350將一蝕刻液補(bǔ)充泵的蝕刻液導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽。藉此，當(dāng)蝕刻液儲(chǔ)存槽120內(nèi)蝕刻液的導(dǎo)電度過(guò)低時(shí)，實(shí)時(shí)把新蝕刻液補(bǔ)入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，以將提高刻液的濃度。另外，在步驟350中，當(dāng)導(dǎo)電度低于預(yù)定下限值時(shí)，計(jì)算一蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間，于蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間中將蝕刻液補(bǔ)充泵160的蝕刻液導(dǎo)入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，并阻止液體泵133的液體導(dǎo)入至蝕刻腔室110中設(shè)有該風(fēng)刀131處。如此，預(yù)先估計(jì)一段以蝕刻液補(bǔ)充入蝕刻液儲(chǔ)存槽120，而得以讓蝕刻液濃度適中所需的適當(dāng)時(shí)間(即，蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間)，再于此時(shí)間內(nèi)補(bǔ)充蝕刻液，以避免蝕刻液補(bǔ)充過(guò)多反而導(dǎo)致蝕刻液濃度過(guò)高的現(xiàn)象發(fā)生。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻設(shè)備，其特征在于，包含 一蝕刻腔室；一蝕刻液儲(chǔ)存槽；一清潔裝置，具有一風(fēng)刀、一第一流體管路、一液體泵以及一第一閥門，其中該風(fēng)刀設(shè)置于該蝕刻腔室內(nèi)，而該第一流體管路的一端與該風(fēng)刀連接并相通，另一端則與該液體泵連通，此外，該第一閥門設(shè)置于該第一流體管路上；以及一導(dǎo)電度監(jiān)控裝置，分別耦接該第一閥門與該蝕刻液儲(chǔ)存槽，用以監(jiān)控該蝕刻液儲(chǔ)存槽內(nèi)的導(dǎo)電度及控制該第一閥門的啟閉。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，還包含一流體導(dǎo)管，其一端與該蝕刻腔室連通，另一端則與該蝕刻液儲(chǔ)存槽連通。
3.如權(quán)利要求2所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，還包含 一蝕刻液補(bǔ)充泵；一第二流體管路，其一端與該蝕刻液儲(chǔ)存槽連通，另一端則與該蝕刻液補(bǔ)充泵連通；以及一第二閥門，設(shè)置于該第二流體管路上，耦接該導(dǎo)電度監(jiān)控裝置。
4.如權(quán)利要求3所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該導(dǎo)電度監(jiān)控裝置包含 一計(jì)時(shí)單元；一自動(dòng)切換單元；一檢測(cè)單元，用以檢測(cè)該導(dǎo)電度；一導(dǎo)電度檢測(cè)單元，用以檢測(cè)該導(dǎo)電度是否高于一預(yù)定上限值或低于一預(yù)定下限值； 一主控制單元，用以控制該計(jì)時(shí)單元，并產(chǎn)生一補(bǔ)充信號(hào)，其中當(dāng)該導(dǎo)電度高于該預(yù)定上限值時(shí)，令該計(jì)時(shí)單元計(jì)算一液體補(bǔ)充時(shí)間，并產(chǎn)生一液體補(bǔ)充信號(hào)；而當(dāng)該導(dǎo)電度低于該預(yù)定下限值時(shí)，令該計(jì)時(shí)單元計(jì)算一蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間，并產(chǎn)生一蝕刻液補(bǔ)充信號(hào)；以及一驅(qū)動(dòng)單元，通過(guò)該主控制單元的該補(bǔ)充信號(hào)，用以驅(qū)動(dòng)該自動(dòng)切換單元，其中于該液體補(bǔ)充信號(hào)時(shí)，使該自動(dòng)切換單元關(guān)閉該第二閥門，并于該液體補(bǔ)充時(shí)間內(nèi)開啟該第一閥門；于該蝕刻液補(bǔ)充信號(hào)時(shí)，使該自動(dòng)切換單元關(guān)閉該第一閥門，并于該蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間內(nèi)開啟該第二閥門。
5.如權(quán)利要求4所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，當(dāng)該導(dǎo)電度介于該預(yù)定上限值與該預(yù)定下限值之間時(shí)，該自動(dòng)切換單元關(guān)閉該第一、第二閥門。
6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該預(yù)定下限值為55mS/cm，該預(yù)定上限值為 85ms/cm0
7.一種蝕刻設(shè)備的控制方法，其特征在于，該蝕刻設(shè)備包含一蝕刻腔室與一蝕刻液儲(chǔ)存槽，該控制方法包含a、檢測(cè)該蝕刻液儲(chǔ)存槽中蝕刻液的導(dǎo)電度；b、當(dāng)該導(dǎo)電度高于一預(yù)定上限值時(shí)，將一液體泵的液體導(dǎo)入至該蝕刻腔室中設(shè)有一風(fēng)刀之處；以及C、將流入該該蝕刻腔室中的液體導(dǎo)入該蝕刻液儲(chǔ)存槽。
8.如權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，還包含d、當(dāng)該導(dǎo)電度低于一預(yù)定下限值時(shí)，將一蝕刻液補(bǔ)充泵的蝕刻液導(dǎo)入該蝕刻液儲(chǔ)存槽。
9.如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于，步驟b包含 當(dāng)該導(dǎo)電度高于該預(yù)定上限值時(shí)，計(jì)算一液體補(bǔ)充時(shí)間；以及于該液體補(bǔ)充時(shí)間中將該液體泵的液體導(dǎo)入至該蝕刻腔室中設(shè)有該風(fēng)刀處，并阻止該蝕刻液補(bǔ)充泵的蝕刻液流入該蝕刻液儲(chǔ)存槽。
10.如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于，步驟d包含 當(dāng)該導(dǎo)電度低于該預(yù)定下限值時(shí)，計(jì)算一蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間；以及于該蝕刻液補(bǔ)充時(shí)間中將該蝕刻液補(bǔ)充泵的蝕刻液導(dǎo)入該蝕刻液儲(chǔ)存槽，并阻止該液體泵的液體導(dǎo)入至該蝕刻腔室中設(shè)有該風(fēng)刀之處。
全文摘要
一種蝕刻設(shè)備及其控制方法，該蝕刻設(shè)備包括蝕刻腔室、蝕刻液儲(chǔ)存槽、清潔裝置以及導(dǎo)電度監(jiān)控裝置。清潔裝置具有風(fēng)刀、第一流體管路、液體泵以及第一閥門，其中風(fēng)刀設(shè)置于蝕刻腔室內(nèi)，而第一流體管路的一端與風(fēng)刀連接并相通，另一端則與液體泵連通，此外，第一閥門設(shè)置于第一流體管路上。導(dǎo)電度監(jiān)控裝置分別耦接第一閥門與蝕刻液儲(chǔ)存槽，用以監(jiān)控蝕刻液儲(chǔ)存槽內(nèi)的導(dǎo)電度及控制第一閥門的啟閉。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102163543SQ201110009638
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者張金良, 林志忠, 黃柏文 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司