專利名稱：用于從載體中分離晶片的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于將晶片從載體中分離(Abl0esen)的根據(jù)權(quán)利要求1的一種裝置和根據(jù)權(quán)利要求14的一種方法。
背景技術(shù)：
晶片的背面減薄(Rueckduermen)在半導(dǎo)體工業(yè)中經(jīng)常是必需的，并且可機(jī)械地和/或化學(xué)地來實(shí)現(xiàn)。為了背面減薄，晶片通常暫時(shí)地固定在載體上，其中對(duì)于固定存在不同的方法。例如可使用薄片、玻璃基層或硅晶片作為載體材料。根據(jù)所使用的載體材料和所使用的在載體與晶片之間的連接層，已知用于溶解或破壞連接層的不同的方法，例如使用紫外光，激光光束、溫度效應(yīng)或溶劑。分離越來越作為最重要的工藝步驟中的一個(gè)示出，這是因?yàn)閹в袔爪?m的基層厚度的薄的基層(Substrate)在分離/取出時(shí)易于折斷或者由于對(duì)于分離的過程所必需的力而遭受損傷。此外，薄的基層幾乎不具有形狀穩(wěn)定性并且典型地?zé)o支撐材料地卷起。因此，在背面減薄的晶片的手動(dòng)操作期間，晶片的固定和支撐實(shí)際上是不可避免的。文件DE 10 2006 032 488 B4描述了一種用于借助于激光加熱連接材料的方法， 其中，連接材料的連接效果通過與此相聯(lián)系的溫度顯著升高到400至500°C來消除。因此， 雖然整個(gè)晶片堆的加熱的問題被解決(參見那里
)。但是，至少邊緣區(qū)域和由于晶片材料的良好的熱的傳導(dǎo)還有相鄰于邊緣區(qū)域的區(qū)域經(jīng)受了顯著的溫度升高。在此，所產(chǎn)生的溫度梯度也是成問題的。

發(fā)明內(nèi)容
由此，本發(fā)明的目的是說明一種裝置和一種方法，以便盡可能無損壞地將晶片從載體中解開。本目的通過權(quán)力要求1和14的特征來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中說明。在說明書、權(quán)力要求和/或附圖所說明的特征中的至少兩個(gè)的所有的組合也落在本發(fā)明的框架中。在所說明的值范圍中，處于所提到的邊界內(nèi)的值也應(yīng)公開為邊界值并且可以以任意的組合要求權(quán)利。本發(fā)明的構(gòu)思在于規(guī)定一種裝置，利用其能夠在溫度小于350°C的情況下進(jìn)行分離。已證實(shí)的是，處于350°C之上的溫度范圍對(duì)于晶片正好可能為有損害的。此外對(duì)于更高的溫度需要更多的能量，從而根據(jù)本發(fā)明的裝置需要更少的能量，以便從載體中解開晶片。相應(yīng)地，用于將晶片從通過連接層與晶片相連接的載體中分離的根據(jù)本發(fā)明的裝置通過以下特征來標(biāo)識(shí)-用于接收由載體和晶片構(gòu)成的載體晶片復(fù)合體的接收裝置，-用于解開載體與晶片之間的通過連接層設(shè)置的連接的解開連接器件 (Verbindungsloesemittel)禾口
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-用于從載體中分離晶片或者用于從晶片中分離載體的分離器件，其中，解開連接器件構(gòu)造成在0至350°C的、尤其在10至200°C的、優(yōu)選地20至 80°C的溫度范圍中、還更優(yōu)選地在環(huán)境溫度下工作。此外根據(jù)本發(fā)明設(shè)置有一種將晶片從通過連接層與晶片相連接的載體中分離的方法，其可具有以下步驟-在接收裝置上接收由載體和晶片構(gòu)成的載體晶片復(fù)合體，-通過解開連接器件解開載體與晶片之間的通過連接層設(shè)置的連接以及-通過分離器件從載體中分離晶片或者從晶片中分離載體，其中，解開連接器件在直至350°C的、尤其10至200°C的、優(yōu)選地20至80°C的溫度范圍中、還更優(yōu)選地在環(huán)境溫度下工作。對(duì)晶片理解為產(chǎn)品基層(Produktsubstrat)，例如半導(dǎo)體晶片，其通常變薄到在 0. 5 μ m與250 μ m之間的厚度，其中，趨勢(shì)為產(chǎn)品基層越來越薄。作為載體，例如應(yīng)用帶有在50μπι與5000μπι之間的厚度的載體基層。粘膠、例如可松開的粘膠、尤其熱塑性塑料可以考慮作為連接層，其例如選擇性地被施加在載體晶片復(fù)合體的邊緣區(qū)域中、尤其在0. 1至20mm的邊緣區(qū)域中。替代地，粘膠可整個(gè)面地來施加，其中，中心的粘結(jié)力可通過降低粘附的層、例如聚氟物、優(yōu)選地特氟龍來降低。特別夾盤(Chuck)、尤其用于接收載體晶片復(fù)合體的旋轉(zhuǎn)夾盤適合作為接收裝置， 尤其借助于負(fù)壓，例如吸道(Saugbahn)、孔或吸盤(Saugnapf)。替代地，機(jī)械的接收部(例如通過側(cè)面的夾子)是可考慮的。上方的基層接收部(例如釋放夾盤(Release-chuck))可用作分離器件，優(yōu)選地通過負(fù)壓加載，例如吸道、孔或吸盤。在本發(fā)明的一個(gè)有利的實(shí)施形式中設(shè)置成，解開連接器件構(gòu)造成基本上不加熱地工作。以該方式能夠放棄每個(gè)加熱裝置。在本發(fā)明的另一有利的實(shí)施形式中設(shè)置成，解開連接器件包括用于解開連接層的流體介質(zhì)(Fluidmittel)，尤其選擇性地溶解連接層的溶劑。連接層的化學(xué)的溶解特別保護(hù)晶片并且對(duì)于相應(yīng)的材料選擇，溶解也可非常快速地實(shí)現(xiàn)，尤其當(dāng)僅晶片的邊緣區(qū)域設(shè)有連接層時(shí)，使得溶劑可從側(cè)面這里快速地作用。以該方式，可放棄在載體基層和/或產(chǎn)品基層中的打孔。在本發(fā)明的替代的實(shí)施形式中設(shè)置成，解開連接器件包括用于解開連接層的機(jī)械的分開器件(Trermmittel)，尤其用于切開連接層的刀具。由此，晶片從載體中特別快速的分離是可能的。也可考慮機(jī)械的分離器件與流體介質(zhì)的組合。在本發(fā)明的另一替代的實(shí)施形式中設(shè)置成，解開連接器件包括用于解開連接層的紫外光源。該實(shí)施形式也可與帶有機(jī)械的分開器件的實(shí)施形式和/或帶有流體介質(zhì)的實(shí)施形式相組合。只要解開連接器件構(gòu)造成尤其僅從載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣作用，則可放棄從晶片的上側(cè)和/或下側(cè)、尤其位于側(cè)緣內(nèi)的內(nèi)部區(qū)域作用晶片和/或載體。通過設(shè)置有用于旋轉(zhuǎn)載體晶片復(fù)合體的旋轉(zhuǎn)裝置，可放棄解開連接器件布置在載體晶片復(fù)合體的整個(gè)周邊上，并且在載體晶片復(fù)合體的周邊處的部分的作用是足夠的。
有利地，解開連接器件具有至少一個(gè)包圍側(cè)緣的、尤其在接收裝置和/或分離器件處優(yōu)選地密封地作用的解開裝置(Loeseeinrichtimg)。通過使解開裝置包圍載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣，特別有效的作用于連接層是可能的。此外，解開裝置用于晶片的保護(hù)、尤其側(cè)緣的保護(hù)。此外可通過包圍的措施阻止流體介質(zhì)從解開裝置離開或紫外光強(qiáng)度損失。在應(yīng)用機(jī)械的分開器件時(shí)避免可能的污物從解開裝置離開并且污染晶片。解開裝置在有利的設(shè)計(jì)方案中在橫截面中構(gòu)造成U形。只要解開連接器件、尤其解開裝置具有優(yōu)選地對(duì)環(huán)境密封的工作腔，則上面提到的優(yōu)點(diǎn)還被更好地轉(zhuǎn)化，尤其在使用流體介質(zhì)時(shí)。在本發(fā)明的另一有利的設(shè)計(jì)方案中設(shè)置成，工作腔構(gòu)造成接收載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣的周圍部分⑴mfangssektor)。有利地，工作腔僅些微地在載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣上向晶片中心的方向伸延，尤其直至在載體側(cè)上的接收方向并且直至在晶片側(cè)上的分離器件。有利地，分離器件可旋轉(zhuǎn)地構(gòu)造，尤其借助于可旋轉(zhuǎn)的接收裝置來驅(qū)動(dòng)。只要解開連接器件具有用于清潔晶片的清潔劑，則在分離晶片的同時(shí)可至少在作用有連接層的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)晶片的清潔。根據(jù)本發(fā)明的方法由此被改進(jìn)，即連接層在載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣的區(qū)域中粘附地并且在尤其由聚氟物形成的、優(yōu)選地僅接觸晶片的內(nèi)部區(qū)域中至少在晶片的方向上更少粘附地直至不粘附地來構(gòu)造。


從優(yōu)選的實(shí)施例的下面的說明以及借助于附圖得到本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)、特征和細(xì)節(jié)；其中圖1顯示了在根據(jù)本發(fā)明的第一方法步驟中的根據(jù)本發(fā)明的裝置的示意圖，圖2顯示了在根據(jù)本發(fā)明的第二方法步驟中的根據(jù)本發(fā)明的裝置的示意圖，圖3a、3b、3c顯示了在根據(jù)本發(fā)明的第二方法步驟中的根據(jù)本發(fā)明的解開裝置的示意性的詳細(xì)視圖，圖4顯示了在根據(jù)本發(fā)明的第三方法步驟中的根據(jù)本發(fā)明的解開裝置的示意性的詳細(xì)視圖，圖5顯示了在用于清潔根據(jù)本發(fā)明的載體的清潔步驟中的根據(jù)本發(fā)明的裝置的示意圖以及圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的裝置在另一替代的實(shí)施形式中的示意圖。
具體實(shí)施例方式在附圖中，相同的部件和帶有相同的功能的部件以相同的附圖標(biāo)記表示。在圖1中大致在中心示出了至少由晶片4和載體1構(gòu)成的載體晶片復(fù)合體21，其被接收在接收裝置6、尤其夾盤上，即在通過接收裝置形成的水平的接收平面A中。載體晶片復(fù)合體21也可旋轉(zhuǎn)180°C放置在接收裝置6上，即其中載體1向下而晶片4向上。載體晶片復(fù)合體21的輸送通過未示出的機(jī)器人臂來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)一個(gè)特別有利的實(shí)施形式，接收裝置6或器具相對(duì)于水平線示出，使得接收平面A不再水平地布置，而是具有相對(duì)于水平線的傾斜角，其為5°與90°之間、尤其25° 至90°、優(yōu)選地45°至90°、還更優(yōu)選地剛好90°。載體晶片復(fù)合體21當(dāng)前進(jìn)一步由連接層3以及集成到連接層3中的降低粘附的層2構(gòu)成，層2在載體1的方向上布置在載體晶片復(fù)合體21的內(nèi)部區(qū)域22中。在內(nèi)部區(qū)域22之外，連接層3在載體晶片復(fù)合體21的側(cè)緣23處高出降低粘附的層2。因此，側(cè)緣 23為環(huán)形的截段，并且它從載體晶片復(fù)合體21的或載體1的外輪廓延伸至載體晶片復(fù)合體 21的中心，即在0. Imm至20mm的寬度中。晶片4典型地具有300mm的直徑。晶片4在輸送至根據(jù)本發(fā)明的裝置之前通常經(jīng)受了其它的處理步驟，例如背面減薄到0. 5 μ m直至250 μ m的厚度。載體晶片復(fù)合體21超出接收裝置6至少以側(cè)緣23。接收裝置6相應(yīng)地具有比載體晶片復(fù)合體21或晶片4和/或載體1更小的直徑。載體晶片復(fù)合體21借助于負(fù)壓以已知的方式固定在接收裝置6上，其中，接收裝置6可通過驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5和將接收裝置6與驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5連接的驅(qū)動(dòng)軸5w來旋轉(zhuǎn)。驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5和驅(qū)動(dòng)軸5w可設(shè)計(jì)為帶有真空供給的空心軸，以便可以以有利的方式將真空供給聯(lián)接在可旋轉(zhuǎn)的接收裝置6處。載體晶片復(fù)合體21安置在作業(yè)腔7中，其中，驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5布置在作業(yè)腔7之外，而驅(qū)動(dòng)軸5w構(gòu)造成貫穿布置在作業(yè)腔的底部M中的開口。此外在底部M中設(shè)置有排出口 8。在載體晶片復(fù)合體21側(cè)面設(shè)置有解開裝置16，其在載體晶片復(fù)合體21的周邊的一部分上延伸。解開裝置16在橫截面中構(gòu)造成U形，并且解開裝置的支腳25、26以及解開裝置16的側(cè)壁27包圍了工作腔觀，其構(gòu)造成朝向載體晶片復(fù)合體21打開。解開裝置在載體晶片復(fù)合體21的圓環(huán)段上延伸，并且支腳25J6在圖2所示出的解開位置中超出側(cè)緣 23，其對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的方法的第二方法步驟。只要接收平面A是合適的，那么解開裝置可構(gòu)造成如淬火池(TauctAad)，這極其簡(jiǎn)化該裝置的手動(dòng)操作。解開裝置16通過突出到作業(yè)腔7中的L形的執(zhí)行器臂四借助于執(zhí)行器18可從解開位置移動(dòng)到根據(jù)圖1的起始位置中。在載體晶片復(fù)合體21的上方設(shè)置有用于從晶片4中分離載體1的分離器件，其中，分離器件具有晶片接收部9，這里為夾盤。晶片接收部9在晶片接收部執(zhí)行器臂30處可旋轉(zhuǎn)地支承在晶片接收部執(zhí)行器臂 30的晶片接收部支承15中。晶片接收部支承15構(gòu)造成軸向軸承和徑向軸承。晶片接收部支承15以及晶片接收部9以它的旋轉(zhuǎn)軸線齊平于驅(qū)動(dòng)軸5w或接收裝置6的旋轉(zhuǎn)軸線來布置。此外，分離器件具有集成到晶片接收部9中的彈性的吸盤14，其在這里構(gòu)造成波紋管(Balg)。吸盤14聯(lián)接到壓力管路10處，其再次與真空裝置連接。由此載體1在吸盤 14的區(qū)域中可被吸到晶片接收部9處。此外，根據(jù)圖1的根據(jù)本發(fā)明的裝置具有通過溶劑執(zhí)行器臂31與溶劑執(zhí)行器20 相連接的用于在載體1從晶片4中分離后清潔晶片4的溶劑管路19。利用設(shè)置用于距離測(cè)量的傳感器13 (其被集成到晶片接收部9中)可測(cè)量載體1 從晶片4中的分離，即通過傳感器管路12。
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在接收載體晶片復(fù)合體21后，根據(jù)圖1晶片接收部9通過晶片接收部執(zhí)行器11 下降到載體1上，直到吸盤置于載體1上。接下來，通過壓力管路10真空被施加到吸盤上，這通過箭頭32示出。因此，晶片接收部9機(jī)械地與載體晶片復(fù)合體21以及接收裝置6相連接，使得通過驅(qū)動(dòng)馬達(dá)5可引起接收裝置6、晶片接收部9和處于它們之間的載體晶片復(fù)合體21的旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)通過旋轉(zhuǎn)箭頭33示出。替代地，旋轉(zhuǎn)不連續(xù)地、尤其通過以限定的在90°與360° 之間的角度的相互的擺動(dòng)運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)，其中，通過擺動(dòng)運(yùn)動(dòng)，載體晶片復(fù)合體21的周邊應(yīng)可由解開裝置16近似完全地掌握。對(duì)于連續(xù)旋轉(zhuǎn)，對(duì)于壓力管路10和傳感器管路12有優(yōu)點(diǎn)地設(shè)置有用于輸送至晶片接收部9的旋轉(zhuǎn)軸。接下來，解開裝置16通過解開裝置執(zhí)行器20被移動(dòng)到在圖2中所示出的解開位置中，其也在布置在圖2中上右部的放大截段中示出。接下來，通過流體管路17，溶劑34被導(dǎo)入到解開裝置16的工作腔28中，這里溶劑 34在側(cè)緣23的區(qū)域中與連接層3相接觸，并且導(dǎo)致了連接層3從這一側(cè)溶解。工作腔28可通過解開裝置16、尤其支腳25和沈利用其端面35和36作用到接收裝置6或晶片接收部9來對(duì)環(huán)境密封。而密封不是強(qiáng)制必需的，但是導(dǎo)致了溶劑34的節(jié)省。在側(cè)緣23的區(qū)域中連接層3的溶解的進(jìn)展在圖3a、!3b和最后3c中示出。在實(shí)現(xiàn)在圖3中所示的、連接層3的邊緣區(qū)域的近似完全地溶解直到降低粘附的層2時(shí)，晶片4通過構(gòu)造成波紋管的吸盤14從載體1中提起，這是因?yàn)榕c通過吸盤14作用的拉力相比，降低粘附的層2不施加足夠的粘合力。通過測(cè)量載體1至晶片接收部9的距離的傳感器13來確定，載體1從晶片4中分離(參見圖4)，使得可停止溶劑34輸送到工作腔觀中并且解開裝置16通過解開裝置執(zhí)行器20可被移動(dòng)到在圖5中示出的起始位置中。接下來，載體1通過晶片接收部執(zhí)行器11被向上提起，以便借助于溶劑管路19能夠清潔晶片4。通過晶片4的旋轉(zhuǎn)，通過溶劑管路19加料的溶劑37在晶片4清潔后被移除。接下來，晶片4可通過機(jī)器人臂輸送給其它的裝置和方法步驟，而根據(jù)本發(fā)明的裝置可裝載有新的載體晶片復(fù)合體21。在圖6中顯示了根據(jù)本發(fā)明的裝置的替代的實(shí)施形式，其合適于如上面原理上所描述地來處理施加在薄片38上的載體晶片復(fù)合體21。因?yàn)楸∑?8由薄膜框架39保持，薄膜框架39使在上面所描述的方式中側(cè)向地接近載體晶片復(fù)合體21變得困難。因此解開裝置16在根據(jù)圖6的實(shí)施形式中包括尤其無支撐的帶有出口 41的溶劑管路40，其布置在載體晶片復(fù)合體21的側(cè)緣23的區(qū)域中。在分離的方法步驟中，連接層3 在側(cè)緣23處可利用溶劑作用。為了將固定在薄片38和薄膜框架39處的晶片4分離，用于將晶片從載體中分離的分離器件除了晶片接收部9之外具有薄膜框架接收部42。薄膜框架接收部42布置在晶片接收部9與晶片接收部執(zhí)行器臂30之間，并且與貼靠在壓力管路10處的真空相連接。薄膜框架接收部42具有可吸住薄膜框架39的吸盤43，其布置在薄膜框架接收部42的周圍處。吸盤43的功能大致對(duì)應(yīng)于吸盤14的功能。在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施形式中，載體晶片復(fù)合體21包括第二載體，其在面對(duì)載體1的側(cè)面上通過第二連接層與晶片4類似地相連接。以該方式，晶片4例如通過在兩個(gè)連接層中設(shè)置不同的粘合劑和相應(yīng)不同的溶劑可被帶到或轉(zhuǎn)動(dòng)到另一載體上，而不必隔絕地手動(dòng)操作晶片4。晶片4總是由載體(或者由載體1或者由第二載體)支撐。
0082]附圖標(biāo)記清單0083]A接收平面0084]1載體0085]2降低粘附的層0086]3連接層0087]4曰tl· 日日/T0088]5驅(qū)動(dòng)馬達(dá)0089]5w驅(qū)動(dòng)軸0090]6接收裝置0091]7作業(yè)腔0092]8排出口0093]9晶片接收部0094]10壓力管路0095]11晶片接收部執(zhí)行器0096]12傳感器管路0097]13傳感器0098]14吸盤0099]15晶片接收部支承0100]16解開裝置0101]17流體管路0102]18執(zhí)行器0103]19溶劑管路0104]20溶劑執(zhí)行器0105]21載體晶片復(fù)合體0106]22內(nèi)部區(qū)域0107]23側(cè)緣0108]24底部0109]25支腳0110]26支腳0111]27側(cè)壁0112]28工作腔0113]29執(zhí)行器臂0114]30晶片接收部執(zhí)行器臂
31溶劑執(zhí)行器臂
32箭頭
33旋轉(zhuǎn)箭頭
34溶劑
35端面
36端面
37溶劑
38薄片
39薄膜框架
40溶劑管路
41出口
42薄膜框架接收部
43吸盤
權(quán)利要求
1.一種用于從通過連接層(3)與晶片(4)相連接的載體(1)分離所述晶片(4)的裝置，其帶有-用于接收由所述載體(1)和所述晶片(4)構(gòu)成的載體晶片復(fù)合體的接收裝置(6)，-用于將在載體(1)與晶片(4)之間的通過所述連接層(3)設(shè)置的連接解開的解開連接器件(16,17,18,29,34)和-用于從所述載體(1)中分離所述晶片(4)或者用于從所述晶片(4)中分離所述載體 (1)的分離器件(9，10，11，14，15，30)， 其特征在于，所述解開連接器件構(gòu)造成在0至350°C的、尤其10至200°C的、優(yōu)選地20至80°C的溫度范圍中、還更優(yōu)選地在環(huán)境溫度下工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件構(gòu)造成基本上不加熱地工作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件包括用于解開所述連接層(3)的流體介質(zhì)，尤其選擇性地溶解所述連接層的溶劑(34)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件包括用于解開所述連接層(3)的機(jī)械的分開器件、尤其用于切開所述連接層(3)的刀具。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件包括用于解開所述連接層(3)的紫外光源。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件構(gòu)造成尤其僅從所述載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣03)作用。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，設(shè)置有用于使所述載體晶片復(fù)合體旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)裝置(5，5w)。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件具有至少一個(gè)包圍所述側(cè)緣的、尤其優(yōu)選地密封地作用在所述接收裝置(6)和/或所述分離器件處的解開裝置(16)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件、尤其所述解開裝置(16)具有優(yōu)選地對(duì)環(huán)境密封的工作腔08)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述工作腔08)構(gòu)造成接收所述載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣的周圍部分。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述分離器件構(gòu)造成能夠旋轉(zhuǎn)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，粘合劑為熱塑性的粘膠。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置， 其特征在于，所述解開連接器件包括用于清潔所述晶片(4)的清潔劑。
14.一種從通過連接層與晶片相連接的載體中分離所述晶片的方法，其帶有以下步驟-在接收裝置上接收由所述載體和所述晶片構(gòu)成的所述載體晶片復(fù)合體， -通過解開連接器件解開載體與晶片之間的通過所述連接層設(shè)置的連接以及 -通過分離器件從所述載體中分離所述晶片或者從所述晶片中分離所述載體， 其特征在于，所述解開連接器件在直至350°C的、尤其10至200°C的、優(yōu)選地20至80°C的溫度范圍中、還更優(yōu)選地在環(huán)境溫度下工作。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法， 其特征在于，所述連接層在所述載體晶片復(fù)合體的側(cè)緣的區(qū)域中粘附地并且在尤其由聚氟物形成的、優(yōu)選地僅接觸所述晶片的內(nèi)部區(qū)域中至少在所述晶片的方向上更少粘附地直至不粘附地來構(gòu)造。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其利用根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的直ο
全文摘要
一種用于從通過連接層與晶片相連接的載體中分離晶片的裝置，其帶有用于接收由載體與晶片構(gòu)成的載體晶片復(fù)合體的接收裝置、用于解開載體與晶片之間的通過連接層設(shè)置的連接的解開連接器件和用于從載體中分離晶片或者從晶片中分離載體的分離器件，其中，解開連接器件構(gòu)造成在0至350℃的、尤其10至200℃的、優(yōu)選地20至80℃的溫度范圍中、還更優(yōu)選地在環(huán)境溫度下工作。此外本發(fā)明涉及一種用于從通過連接層與晶片相連接的載體中分離晶片的方法，其帶有以下步驟在接收裝置上接收由載體和晶片構(gòu)成的載體晶片復(fù)合體、通過解開連接器件解開載體與晶片之間的通過連接層設(shè)置的連接并且通過分離器件從載體中分離晶片或者從晶片中分離載體，其中，解開連接器件在直至350℃的、尤其10至200℃的、優(yōu)選地20至80℃的溫度范圍中、還更優(yōu)選地在環(huán)境溫度下工作。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102388431SQ201080013539
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者E·塔爾納 申請(qǐng)人:Ev集團(tuán)有限責(zé)任公司