專利名稱：45kv單芯電纜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及到一種電纜，尤其涉及一種單芯電纜。
技術背景
普通的單芯電纜的電壓等級一般為35KV，現(xiàn)有的35KV單芯電纜的結構包括 導體，設置在導體外側的導體屏蔽層，設置在導體屏蔽層外側絕緣層，設置在絕緣層外 側的銅絲屏蔽層，設置在銅絲屏蔽層外側的銅帶屏蔽層和設置在銅帶屏蔽層外側的外護 層。上述35KV單芯電纜傳輸容量較小，傳輸距離較近，電纜的優(yōu)質品率不高。發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種電纜的優(yōu)質品率高的45KV單芯電纜。
為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是45KV單芯電纜，包括 導體，設置在導體外側的導體屏蔽層，設置在導體屏蔽層外側的絕緣層，設置在絕緣層 外側的銅絲屏蔽層，設置在銅絲屏蔽層外側的銅帶屏蔽層和設置在銅帶屏蔽層外側的外 護層，在所述絕緣層的外側還設置有絕緣屏蔽層，絕緣屏蔽層是由若干相互間隔均勻設 置在絕緣層外側的絕緣屏蔽條組成，銅絲屏蔽層的銅絲均勻地疏繞在絕緣屏蔽條上。
本發(fā)明的優(yōu)點是上述45KV單芯電纜比普通的35KV單芯電力電纜傳輸容量 大，傳輸距離遠。使在屏蔽過程中銅絲確保疏繞，不發(fā)生位移，不至于嵌入絕緣層，從 而確保了產品的金屬屏蔽效果，提高了電纜的優(yōu)質品率，延長了電纜的使用壽命。


圖1為本發(fā)明45KV單芯電纜的結構示意圖。
圖2為本發(fā)明45KV單芯電纜銅絲與絕緣屏蔽條纏繞的俯視結構示意圖。
圖中1、導體，2、導體屏蔽層，3、絕緣層，4、銅絲屏蔽層，41、銅絲，5、 銅帶屏蔽層，6、外護層，7、絕緣屏蔽層，71、絕緣屏蔽條。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例詳細描述一下本發(fā)明的具體內容。
如圖1、圖2所示，45KV單芯電纜，包括導體1，設置在導體1外側的導體 屏蔽層2，設置在導體屏蔽層2外側的絕緣層3，設置在絕緣層3外側的銅絲屏蔽層4，設 置在銅絲屏蔽層4外側的銅帶屏蔽層5和設置在銅帶屏蔽層5外側的外護層6，在所述絕 緣層2的外側還設置有絕緣屏蔽層7，絕緣屏蔽層7是由若干相互間隔均勻設置在絕緣層 2外側的絕緣屏蔽條71組成，銅絲屏蔽層4的銅絲41均勻地疏繞在絕緣屏蔽條71上。
上述45KV單芯電纜比普通的35KV單芯電力電纜傳輸容量大，傳輸距離遠。使 在屏蔽過程中銅絲41確保疏繞，不發(fā)生位移，不至于嵌入絕緣層3，從而確保了產品的金屬屏蔽效果，提高了電纜的優(yōu)質品率，延長了電纜的使用壽命。
上述實施例僅供說明本發(fā)明之用，而并非是對本發(fā)明的限制，有關技術領域的 普通技術人員，在不脫離本發(fā)明精神和保護范圍的情況下，還可以作出各種變化和變 型，因此所有等同的技術方案也應屬于本發(fā)明的保護范疇。
權利要求
1.45KV單芯電纜，包括導體(1)，設置在導體(1)外側的導體屏蔽層(2)，設置在 導體屏蔽層(2)外側的絕緣層(3)，設置在絕緣層(3)外側的銅絲屏蔽層(4)，設置在銅 絲屏蔽層(4)外側的銅帶屏蔽層(5)和設置在銅帶屏蔽層(5)外側的外護層(6)，其特征 在于在所述絕緣層(2)的外側還設置有絕緣屏蔽層(7)，絕緣屏蔽層(7)是由若干相互 間隔均勻設置在絕緣層⑵外側的絕緣屏蔽條(71)組成，銅絲屏蔽層⑷的銅絲(41)均 勻地疏繞在絕緣屏蔽條(71)上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電纜的優(yōu)質品率高的45KV單芯電纜，包括導體，設置在導體外側的導體屏蔽層，設置在導體屏蔽層外側的絕緣層，設置在絕緣層外側的銅絲屏蔽層，設置在銅絲屏蔽層外側的銅帶屏蔽層和設置在銅帶屏蔽層外側的外護層，在所述絕緣層的外側還設置有絕緣屏蔽層，絕緣屏蔽層是由若干相互間隔均勻設置在絕緣層外側的絕緣屏蔽條組成，銅絲屏蔽層的銅絲均勻地疏繞在絕緣屏蔽條上。其優(yōu)點是上述45KV單芯電纜比普通的35KV單芯電力電纜傳輸容量大，傳輸距離遠。使在屏蔽過程中銅絲確保疏繞，不發(fā)生位移，不至于嵌入絕緣層，從而確保了產品的金屬屏蔽效果，提高了電纜的優(yōu)質品率，延長了電纜的使用壽命。
文檔編號H01B9/02GK102024521SQ20101056860
公開日2011年4月20日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權日2010年12月1日
發(fā)明者張劍, 張玉華, 徐貴紅, 王乃斌, 王乃江, 王曉華, 顧新亞 申請人:江蘇亞特電纜有限公司