專利名稱：網(wǎng)狀透明電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電極的制作方法，尤其涉及一種網(wǎng)狀透明電極的制作方法。
背景技術(shù)：
為達(dá)到改善電流傳輸?shù)哪康?，需要在LED電極下方制作電流擴(kuò)展層，目的是使電流分散到電極之外。通常用透明導(dǎo)電的氧化銦錫薄膜做電流擴(kuò)展層，用電子束蒸鍍的方法做在芯片上表面。同時，為了保護(hù)LED芯片，通常在LED芯片表面沉積Si02薄膜。在LED外延生長的過程中，由于GaN材料和襯底藍(lán)寶石有較大的晶格適配率和較大的熱膨脹系數(shù)差異，在外延片生長完成后，在LED外延片內(nèi)部有較大的殘余應(yīng)力。由于 LED外延片內(nèi)部有較大的殘余應(yīng)力的存在，導(dǎo)致制程后續(xù)沉積的薄膜材料比如透明電極層 ITO和LED保護(hù)層Si02等容易脫落，影響LED芯片的電學(xué)性能，光學(xué)性能，以及可靠性等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種網(wǎng)狀透明電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)
網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于包括以下步驟步驟①，在LED外延生長的過程中，對GaN材料進(jìn)行沉積。步驟②，在LED外延生長完成后，進(jìn)行透明電極層的沉積。步驟 ③，將沉積透明電極層制作成網(wǎng)格狀層，所述的網(wǎng)格狀層構(gòu)成電流擴(kuò)展層和應(yīng)力緩沖層。上述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其中所述的透明電極層為高介電常數(shù)透明電極層。進(jìn)一步地，所述的高介電常數(shù)透明電極層的折射系數(shù)大于1. 5。進(jìn)一步地，所述的高介電常數(shù)透明電極層為ZnO層或ZrO層。進(jìn)一步地，所述網(wǎng)格狀層的網(wǎng)格單元面積大小均等。進(jìn)一步地，所述的網(wǎng)格寬度為IOOnm至500nm。進(jìn)一步地，所述的透明電極層的厚度為200nm至400nm。進(jìn)一步地，在所述的網(wǎng)狀透明電極在LED的P型區(qū)域和/或N型區(qū)域上制作。進(jìn)一步地，步驟③通過掩膜方式制造。進(jìn)一步地，所述的掩膜包括軟掩膜和硬掩膜。本發(fā)明技術(shù)方案的優(yōu)點主要體現(xiàn)在通過網(wǎng)格狀的高介電常數(shù)透明電極層的存在，令其作為電流擴(kuò)展層和應(yīng)力緩沖層。由此，不僅僅提高了出光效率，還同時提高了器件的可靠性。更為重要的是，本發(fā)明能夠消除日后于LED外延片內(nèi)部所存在的較大的殘余應(yīng)力，避免LED保護(hù)層的脫落，提升了 LED的整體質(zhì)量。


本發(fā)明的目的、優(yōu)點和特點，將通過下面優(yōu)選實施例的非限制性說明進(jìn)行圖示和解釋。這些實施例僅是應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案的典型范例，凡采取等同替換或者等效變換而形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。這些附圖當(dāng)中， 圖1是本發(fā)明網(wǎng)格狀層的構(gòu)造示意圖。
具體實施例方式網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特別之處在于包括以下步驟首先，在LED外延生長的過程中，對GaN材料進(jìn)行沉積。接著，當(dāng)LED外延生長完成后，在LED的P型區(qū)域進(jìn)行透明電極層的沉積。透明電極層的厚度為300nm，在透明電極層外表面通過沉積的方法設(shè)置M 掩膜，對M掩膜進(jìn)行退火，形成網(wǎng)格狀M掩膜，利用剩余的M掩膜遮擋透明電極層，對透明電極層外表面進(jìn)行蝕刻，然后，將沉積后的透明電極層制作成網(wǎng)格狀層，即如圖1所示。 由此，令網(wǎng)格狀層構(gòu)成電流擴(kuò)展層和應(yīng)力緩沖層。本實施例中使用M掩膜將透明電極層制作成網(wǎng)格狀層，當(dāng)然也可以采用其他掩膜，掩膜包括軟掩膜和硬掩膜。軟掩膜比如光阻掩膜，硬掩膜包括Si02掩膜，SiN掩膜寸。就本發(fā)明一較佳的實施方式來看，為了提升LED芯片的電學(xué)性能，本發(fā)明所采用的透明電極層為高介電常數(shù)透明電極層。高介電常數(shù)透明電極層的折射系數(shù)為1.7。只要是折射系數(shù)大于1. 5的高介電常數(shù)透明電極層均可應(yīng)用于本發(fā)明。進(jìn)一步來看，為了令網(wǎng)狀透明電極擁有較好的出光效率，提高器件的整體可靠性， 本發(fā)明在制造過程中采用的高介電常數(shù)透明電極層為SiO層。當(dāng)然，考慮到適應(yīng)不同的LED 制造需求，所采用的高介電常數(shù)透明電極層亦可以為ZrO層。再者，考慮到制造中沉積的均勻程度得到保證，網(wǎng)格狀層的網(wǎng)格單元面積大小均等，其中每個網(wǎng)格寬度為200nm。通過上述的文字表述并結(jié)合附圖可以看出，采用本發(fā)明后，通過網(wǎng)格狀的高介電常數(shù)透明電極層的存在，令其作為電流擴(kuò)展層和應(yīng)力緩沖層。由此，不僅僅提高了出光效率，還同時提高了器件的可靠性。更為重要的是，本發(fā)明能夠消除日后于LED外延片內(nèi)部所存在的較大的殘余應(yīng)力，避免LED保護(hù)層的脫落，提升了 LED的整體質(zhì)量。通過上述實施方式，不難看出本發(fā)明是一種提高了出光效率、提高器件的可靠性的網(wǎng)狀透明電極的制作方法。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾均涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于包括以下步驟步驟①，在LED外延生長的過程中，對GaN材料進(jìn)行沉積；步驟②，在LED外延生長完成后，進(jìn)行透明電極層的沉積；步驟③，將沉積透明電極層制作成網(wǎng)格狀層，所述的網(wǎng)格狀層構(gòu)成電流擴(kuò)展層和應(yīng)力緩沖層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述的透明電極層為高介電常數(shù)透明電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述的高介電常數(shù)透明電極層的折射系數(shù)大于1. 5。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述的高介電常數(shù)透明電極層為ZnO層或ZrO層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述網(wǎng)格狀層的網(wǎng)格單元面積大小均等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述的網(wǎng)格寬度為 IOOnm 至 500nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述的透明電極層的厚度為200nm至400nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于在所述的網(wǎng)狀透明電極在LED的P型區(qū)域和/或N型區(qū)域上制作。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于步驟③通過掩膜方法制造。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特征在于所述的掩膜包括軟掩膜和硬掩膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種網(wǎng)狀透明電極的制作方法，其特點是包括以下步驟首先，在LED外延生長的過程中，對GaN材料進(jìn)行沉積。接著，當(dāng)LED外延生長完成后，進(jìn)行透明電極層的沉積。然后，將沉積后的透明電極層制作成網(wǎng)格狀層。通過網(wǎng)格狀的高介電常數(shù)透明電極層的存在，令其作為電流擴(kuò)展層和應(yīng)力緩沖層。由此，不僅僅提高了出光效率，還同時提高了器件的可靠性。更為重要的是，本發(fā)明能夠消除日后于LED外延片內(nèi)部所存在的較大的殘余應(yīng)力，避免LED保護(hù)層的脫落，提升了LED的整體質(zhì)量。
文檔編號H01L33/38GK102468378SQ201010554510
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者孫智江 申請人:孫智江