專利名稱：多層印刷電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種多層印刷電路板；提議一種關(guān)于即使是安裝了高頻的IC芯片、 特別在3GHz或3GHz以上的高頻區(qū)域的IC芯片也不發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等而能夠提高電 特性或可靠性的多層印刷電路板。
背景技術(shù)：
在構(gòu)成IC芯片用的封裝的積層(build-up)式的多層印刷電路板，在形成通孔的 芯基板的兩面或單面，形成層間絕緣樹脂，通過激光或光蝕刻而對(duì)于層間導(dǎo)通用的層間導(dǎo) 通用孔，來進(jìn)行開口，形成層間樹脂絕緣層。在該層間導(dǎo)通用孔內(nèi)壁和層間樹脂絕緣層上， 通過電鍍等而形成導(dǎo)體層，經(jīng)過蝕刻等形成圖案，制作出導(dǎo)體電路。此外，通過反復(fù)地形成 層間絕緣層和導(dǎo)體層而得到積層式多層印刷電路板。配合于需要，通過在表層，形成錫鉛凸 塊、外部端子(PGA/BGA等)，而成為能夠安裝IC芯片的基板或封裝基板。IC芯片是通過進(jìn) 行C4(覆晶)安裝而進(jìn)行IC芯片和基板間的電連接。作為積層式(build-up)式多層印刷電路板的先前技術(shù)是有日本特開平6-260756 號(hào)公報(bào)、日本特開平6-275959號(hào)公報(bào)等。它們都在用填充樹脂來填充了通孔的芯基板上形 成連接盤(land)，在其兩面上形成具有層間導(dǎo)通用孔的層間絕緣層，通過添加法而施行導(dǎo) 體層，通過連接于連接盤而得到形成高密度化、微細(xì)配線的多層印刷電路板。但是，隨著IC芯片高頻化，其錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤的發(fā)生頻率變高。特別是在頻率超 過3GHz時(shí)，其程度增大。在超過5GHz時(shí)，有時(shí)會(huì)完全無法動(dòng)作。因此，在具備將該IC芯片 作為CPU的電腦，不能進(jìn)行應(yīng)該發(fā)揮功能的動(dòng)作、例如圖像識(shí)別、開關(guān)切換、向外部傳送數(shù) 據(jù)等的所要求的功能或動(dòng)作。在分別對(duì)這些IC芯片、基板進(jìn)行無損檢查或分解時(shí)，在IC芯片、基板本身不發(fā)生 短路或開路等問題，在安裝頻率小(特別是不到IGHz)的IC芯片時(shí)，不發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤。本發(fā)明人為了解決上述課題，提出如日本特愿2002-233775號(hào)中所記載的、使芯 基板上的導(dǎo)體層的厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度。但是，在上述發(fā)明中，在制作具 有微細(xì)配線圖案的芯基板時(shí)，使得配線圖案間的絕緣間隔變窄，成為絕緣可靠性差的印刷 電路板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的，其目的在于提出一種可以構(gòu)成高頻區(qū)域的 IC芯片、特別是即使超過3GHz也不發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤的印刷基板或封裝基板的多層印 刷電路板。
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此外，其目的是提供一種絕緣可靠性和連接可靠性高的多層印刷電路板。本發(fā)明人為實(shí)現(xiàn)上述目的而全心地進(jìn)行了研究，其結(jié)果想到以以下所示內(nèi)容為要 旨構(gòu)成的發(fā)明。艮口，本發(fā)明的第1技術(shù)方案的一種多層印刷電路板，在芯基板上形成層間絕緣層和導(dǎo) 體層，通過層間導(dǎo)通用孔被進(jìn)行電連接，其特征在于，芯基板的導(dǎo)體層的厚度大于層間絕緣 層上的導(dǎo)體層的厚度，所述芯基板上的導(dǎo)體層的側(cè)面成為錐形狀，設(shè)連結(jié)該導(dǎo)體層的側(cè)面 的上端和下端的直線與芯基板的水平面間的夾角度為θ時(shí)，所述θ滿足2.8<tan <55 的關(guān)系式。本發(fā)明的第2技術(shù)方案是一種多層印刷電路板，在芯基板上形成層間絕緣層和導(dǎo) 體層，通過層間導(dǎo)通用孔被進(jìn)行電連接，其特征在于，所述芯基板是在表背面具有導(dǎo)體層并 且在內(nèi)層具有厚導(dǎo)體層的3層或3層以上的多層芯基板，所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層和表 背面的導(dǎo)體層中的、至少1層是電源層用導(dǎo)體層或接地用導(dǎo)體層。此外，也可以是設(shè)在連結(jié)內(nèi)層的導(dǎo)體層側(cè)面的上端和下端的直線與芯基板的水平 面間所成的角度為 時(shí)，所述 滿足2.8 < tan < 55的關(guān)系式。作為第1效果是可以通過使芯基板的電源層的導(dǎo)體層變厚而增加芯基板的強(qiáng)度， 由此即使是芯基板本身變薄，也能夠通過基板本身，來緩和彎曲或發(fā)生的應(yīng)力。作為第2效果是可以通過使得導(dǎo)體層變厚而增加導(dǎo)體本身的體積?？梢酝ㄟ^增加 其體積而降低在導(dǎo)體的電阻。因此，不妨礙流動(dòng)的信號(hào)線等的電傳送等。因此，傳送的信號(hào) 等不會(huì)產(chǎn)生損失。這是通過僅使成為芯部分的基板變厚而達(dá)到其效果的。厚導(dǎo)體層最好是 配置在芯基板的內(nèi)層。形成于芯基板上的層間絕緣層或?qū)娱g絕緣層上的導(dǎo)體層變得平坦。 此外，互感減少。作為第3效果是可以通過使用導(dǎo)體層作為電源層而提高電源對(duì)于IC芯片的供給 能力。此外，可以通過使用導(dǎo)體層作為接地層而降低重疊于供向IC芯片的信號(hào)及電源的噪 音。其根據(jù)是在第2效果所述的導(dǎo)體電阻的降低不妨礙電源的供給。因此，可以在該多層 印刷基板上安裝了 IC芯片時(shí)，降低IC芯片 基板 電源為止的回路電感。因此，初始動(dòng)作 的電源不足變小，所以，不容易引起電源不足，因此即使安裝了高頻區(qū)域的IC芯片，也不會(huì) 弓I起初始啟動(dòng)的錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等。作為第4效果是由于芯基板的導(dǎo)體層的側(cè)面為錐形狀，在連結(jié)該導(dǎo)體層的側(cè)面 的上端和下端的直線與芯基板的水平面間所成的角度(以下、有時(shí)僅稱為導(dǎo)體層的側(cè)面的 角度)為θ時(shí)，所述 滿足2.8 < tan < 55的關(guān)系式，因此，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)微細(xì)化和防 止電源不足、高速傳送信號(hào)。由于tan >2. 8，因此，即使是使導(dǎo)體層的上端間接近地進(jìn) 行配置，也可以確保導(dǎo)體層的下端間的間隔。由此，成為高密度且高絕緣可靠性的印刷電路 板。此外，由于電位相反的通孔和芯基板的內(nèi)層導(dǎo)體可以相接近地進(jìn)行配置，因此，減少了 電感。由此，成為容易防止電源不足的多層印刷電路板。作為使兩者接近的方法可以是不 具有后面敘述的虛設(shè)連接盤的通孔。另一方面，由于tan <55，因此，導(dǎo)體層的側(cè)壁不是 直角。因此，為了進(jìn)行阻抗匹配，不需要使信號(hào)用通孔(與IC信號(hào)電路電連接的通孔)的 導(dǎo)體厚度或直徑變薄或變小。其結(jié)果，能夠降低信號(hào)用通孔的導(dǎo)體電阻，因此，有利于高速 信號(hào)傳送。此外，導(dǎo)體層的側(cè)面為錐形狀時(shí)，也可以同時(shí)防止電源不足和信號(hào)惡化。由于 成為錐形狀，可以在貫通多層芯的信號(hào)用通孔處，減小信號(hào)的衰減，所以不容易引起信號(hào)惡化。而且，由于導(dǎo)體層的側(cè)面的角度大于等于規(guī)定的角度，可以降低導(dǎo)體電阻，從而能夠抑 制電源不足。此外，在是多層芯時(shí)，在設(shè)表背面的導(dǎo)體層側(cè)面的角度為Θ 1、設(shè)內(nèi)層的導(dǎo)體層 側(cè)面的角度為Θ2時(shí)，最好是Θ1 > Θ2。在芯基板上形成由層間絕緣層和導(dǎo)體層所構(gòu)成的 積層(build-up)層，是由于在積層層的信號(hào)線容易進(jìn)行阻抗匹配。在Θ1小的錐形上形成 有積層層的信號(hào)線時(shí)，是因?yàn)樵撔盘?hào)線下的層間絕緣層厚度呈不同的區(qū)域變多的緣故。此 外，由于不能使通孔間距變窄，因此，無法減小電感。本發(fā)明人為實(shí)現(xiàn)上述目的而全心地進(jìn)行研究，其結(jié)果是想到以以下所示內(nèi)容為要 旨構(gòu)成的發(fā)明。即，本發(fā)明的一種多層印刷電路板，在芯基板上形成有層間絕緣層和導(dǎo)體 層，通過層間導(dǎo)通用孔進(jìn)行電連接，其特征在于，芯基板的電源用或接地用的導(dǎo)體層的厚度 和的至少一厚度和大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度。S卩，將芯基板作為多層芯基板，不是僅使芯基板的表背面的導(dǎo)體層的厚度變厚，在 于使各導(dǎo)體層的厚度的和變厚。在是多層芯基板時(shí)，分別添加了芯基板的表背面的導(dǎo)體層 和內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度的厚度是有助于對(duì)IC的電源供給或使其穩(wěn)定化的厚度。在該情況 下，表背面的導(dǎo)體層和內(nèi)層的導(dǎo)體層是具有電連接，并且，適用于在通過2個(gè)或2個(gè)以上部 位的電連接時(shí)。即，可以通過多層化，增大多層芯基板的各導(dǎo)體層的厚度的和，使用芯的導(dǎo) 體層作為電源用的導(dǎo)體層，從而提高電源對(duì)IC芯片的供給能力。此外，可以通過將芯的導(dǎo) 體層作為接地層使用，從而降低重疊于供向IC芯片的信號(hào)及電源上的噪音，可以穩(wěn)定地向 IC供給電源。因此，在該多層印刷基板上安裝了 IC芯片時(shí)，可以降低IC芯片 基板 電源 為止的回路電感。因此，初始動(dòng)作的電源不足變小，所以不容易引起電源不足，即使安裝了 高頻區(qū)域的IC芯片，也不會(huì)引起初始啟動(dòng)的錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等。此外，由于降低了噪音，所 以不會(huì)引起錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤。此外，通過做成多層芯基板，可在確保多層芯基板的導(dǎo)體層的厚度和的狀態(tài)下，使 多層芯基板的各導(dǎo)體層的厚度變薄。即，由此，即使形成微細(xì)的布線圖案，也能夠確實(shí)地確 保布線圖案間的絕緣間隔，因此，也能夠提供高絕緣可靠性的印刷電路板。作為其他效果，可以通過增加芯基板的電源用或接地用的導(dǎo)體層的厚度而增加芯 基板的強(qiáng)度，由此，即使芯基板本身變薄，也能夠通過基板本身來緩和彎曲或發(fā)生的應(yīng)力。此外，在經(jīng)過IC芯片 基板 電容器或電源層 電源而向IC芯片供給電源的情 況下，也產(chǎn)生同樣的效果?？梢越档退龌芈冯姼?。因此，對(duì)電容器或電介質(zhì)層的電源供給 不造成損失。本來IC芯片是瞬間消耗電力而進(jìn)行復(fù)雜的運(yùn)算處理或動(dòng)作。通過由電源層 向IC芯片的電力供給，即使是安裝了高頻區(qū)域的IC芯片，對(duì)于初始動(dòng)作的電源不足(稱為 發(fā)生電壓下降的狀況)，不安裝大量的電容器，就可以進(jìn)行電源的供給。本來由于使用高頻 區(qū)域的IC芯片而發(fā)生初始動(dòng)作時(shí)的電源不足(電壓下降)，但若是以往的IC芯片，用通過 被供給的電容器或電介質(zhì)層的容量就足夠。特別被用作為芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度大于形成于芯基板的單面或兩面 上的層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度時(shí)，可以最大限度地發(fā)揮所述3種效果。該狀態(tài)下的層 間絕緣層上的導(dǎo)體層是所謂積層印刷電路板的積層部的層間絕緣層上的導(dǎo)體層(如果是 本發(fā)明的話，則是圖27中的58、158)。芯基板的電源層可以配置于基板的表面、背面、內(nèi)層的內(nèi)的至少1層或者多層。在 內(nèi)層的狀態(tài)下，可以形成涵蓋于2層或2層以上的多層化?？梢允箽埩魧映蔀榻拥貙??；旧?，如果芯基板的電源層的和比層間絕緣層的導(dǎo)體層厚的話，則具有其效果。最好將電源 用的導(dǎo)體層和接地用的導(dǎo)體層交替地進(jìn)行配置而用以改善電特性。但是，最好形成于內(nèi)層。形成于內(nèi)層時(shí)，在IC芯片和外部端或電容器的中間配置 電源層。由此，雙方的距離變得均一，妨礙原因變少，可抑制電源不足。此外，本發(fā)明的一種多層印刷電路板，在芯基板上形成層間絕緣層和導(dǎo)體層，通過 層間導(dǎo)通用孔被進(jìn)行電連接，其特征在于，設(shè)芯基板上的導(dǎo)體層的厚度為α 1、設(shè)層間絕緣 層上的導(dǎo)體層的厚度為α 2，并且α 2 < α 1 ≤40 α 2。在α 1 ≤ α 2時(shí)，對(duì)電源不足完全沒有效果。即，換句話說，相對(duì)于初始動(dòng)作時(shí)發(fā) 生的電壓下降，不能明確抑制其下降度。對(duì)超過α 1 > 40 α 2的狀態(tài)也進(jìn)行了討論時(shí)，由于基板厚度變厚，因此布線長(zhǎng)度變 長(zhǎng)，電壓下降量變大。即，可以理解為是本發(fā)明效果的臨界點(diǎn)。即使是大于等于這樣的厚度， 也無法期望電氣效果的提高。此外，在超過該厚度時(shí)，在芯基板的表層形成有導(dǎo)體層的狀態(tài) 下，形成用以與芯基板進(jìn)行連接的連接盤等發(fā)生困難。此外，在形成上層的層間絕緣層時(shí)， 凹凸變大，在層間絕緣層產(chǎn)生起伏，因此有時(shí)會(huì)無法對(duì)阻抗進(jìn)行匹配。但是，即使是在該范 圍(α 1 > 40 α 2)中，也有不發(fā)生問題的時(shí)候。導(dǎo)體層的厚度α 1更理想是1. 2 α 2彡α 1彡40 α 2。確認(rèn)到如果是該范圍中，則 不發(fā)生通過由電源不足(電壓下降)而導(dǎo)致的IC芯片的錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等。該情況下的芯基板是指使用浸滲了玻璃環(huán)氧樹脂等的芯材的樹脂基板、陶瓷基 板、金屬基板、復(fù)合樹脂、陶瓷和金屬而使用的復(fù)合芯基板、在這些樹脂基板、陶瓷基板、金 屬基板、復(fù)合芯基板的內(nèi)層設(shè)有導(dǎo)體層的基板、形成有3層或3層以上的多層化的導(dǎo)體層的 多層芯基板等。為了增加電源層的導(dǎo)體厚度，可以使用這樣的方法所形成的印刷電路板，即在埋 入金屬的基板上一般地通過進(jìn)行電鍍、濺鍍等而形成導(dǎo)體層的印刷電路板的方法。如果是多層芯基板時(shí)，所述α 1是分別增加了芯基板的表層的導(dǎo)體層和內(nèi)層的導(dǎo) 體層中的、電源用的導(dǎo)體層而得到的厚度來作為芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度。在該情況 下，表層的導(dǎo)體層和內(nèi)層的導(dǎo)體層電連接，并且，適用于在2個(gè)或2個(gè)以上的部位的電連接 時(shí)。即，即使進(jìn)行多層化，其本質(zhì)是使芯基板的導(dǎo)體層的厚度增大，效果本身并無任何變化。 此外，如果是焊盤、連接盤程度的面積，則其面積的導(dǎo)體層的厚度不成為增加的厚度。該情 況下，可以是由3層(表層+內(nèi)層)構(gòu)成的芯基板。也可以3層或3層以上的多層芯基板?？梢耘浜闲枰褂迷谛净宓膬?nèi)層埋入電容器或電介質(zhì)層、電阻等零件所形成 的電子零件收納芯基板。此外，最好是在使芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層變厚時(shí)，在IC芯片的正下方配置該導(dǎo)體 層。通過將其配置于IC芯片的正下方，從而可以使IC芯片和電源層間的距離為最短，由 此，能夠更加降低回路電感。從而可更加效率良好地進(jìn)行電源供給，消除電壓不足。在此 時(shí)，也最好是設(shè)芯基板的電源用的導(dǎo)體層的厚度和為α 1、設(shè)層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度 為 α 2，并且 α 2 < α 1 ≤ 40 α 2。此外，如果是通過用相同厚度的材料所形成的、且被層疊的多層印刷電路板的話， 則將作為印刷基板中的導(dǎo)體層具有電源層的層或基板定義為芯基板。此外，多層芯基板在其內(nèi)層具有相對(duì)厚的導(dǎo)體層，在其表層具有相對(duì)薄的導(dǎo)體層，最好內(nèi)層的導(dǎo)體層主要是電源層用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體層。(所謂相對(duì)厚、相對(duì)薄是比 較于全部導(dǎo)體層的厚度而具有該傾向的情況，在該情況下，表示內(nèi)層在與其他導(dǎo)體層時(shí)相 比時(shí)相對(duì)較厚，表層則與其相反。)但是，可以使用表層的導(dǎo)體層作為電源用或接地用的導(dǎo) 體層，也可以將一面作為電源用導(dǎo)體層、將另一面作為接地用導(dǎo)體層使用。S卩，通過在內(nèi)層側(cè)配置厚導(dǎo)體層，從而即使任意地改變其厚度，也可以形成樹脂層 以覆蓋其內(nèi)層的導(dǎo)體層，因此可得到作為芯的平坦性。所以，在層間絕緣層的導(dǎo)體層不會(huì)產(chǎn) 生起伏。即使是在多層芯基板的表層配置薄導(dǎo)體層，作為芯的導(dǎo)體層也能夠以與內(nèi)層導(dǎo)體 層相加的厚度來確保其充分的導(dǎo)體層的厚度?？梢酝ㄟ^使用這些來作為電源層用導(dǎo)體層或 接地用導(dǎo)體層，從而可改善多層印刷電路板電特性。使芯基板內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度。由此，即使在 多層芯基板的表面配置薄導(dǎo)體層，通過與內(nèi)層的厚導(dǎo)體層相加，從而作為芯的導(dǎo)體層可確 保其充分的厚度。即，即使供給大容量的電源，也能夠毫無問題地進(jìn)行啟動(dòng)，從而不會(huì)引起 錯(cuò)誤動(dòng)作或動(dòng)作不良。在此時(shí)，也最好設(shè)芯基板的電源用的導(dǎo)體層的厚度和為α 、設(shè)層間 絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為α 2，并且α 2 < α 1彡40 α 2。此外，本發(fā)明的一種多層印刷電路板，在芯基板上形成層間絕緣層和導(dǎo)體層，通過 層間導(dǎo)通用孔被進(jìn)行電連接，其特征在于，設(shè)多層芯基板的接地用導(dǎo)體層厚度和為α 3、設(shè) 層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為α 2時(shí)，α 3和α 2滿足α 2 < α 3 < 40 α 2。通過使其處 于該范圍，可降低重疊在供向IC芯片的信號(hào)電源上的噪音。此外，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行對(duì)IC的 電源供給。此外，使其位于1.2α 1 < α3<40α2的范圍時(shí)，其效果增加。也最好將多層芯基板形成為這樣的狀態(tài)內(nèi)層的導(dǎo)體層相對(duì)地使導(dǎo)體層的厚度變 厚，并且作為電源層而使用，表層的導(dǎo)體層形成為夾著內(nèi)層的導(dǎo)體層，并且作為信號(hào)線而使 用。通過該構(gòu)造可謀求所述的電源強(qiáng)化。此外，由于通過在芯基板內(nèi)，在導(dǎo)體層和導(dǎo)體層的間配置信號(hào)線而能夠形成微帶 構(gòu)造，因此，能夠降低電感、得到阻抗匹配。因此，也可以使電特性穩(wěn)定化。此外，使表層的 導(dǎo)體層相對(duì)變薄成為更加理想的構(gòu)造。芯基板可以使通孔間距< 600 μ m。多層芯基板最好是這樣構(gòu)成在電絕緣的金屬板的兩面上隔著樹脂層而形成內(nèi)層 的導(dǎo)體層，并在該內(nèi)層的導(dǎo)體層的外側(cè)隔著樹脂層而形成表面的導(dǎo)體層。通過在中央部配 置電絕緣的金屬板，從而可確保足夠的機(jī)械強(qiáng)度。此外，通過在金屬板的兩面上隔著樹脂層 而形成內(nèi)層的導(dǎo)體層，并在該內(nèi)層的導(dǎo)體層的外側(cè)隔著樹脂層而形成表面的導(dǎo)體 層，從而在金屬板的兩面具有對(duì)稱性，在熱循環(huán)等中，防止發(fā)生彎曲、起伏。多層芯基板可以這樣形成在36合金或42合金等的低熱膨脹系數(shù)的金屬板的兩 面隔著絕緣層而形成內(nèi)層的導(dǎo)體層，并在該內(nèi)層的導(dǎo)體層的外側(cè)隔著絕緣層而形成表面的 導(dǎo)體層。通過在中央部配置電絕緣的金屬板，可使多層印刷電路板的X-Y方向的熱膨脹系 數(shù)接近IC的熱膨脹系數(shù)，從而提高在IC和多層印刷電路板的連接部的樹脂層的局部熱循 環(huán)性。此外，通過在金屬板的兩面上隔著絕緣層形成內(nèi)層的導(dǎo)體層，并在該內(nèi)層的導(dǎo)體層的 外側(cè)隔著絕緣層而形成表面的導(dǎo)體層，從而在金屬板的兩面具有對(duì)稱性，在熱循環(huán)等中，防 止發(fā)生彎曲、起伏。圖22在縱軸表示IC芯片的電壓，在橫軸表示時(shí)間經(jīng)過。圖22是以安裝了 IGHz或IGHz以上的高頻IC芯片的不具備電源供給用電容器的印刷電路板作為模型的。線A是 表示IGHz的IC芯片的電壓隨時(shí)間變化的線，線B是表示3GHz的IC芯片的電壓隨時(shí)間變 化的線。在該圖中，表示在進(jìn)行同時(shí)開關(guān)時(shí)，發(fā)生的多次電壓下降中的第3次的電壓下降。 該隨時(shí)間變化在開始啟動(dòng)IC芯片時(shí)，瞬間需要大量的電源。該電源供給不足時(shí)電壓下降(X 點(diǎn)、X’點(diǎn))。然后，由于供給的電源逐漸地充足，因此消除了電壓下降。但是，在電壓下降了 時(shí)，容易引起IC芯片的錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤。即，是由于電源的供給不足而造成的IC芯片功能 無法充分地發(fā)揮及不啟動(dòng)、從而引起問題。該電源不足(電壓下降)是隨著IC芯片的頻率 增加而變大。因此，為了消除電壓下降，要花費(fèi)時(shí)間，為進(jìn)行所希望的功能、啟動(dòng)，結(jié)果產(chǎn)生 了時(shí)滯。為了彌補(bǔ)所述的電源不足(電壓下降)，通過連接外部的電容器，放出該電容器內(nèi) 所儲(chǔ)存的電源，從而可使電源不足或電壓下降變小。在圖23中，以具備電容器的印刷基板作為模型。線C是表示安裝小電容的電容 器，IGHz的IC芯片的電壓隨時(shí)間變化的線。與未安裝電容器的線A相比，電壓下降的程度 變小。此外，線D表示的是與線C所進(jìn)行的相比安裝更大容量的電容器，與線C同樣表示其 隨時(shí)間變化。此外，即使與線C比較，其電壓下降的程度變小。由此，所希望的IC芯片也能 夠發(fā)揮功能及進(jìn)行啟動(dòng)。但是，如圖22所示，使IC芯片成為更高的高頻區(qū)域，需要更多的 電容器容量，因此必須設(shè)定電容器所安裝的區(qū)域，所以不容易確保電壓，無法提高動(dòng)作及功 能，并且，也難于進(jìn)行高密度化。設(shè)芯基板的電源用的導(dǎo)體層的厚度和為α 1、設(shè)層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為 α 2，改變?chǔ)?1/α 2時(shí)的電壓下降的狀態(tài)表示于圖24中的圖表。在圖24中，線C是表示安 裝小電容量的電容器、IGHz的IC芯片在α = α 2的電壓隨時(shí)間變化的線。此外，線F是 表示安裝小電容的電容器、IGHz的IC芯片在α 1 = 1. 5α 2的電壓隨時(shí)間變化的線，線E是 表示安裝小電容的電容器、IGHz的IC芯片在α 1 = 2. 0 α 2的電壓隨時(shí)間變化的線。隨著 芯的導(dǎo)體層的厚度和變厚而使得電源不足或電壓下降減少。因此，可以說IC芯片的功能、 動(dòng)作的問題的發(fā)生變少。通過使芯基板的電源用的導(dǎo)體層的厚度和變厚而增加了導(dǎo)體層的 體積。體積增加時(shí)，降低導(dǎo)體電阻，從而被傳送的電源的電壓、電流的損失消失。由此，在IC 芯片 電源間的傳送損失變小，可進(jìn)行電源的供給，從而不會(huì)引起錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等。在該 情況下，特別是由電源用的導(dǎo)體層的厚度和所引起原因變大，通過使芯基板的電源用的導(dǎo) 體層的厚度和大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度，而達(dá)到其效果。此外得知不僅是在使形成于芯基板的單面或雙面的表層上的電源用的導(dǎo)體層變 厚時(shí)，即使是在內(nèi)層形成有導(dǎo)體層的3層或3層以上的芯基板時(shí)，也產(chǎn)生同樣的效果。即，具 有使電源不足或電壓下降變小的效果。此外，在是多層芯基板時(shí)，無論在芯基板的全部層的 電源用的導(dǎo)體層厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層厚度時(shí)，還是在芯基板的全部層的電源用 的導(dǎo)體層厚度小于或等于層間絕緣層上的導(dǎo)體層厚度時(shí)，只要是將全部層的電源用的導(dǎo)體 層厚度相加起來而得到的厚度總和比層間絕緣層上的導(dǎo)體層厚度大時(shí)，就能達(dá)到其效果。 該情況不存在各個(gè)導(dǎo)體層的面積差異。即，在幾乎相同的面積比的狀態(tài)下，達(dá)到其效果。例 如在2層的導(dǎo)體層中，一層的整個(gè)層(beta)的大面積，與此相對(duì)，在另一層是層間導(dǎo)通用孔 及其連接盤程度的情況下，抵銷了另一層的導(dǎo)體層的效果。此外，即使是在芯基板內(nèi)內(nèi)設(shè)有電容器或電介質(zhì)層、電阻等的電子零件的基板，也
9表示出顯著的效果?？梢酝ㄟ^內(nèi)設(shè)而縮短IC芯片和電容器或電介質(zhì)層間的距離。因此，可 以降低回路電感。能夠使得電源不足或電壓下降變小。例如即使在內(nèi)設(shè)有電容器或電介質(zhì) 層的芯基板中，也可以通過使芯基板的電源用的導(dǎo)體層厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層厚 度，從而減少主電源和內(nèi)設(shè)的電容器或電介質(zhì)層的電源間的兩者的導(dǎo)體電阻，因此能夠降 低傳送損失，更加發(fā)揮內(nèi)設(shè)有電容器的基板的效果。雖然芯基板的材料是以樹脂基板而進(jìn)行驗(yàn)證的，但知道即使是陶瓷、金屬芯基板 也達(dá)到同樣的效果。此外，雖然導(dǎo)體層的材質(zhì)是以由銅所構(gòu)成的金屬而進(jìn)行，但無法確認(rèn)用 其他金屬會(huì)抵銷效果而增加錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤的發(fā)生，因此，認(rèn)為在芯基板的材料不同或者 是形成導(dǎo)體層的材質(zhì)不同，對(duì)其效果沒有影響。更加希望的是芯基板的導(dǎo)體層和層間絕緣 層的導(dǎo)體層是通過由相同金屬形成。電特性、熱膨脹系數(shù)等特性或物性并無改變，由此產(chǎn)生 本發(fā)明的效果。通過本發(fā)明可以降低在IC芯片 基板 電源的導(dǎo)體上的電阻，降低傳送損失。由 此傳送的信號(hào)或電源可發(fā)揮所希望的能力。由此，由于使IC芯片的功能、動(dòng)作等正常地進(jìn) 行動(dòng)作，因此不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤。能夠降低在IC芯片 基板 接地的導(dǎo)體上的電 阻，可以減輕重疊在信號(hào)線、電源線上的噪音，防止錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤。此外，還得知通過本發(fā)明而使發(fā)生于IC芯片的初始啟動(dòng)時(shí)的電源不足(電壓下 降)的程度變小；得知即使安裝高頻區(qū)域的IC芯片、特別是3GHz或3GHz以上的IC芯片， 也可以毫無問題地進(jìn)行啟動(dòng)。因此，也可以提高電特性或電連接性。接著，可以通過使芯基板多層化，增大導(dǎo)體層的厚度和，從而可制得具有良好的絕 緣可靠性的印刷電路板。此外，與以往的印刷電路板相比，可使在印刷基板的電路內(nèi)的電阻變小。因此，即 使進(jìn)行施加偏壓、并在高溫高濕度下所進(jìn)行的可靠性試驗(yàn)(高溫高濕度偏壓試驗(yàn))，也使得 破壞時(shí)間變長(zhǎng)，所以，可提高可靠性。此外，由于使電源用的導(dǎo)體層的電阻變低，因此，即使流動(dòng)多量的電，也可抑制其 發(fā)熱。接地層也是同樣。由于該點(diǎn)也難以發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作，使IC安裝后的印刷電路板的可靠 性變高。此外，最好芯基板的導(dǎo)體層的側(cè)面成為錐形狀(如圖27(B)所示的直線狀錐形或 如圖27(C)所示的R面狀錐形)，設(shè)連結(jié)該導(dǎo)體層的側(cè)面的上端和下端的直線與芯基板的 水平面間所成的角度為Θ時(shí)，使用如圖27(A)所示的多層芯基板的多層印刷電路板作為例 子，如圖27 (B)、圖27(C)所示，設(shè)連結(jié)芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層16Ε的側(cè)面的上端和下端的 直線與芯基板所成的角度為θ時(shí)，θ最好滿足關(guān)系式2. 8 < tan < 55。16P也是同樣。 如此通過形成導(dǎo)體層，即使形成厚度較大的導(dǎo)體層，也不降低可靠性。此外，也難以發(fā)生由 信號(hào)延遲或信號(hào)強(qiáng)度不足等造成的IC的錯(cuò)誤動(dòng)作。tan Θ變小時(shí)，導(dǎo)體層體積減少，從而容 易發(fā)生對(duì)IC的電源供給延遲。另一方面，tan 變大時(shí)，信號(hào)強(qiáng)度在通孔處容易惡化。以 內(nèi)層的導(dǎo)體層較厚且為4層芯作為例子來說明信號(hào)強(qiáng)度惡化的理由。注意貫通多層芯的信 號(hào)用通孔(與IC信號(hào)電路電連接的通孔)。如圖31所示，信號(hào)用通孔從上面開始，貫通絕 緣層1、接地層、絕緣層2、電源層、絕緣層3。信號(hào)布線由于在其周圍根據(jù)接地或電源的有無 等而阻抗變化，因此，以絕緣層1和接地層間的界面Xl為界而阻抗值不同。由此，在該界面 上引起信號(hào)的反射。在X2、X3、X4也產(chǎn)生同樣的現(xiàn)象。這樣的阻抗變化量是隨著信號(hào)用通孔和接地層、電源層間的距離越加接近，接地層、電源層的厚度越加變厚而越加變大。因此， 本發(fā)明的內(nèi)層具有厚導(dǎo)體層的多層芯，在通孔容易發(fā)生信號(hào)惡化。為了防止該信號(hào)惡化，最 好使tan 值變小。通過使tan 值變小，即使使信號(hào)用通孔和內(nèi)層的導(dǎo)體層間的最小間 隔相同，也就是即使成為相同密度，由于信號(hào)用通孔和內(nèi)層的導(dǎo)體層間的間隔在截面方向 逐漸地?cái)U(kuò)大，阻抗的變化量變小。由于在安裝更大的驅(qū)動(dòng)頻率的IC時(shí)容易發(fā)生該問題，所 以，較好 tan ^ 11. 4、更好是 tan θ ^ 5. 7。


圖1㈧ ⑶是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖2㈧ (E)是表示第1實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖3㈧ ⑶是表示第1實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖4㈧ (C)是表示第1實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖5㈧ ⑶是表示第1實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖6是第1實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖。圖7是表示在第1實(shí)施例的多層印刷電路板上載置IC芯片的狀態(tài)的截面圖。圖8㈧是第1實(shí)施例的變化例的多層印刷電路板的截面圖；圖8(B)、圖8(C)是 擴(kuò)大表示用通過圓b包圍的導(dǎo)體層的說明圖。圖9是第3實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖。圖10是表示在第3實(shí)施例的多層印刷電路板上載置了 IC芯片的狀態(tài)的截面圖。圖11是第4實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖。圖12是表示在第4實(shí)施例的多層印刷電路板上載置IC芯片的狀態(tài)的截面圖。圖13㈧ (F)是表示本發(fā)明的第5實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序 圖。圖14(A) (E)是表示第5實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖15㈧ (C)是表示第5實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖16㈧ (C)是表示第5實(shí)施例的多層印刷電路板的制造方法的工序圖。圖17是第5實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖。圖18是表示在第5實(shí)施例的多層印刷電路板上載置了 IC芯片的狀態(tài)的截面圖。圖19是表示在第5實(shí)施例的變化例的多層印刷電路板上載置IC芯片的狀態(tài)的截 面圖。圖20是第6實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖。圖21是表示在第6實(shí)施例的多層印刷電路板上載置IC芯片的狀態(tài)的截面圖。圖22是表示IC芯片的動(dòng)作中的電壓變化的圖。圖23是表示IC芯片的動(dòng)作中的電壓變化的圖。圖24是表示IC芯片的動(dòng)作中的電壓變化的圖。圖25是表示實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖26是表示實(shí)施例和比較例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖27㈧是第7實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖，圖27(B)、圖27(C)是擴(kuò)大表 示通過用圓b包圍的導(dǎo)體層的說明圖。
圖28是表示第7實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖29是在連結(jié)導(dǎo)體層的上端和下端的直線與芯基板的水平面間所成的角度為Θ 時(shí)，表示相對(duì)于tan 的絕緣電阻及電阻率變化的圖。圖30是表示第8實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖31是貫通多層芯的信號(hào)用通孔的示意圖。圖32是表示第9實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖33是表示第9實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖34是表示第9實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖35是表示相對(duì)于α 1/α 2的電壓下降量的圖。圖36是表示第9實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖37是表示第10實(shí)施例的試驗(yàn)結(jié)果的圖表。圖38(A)是表示多層芯基板內(nèi)層的橫截面不具有虛設(shè)連接盤的狀態(tài)，圖38(B)是 表示多層芯基板內(nèi)層的橫截面具有虛設(shè)連接盤的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式[第1實(shí)施例]玻璃環(huán)氧樹脂基板首先，參照?qǐng)D1 圖7對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施例的多層印刷電路板10的構(gòu)造進(jìn)行說 明。圖6是表示該多層印刷電路板10的截面圖，圖7是表示在圖6所示的多層印刷電路板 10上安裝IC芯片90、并載置到子板94上的狀態(tài)。如圖6所示，多層印刷電路板10中，在 芯基板30的表面上形成有導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34Ρ，在其背面上形成有導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層 34Ε。上側(cè)的導(dǎo)體層34Ρ形成為電源用平面層，下側(cè)的導(dǎo)體層34Ε形成為接地用平面層。芯 基板30的表面和背面通過通孔36而進(jìn)行連接。此外，在該導(dǎo)體層34Ρ、34Ε上配置形成有 層間導(dǎo)通用孔60和導(dǎo)體電路58的層間樹脂絕緣層50以及形成有層間導(dǎo)通用孔160和導(dǎo) 體電路158的層間樹脂絕緣層150。在該層間導(dǎo)通用孔160和導(dǎo)體電路158的上層形成有 阻焊劑層70，通過該阻焊劑層70的開口部71，在層間導(dǎo)通用孔160和導(dǎo)體電路158上形成 凸塊 76U、76D。如圖7中所示，多層印刷電路板10的上面?zhèn)鹊暮稿a凸塊76U被連接至IC芯片90 的連接盤92。此外，還安裝有芯片電容器98。另一方面，下側(cè)的焊錫凸塊76D被連接至子 板94的連接盤96。在此，芯基板30上的導(dǎo)體層34P、34E形成為厚度5 250 μ m，層間樹脂絕緣層50 上的導(dǎo)體電路58和層間樹脂絕緣層150上的導(dǎo)體電路158形成為5 25 μ m(理想范圍是 10 20 μ m)。在第1實(shí)施例的多層印刷電路板，通過使芯基板30的電源層(導(dǎo)體層)34P、導(dǎo)體 層34E變厚而增加芯基板的強(qiáng)度，由此即使使芯基板本身的厚度變薄，也能夠以基板本身 來緩和彎曲或發(fā)生的應(yīng)力。此外，可以通過使導(dǎo)體層34P、34E變厚而增加導(dǎo)體本身的體積。通過增加該體積 從而可降低導(dǎo)體上的電阻。此外，通過將導(dǎo)體層34P作為電源層而使用，從而可提高電源對(duì)IC芯片90的供給 能力。因此，在該多層印刷基板上安裝IC芯片時(shí)，可以降低IC芯片 基板 電源為止的回路電感。因此，由于初始動(dòng)作時(shí)的電源不足變小，所以不容易引起電源不足，由此即使安裝 更高高頻區(qū)域的IC芯片，也不會(huì)引起初始啟動(dòng)的錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等。此外，通過將導(dǎo)體層 34E作為接地層使用，從而在IC芯片的信號(hào)、電力供給上不會(huì)有噪音重疊，從而可防止錯(cuò)誤 動(dòng)作或錯(cuò)誤。接著，參照?qǐng)D1 圖5，對(duì)參照?qǐng)D6所述的多層印刷電路板10的制造方法進(jìn)行說明。(第1實(shí)施例-1)A.層間樹脂絕緣層的樹脂薄膜的制作將雙酚A型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量455、(油化*工義工求矢*社)制Epikote 1001) 29重量份、甲酚-酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量215、大日本油墨化學(xué)工業(yè)公司制 Epikuron 匕?！┛?> ) N-673) 39重量份、含三嗪構(gòu)造的苯酚酚醛清漆樹脂(酚性烴基當(dāng)量 120、大日本油墨化學(xué)工業(yè)公司制苯酚鹽KA-7052) 30重量份，攪拌同時(shí)加熱熔解于二乙二 醇乙醚醋酸酯20重量份和溶劑油20重量份，添加末端環(huán)氧化聚丁二烯橡膠(Nagase ( f另 七)化成工業(yè)公司制Tenarekkusu ( r f W >7 % ) R-45EPT) 15重量份和2-苯基-4，5-雙 (羥甲基)咪唑粉碎品1. 5重量份、微粉碎二氧化硅2. 5重量份、硅系消泡劑0. 5重量份，來 調(diào)制環(huán)氧樹脂組成物。在使用輥式涂敷器而將上述所得到的環(huán)氧樹脂組成物涂敷在厚度38 μ m的PET薄 膜上并使得干燥后的厚度成為50 μ m后，通過在80 120°C下對(duì)其進(jìn)行10分鐘的干燥，而 制作出層間樹脂絕緣層用樹脂薄膜。B.樹脂填充材的調(diào)制通過將雙酚F型環(huán)氧單體((油化*工義社)制、分子量310、YL983U)100重量 份、在表面涂敷硅烷偶聯(lián)劑的平均粒徑1. 6 μ m并且最大粒子的直徑小于或等于15 μ m的 Si02球狀粒子(Adotec公司(7 K〒7夕社)制、CRS 1101-CE) 170重量份以及矯平劑 (Sannopuko (寸、乂 “。、公司制、Perenoru ( ^ ^ 一> )S4) 1. 5重量份放置在容器內(nèi)進(jìn) 行攪拌及混合，而調(diào)制其粘度是在23士 1°C下為44 49Pa-s的樹脂填充材。此外，作為固 化劑使用咪唑固化劑(四國(guó)化成公司制、2E4MZ-CN)6.5重量份。作為填充材用樹脂可以使 用其他的環(huán)氧樹脂(例如雙酚A型、酚醛清漆型等)、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂等的熱固化性 樹脂。C.多層印刷電路板的制造(1)以在由厚度0. 2 0. 8mm的玻璃環(huán)氧樹脂或BT (雙馬來酸酐縮亞胺三嗪)樹 脂構(gòu)成的絕緣性基板30的兩面上層壓5 250 μ m的銅箔32而成的銅箔基板30A作為起 始材料(圖1(A))。首先，通過通過以鉆孔器對(duì)該銅箔基板進(jìn)行鉆孔，施行無電解電鍍處理 及電解電鍍處理，蝕刻成為圖案狀，從而在基板的兩面形成了導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P、34E 及通孔36 (圖1(B))。(2)在對(duì)形成了通孔36和下層導(dǎo)體電路34的基板30進(jìn)行水洗及干燥后，進(jìn)行 將包含NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)和Na3PO4(6g/l)的水溶液作為黑化浴(氧化浴)的 黑化處理以及將包含Na0H(10g/l)和NaBH4(6g/l)的水溶液作為還原浴的還原處理，在該 通孔36內(nèi)形成粗化面36 α，同時(shí)在導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34Ρ、34Ε的整個(gè)表面形成粗化面 34α (圖 1(C))。
(3)在調(diào)制上述B所記載的樹脂填充材后，通過下列方法在調(diào)制后的24小時(shí)以內(nèi)， 在通孔36內(nèi)以及基板的導(dǎo)體電路非形成部形成樹脂填充材40的層(圖1(D))。S卩，將具有相當(dāng)于通孔以及導(dǎo)體電路非形成部的部分開口的版的樹脂填充用掩模 載置于基板上，使用橡膠刮板，在通孔內(nèi)、成為凹部的下層導(dǎo)體電路非形成部以及下層導(dǎo)體 電路的外緣部填充樹脂填充材，并在100°c /20分鐘的條件下使其進(jìn)行干燥。(4)通過使用#600的帶式研磨紙(三共理化學(xué)制)的帶式打磨器研磨，對(duì)上述(3) 處理結(jié)束后的基板單面進(jìn)行研磨，使導(dǎo)體層34P、34E的外緣部或通孔36的連接盤的外緣部 不殘留樹脂填充材40，接著，為了除去由于上述帶式打磨器的研磨所造成的損傷，因此，對(duì) 導(dǎo)體層34P、34E的整個(gè)表面(包含通孔的連接盤表面)進(jìn)行拋光研磨。對(duì)基板的其他面也 同樣地進(jìn)行這樣的一連串研磨。接著，在100°C下進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理，在150°C下進(jìn)行 1小時(shí)的加熱處理從而固化樹脂填充材40 (圖2 (A))。像這樣，可以得到這樣的基板使形成于通孔36和導(dǎo)體電路非形成部的樹脂填充 材40的表層部及導(dǎo)體層34P、34E的表面平坦化，樹脂填充材40和導(dǎo)體層34P、34E的側(cè)面 通過粗化面而牢固地緊密接觸，并且通孔36的內(nèi)壁面和樹脂填充材通過粗化面而牢固地 緊密接觸的基板。即，通過該工序而使得樹脂填充材的表面和下層導(dǎo)體電路的表面成為大 致相同的平面。芯基板的導(dǎo)體層的厚度被形成于1 250 μ m范圍中，形成于芯基板上的電源層的 導(dǎo)體層的厚度被形成于1 250 μ m范圍中。此時(shí)，在實(shí)施例1-1中，使用厚度為40 μ m的銅 箔，芯基板的導(dǎo)體層的厚度為30 μ m,形成于芯基板上的電源層的導(dǎo)體層的厚度為30 μ m。 但是，導(dǎo)體層的厚度可以超過上述厚度的范圍。(5)通過對(duì)上述基板進(jìn)行水洗、酸性脫脂后，進(jìn)行輕蝕刻，接著，用噴霧器將蝕刻液 吹附在基板的兩面，蝕刻導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P、34E的表面和通孔36的連接盤表面，從 而在導(dǎo)體電路的整個(gè)表面上形成了粗化面36 β (圖2(B))。作為蝕刻液使用由咪唑銅(II) 配位化合物10重量份、乙二醇酸7. 3重量份和氯化鉀5重量份所構(gòu)成的蝕刻液(Mekku公 司(乂夕夕社)制、Mekkuetchbond( 乂夕夕工夕子# >卜·、))。(6)在基板的兩面，將稍微大于通過在A所制作出的基板的層間樹脂絕緣層用樹 脂薄膜50Υ載置于基板上，在壓力0. 45MPa、溫度80°C、壓合時(shí)間10秒鐘的條件下，進(jìn)行臨 時(shí)壓合及裁斷后，并且，還通過利用以下方法，使用真空層壓裝置進(jìn)行貼附，從而形成層間 樹脂絕緣層(圖2(C))。即，在真空度67Pa、壓力0. 47MPa、溫度85°C、壓合時(shí)間60秒鐘的 條件下，在基板上正式壓合層間樹脂絕緣層用樹脂薄膜，然后，在170°C條件下進(jìn)行40分鐘 的熱固化。(7)接著，通過由波長(zhǎng)10.4μπι的0)2氣體激光，在光束直徑4.0mm、凹帽頭 (tophat)模式、脈沖幅寬3. 0 8. 1 μ秒、掩模的貫通孔的直徑1. 0 5. 0mm、l 3次發(fā) 射的條件下，在層間樹脂絕緣層上形成在直徑為60 100 μ m間的層間導(dǎo)通用孔用開口 50a (圖2 (D))。此次形成直徑為60 μ m和75 μ m。(8)通過將形成有層間導(dǎo)通用孔用開口 50a的基板，浸漬在含有60g/l的過錳酸的 80°C的溶液中10分鐘，溶解及除去存在于層間樹脂絕緣層2表面上的環(huán)氧樹脂粒子，從而 在包含層間導(dǎo)通用孔用開口 50a內(nèi)壁的層間樹脂絕緣層50的表面形成了粗化面50α (圖 2(E))。
(9)接著，將結(jié)束了上述處理的基板浸漬于中和溶液(Sibuley公司(7 / X 社)制)后，進(jìn)行水洗。此外，通過在粗面化處理(粗化深度3μπι)后的該基板的表面賦予鈀催化劑，從而 在層間樹脂絕緣層的表面及層間導(dǎo)通用孔用開口的內(nèi)壁面附著催化劑核。即，通過將上述 基板浸漬在含有氯化鈀(PdC12)和氯化亞錫(SnC12)的催化劑液中，析出鈀金屬，從而賦予 催化劑。(10)接著，在以下組成的無電解鍍銅水溶液中浸漬賦予了催化劑的基板，在整個(gè) 粗面上形成厚度0. 3 3. 0 μ m的無電解鍍銅膜，從而得到在包含層間導(dǎo)通用孔用開口 50a 內(nèi)壁的層間樹脂絕緣層50的表面上形成有無電解鍍銅膜52的基板(圖3(A))。[無電解電鍍水溶液]NiS040. 003mol/l酒石酸0. 200mol/l硫酸銅0. 032mol/lHCHO0. 050mol/lNaOH0. 100mol/lα，α，-聯(lián)二批唆 100mg/l聚乙二醇(PEG)0. 10g/l[無電解電鍍條件]在34°C的液體溫度下45分鐘(11)通過在形成有無電解銅電鍍膜52的基板上貼附市面上銷售的感光性干膜， 在載置掩模后以llOmJ/cm2進(jìn)行曝光，以0. 8%碳酸鈉水溶液進(jìn)行顯影處理，從而設(shè)置厚度 25 μ m的電鍍阻劑54(圖3(B))。(12)接著，用50°C的水清洗基板，進(jìn)行脫脂，再用25°C的水進(jìn)行水洗后，并且，再 用硫酸進(jìn)行清洗后，通過在以下條件下施行電解電鍍，在電鍍阻劑54的非形成部形成了電 解鍍銅膜56(圖3(C))。[電解電鍍液]硫酸2. 24mol/l硫酸銅0. 26mol/l添加劑19. 5ml/l(Atoteck-Japan ( 7 H ” \ ^ > )公司制、Kaparashido (力”7 ν F )GL)[電解電鍍條件]電流密度 lA/dm2時(shí)間65分鐘溫度22 士 2°C(13)此外，在通過用5% KOH剝離除去電鍍阻劑3后，通過用硫酸和過氧化氫的混 合液對(duì)該電鍍阻劑下的無電解電鍍膜進(jìn)行蝕刻處理而溶解除去該無電解電鍍膜，形成獨(dú)立 的導(dǎo)體電路58及層間導(dǎo)通用孔60 (圖3 (D))。(14)接著，進(jìn)行與上述(5)相同的處理，在導(dǎo)體電路58及層間導(dǎo)通用孔60的表面 形成粗化面58 α、60α。上層的導(dǎo)體電路58的厚度是15 μ m的厚度(圖4 (A))。但是，上層的導(dǎo)體電路的厚度可以形成于5 25 μ m范圍中。(15)通過重復(fù)地進(jìn)行上述(6) (14)的工序，且還形成上層的導(dǎo)體電路，從而得 到多層電路板(圖4(B))。(16)接著，通過在二乙二醇二甲醚(DMDG)溶解成為60重量％的濃度并且將對(duì)甲 酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(日本化藥公司制)的環(huán)氧基50%進(jìn)行丙烯基化的賦予感光性的低聚 物(分子量4000)45. 67重量份、溶解于甲基乙基酮的80重量％的雙酚A型環(huán)氧樹脂(油 化蜆殼公司(油化* - ^ )制、商品名稱=Epikote ( - 二- F ) 1001) 16. 0重量份、咪唑固 化劑(四國(guó)化成公司制、商品名稱2E4MZ-CN) 1. 6重量份、作為感光性單體的雙官能團(tuán)丙烯 單體(acryl monomer)(日本化藥公司制、商品名稱R604)4. 5重量份、同樣多價(jià)丙烯基單 體(共榮化學(xué)公司制、商品名稱DPE6A) 1.5重量份、以及分散系消泡劑(Sann0puk0(寸> "二、公司制、S-65)0. 71重量份放置在容器進(jìn)行攪拌及混合，調(diào)制其混合組成物，對(duì)該 混合組成物加入作為光聚合起始劑的二苯甲酮(benzophenone)(關(guān)東化學(xué)公司制)1. 8重 量份、作為光敏劑的米蚩酮(關(guān)東化學(xué)公司制)0. 2重量份，從而得到在25°C下的粘度調(diào)整 成為2. OPa · s的阻焊劑組成物。此外，粘度測(cè)定是在B型粘度計(jì)(東京計(jì)器公司制、DVL-B型)，在eOmirT1時(shí)由輥 No. 4來進(jìn)行，在emirT1時(shí)由輥No. 3來進(jìn)行的。(17)接著，在多層電路基板的兩面上，以20 μ m的厚度涂敷上述阻焊劑組成物70， 在以70°C、20分鐘的條件以及70°C、30分鐘的條件下進(jìn)行干燥處理后(圖4 (C))，將描劃有 阻焊劑開口部圖案的厚度為5mm的光掩模緊密接觸于阻焊劑層70，用lOOOmJ/cm2的紫外線 進(jìn)行曝光，用DMTG溶液進(jìn)行顯影處理，形成200 μ m直徑的開口 71 (圖5 (A))。接著，還分別在80°C下進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理、在100°C下進(jìn)行1小時(shí)的加熱處 理、在120°C下進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理、在150°C下進(jìn)行3小時(shí)的加熱處理，使阻焊劑層固 化，形成具有開口并且其厚度為15 25 μ m的阻焊劑圖案層。作為上述阻焊劑組成物也可 以使用市面販賣的阻焊劑組成物。(18)接著，將形成有阻焊劑層70的基板浸漬在含有氯化鎳(2. SXl(T1moVl)、次 磷酸納(2. 8 X I(T1moVl)和檸檬酸鈉(1. 6 X I(T1moVl)的pH = 4. 5的無電解鍍鎳液中20 分鐘，在開口部71形成了厚度5 μ m的鍍鎳層72。此外，將該基板在80。C的條件下浸漬于含 有氰化金鉀(7.6X10_3mOl/l)、氯化銨(1. 9 X liTmol/l)、檸檬酸鈉(1. 2 X 10^mol/l)和次 磷酸納(1.7X I(T1moVl)的無電解鍍金液中7. 5分鐘，在鍍鎳層72上形成了厚度0.03 μ m 鍍金層74(圖5(B))。除了鎳-金屬以外，也可以形成錫、貴金屬層(金、銀、鈀、白金等)的 單層。(19)然后，在載置基板的IC芯片的面上的阻焊劑層70的開口 71，印刷含有錫-鉛 的焊錫膏，并在另一面的阻焊劑層的開口印刷含有錫-銻的焊錫膏后，在200°C進(jìn)行重熔而 形成焊錫凸塊(焊錫體)，制造具有焊錫凸塊76U、76D的多層印刷電路板(圖6)。通過焊錫凸塊76U安裝IC芯片90，并安裝芯片電容器98。接著，通過焊錫凸塊 76D而安裝于子板94(圖7)。(第1實(shí)施例_2)雖然與參照?qǐng)D6所述的第1實(shí)施例-1相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度55 μ m
芯基板的電源層的厚度55μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第1實(shí)施例_3)雖然與第1實(shí)施例-1相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度75μπι芯基板的電源層的厚度75μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第1實(shí)施例_4)雖然第1實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度180μπι芯基板的電源層的厚度180μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度6 μ m(第1實(shí)施例_5)雖然第1實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度18μπι芯基板的電源層的厚度18μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι此外，在第1實(shí)施例中，以1 < (芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)<40的作為適合例，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)< 1的作為比較例。此外，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕 緣層的導(dǎo)體層的厚度)> 40的作為參考例。圖8(A)是表示第1實(shí)施例的變化例。芯基板30的導(dǎo)體層34Ρ、34Ε的側(cè)面成為錐 形狀(圖10(B)所示的直線狀錐形或圖10(C)所示的R面狀錐形)，設(shè)連結(jié)該導(dǎo)體層34Ρ、 34Ε的側(cè)面的上端和下端的直線與芯基板的水平面間所成的角度為Θ時(shí)，設(shè)連結(jié)芯基板的 內(nèi)層的導(dǎo)體層34Ρ、34Ε的側(cè)面的上端和下端的直線與芯基板間所成的角度為Θ時(shí)，Θ被 構(gòu)成為滿足2. 8 < tan < 55的關(guān)系式。對(duì)應(yīng)于第1實(shí)施例-1 第1實(shí)施例-5，制作將芯基板30的導(dǎo)體層34P、34E的側(cè) 面形成為滿足上述關(guān)系式的R面狀錐形的第1實(shí)施例_6 10。此外，在后面敘述形成錐形 狀的蝕刻方法。[第2實(shí)施例]陶瓷基板對(duì)第2實(shí)施例的多層印刷電路板進(jìn)行說明。在參照?qǐng)D6所述的第1實(shí)施例中，芯基板是由絕緣樹脂所形成。于此相對(duì)，在第2 實(shí)施例中，芯基板是由陶瓷、玻璃、ALN、富鋁紅柱石等所構(gòu)成的無機(jī)系硬質(zhì)基板，但由于其 他構(gòu)造與參照?qǐng)D6所述的第1實(shí)施例相同，因此省略圖示及說明。即使在第2實(shí)施例的多層印刷電路板中，芯基板30上的導(dǎo)體層34P、34E、34也是 由銅、鎢等金屬形成，層間樹脂絕緣層50上的導(dǎo)體電路58及層間樹脂絕緣層150上的導(dǎo)體 電路158是由銅形成。在該第2實(shí)施例中也得到與第1實(shí)施例同樣的效果。此時(shí)，芯基板 的導(dǎo)體的厚度、芯基板的電源層的厚度、層間絕緣層的厚度被形成為與第1實(shí)施例相同。此 外，在第2實(shí)施例中，以1 < (芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度)<40的作為適合例，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚 度X 1的作為比較例。此外，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的導(dǎo)體 層的厚度)>40的作為參考例。(第2實(shí)施例-1)雖然與上述的第2實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度30 μ m芯基板的電源層的厚度30μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第2實(shí)施例-2)雖然與上述的第2實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度50 μ m芯基板的電源層的厚度50μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第2實(shí)施例-3)雖然與上述的第2實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度75μπι芯基板的電源層的厚度75μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第2實(shí)施例-4)雖然與上述的第2實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層的厚度180 μ m芯基板的電源層的厚度180μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度6 μ m[第3實(shí)施例]金屬芯基板參照?qǐng)D9及圖10對(duì)第3實(shí)施例的多層印刷電路板進(jìn)行說明。在參照?qǐng)D6所述的第1實(shí)施例中，芯基板是由樹脂板形成。與此相對(duì)，在第3實(shí)施 例中，芯基板是由金屬板構(gòu)成。圖9是表示第3實(shí)施例的多層印刷電路板10的截面圖，圖10是表示在圖9所示 的多層印刷電路板10上安裝IC芯片90并載置于子板94的狀態(tài)。如圖9所示，在多層印 刷電路板10中，芯基板30由金屬板構(gòu)成，作為電源層而被使用。在芯基板30的兩面形成 配置有層間導(dǎo)通用孔60及導(dǎo)體電路58的層間樹脂絕緣層50，在層間樹脂絕緣層50的上面 形成配置有層間導(dǎo)通用孔160及導(dǎo)體電路158的層間樹脂絕緣層150。在芯基板30的通 孔33內(nèi)形成通孔36，在層間導(dǎo)通用孔的兩端配置蓋鍍層37。在該層間導(dǎo)通用孔160及導(dǎo) 體電路158的上層形成阻焊劑層70，通過該阻焊劑層70的開口部71，在層間導(dǎo)通用孔160 及導(dǎo)體電路158上形成凸塊76U、76D。如圖10中所示，多層印刷電路板10的上面?zhèn)鹊暮稿a凸塊76U連接于IC芯片90 的連接盤92。此外，還安裝芯片電容器98。另一方面，下側(cè)的焊錫凸塊76D連接于子板94 的連接盤96。在此，芯基板30被形成為200 600 μ m。金屬板的厚度形成于15 300 μ m之間。層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度可以形成于5 25μπι之間。但是，金屬層的厚度可以超 過上述范圍。在該第3實(shí)施例中可得到與第1實(shí)施例同樣的效果。(第3實(shí)施例-1)雖然與參考圖9所述的第3實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的厚度550μπι芯基板的電源層的厚度35μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第3實(shí)施例-2)雖然與第3實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的厚度600 μ m芯基板的電源層的厚度55μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι(第3實(shí)施例-3)雖然與第3實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的厚度550μπι芯基板的電源層的厚度100μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度10 μ m(第3實(shí)施例-4)雖然與第3實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的厚度550μπι芯基板的電源層的厚度180μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度6 μ m(第3實(shí)施例-5)雖然與第3實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的厚度550 μ m芯基板的電源層的厚度240 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度6 μ m另外，在第3實(shí)施例中，以1 < (芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)<40的作為適合例，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)< 1的作為比較例。此外，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度/層間絕 緣層的導(dǎo)體層的厚度)> 40的作為參考例。[第4實(shí)施例]3層芯基板參照?qǐng)D11及圖1對(duì)第4實(shí)施例的多層印刷電路板進(jìn)行說明。在參照?qǐng)D6所述的第1實(shí)施例中，芯基板由單板形成。與此相對(duì)，在第4實(shí)施例中， 芯基板由層疊板構(gòu)成，在層疊板內(nèi)設(shè)置導(dǎo)體層。圖11是表示第4實(shí)施例的多層印刷電路板10的截面圖，圖12是表示在圖11所 示的多層印刷電路板10上安裝IC芯片90并載置于子板94的狀態(tài)。如圖11所示，在多層 印刷電路板10中，在芯基板30的表面及背面形成導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P，在芯基板30內(nèi)形成導(dǎo)體層24。導(dǎo)體層34P及導(dǎo)體層24被形成為電源用平面層。導(dǎo)體層34P及導(dǎo)體層24 由導(dǎo)電柱26連接(該狀態(tài)下的導(dǎo)電柱是指用通孔、非貫通孔等的層間導(dǎo)通用孔(所包含的 盲通孔、盲層間導(dǎo)通用孔)的通孔或?qū)娱g導(dǎo)通用孔的導(dǎo)電性材料而填充的。)。此外，在該 導(dǎo)體層34P的上面配置形成有層間導(dǎo)通用孔60和導(dǎo)體電路58的層間樹脂絕緣層50以及 形成有層間導(dǎo)通用孔160和導(dǎo)體電路158的層間樹脂絕緣層150。在該層間導(dǎo)通用孔160 和導(dǎo)體電路158的上層形成阻焊劑層70，通過該阻焊劑層70的開口部71，在層間導(dǎo)通用孔 160及導(dǎo)體電路158上形成凸塊76U、76D。如圖12中所述，多層印刷電路板10的上面?zhèn)鹊暮稿a凸塊76U連接于IC芯片90 的連接盤92。此外，還安裝芯片電容器98。另一方面，下側(cè)的焊錫凸塊76D連接于子板94 的連接盤96。在此，形成芯基板30上的導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P、34P及芯基板內(nèi)的導(dǎo)體層24， 形成層間樹脂絕緣層50上的導(dǎo)體電路58及層間樹脂絕緣層150上的導(dǎo)體電路158。芯基 板的導(dǎo)體層34P及導(dǎo)體層24的厚度，即芯基板的導(dǎo)體層的厚度形成于1 250 μ m的間，能 夠作為形成于芯基板上的電源層而起作用的導(dǎo)體層的厚度形成于1 250 μ m的間。該狀 態(tài)下的導(dǎo)體層的厚度是芯基板的電源層厚度的總和。表示將成為內(nèi)層的導(dǎo)體層34和成為 表層的導(dǎo)體層24的兩者相加所得出的厚度。不是加上起到信號(hào)線作用的導(dǎo)體層。在該第 4實(shí)施例，通過合并3層的導(dǎo)體層34P、34P、24的厚度而得到與第1實(shí)施例同樣的效果。電 源層的厚度可以超過上述范圍。另外，在第4實(shí)施例，以1 < (芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度總和/層間絕緣層 的導(dǎo)體層的厚度)<40的作為適合例，以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度總和/層間絕 緣層的導(dǎo)體層的厚度)<1的作為比較例。以(芯基板的電源層的導(dǎo)體層的厚度總和/層 間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度)> 40的作為參考例。(第4實(shí)施例-1)雖然與參照?qǐng)D11所述的第4實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度15 μ m中間導(dǎo)體層(電源層)的厚度20 μ m芯基板的電源層的厚度和50 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15 μ m(第4實(shí)施例-2)雖然與第4實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度20μπι中間導(dǎo)體層(電源層)的厚度20 μ m芯基板的電源層的厚度和60 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15 μ m(第4實(shí)施例-3)雖然與第4實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度25 μ m中間導(dǎo)體層(電源層)的厚度25 μ m芯基板的電源層的厚度和75 μ m
層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15 μ m(第4實(shí)施例-4)雖然與第4實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度50 μ m中間導(dǎo)體層(電源層)的厚度100 μ m芯基板的電源層的厚度和200 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度10 μ m(第4實(shí)施例_5)雖然與第4實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度55 μ m中間導(dǎo)體層(電源層)的厚度250 μ m芯基板的電源層的厚度和360μπι層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度12 μ m(第4實(shí)施例-6)雖然與第4實(shí)施例相同，但如以下這樣制造。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度55 μ m中間導(dǎo)體層(電源層)的厚度250 μ m芯基板的電源層的厚度和360 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度9 μ m[第5實(shí)施例]多層芯基板參照?qǐng)D13 圖18對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施例的多層印刷電路板進(jìn)行說明。首先，參照?qǐng)D17、圖18對(duì)第5實(shí)施例的多層印刷電路板10的構(gòu)造進(jìn)行說明。圖17 是表示該多層印刷電路板10的截面圖，圖18是表示在圖17所示的多層印刷電路板10上 安裝IC芯片90并載置于子板94的狀態(tài)。如圖17所示，在多層印刷電路板10上使用多層 芯基板30。在多層芯基板30的表面?zhèn)刃纬蓪?dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P，在其背面形成導(dǎo)體電 路34、導(dǎo)體層34E。上側(cè)的導(dǎo)體層34P被形成為電源用平面層，下側(cè)的導(dǎo)體層34E被形成為 接地用平面層。此外，在多層芯基板30內(nèi)部的表面?zhèn)刃纬蓛?nèi)層的導(dǎo)體電路16、導(dǎo)體層16E， 在其背面形成導(dǎo)體電路16、導(dǎo)體層16P。上側(cè)的導(dǎo)體層16E被形成為接地用平面層，下側(cè)的 導(dǎo)體層16P被形成為電源用平面層。電源用平面層間的連接是由通孔或?qū)娱g導(dǎo)通用孔而進(jìn) 行。平面層可以僅是單側(cè)的單層，也可以配置成為2層或2層以上。最好形成為2層 4 層。由于在5層或5層以上并未確認(rèn)到電特性提高，因此，即使形成為5層或5層以上的多 層，其效果也與4層是同等程度。特別以2層所形成時(shí)，在多層芯基板的剛性匹配的方面，使 基板的延伸率呈一致，因此不容易出現(xiàn)彎曲的緣故。此外，由于可以使芯基板的厚度變薄， 從而可以使通孔的布線長(zhǎng)度變短。在多層芯基板30的中央收納電絕緣的金屬板12。(該 金屬板12雖然也起到作為芯材的作用，但不與通孔或?qū)娱g導(dǎo)通用孔等進(jìn)行電連接。主要提 高相對(duì)于基板彎曲的剛性。)在該金屬板12上隔著絕緣樹脂層14而在其表面?zhèn)刃纬蓛?nèi)層 的導(dǎo)體電路16、導(dǎo)體層16E，在其背面形成導(dǎo)體電路16、導(dǎo)體層16P，并且，還隔著絕緣樹脂 層18，而在其表面?zhèn)?，形成?dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P，在其背面形成導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34E。 多層芯基板30是通過通孔36而實(shí)現(xiàn)內(nèi)層及表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)戎g的連接。
在多層芯基板30表面的導(dǎo)體層34P、34E的上面，配置形成有層間導(dǎo)通用孔60和 導(dǎo)體電路58的層間樹脂絕緣層50以及形成有層間導(dǎo)通用孔160和導(dǎo)體電路158的層間樹 脂絕緣層150。在該層間導(dǎo)通用孔160和導(dǎo)體電路158的上層形成阻焊劑層70，通過該阻 焊劑層70的開口部71，從而在層間導(dǎo)通用孔160及導(dǎo)體電路158上形成凸塊76U、76D。如在圖18中所示，多層印刷電路板10的上面?zhèn)鹊暮稿a凸塊76U連接于IC芯片90 的連接盤92。此外，還安裝芯片電容器98。另一方面，下側(cè)的外部端子76D連接于子板94 的連接盤96。該情況下的外部端子是指PGA、BGA、焊錫凸塊等。在此，芯基板30表層的導(dǎo)體層34P、34E被形成為厚度10 60 μ m,內(nèi)層的導(dǎo)體層 16P、16E被形成為厚度10 250 μ m，層間樹脂絕緣層50上的導(dǎo)體電路58及層間樹脂絕緣 層150上的導(dǎo)體電路158的厚度被形成為5 25 μ m。在第5實(shí)施例的多層印刷電路板中，通過使芯基板30表層的電源層(導(dǎo)體 層)34P、導(dǎo)體層34、內(nèi)層的電源層(導(dǎo)體層)16P、導(dǎo)體層16E及金屬板12變厚而增加芯基 板的強(qiáng)度。由此即使使芯基板本身變薄，也能夠由基板本身來緩和彎曲或發(fā)生的應(yīng)力。此外，通過使導(dǎo)體層34P、34E、導(dǎo)體層16P、16E變厚而可增加導(dǎo)體本身的體積。增 加其體積而可降低導(dǎo)體上的電阻。此外，將導(dǎo)體層34P、16P作為電源層而使用，從而可提高電源對(duì)IC芯片90的供給 能力。因此，可在該多層印刷基板上安裝IC芯片時(shí)，降低IC芯片 基板 電源為止的回路 電感。由此，初始動(dòng)作的電源不足變小，從而難以引起電源不足，由此即使安裝高頻區(qū)域的 IC芯片，也不會(huì)引起初始啟動(dòng)的錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤等。此外，使用導(dǎo)體層34E、16E作為接地 層，從而在IC芯片的信號(hào)、電力供給上不重疊噪音，可防止錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤。由于安裝電容 器而可輔助地使用電容器內(nèi)的所儲(chǔ)存的電源，因此難以引起電源不足。特別是通過配置于 IC芯片的正下方而使得其效果(難以引起電源不足)顯著地變好。作為其理由是由于如果 是IC芯片的正下方，則能夠使在多層印刷電路板的布線長(zhǎng)度變短的緣故。在第5實(shí)施例中，多層芯基板30在其內(nèi)層具有厚導(dǎo)體層16P、16E，在其表面具有 薄導(dǎo)體層34P、34E，將內(nèi)層的導(dǎo)體層16P、16E和表面的導(dǎo)體層34P、34E用作電源層用的導(dǎo) 體層、接地用的導(dǎo)體層。即，即使在內(nèi)層側(cè)配置厚導(dǎo)體層16P、16E，也形成覆蓋導(dǎo)體層的樹 脂層。由此，可以通過導(dǎo)體層為起因、抵銷凹凸，從而使多層芯基板30的表面變得平坦。因 此，為了在層間絕緣層50、150的導(dǎo)體層58、158不產(chǎn)生起伏，所以，即使在多層芯基板30的 表面配置薄導(dǎo)體層34P、34E，也能夠以與內(nèi)層的導(dǎo)體層16P、16E相加得到的厚度來確保作 為芯導(dǎo)體層的充分的厚度。由于不產(chǎn)生起伏，因此，在層間絕緣層上的導(dǎo)體層的阻抗方面不 產(chǎn)生問題。通過將導(dǎo)體層16P、34P用作電源層用導(dǎo)體層，將導(dǎo)體層16E、34E用作接地用導(dǎo) 體層，從而可改善多層印刷電路板的電特性。此外，通過在芯基板內(nèi)配置導(dǎo)體層34P和導(dǎo)體層16P間的信號(hào)線16 (與導(dǎo)體層16E 同層)，從而可形成為微帶構(gòu)造。同樣地，通過配置導(dǎo)體層16E和導(dǎo)體層34E間的信號(hào)線 16 (與導(dǎo)體層16P同層)，從而可形成為微帶構(gòu)造。通過形成為微帶構(gòu)造，能夠降低電感、得 到阻抗的匹配。因此，可以使電特性穩(wěn)定化。S卩，使芯基板內(nèi)層的導(dǎo)體層16P、16E的厚度大于層間絕緣層50、150上的導(dǎo)體層 58、158的厚度。由此，即使在多層芯基板30的表面上配置薄導(dǎo)體層34E、34P，通過與內(nèi)層 的厚導(dǎo)體層16P、16E相加，可確保作為芯導(dǎo)體層的充分的厚度。其比率最好是1< (芯內(nèi)層的導(dǎo)體層/層間絕緣層的導(dǎo)體層)<40。更加理想是1.2 < (芯內(nèi)層的導(dǎo)體層/層間絕 緣層的導(dǎo)體層)<30。多層芯基板30形成為如下狀態(tài)在電絕緣的金屬板12的兩面上隔著樹脂層14而 形成內(nèi)層的導(dǎo)體層16P、16E，還在該內(nèi)層的導(dǎo)體層16P、16E的外側(cè)隔著樹脂層18而形成表 面的導(dǎo)體層34P、34E。通過在中央部配置電絕緣的金屬板12，從而可確保充分的機(jī)械強(qiáng)度。 此外，通過在金屬板12的兩面隔著樹脂層14而形成內(nèi)層的導(dǎo)體層16P、16E，還在該內(nèi)層的 導(dǎo)體層16P、16E的外側(cè)隔著樹脂層18而形成表面的導(dǎo)體層34P、34E，從而在金屬板12的兩 面具有對(duì)稱性，在熱循環(huán)等時(shí)防止彎曲、起伏的發(fā)生。圖19是表示第5實(shí)施例的變化例。在該變化例，在IC芯片90的正下方配置電容 器98。由此，使IC芯片90和電容器98間的距離近，可防止供給IC芯片90的電源的電壓 下降。接著，參照?qǐng)D13 圖18對(duì)圖17所示的多層印刷電路板10的制造方法進(jìn)行說明。(1)〈金屬層的形成工序〉在圖13 (A)所示的厚度為20 400 μ m的內(nèi)層金屬層(金屬板)12設(shè)置貫通表背 面的開口 12a(圖13(B))。在第5實(shí)施例使用20 μ m的金屬板。金屬層的材質(zhì)可以使用配 合銅、鎳、鋅、鋁、鐵等金屬而得到的材料。在此，在使用低熱膨脹系數(shù)的36合金或42合金 時(shí)，因?yàn)榭梢允剐净宓臒崤蛎浵禂?shù)接近于IC的熱膨脹系數(shù)，因此能夠降低熱應(yīng)力。開口 12a是通過穿孔、蝕刻、鉆孔、激光等而進(jìn)行穿設(shè)?？梢愿鶕?jù)情況不同，而在形成有開口 12a 的整個(gè)金屬層12的面上，通過電解電鍍、無電解電鍍、置換電鍍、濺鍍等覆蓋金屬膜13(圖 13(C))。此外，金屬板12可以是單層，也可以是2層或2層以上的多層。此外，金屬膜13 最好是在開口 12a的角部形成曲面。由此可消除應(yīng)力集中的點(diǎn)，不容易引起在其周邊的破 裂等的問題。此外，金屬板12可以不內(nèi)設(shè)于芯基板內(nèi)。(2)<內(nèi)層絕緣層及導(dǎo)體層的形成工序>為了覆蓋整個(gè)金屬層12、填充開口 12a內(nèi)，而使用絕緣樹脂。作為形成方法例如以 厚度30 200 μ m程度的B半固化狀態(tài)樹脂膜狀的樹脂薄膜，用金屬板12夾住(圖13 (D))， 并且，還在其外側(cè)層疊12 275 μ m的銅箔后，進(jìn)行熱壓合并使其固化，可形成絕緣樹脂層 14及導(dǎo)體層16(圖13(E))?？梢愿鶕?jù)情況不同而進(jìn)行涂敷、涂敷和薄膜壓合的混合、或者 是僅涂敷開口部分，然后，通過薄膜所形成。作為材料最好是使用將聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、BT樹脂等的熱固化性 樹脂浸滲于玻璃纖維布、聚酰亞胺無紡布等的心材而成的預(yù)浸樹脂布。除此以外，也可以使 用樹脂。在第5實(shí)施例中，使用50μπι的預(yù)浸樹脂布。形成導(dǎo)體層16的方法可以是在金屬箔上通過電鍍等形成。(3)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序>可以形成為2層或2層以上?？梢杂商砑臃ㄐ纬山饘賹?。經(jīng)過隆起法、蝕刻工序等由內(nèi)層金屬層16開始，形成內(nèi)層導(dǎo)體層16、16Ρ、16Ε(圖 13(F))。此時(shí)的內(nèi)層導(dǎo)體層的厚度形成為10 250μπι。但是，可以超過所述范圍。此外， 在第5實(shí)施例中，內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度是25 μ m厚度。在該電路形成工序中，為了能 夠評(píng)價(jià)芯基板的絕緣可靠性，因此，作為測(cè)試圖案(芯基板的絕緣電阻評(píng)價(jià)用圖案)形成導(dǎo) 體幅寬/導(dǎo)體間的距離=150 μ m/150 μ m的絕緣電阻測(cè)定用的鋸齒狀圖案。此時(shí)，如圖17所示，與IC電源電連接的電源用通孔36PTH貫通內(nèi)層電路的接地層16E時(shí)，可以不具有從 電源用通孔延伸出的布線圖案。以下，將這種通孔稱為不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔。同 樣地，與IC接地電連接的接地用通孔36ETH也是在貫通內(nèi)層電路的電源層16P時(shí)，不具有 從接地用通孔延伸出的布線圖案。以下，將這種通孔稱為不具有虛設(shè)連接盤的接地用通孔。 此外，合并兩者簡(jiǎn)單稱其為不具有虛設(shè)連接盤的通孔。通過這種構(gòu)造而可以使通孔間距變 得狹窄。此外，由于通孔和內(nèi)層電路間的間隔為窄間距，因此，減少互感。在此，將不具有虛 設(shè)連接盤的通孔的狀態(tài)下的X3-X3部的橫截面顯示在圖38 (A)中。參考地將具有虛設(shè)連接 盤的狀態(tài)下的X3-X3部的橫截面顯示在圖38(B)。得知由于成為不具有虛設(shè)連接盤的通孔 而使得通孔間距或通孔36PTH和接地層16E間的間隔變得窄。此外，也得知增加了接地層 16E的形成區(qū)域。在此，附圖標(biāo)記35是用以確保通孔36PTH和接地層16E間的絕緣的空間， 附圖標(biāo)記36L是通孔連接盤(虛設(shè)連接盤)。(4) <外層絕緣層及導(dǎo)體層的形成工序>為了覆蓋整個(gè)內(nèi)層導(dǎo)體層16、16P、16E，并且，填充其電路間的間隙，而使用絕緣 樹脂。作為形成方法在一直到(3)為止所形成的途中基板的兩面上，例如在以厚度30 400 μ m程度的B半固化狀態(tài)樹脂膜狀的樹脂薄膜(圖14(A))、厚度10 275 μ m的金屬 箔的順序而進(jìn)行層疊后，在進(jìn)行熱壓合后，使其固化，從而形成芯基板的外層絕緣樹脂層18 及芯基板的最外導(dǎo)體層34α (圖14(B))?？梢愿鶕?jù)情況不同而進(jìn)行涂敷、涂敷和薄膜壓合 的混合、或者是僅涂敷開口部分，然后，以薄膜形成?？梢酝ㄟ^進(jìn)行加壓而使得表面變平坦。 此外，可以使用以玻璃纖維布、聚酰胺無紡布來作為芯材的B半固化狀態(tài)樹脂膜狀的預(yù)浸 樹脂布。在第5實(shí)施例中，使用200μπι厚度的預(yù)浸樹脂布。作為形成金屬箔以外的方法是 層疊單面覆銅積層板。可以在金屬箔上，通過電鍍等形成為2層或2層以上?？梢酝ㄟ^添 加法形成金屬層。(5)〈通孔的形成工序〉形成貫通基板表背面的開口直徑50 400 μ m的通孔用通孔36 α (圖14 (C))。作 為形成方法是通過鉆孔、激光、或者是激光和鉆孔的復(fù)合而形成(用激光進(jìn)行最外層的絕 緣層的開口，根據(jù)情況，而將用該激光開設(shè)的開口用作標(biāo)靶符號(hào)，然后，用鉆孔器進(jìn)行開口 及貫通。)。其形狀最好是具有直線狀側(cè)壁?？梢愿鶕?jù)情況而成為錐形狀。為了確保通孔的導(dǎo)電性，最好是在通孔用通孔36 α內(nèi)形成電鍍膜22，在粗化了表 面后(圖14(D))，填充填充樹脂23(圖14(E))。作為填充樹脂可以使用被電絕緣了的樹脂 材料(例如含有樹脂成分、固化劑、粒子等的樹脂材料)、由金屬粒子進(jìn)行了電連接的導(dǎo)電 性材料(例如含有金、銅等的金屬粒子、樹脂材料、固化劑等的導(dǎo)電性材料。)的任何一種。 在填充后，進(jìn)行預(yù)干燥，通過研磨而除去附著于基板表面的電解鍍銅膜22上的多余的填充 樹脂，然后，在150°C下進(jìn)行1小時(shí)的干燥而使其完全固化。作為電鍍可以使用電解電鍍、無電解電鍍、面板電鍍(無電解電鍍和電解電鍍) 等。作為金屬是由含有銅、鎳、鈷、磷等而形成的。作為電鍍金屬的厚度最好是形成為5 30 μ m0填充于通孔用通孔36 α內(nèi)的填充樹脂23最好是使用由樹脂材料、固化劑、粒子等 構(gòu)成的絕緣材料。作為粒子是二氧化硅、氧化鋁等的無機(jī)粒子、金、銀、銅等的金屬粒子、樹 脂粒子等的單獨(dú)或復(fù)合而進(jìn)行配合。可以使用以相同粒徑或者是復(fù)合粒徑混合粒徑0. 1 5μπι的粒子。作為樹脂材料可以使用環(huán)氧樹脂(例如雙酚型環(huán)氧樹脂、酚醛清漆型環(huán)氧 樹脂等)、酚醛樹脂等的熱固化性樹脂、具有感光性的紫外線固化樹脂、熱塑性樹脂等的單 一樹脂或?qū)⑺鼈兓旌隙傻臉渲牧稀Ｗ鳛楣袒瘎┛梢允褂眠溥蝾惞袒瘎?、胺類固化劑等?除了這個(gè)以外，也可以包含固化穩(wěn)定劑、反應(yīng)穩(wěn)定劑、粒子等。也可以使用導(dǎo)電性材料。在 該情況下，由金屬粒子、樹脂成分、固化劑等構(gòu)成者成為導(dǎo)電性材料的導(dǎo)電性膏。根據(jù)情況 不同，可以使用在焊錫、絕緣樹脂等的絕緣材料的表層上形成具有導(dǎo)電性的金屬膜的導(dǎo)電 性材料等。也可以通過電鍍填充通孔用通孔36 α內(nèi)。由于導(dǎo)電性膏進(jìn)行固化收縮，因此， 會(huì)在表層上形成凹部。(6)〈最外層的導(dǎo)體電路的形成工序〉可以通過在整體上被覆電鍍膜，而在通孔36的正上方形成蓋電鍍25(圖15(A))。 然后，經(jīng)過隆起法、蝕刻工序等而形成外層的導(dǎo)體電路34、34Ρ、34Ε(圖15(B))。由此而完 成多層芯基板30。此外，在第5實(shí)施例中，多層芯基板表面的電源用導(dǎo)體層的厚度是15 μ m厚度。此時(shí)，雖然未圖示，但是，可以通過層間導(dǎo)通用孔或盲通孔、盲層間導(dǎo)通用孔而進(jìn) 行和多層芯基板內(nèi)層的導(dǎo)體層16等之間的電連接。(7)對(duì)形成導(dǎo)體電路34的多層芯基板30進(jìn)行黑化處理及還原處理，在導(dǎo)體電路 34、導(dǎo)體層34P、34E的整個(gè)表面形成粗化面34β (圖15(C))。(8)在多層芯基板30的導(dǎo)體電路非形成部上形成樹脂填充材40的層(圖16(A))。(9)通過帶式打磨器等的研磨，來對(duì)結(jié)束了所述處理的基板的單面進(jìn)行研磨，從而 在導(dǎo)體層34Ρ、34Ε的外緣部不殘留樹脂填充材40，接著，為了除去由于所述研磨所造成的 損傷，還用拋光器等對(duì)導(dǎo)體層34Ρ、34Ε的整個(gè)表面(包含通孔的連接盤表面)進(jìn)行了研磨。 對(duì)于基板的其他面也同樣進(jìn)行這樣一連串的研磨。接著，在100C下進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理， 在150°C下進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理而固化樹脂填充材40 (圖16(B))，由此，完成了 4層的多 層芯基板。此外，也可以不進(jìn)行導(dǎo)體電路間的樹脂填充。在該情況下，用層間絕緣層等的樹脂 層進(jìn)行絕緣層的形成和導(dǎo)體電路間的填充。(10)向上述多層芯基板30上用噴霧器將蝕刻液在基板的兩面上，通過蝕刻等而 蝕刻導(dǎo)體電路34、導(dǎo)體層34P、34E的表面和通孔36的連接盤表面，在導(dǎo)體電路的整個(gè)表面 上形成了粗化面36 β (圖16(C))。因?yàn)橐院蟮墓ば蚺c參照?qǐng)D3 圖7所述的第1實(shí)施例相 同，因此省略其說明。此外，在圖3(B)中，為了在層間絕緣層(50)上的一部分，評(píng)價(jià)由于多 層芯基板的導(dǎo)體厚度所發(fā)生的層間絕緣層的起伏的影響，因此，形成電鍍阻劑(54)以使得 電鍍形成后的布線圖案(最小線間、線幅寬形成能力評(píng)價(jià)圖案)成為導(dǎo)體寬度/導(dǎo)體間的 間隔=5/5μπι、7· 5/7. 5 μ m、10/10 μ m、12. 5/12. 5 μ m、15/15 μ m。電鍍阻劑的厚度是使用 10 30 μ m之間的值。此外，在第5實(shí)施例中，以1 < (芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)<40的作為適合例，以(芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)<1的作為比較例。以(芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和/層間絕緣層的 導(dǎo)體層的厚度)> 40的作為參考例。(第5實(shí)施例-1)
雖然與參照?qǐng)D17所述的第5實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度50 μ m表層的導(dǎo)體層的厚度20 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和100 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15 μ m在圖17中，對(duì)于芯基板的導(dǎo)體層，交替地配置電源層和接地層，但是，第5實(shí)施 例-1是由內(nèi)層的導(dǎo)體層和表層的導(dǎo)體層而起到電源層的作用。但是，由于表層的導(dǎo)體層的 面積是連接盤程度的面積，與內(nèi)層的導(dǎo)體層比較時(shí)面積較小，所以，抵銷了回復(fù)電源電壓的 效果。由此，芯基板的導(dǎo)體層的厚度和是使內(nèi)層的2層的導(dǎo)體層相加所得到的厚度。(第5實(shí)施例-2)由內(nèi)層的導(dǎo)體層和表層的導(dǎo)體層起到電源層的作用。通過在表層、內(nèi)層的各一層 的每層的通孔而進(jìn)行電連接。芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度60 μ m外層的導(dǎo)體層的厚度20 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和80 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι由內(nèi)層的導(dǎo)體層和表層的導(dǎo)體層起到各層中的每層的電源層的功能。表層的導(dǎo)體 層的面積與內(nèi)層的導(dǎo)體層的面積相同。具有回復(fù)電源電壓的效果。由此，芯基板的導(dǎo)體層 的厚度和是使內(nèi)層的導(dǎo)體層和表層的導(dǎo)體層相加所得到的厚度。(第5實(shí)施例-3)由內(nèi)層的導(dǎo)體層和表層的導(dǎo)體層起到電源層的作用。通過在表層、內(nèi)層的各一層 的每層的通孔而進(jìn)行電連接。芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度150μπι外層的導(dǎo)體層的厚度20 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和150 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15 μ m由內(nèi)層的導(dǎo)體層和表層的導(dǎo)體層起到電源層的作用。但是，由于表層的導(dǎo)體層的 面積是連接盤程度的面積，與內(nèi)層的導(dǎo)體層比較時(shí)面積較小，所以，抵銷了回復(fù)電源電壓的 效果。由此，芯基板的導(dǎo)體層的厚度和是內(nèi)層1層的導(dǎo)體層的厚度。(第5實(shí)施例-4)雖然與第5實(shí)施例-1相同，但如以下這樣制造。芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層(電源層)的厚度100μπι表層的導(dǎo)體層(電源層)的厚度20 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和200 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度10 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和是使內(nèi)層的層的導(dǎo)體層相加而得到的。(第5實(shí)施例-5)雖然與第5實(shí)施例-1相同，但如以下這樣制造。芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層(電源層)的厚度120μπι
表層的導(dǎo)體層(電源層)的厚度20 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和240 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度8 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和是使內(nèi)層的層的導(dǎo)體層相加而得到的。(第5實(shí)施例-6)雖然與第5實(shí)施例-2相同，但如以下這樣制造。芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層(電源層)的厚度250 μ m表層的導(dǎo)體層(電源層)的厚度50 μ m芯基板的導(dǎo)體電路的厚度和300 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度7. 5 μ m[第6實(shí)施例]內(nèi)裝電容器的芯基板參照?qǐng)D20及圖21對(duì)第6實(shí)施例的多層印刷電路板進(jìn)行說明。在第6實(shí)施例的多層印刷電路板中，在芯基板30中內(nèi)裝有芯片電容器20。圖20是表示第6實(shí)施例的多層印刷電路板10的截面圖，圖21是表示在圖20所示 的多層印刷電路板10上安裝IC芯片90的狀態(tài)。如圖20所示，在多層印刷電路板10中， 芯基板30是由樹脂基板30A及樹脂層30B構(gòu)成。在樹脂基板30A上設(shè)置用以收納電容器 20的開口 31a。電容器20的電極是通過設(shè)置在樹脂層30B的層間導(dǎo)通用孔33而得到連接。 在芯基板30的上表面上，形成導(dǎo)體電路34及用以形成電源層的導(dǎo)體層34P，此外，在芯基板 30的兩面形成配置有層間導(dǎo)通用孔60及導(dǎo)體電路58的層間樹脂絕緣層50。在芯基板30 形成通孔36。在層間樹脂絕緣層50的上層形成阻焊劑層70，通過該阻焊劑層70的開口部 71，而在層間導(dǎo)通用孔60及導(dǎo)體電路58上形成凸塊76U、76D。如圖21中所示，多層印刷電路板10的上面?zhèn)鹊暮稿a凸塊76U連接于IC芯片90 的連接盤92。此外，還安裝芯片電容器98。另一方面，安裝用于向下側(cè)的焊錫凸塊連接的 導(dǎo)電性連接插銷99。在此，導(dǎo)體層34E形成為30 μ m。在該第6實(shí)施例中，由于在該芯基板30內(nèi)內(nèi)裝電 容器20，因此，可得到超過第1實(shí)施例的效果。(第6實(shí)施例-1)
雖然與參照?qǐng)D20所述的第6實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。
芯基板的導(dǎo)體層的厚度30μπι
芯基板的電源層的厚度30μπι
層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15ym
(第6實(shí)施例-2)
雖然與第6實(shí)施例相同，但如以下這樣設(shè)定。
芯基板的導(dǎo)體層的厚度55μπι
芯基板的電源層的厚度55μπι
層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15ym
(第6實(shí)施例-3)
芯基板的導(dǎo)體層的厚度75μπι
芯基板的電源層的厚度75μπι
層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15 μ m(第6實(shí)施例-4)雖然與第6實(shí)施例-1相同，但如以下這樣設(shè)定。芯基板的導(dǎo)體層(電源層)的厚度180 μ m層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度6. 0 μ m(比較例)在第1實(shí)施例 第5實(shí)施例中，以(芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和/層間絕緣 層的導(dǎo)體層的厚度)< 1作為第1比較例 第5比較例。作為其實(shí)例，設(shè)定為芯基板的電 源用導(dǎo)體層的厚度和15 μ m、層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度15μπι。(參考例)在第1實(shí)施例 第5實(shí)施例中，以(芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和/層間絕緣 層的導(dǎo)體層的厚度)>40的作為第1參考例 第5參考例。作為其實(shí)例，設(shè)定為芯基板的 電源用導(dǎo)體層的厚度和415μπκ層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度10μπι。在各個(gè)實(shí)施例和比較例及參考例的基板上，安裝頻率3. IGHz的IC芯片，供給相同 量的電源，測(cè)定在啟動(dòng)時(shí)的電壓的下降量。顯示此時(shí)的電壓的下降值。成為電源電壓1.OV 時(shí)的變動(dòng)的電壓下降量的值。IC芯片的電壓是進(jìn)行使得能夠測(cè)定該電壓的電路形成于印刷 電路板。此外，進(jìn)行在各個(gè)實(shí)施例和比較例及參考例的偏壓高溫高濕度條件(溫度130°C、 濕度85%、施加2V)下的可靠性試驗(yàn)。進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)間為100hr、300hr、500hr、1000hr，就各 個(gè)實(shí)施例和比較例對(duì)IC的有無錯(cuò)誤動(dòng)作、芯導(dǎo)體層的有無導(dǎo)通連接開放進(jìn)行了驗(yàn)證。將該 結(jié)果顯示在圖25、圖26中的圖表。此外，在電源電壓1. OV時(shí)，如果變動(dòng)容許范圍為士 10% (第3次的電壓下降量)，則電壓的舉動(dòng)穩(wěn)定，不引起IC芯片的錯(cuò)誤動(dòng)作等。S卩，在該情況 下，如果電壓下降量為0. IV或0. IV以內(nèi)，則不引起由于電壓下降的所造成的對(duì)于IC芯片 的錯(cuò)誤動(dòng)作等。由圖25、圖26而得知通過適當(dāng)例的所作成的多層印刷電路板不容易出現(xiàn)IC芯 片的錯(cuò)誤動(dòng)作或開放等。即，可確保電氣連接性和可靠性。在比較例中，由于引起IC芯片的錯(cuò)誤動(dòng)作，其電連接性有問題發(fā)生，由于導(dǎo)體的 厚度變薄，結(jié)果無法緩沖在可靠性試驗(yàn)下的所發(fā)生的應(yīng)力，發(fā)生在導(dǎo)通連接部的剝離。因 此，可靠性降低。但是，在芯基板的電源層的厚度和/層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度的比值超 過1.2時(shí)，出現(xiàn)該效果。在芯基板的電源層的厚度和/層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度的比值超過40時(shí)(參 考例)，由于上層的導(dǎo)體電路上的問題(例如引起由于對(duì)于上層的導(dǎo)體電路的應(yīng)力發(fā)生或 起伏的所造成的緊密接觸性的降低等)，因此，可靠性降低。由試驗(yàn)的結(jié)果得知滿足電氣特性和可靠性的因素是1 < (芯基板的導(dǎo)體層的厚 度和/層間絕緣層的導(dǎo)體層的厚度X 40。雖然在圖25、圖26中沒有關(guān)于第1實(shí)施例_6 10的結(jié)果，但其與第1實(shí)驗(yàn)例-1 5相同。[第7實(shí)施例]在圖27表示第7實(shí)施例的多層印刷電路板的截面圖，在第7實(shí)施例中，在第5實(shí)施例的圖13(F)中，在形成芯基板的內(nèi)層導(dǎo)體層16E、16P時(shí)，通過改變噴射壓力、蝕刻時(shí)間 等的蝕刻條件，或者是在噴射式蝕刻裝置，僅使用下面進(jìn)行蝕刻等，使得導(dǎo)體層16E、16P的 側(cè)面成為直線狀錐形或R面狀錐形，調(diào)整連結(jié)導(dǎo)體層的側(cè)面的上端和下端的直線與芯基板 之間所成的角度Θ (參照?qǐng)D27(A)中的所示的導(dǎo)體層16的圓b部的擴(kuò)大的圖27(B)直線 狀錐形、圖27(C) :R面狀錐形)為如以下的第7實(shí)施例-1 第7實(shí)施例-9。此外，第7實(shí) 施例-1 第7實(shí)施例-6各自的截面的Θ及其形狀(直線狀錐形或R面狀錐形)是為能 夠觀察內(nèi)層導(dǎo)體的縱截面進(jìn)行研磨，并用X 100 X 1000的顯微鏡進(jìn)行截面觀察到的實(shí)測(cè) 值。[第7實(shí)施例-1]將tan Θ調(diào)整2，將形狀調(diào)整成R面狀錐形。[第7實(shí)施例-2]tan 調(diào)整成2. 8，將形狀調(diào)整成R面狀錐形。[第7實(shí)施例-3]將tan Θ調(diào)整成3. 5，將形狀調(diào)整成R面狀錐形。[第7實(shí)施例-4]將tan Θ調(diào)整成53，將形狀調(diào)整成R面狀錐形。[第7實(shí)施例_5]將tan Θ調(diào)整成55，將形狀調(diào)整成R面狀錐形。[第7實(shí)施例-6]將tan Θ調(diào)整成53，將形狀調(diào)整成R面狀錐形。[第7實(shí)施例_7]將tan 調(diào)整成2. 8，將形狀調(diào)整成直線狀錐形。[第7實(shí)施例-8]將tan 調(diào)整成57，將形狀調(diào)整成直線狀錐形。[第7實(shí)施例-9]將tan 調(diào)整成57，將形狀調(diào)整成直線狀錐形。接著，對(duì)于第7實(shí)施例-1 第7實(shí)施例-6的多層印刷電路板，進(jìn)行了下列條件的 時(shí)間(次數(shù))的HAST試驗(yàn)和熱循環(huán)試驗(yàn)。對(duì)于第7實(shí)施例_7、8、9的多層印刷電路板，僅 進(jìn)行了熱循環(huán)試驗(yàn)。將該結(jié)果顯示于圖28中的圖表。此外，將橫軸為tan 及縱軸為絕緣 電阻和電阻率變化的圖，顯示在圖29中。HAST試驗(yàn)的條件及時(shí)間條件85°CX85% X3. 3V時(shí)間115hr試驗(yàn)后的絕緣電阻為IO7 Ω或IO7 Ω以上的為合格。熱循環(huán)試驗(yàn)條件-55°cχ 5分鐘o125°C χ 5分鐘次數(shù)1000次試驗(yàn)后的電阻率變化為士 10%或士 10%以內(nèi)的為合格。此外，測(cè)定與后面敘述的 第8實(shí)施例相同。
由圖28及圖29的結(jié)果得知在θ滿足2. 8 < tan < 55的關(guān)系式時(shí)，同時(shí)滿足
絕緣可靠性和連接可靠性。解析HAST試驗(yàn)后的第7實(shí)施例_1的多層印刷電路板和熱循環(huán)試驗(yàn)后的第7實(shí)施 例_6的多層印刷電路板。在第7實(shí)施例-6中，得知由于以多層芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的側(cè)壁和絕緣樹脂 間的界面作為起點(diǎn)破裂或其界面剝離而引起電阻的上升。在第7實(shí)施例-1中，得知由于在多層芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的基底的導(dǎo)體層間 (絕緣層上)散布有的蝕刻殘留銅，而引起絕緣電阻的降低。并且，在Θ滿足2.8<tan < 55時(shí)，提高絕緣可靠性或連接可靠性。此外，通過圖28的第7實(shí)施例_2、4、6(圖27 (C) R面狀錐形)和第7實(shí)施例_7 第7實(shí)施例_9(圖27(B)直線狀錐形)間的比較而得知關(guān)于導(dǎo)體層的側(cè)面的形狀，R面 狀錐形的連接可靠性比直線狀錐形的好。推測(cè)這是由于R面狀增加了導(dǎo)體層的側(cè)面和絕緣 樹脂間的緊密接合強(qiáng)度，分散了應(yīng)力，因此更難以發(fā)生破裂或剝離的緣故。[第8實(shí)施例]第8實(shí)施例是依據(jù)第5實(shí)施例，在圖13(F)中，如以下而進(jìn)行芯基板的內(nèi)層導(dǎo)體層 16E、16P的電路形成，這是所謂隆起法，以蝕刻液的主成分作為氯化亞銅，通過噴嘴(距離 基板一定距離而上下設(shè)置)對(duì)通過輸送器而搬送至蝕刻區(qū)域的基板噴灑噴射該蝕刻液。改 變蝕刻方法或蝕刻條件，或者是在主成分添加抑制劑，將錐形的形狀或?qū)w層的側(cè)面的角 度調(diào)整為以下的第8實(shí)施例-1 第8實(shí)施例-30的那樣。此外，第8實(shí)施例-1 第8實(shí) 施例-30各自的Θ及其形狀(直線狀錐形或R面狀錐形)是為能夠觀察內(nèi)層導(dǎo)體的縱截 面進(jìn)行研磨，并用X 100 Χ1000的帶有刻度的顯微鏡進(jìn)行截面觀察到的實(shí)測(cè)值。此外， 截面觀察是用制品之外的在相同條件下制作成的導(dǎo)體層的側(cè)面形狀觀察用基板而進(jìn)行。測(cè) 定數(shù)目是將1個(gè)制品分割成為4部分，對(duì)各部份隨機(jī)地各測(cè)定2點(diǎn)(合計(jì)為8個(gè)數(shù)據(jù))。此外，在各個(gè)實(shí)施例中，在制作多層芯時(shí)的圖13(E)，僅改變銅箔的厚度，來改變內(nèi) 層導(dǎo)體層的厚度。上述抑制劑是吸附于銅上而抑制銅與基板(側(cè)面蝕刻)在水平方向上蝕刻的添加 劑，能夠使得上述Θ變大。作為該抑制劑有苯并三唑等，可以通過改變其濃度而控制抑制 側(cè)面蝕刻的程度。為了高濃度地添加苯并三唑，因此，能夠同時(shí)添加表面活性劑(兩性表面 活性劑烷基二甲基胺基乙酸甜菜堿及非離子性表面活性劑聚氧化乙烯烷基醚)，使得導(dǎo) 體層的側(cè)面成為更加接近于垂直的形狀?！傅?實(shí)施例-1」內(nèi)層導(dǎo)體層的厚度30 μ m圖I5 (B)的 34、34P、34E 的導(dǎo)體厚度20 μ m。抑制劑對(duì)于蝕刻液的添加抑制劑未添加蝕刻方法使用的噴嘴全圓錐形噴嘴(呈放射狀地進(jìn)行噴灑噴射的噴嘴)噴嘴的搖動(dòng)(搖頭)有使用的噴嘴僅下面
在第8實(shí)施例-1，用全圓錐形噴嘴在搖頭的狀態(tài)下放射狀地對(duì)于未添加材的蝕刻 液進(jìn)行噴灑，從而使得導(dǎo)體層的側(cè)面成為R面狀錐形，tan θ是1. 6 2. 5(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最 小值 最大值)?！傅?實(shí)施例-2」在第8實(shí)施例-1中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30μπι改變成為45μπι。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和 的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 1. 4 2. 1 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-3」在第8實(shí)施例-1，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為60 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 1. 4 2. 1 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-4」在第8實(shí)施例-1，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為100 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 1. 3 1. 9 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-5」在第8實(shí)施例-1中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為125 μ m，使得圖14㈧ 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為225 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 1. 3 1. 9 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-6」在第8實(shí)施例-1中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為150 μ m，使得圖14㈧ 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為250 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 1. 2 1. 7 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-7」內(nèi)層導(dǎo)體層的厚度30 μ m圖I5 (B)的 34、34P、34E 的導(dǎo)體厚度20 μ m。抑制劑對(duì)于蝕刻液的添加抑制劑添加苯并三唑(BTA) 1200ppm、表面活性劑450ppm。蝕刻方法使用的噴嘴縫隙噴嘴(呈直線狀地進(jìn)行噴灑噴射的噴嘴)噴嘴的搖動(dòng)(搖頭)無使用的噴嘴僅上面
在第8實(shí)施例-7中，在蝕刻液中添加抑制劑，通過縫隙噴嘴呈直線狀地進(jìn)行噴灑， 因此，其tan 比第8實(shí)施例-1 第8實(shí)施例-6中的tan 大。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3· 0 10. 8(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-8」在第8實(shí)施例-7中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30μπι改變成為45μπι。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3· 0 11. 0 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-9」在第8實(shí)施例-7，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為60 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3· 0 11. 2 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-10」在第8實(shí)施例-7，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為100 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :2· 8 11. 2 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-11」在第8實(shí)施例-7，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為125 μ m，使得圖14㈧的 預(yù)浸樹脂布的厚度成為225 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :2. 7 11. 0 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-12」在第8實(shí)施例-7，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為150 μ m,使得圖14㈧的 預(yù)浸樹脂布的厚度成為250 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :2. 7 11. 4(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-13」內(nèi)層導(dǎo)體層的厚度30 μ m圖 15 (B)的 34、34P、34E 的導(dǎo)體厚度20 μ m。抑制劑對(duì)于蝕刻液的添加抑制劑添加苯并三唑(BTA) lOOOppm、表面活性劑450ppm。蝕刻方法使用的噴嘴縫隙噴嘴(直線狀地進(jìn)行噴灑噴射的噴嘴)
噴嘴的搖動(dòng)(搖頭)無使用的噴嘴僅下面在第8實(shí)施例-13中，使添加于蝕刻液中的抑制劑的量少于第8實(shí)施例-7，僅用下 面的縫隙噴嘴而進(jìn)行噴灑，因此，與第8實(shí)施例-7比較時(shí)，tan Θ是下面的值相等但其范圍變小。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 3. 0 5. 3 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-14」在第8實(shí)施例-13中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為45 μ m。除此以外相 同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3. 1 5. 4(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-15」在第8實(shí)施例-13中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為60 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3. 1 5. 4(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-16」在第8實(shí)施例-13中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為100 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 2. 7 5. 5 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-17」在第8實(shí)施例-13中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為125 μ m，使得圖14 (A) 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為225 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 2. 9 5. 7 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-18」在第8實(shí)施例-13中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為150 μ m,使得圖14 (A) 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為250 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :2. 7 5. 7 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-19」
在第8實(shí)施例-7中，僅用下面的縫隙噴嘴而進(jìn)行蝕刻。結(jié)果，相對(duì)于第8實(shí)施 例-7，其tan 的范圍變小。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan 4. 2 10. 8(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-20」在第8實(shí)施例-19中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為45 μ m。除此以外相 同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :4. 0 11. 0 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-21」在第8實(shí)施例-19中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為60 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3. 8 11. 0 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-22」在第8實(shí)施例-19中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為100 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3. 7 11. 2 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-23」在第8實(shí)施例-19中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為125 μ m,使得圖14 (A) 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為225 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3. 7 11. 4(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-24」在第8實(shí)施例-19中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為150 μ m,使得圖14 (A) 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為250 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和Θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀R面tan :3. 7 11. 3 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-25」在第8實(shí)施例-19中，使得苯并三唑的濃度成為1800ppm。結(jié)果，導(dǎo)體層的側(cè)面形 狀成直線狀錐形。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果
錐形的形狀直線tan :4. 0 10. 8 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-26」在第8實(shí)施例-25中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為45 μ m。除此以外相 同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀直線tan 4. 0 10. 8(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-27」在第8實(shí)施例-25中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為60 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀直線tan :4. 0 11. 0 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-28」在第8實(shí)施例-25中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為100 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀直線tan :3. 7 11. 2 (8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-29」在第8實(shí)施例-25中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為125 μ m，使得圖14 (A) 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為225 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀直線tan :3. 8 11. 4(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)「第8實(shí)施例-30」在第8實(shí)施例-25中，將內(nèi)層導(dǎo)體的厚度由30 μ m改變成為150 μ m,使得圖14 (A) 的預(yù)浸樹脂布的厚度成為250 μ m。除此以外相同。導(dǎo)體層的側(cè)面形狀和θ的測(cè)定結(jié)果錐形的形狀直線tan :3. 7 11. 4(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值 最大值)(第8比較例-1)是在第8比較例-1中，使得圖13 (E)的銅箔厚度成為7. 5 μ m，圖15 (B)的34、34P、 34E的導(dǎo)體厚度成為7. 5μπι。即，芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和與層間絕緣層上的導(dǎo)體 電路58的厚度相等。(第8比較例-2)是在第8比較例_7中，使得圖13 (E)的銅箔厚度成為7. 5 μ m，圖15 (B)的34、34P、 34E的導(dǎo)體厚度成為7. 5μπι。即，芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和與層間絕緣層上的導(dǎo)體電路58的厚度相等。(第8比較例-3)是在第8比較例-13中，使得圖13(E)的銅箔厚度成為7. 5 μ m，圖15⑶的34、 34P、34E的導(dǎo)體厚度成為7. 5μπι。即，芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和與層間絕緣層上的 導(dǎo)體電路58的厚度相等。(第8比較例-4)是在第8比較例-19中，使得圖13(E)的銅箔厚度成為7. 5 μ m，圖15⑶的34、 34P、34E的導(dǎo)體厚度成為7. 5μπι。即，芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和與層間絕緣層上的 導(dǎo)體電路58的厚度相等。將第8實(shí)施例、第8比較例各自的多層印刷電路板的錐形形狀和tan 顯示于圖 30。此外，通過以下說明的方法對(duì)第8實(shí)施例和第8比較例的多層印刷電路板確認(rèn)了其所 搭載的IC芯片是否有錯(cuò)誤動(dòng)作。作為IC芯片是將從以下的No. 1 4所選出的任何一種IC芯片安裝于各多層印 刷電路板，進(jìn)行100次的同時(shí)開關(guān)，評(píng)價(jià)有無錯(cuò)誤動(dòng)作。將各個(gè)多層印刷電路板及同時(shí)開關(guān)試驗(yàn)的結(jié)果，顯示在圖30。No. 1 驅(qū)動(dòng)頻率3· 06GHz、總線頻率(FSB) :533MHzNo. 2 驅(qū)動(dòng)頻率3. 2GHz、總線頻率(FSB) :800MHzNo. 3 驅(qū)動(dòng)頻率3. 4GHz、總線頻率(FSB) :800MHzNo. 4 驅(qū)動(dòng)頻率3. 46GHz、總線頻率(FSB) 1066MHz此外，對(duì)于安裝了 IC的第8實(shí)施例19-30的多層印刷電路板進(jìn)行1000次、2000次 的與第7實(shí)施例的同樣的熱循環(huán)試驗(yàn)，評(píng)價(jià)連接電阻。連接電阻是這樣測(cè)定的測(cè)定從多層 印刷電路板的背面的測(cè)定用端子1通過IC而與多層印刷電路板的背面的測(cè)定用端子2相 連的閉合電路的連接電阻。如果(熱循環(huán)后的連接電阻-初始值的連接電阻)/初始值的 連接電阻XlOO在士 10%以內(nèi)的話，則作為〇，其以外者為X。由安裝No. 1的IC芯片的結(jié)果而得知根據(jù)本發(fā)明的多層印刷電路板，不發(fā)生錯(cuò) 誤動(dòng)作。此外，由安裝了 No. 2的IC芯片的第8實(shí)施例-1和第8實(shí)施例_7、13、19、25的 比較得知如果芯基板的導(dǎo)體層的厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體電路的厚度、tan 的值 >2. 7，則不容易發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。第8實(shí)施例-1由于內(nèi)層的導(dǎo)體層的導(dǎo)體體積小，則電源層 的電阻變高，所以，推測(cè)在電源的供給產(chǎn)生延遲而發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。此外，根據(jù)安裝了 No. 3的 IC芯片的多層印刷電路板，如果內(nèi)層導(dǎo)體層的厚度成為60 100 μ m，則無錯(cuò)誤動(dòng)作發(fā)生， 但是，在tan 的值小的第8實(shí)施例-1、2和tan 的范圍大的第8實(shí)施例-11、12中，發(fā)生 錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)在第8實(shí)施例_11、12發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作是由于貫通多層芯的信號(hào)用通孔的阻 抗在各個(gè)通孔的差異變大而在信號(hào)到達(dá)上產(chǎn)生差異的緣故。在比較安裝了 No. 4的IC芯片 的第8實(shí)施例-19 24和第8實(shí)施例-25 30的多層印刷電路板時(shí)，得知在錐形形狀為 R面時(shí)，不容易發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)這是由于內(nèi)層導(dǎo)體層的側(cè)面形狀成為直線狀時(shí)，與R面 的多層印刷電路板相比，信號(hào)用通孔的所感覺到的阻抗差(參照?qǐng)D31)變大，因此，信號(hào)的 反射變得更多，或者是由于導(dǎo)體層側(cè)面和絕緣層間的緊密接合所帶來的影響。此夕卜，由第8實(shí)施例-13 24而得知tan 為2. 7 5. 7或3. 7 11. 4時(shí)，內(nèi) 層導(dǎo)體的厚度最好是45 150 μ m。
將第8實(shí)施例-14 18、20 24的多層印刷電路板放置在高溫·高濕度(85度·85% )下100小時(shí)，在安裝了 No. 4的IC芯片后，進(jìn)行同時(shí)開關(guān)。內(nèi)層導(dǎo)體層的厚度成 為60 150 μ m的第8實(shí)施例-15 18、21 24不發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作，但在第8實(shí)施例-14、 20中，觀察到了錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)這是由于高溫·高濕試驗(yàn)而使導(dǎo)體的電阻值上升的緣故。 由該結(jié)果得知tan 為2. 7 5. 7或3. 7 11. 4，作為內(nèi)層導(dǎo)體的厚度更加理想是60 150 μ m0「第9實(shí)施例」按照所述的第5實(shí)施例而制作第9實(shí)施例-1 第9實(shí)施例-28和第9比較例_1 第9比較例-3的多層印刷電路板。但是，在各個(gè)的實(shí)施例、比較例中，改變芯基板的導(dǎo)體層 的厚度、芯基板的導(dǎo)體層的層數(shù)、不具有虛設(shè)連接盤的通孔數(shù)、不具有虛設(shè)連接盤的區(qū)域、 層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度。在改變內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度時(shí)，在圖13(E)中，改變了銅箔 的厚度。在改變芯基板的表背面的導(dǎo)體層的厚度時(shí)，改變了圖14(B)的銅箔厚度、圖14(D)、 圖15(A)的電鍍厚度。在改變芯基板的導(dǎo)體層的層數(shù)時(shí)，在圖14(B)的工序后，通過反復(fù)地 進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的電路形成、電路表面的粗化、預(yù)浸樹脂布和銅箔的層疊來進(jìn)行。在改變不具 有虛設(shè)連接盤的通孔數(shù)或不具有虛設(shè)連接盤的區(qū)域時(shí)，在圖13(F)的電路形成(添加)時(shí)， 通過改變用以蝕刻銅箔的蝕刻阻劑形成時(shí)的曝光掩模而進(jìn)行。在改變層間絕緣層上的導(dǎo)體 層的厚度時(shí)，在圖3 (C)，通過改變電鍍厚度來進(jìn)行。以下，表示各個(gè)實(shí)施例和比較例的芯層數(shù)、電源用導(dǎo)體層的厚度、層間絕緣層上的 導(dǎo)體層的厚度、不具有虛設(shè)連接盤的通孔數(shù)及其區(qū)域等。(第9實(shí)施例-1)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度25 μ m4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和40 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-2)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度15 μ m4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度9μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和24μπι層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-3)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度45μπι4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和60 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-4)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度60μπι4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和75μπι層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m
(第9實(shí)施例-5)14層芯基板的各個(gè)內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度100μπι14層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和615 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-6)18層芯基板的各個(gè)內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度100μπι18層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和815 μ m間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-7)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度15 μ m4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度45μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和60 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-8)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度15 μ m4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度60μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和75 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-9)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度50μπι4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和65 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m(第9實(shí)施例-10)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度150μπι4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和165 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m此外，在上述第5實(shí)施例的(4)〈外層絕緣層及導(dǎo)體層的形成 > 工序中，使用 300 μ m厚度的預(yù)浸樹脂布。(第9實(shí)施例-11)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度175μπι4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和190 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m此外，在上述第5實(shí)施例的(4)〈外層絕緣層及導(dǎo)體層的形成 > 工序中，使用 300 μ m厚度的預(yù)浸樹脂布。
(第9實(shí)施例-12)4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度200μπι4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15μπι芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和215 μ m層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20 μ m此外，在上述第5實(shí)施例的(4)〈外層絕緣層及導(dǎo)體層的形成 > 工序中，使用了 300 μ m厚度的預(yù)浸樹脂布。(第9實(shí)施例-13)在第9實(shí)施例-3中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)〈內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所顯示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC 正下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)是相對(duì)于全部電源用通孔為50%，不具有虛設(shè) 連接盤的接地用通孔數(shù)是相對(duì)于全部接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-14)在第9實(shí)施例-3中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，成為在 上述第5實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中所顯示的不具有虛設(shè)連接盤的通 孔。(第9實(shí)施例-15)在第9實(shí)施例-9中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC正 下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)相對(duì)于全部電源用通孔為50 %，不具有虛設(shè)連接 盤的接地用通孔數(shù)相對(duì)于全部接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-16)在第9實(shí)施例-9中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，成為在 上述第5實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中的所示的不具有虛設(shè)連接盤的通 孔。(第9實(shí)施例-17)在第9實(shí)施例-4中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)〈內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC正 下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)相對(duì)于全部電源用通孔為50%，不具有虛設(shè)連接 盤的接地用通孔數(shù)相對(duì)于全部接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-18)在第9實(shí)施例_4中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，為在上 述第5實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中所示的不具有虛設(shè)連接盤的通孔。(第9實(shí)施例-19)在第9實(shí)施例-10中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)〈內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC正 下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)相對(duì)于全部電源用通孔為50%，不具有虛設(shè)連接 盤的接地用通孔數(shù)相對(duì)于全接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-20)
在第9實(shí)施例-10中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，為在 上述第5實(shí)施例的(5) <內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中所示的不具有虛設(shè)連接盤的通孔。(第9實(shí)施例-21)在第9實(shí)施例-11中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)〈內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC正 下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)相對(duì)于全部電源用通孔為50%，不具有虛設(shè)連接 盤的接地用通孔數(shù)相對(duì)于全部接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-22)在第9實(shí)施例-11中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，為在 上述第5實(shí)施例的(5) <內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中所示的不具有虛設(shè)連接盤的通孔。(第9實(shí)施例-23)在第9實(shí)施例-12中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所顯示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC 正下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)相對(duì)于全部電源用通孔為50 %，不具有虛設(shè)連 接盤的接地用通孔數(shù)相對(duì)于全部接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-24)在第9實(shí)施例-12中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，為在 上述第5實(shí)施例的(5) <內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中所示的不具有虛設(shè)連接盤的通孔。(第9實(shí)施例-25)在第9實(shí)施例-7中，使得一部分電源用通孔和接地用通孔，為不具有在上述第5 實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序〉中所示的虛設(shè)連接盤的通孔。該區(qū)域是IC正 下部，不具有虛設(shè)連接盤的電源用通孔數(shù)相對(duì)于全部電源用通孔為50 %，不具有虛設(shè)連接 盤的接地用通孔數(shù)相對(duì)于全部地接地用通孔為50%。(第9實(shí)施例-26)在第9實(shí)施例-7中，使得IC正下部的全部電源用通孔和全部接地用通孔，為在上 述第5實(shí)施例的(5)<內(nèi)層金屬層的電路形成工序 > 中所示的不具有虛設(shè)連接盤的通孔。
0717](第9實(shí)施例-27)0718]6層芯基板的各個(gè)內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度32. 5 μ m0719]6層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15 μ m0720]芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和80μπι0721]層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20μπι0722](第9實(shí)施例-28)0723]4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度125 μ m0724]4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度15 μ m0725]芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和140μπι0726]層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度20μπι0727](第9比較例-1)0728]4層芯基板的內(nèi)層的電源用導(dǎo)體層的厚度10 μ m0729]4層芯基板的表層的電源用導(dǎo)體層的厚度10 μ m
但是，即使(多層芯基板的電源用導(dǎo)體層的厚度和/層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚 度)為上述范圍，僅1層的導(dǎo)體層變厚的第9實(shí)施例_11、12，其芯基板的絕緣可靠性也比其 他的實(shí)施例的差而成為不良(參照?qǐng)D32)。由此得知不僅是僅1層變厚，通過對(duì)于芯進(jìn)行 多層化，使得電源用導(dǎo)體層的厚度和成為上述范圍，則可獲得即使搭載高頻的IC，也不發(fā)生 錯(cuò)誤動(dòng)作，絕緣可靠性良好的印刷電路板。此外，在解析第9實(shí)施例_11、12的芯基板的絕緣性評(píng)價(jià)用測(cè)試圖案時(shí)，使得線間 的間隔變窄。推測(cè)因?yàn)槿绱硕沟媒^緣電阻低于規(guī)格。此外，也由圖34的第9實(shí)施例-3、 4和第9實(shí)施例_7、8的比較而得知多層芯基板的表背面的導(dǎo)體層的厚度最好比內(nèi)層的導(dǎo) 體層的厚度薄。這是由于在表背面形成厚導(dǎo)體層時(shí)，在其影響下而使得層間劑呈起伏，則在 層間絕緣層上無法形成微細(xì)的配線的緣故。對(duì)于按照第9實(shí)施例-1 12、27、28、第9比較例_1 3所制造的多層印刷電路 板，通過以下說明的方法而確認(rèn)其在搭載的IC芯片上是否有錯(cuò)誤動(dòng)作。作為IC芯片是將由以下的No. 1 3所選出的任何一種IC芯片安裝于各個(gè)多層 印刷電路板，進(jìn)行100次的同時(shí)開關(guān)，評(píng)價(jià)有無錯(cuò)誤動(dòng)作。將這些結(jié)果，表示于圖33中。No. 1 驅(qū)動(dòng)頻率3. 06GHz、總線頻率(FSB) :533MHzNo. 2 驅(qū)動(dòng)頻率3· 2GHz、總線頻率(FSB) :800MHzNo. 3 驅(qū)動(dòng)頻率3. 46GHz、總線頻率(FSB) 1066MHz由安裝No. 1的IC芯片的結(jié)果得知若1.0 < α 1/α 2的比率彡40，則在IC沒有 觀察到錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)這是由于電源層的導(dǎo)體電阻低，因此，瞬間地進(jìn)行對(duì)于IC的電源供 給的緣故。由安裝No. 2的IC芯片的結(jié)果得知在IC的驅(qū)動(dòng)頻率變得更加高速度時(shí)，因?yàn)?必須在更短的短時(shí)間，向IC供給電源，因此，存在更加適當(dāng)?shù)姆秶Ｔ诙鄬有镜膬?nèi)層的導(dǎo)體 層變厚的第9實(shí)施例_11、12或內(nèi)層的層數(shù)變多的第9實(shí)施例_5、6中而發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作的理 由，推測(cè)是除了在由于芯基板變厚所造成的電源的供給需要時(shí)間以外，也可能在信號(hào)傳達(dá) 至信號(hào)用通孔(IC信號(hào)電路電連接的通孔)時(shí)發(fā)生惡化。在信號(hào)用通孔貫通4層芯的狀態(tài) 下，該通孔由上面開始依次貫通絕緣層(圖18中的表層的電源層和內(nèi)層的接地層間的絕緣 層)、接地層、絕緣層(圖18中的內(nèi)層的接地層和內(nèi)層的電源層間的絕緣層)、電源層、絕緣 層(圖18中的內(nèi)層的電源層和背面的接地層間的絕緣層)。信號(hào)配線是由于周圍的接地或 電源的有無等而改變阻抗，因此，例如以表層的電源層和接地層之間的絕緣層及接地層間 的界面為界而阻抗值不同。因此，在該界面上產(chǎn)生信號(hào)的反射。即使是在其他界面也產(chǎn)生 同樣現(xiàn)象。推測(cè)此種阻抗的變化量是隨著信號(hào)用通孔和接地層、電源層之間的距離越加接 近，接地層、電源層的厚度越厚，界面數(shù)越多，而變得越大，因此，在第9實(shí)施例_5、6、11、12 中發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。此外，推測(cè)在第9實(shí)施例_1、2，是由于電源層的厚度和小的緣故。此外，由安裝No. 3的IC的結(jié)果得知在IC還更加進(jìn)行高速度化時(shí)，α 1/ α 2為 3 7的4層芯時(shí)而有效。推測(cè)這是由于能夠同時(shí)達(dá)到在短時(shí)間的電源供給和防止信號(hào)惡 化的緣故。此外，由第9實(shí)施例_3、4和第9實(shí)施例_7、8的比較而得知從電方面考慮在內(nèi) 層配置厚導(dǎo)體層者也是有利的。推測(cè)這是由于在內(nèi)層具有厚導(dǎo)體層，因此，由于電源用通孔 和內(nèi)層的接地層間及接地用通孔和內(nèi)層的電源層間的相互作用而使得電感變小的緣故。通過以下說明的方法對(duì)于按照第9實(shí)施例-13 26所制造的多層印刷電路板確認(rèn)了其搭載的IC芯片上是否有錯(cuò)誤動(dòng)作。IC芯片是將由以下的No. 1 3所選出的任何一種IC芯片安裝于各個(gè)多層印刷電 路板，進(jìn)行100次的同時(shí)開關(guān)，評(píng)價(jià)有無錯(cuò)誤動(dòng)作。將這些結(jié)果顯示在圖36。在圖中所使用的TH是通孔的縮寫。No. 1 驅(qū)動(dòng)頻率3. 06GHz、總線頻率(FSB) :533MHzNo. 2 驅(qū)動(dòng)頻率3· 2GHz、總線頻率(FSB) :800MHzNo. 3 驅(qū)動(dòng)頻率3. 46GHz、總線頻率(FSB) 1066MHz比較第9實(shí)施例-10和第9實(shí)施例_19、20得知通過成為不具有虛設(shè)連接盤的通 孔，從而難以發(fā)生IC的錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)這是由于不具有虛設(shè)連接盤的部分、電位相反的通 孔和內(nèi)層的導(dǎo)體層接近，因此減少互感的緣故。或者是推測(cè)這是由于電流容易流動(dòng)在導(dǎo)體 的表面，因此沒有虛設(shè)連接盤的部分、電流動(dòng)的配線長(zhǎng)度變短的緣故。將第9實(shí)施例-3、4、13、14、17、18、28的印刷電路板放置在高溫·高濕度(85 度·85%)的環(huán)境下100小時(shí)。然后，在各個(gè)印刷電路板上安裝上述的No. 3IC芯片，進(jìn)行同 時(shí)開關(guān)，確認(rèn)有無錯(cuò)誤動(dòng)作。除了第9實(shí)施例-3以外，都沒有錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)由于高溫 高 濕度試驗(yàn)而使得導(dǎo)體層的電阻變大，因此在第9實(shí)施例-3中發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。推測(cè)其他實(shí) 施例也相同，電阻上升，但是，相對(duì)于第9實(shí)施例_3，其他實(shí)施例是導(dǎo)體層的厚度厚，或者是 成為不具有虛設(shè)連接盤的通孔，因此，其電感低于第9實(shí)施例-3的電感，所以不發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng) 作。因此，認(rèn)為內(nèi)層的導(dǎo)體層的厚度最好是60μπι 125μπι。能夠由以上而推測(cè)在成為 多層芯時(shí)，不具有內(nèi)層的導(dǎo)體厚度和虛設(shè)連接盤的通孔彼此相互影響。(第10實(shí)施例)在第8實(shí)施例-14 18、20 24的多層印刷電路板中，在圖13 (F)的工序中，使得 IC正下方的電源用通孔和接地用通孔為不具有虛設(shè)連接盤的通孔。其數(shù)目是兩者都相對(duì)于 全部電源用通孔、全部接地用通孔以50、100%的2種水準(zhǔn)而制作的。將這些作為第10實(shí)施 例-1 20。將第10實(shí)施例-1 20的印刷電路板放置在高溫·高濕度(85度·85% )下 100小時(shí)。然后，安裝在第8實(shí)施例的評(píng)價(jià)試驗(yàn)所使用的No. 4的IC芯片，進(jìn)行同時(shí)開關(guān)。 將該結(jié)果顯示在圖37。由該結(jié)果得知通過使得通孔成為不具有虛設(shè)連接盤的通孔，使得 導(dǎo)體層的側(cè)壁成為錐形，而其結(jié)果變得更加良好。此外，實(shí)施例7 10的內(nèi)層的接地層的導(dǎo)體厚度與內(nèi)層的電源層的導(dǎo)體厚度相 同，芯基板的背面的接地層的導(dǎo)體厚度與表面的電源層的導(dǎo)體厚度相同。因此，接地層的導(dǎo) 體厚度和與電源層也是的同樣厚度，從而能夠降低噪音，難以發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。附圖中附圖標(biāo)記的說明12:金屬層(金屬板)14 樹脂層16 導(dǎo)體電路16Ρ 導(dǎo)體層16Ε 導(dǎo)體層18 樹脂層30 基板32 銅箔0779]34導(dǎo)體電路0780]34P導(dǎo)體層0781]34E導(dǎo)體層0782]36通孑L0783]40樹脂填充層0784]50層間樹脂絕緣層0785]58導(dǎo)體電路0786]60層間導(dǎo)通用孔0787]70阻焊劑層0788]71開口0789]76U、76D 焊錫凸塊0790]90IC芯片0791]94子板0792]98 片狀電容器
權(quán)利要求
一種多層印刷電路板，在芯基板上形成層間絕緣層和導(dǎo)體層，通過層間導(dǎo)通用孔被進(jìn)行電連接，其特征在于，所述芯基板是在表背面具有導(dǎo)體層并且在內(nèi)層具有厚導(dǎo)體層的3層或3層以上的多層芯基板；所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層和表背面的導(dǎo)體層內(nèi)的至少1層是電源層用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體層，所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的側(cè)面成為錐形狀，設(shè)連結(jié)該導(dǎo)體層的側(cè)面的上端和下端的直線與芯基板的水平面所成的角度為Θ時(shí)，所述Θ滿足2.8＜tanΘ＜55的關(guān)系式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層 的厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體 層是2層或2層以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板是這樣構(gòu)成 的在電絕緣的金屬板的兩面隔著樹脂層形成所述內(nèi)層的導(dǎo)體層，并在該內(nèi)層的導(dǎo)體層的 外側(cè)隔著樹脂層形成所述表背面的導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板是在內(nèi)層具備 厚度厚的導(dǎo)體層，在表層具備厚度薄的導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的內(nèi)層的各導(dǎo) 體層是電源用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體層中的任何一種導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的表面的導(dǎo)體 層是電源用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體層，背面的導(dǎo)體層是電源用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體 層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述電源用的導(dǎo)體層和所 述接地用的導(dǎo)體層被交替地進(jìn)行配置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，設(shè)對(duì)所述芯基板的表層的 電源用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的電源用的導(dǎo)體層厚度相加而得到的厚度為a 1、設(shè)層間絕緣 層上的導(dǎo)體層的厚度為a 2時(shí)，a 1和a 2是a 2 < a 1彡40 a 2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，設(shè)對(duì)所述芯基板的表層 的接地用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的接地用的導(dǎo)體層厚度相加而得到的厚度為a 1、層間絕緣 層上的導(dǎo)體層的厚度為a 2，a 1禾口 a 2是a 2 < a 1彡40 a 2。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多層印刷電路板，其特征在于，設(shè)對(duì)所述芯基板的表層 的電源用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的電源用的導(dǎo)體層厚度相加而得到的厚度為a 1、設(shè)層間絕 緣層上的導(dǎo)體層的厚度為a2時(shí)，al和a2是a2<al彡40a2;設(shè)對(duì)所述芯基板的表層的接地用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的接地用的導(dǎo)體層厚度相 加而得到的厚度為a 3、設(shè)層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為a 2時(shí)，a2和a3是a2 < a 3 彡 40 a 2。
12.—種多層印刷電路板，在芯基板上形成層間絕緣層和導(dǎo)體層，通過層間導(dǎo)通用孔被 進(jìn)行電連接，其特征在于，所述芯基板是在表背面具有導(dǎo)體層并且在內(nèi)層具有厚導(dǎo)體層的3層或3層以上的多層芯基板；所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層中的至少1層是電源層用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體層，表 背面內(nèi)的至少1層導(dǎo)體層是由信號(hào)線構(gòu)成，所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體層的側(cè)面成為錐形狀，設(shè)連結(jié)該導(dǎo)體層的側(cè)面的上端和下端 的直線與芯基板的水平面所成的角度為 時(shí)，所述 滿足2.8 < tan < 55的關(guān)系式。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的內(nèi)層的導(dǎo)體 層的厚度大于層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的內(nèi)層的 導(dǎo)體層是2層或2層以上。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板是這樣構(gòu) 成的在電絕緣的金屬板的兩面隔著樹脂層形成所述內(nèi)層的導(dǎo)體層，并在該內(nèi)層的導(dǎo)體層 的外側(cè)隔著樹脂層形成所述表背面的導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板是在內(nèi)層 具備厚度厚的導(dǎo)體層，在表層具備厚度薄的導(dǎo)體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，所述芯基板的內(nèi)層的 各導(dǎo)體層是電源用的導(dǎo)體層或接地用的導(dǎo)體層中的任何一種導(dǎo)體層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，設(shè)對(duì)所述芯基板的表 層的電源用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的電源用的導(dǎo)體層厚度相加而得到的厚度為α 1、設(shè)層間 絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為α 2時(shí)，α 1和α 2是α 2 < α 1≤40 α 2。
19.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，設(shè)對(duì)所述芯基板的表 層的接地用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的接地用的導(dǎo)體層厚度相加而得到的厚度為α 1、層間絕 緣層上的導(dǎo)體層的厚度為α 2，α 1和α 2是α 2 < α 1≤40 α 2。
20.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的多層印刷電路板，其特征在于，設(shè)對(duì)所述芯基板的表 層的電源用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的電源用的導(dǎo)體層厚度相加而得到的厚度為α 1、設(shè)層間 絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為α2時(shí)，α 和α2是α2<α1≤40α2;設(shè)對(duì)所述芯基板的表層的接地用的導(dǎo)體層厚度和內(nèi)層的接地用的導(dǎo)體層厚度相 加而得到的厚度為α 3、設(shè)層間絕緣層上的導(dǎo)體層的厚度為α 2時(shí)，α2和α3是α2 < α 3 ≤ 40 α 2。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多層印刷電路板，提供一種在高頻區(qū)域的IC芯片、特別是即使超過3GHz也不發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作或錯(cuò)誤的封裝基板。將芯基板(30)上的導(dǎo)體層(34P)形成為厚度30μm，將層間樹脂絕緣層(50)上的導(dǎo)體電路(58)形成為15μm。可以通過使導(dǎo)體層(34P)變厚，而增加導(dǎo)體本身的體積，從而降低電阻。并且，可以通過將導(dǎo)體層(34)用作電源層，而提高電源對(duì)于IC芯片的供給能力。
文檔編號(hào)H01L21/48GK101887880SQ20101021688
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2005年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月4日
發(fā)明者佐野克幸, 稻垣靖 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社