顯示裝置的制作方法

文檔序號：6944645閱讀：118來源：國知局

導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用芯片在玻璃上(以下稱其為COG)等方法安裝IC(集成電路)等的顯示裝置。為了與玻璃基板進行電連接，將在IC中形成的錫焊凸點與在基板上形成的端子焊盤對準位置之后，使兩者密接，將錫焊凸點加熱熔融而進行。或者，通過借助引線將從 IC引出的端子與基板上的端子相連接的所謂的引線鍵合法進行連接。另外，本發(fā)明涉及以這種方法安裝IC的顯示元件密封結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
便攜式電話及PDA、數(shù)字相機等都要求低功耗化、小型化、輕量化及多功能化等等。于是，在便攜式電話及PDA、數(shù)字相機等之上安裝的顯示器中在所謂的TFT基板上利用 COG (芯片在玻璃上)等方法直接安裝驅(qū)動器IC的情況日益增加(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1 日本專利第2553956號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，在將IC作為驅(qū)動器安裝到基板上時，由于驅(qū)動器IC本身具有一定高度，于是安裝驅(qū)動器IC的部分與未安裝驅(qū)動器IC的部分之間在基板上產(chǎn)生高低差。在圖1中示出將驅(qū)動器IC 103安裝到基板101上的基板剖面圖。另外，圖中的102表示像素區(qū)。顯示元件裝置具有由兩片基板夾著顯示元件的結(jié)構(gòu)。在將基板101與對置基板106粘接之際，保持均勻的間隔設(shè)置對置基板并采用密封材料粘接而進行密封。此時，在基板101和對置基板106的間隔不均勻時，因為對置基板將如圖5中的箭頭所示發(fā)生傾斜，不能水平配置而不能很好地密封。這一點對于采用不在基板上形成薄膜晶體管(TFT)的基板的顯示裝置(無源型顯示裝置)也一樣。在顯示裝置的密封不充分時，會成為顯示元件劣化的原因而使成品率下降。特別是由于有機EL元件等，其化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定，所以在與氧氣及水分等接觸時會立即劣化。因此，用來抑制來自外部的空氣及濕氣的侵入的密封結(jié)構(gòu)很重要。另外，在將IC配置在密封區(qū)以外時，邊框會加大。因此，存在不能加大顯示區(qū)、無法使模塊小型化等問題。本發(fā)明正是為了解決這一問題而完成的，是一種為控制基板間隔而在顯示板內(nèi)配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)的結(jié)構(gòu)。就是說，在同一基板上設(shè)置具有與IC相同高度，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)。此處，所謂IC的高度，指的是在基板上安裝了 IC時的從基板面起到IC的上表面止的高度。另外，所謂調(diào)整基板間隔的層的高度，指的是在基板上安裝調(diào)整基板間隔的層時的基板面起到調(diào)整基板間隔的層的上表面止的高度。另外，在本發(fā)明中，所謂相同高度，并不只限定于嚴格相同的高度。具體言之，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)可以具有與IC大致相同的高度，但優(yōu)選是調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)的高度在IC的高度的士0. 3mm以內(nèi)。此外，在將IC及調(diào)整基板間隔的層配置在使用密封材料等進行密封的區(qū)域中的場合，還必需考慮密封材料等的高度。在此場合，包含IC及密封材料等，稱為包含IC的材料層，而包含調(diào)整基板間隔的層及密封材料等，單稱為材料層。優(yōu)選是材料層的高度為在包含IC的材料層的高度的士0. 3mm以內(nèi)。采用這種結(jié)構(gòu)可以使其不傾斜地配置對置基板，可以進行充分的密封。其結(jié)果，可以得到顯示元件的耐久性、可靠性的提高及長壽命化等等。在將驅(qū)動器IC安裝于顯示裝置的密封區(qū)時，可以構(gòu)成所謂的邊框很窄的(窄邊框)顯示板，也可以期待利用密封材料的對IC的保護。IC本身采用封裝，但通過封裝使IC 的尺寸變得比IC芯片單體大。由于對利用COG法等安裝的IC要求小型化，將來在安裝無封裝IC的場合，通過將IC配置于顯示板的密封區(qū)可以使密封材料起到保護IC芯片的作用。在此場合，密封材料等可以形成密封區(qū)將IC覆蓋。至少，通過將包含密封材料的密封區(qū)的寬度取得比IC的寬度為寬，可以使密封材料覆蓋IC的側(cè)面、對IC進行保護(圖2(B))。IC 的寬度，可以是比密封區(qū)的寬度窄，作為一例是大于等于2mm小于等于3mm，作為另一例是大于等于Imm小于等于2. 5mm，作為再一例是大于等于0. 5mm小于等于1. 5mm，可以應(yīng)用于各種不同寬度的IC。當然，也可以形成密封區(qū)以保護IC的上下表面。
作為配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)或材料層的位置，顯示板的密封區(qū)也為優(yōu)選。通常，顯示裝置，因為在顯示板的端部四邊進行密封，所以如果在該密封區(qū)配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)或材料層，可以充分發(fā)揮本發(fā)明的效果。在圖2中示出將基板1 和對置基板6粘接的本發(fā)明的顯示板的剖面圖。IC3與具有相同程度的高度的調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4夾著像素區(qū)2配置。密封區(qū)是在設(shè)置IC3和調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的顯示板的周邊部及端部邊緣上利用密封材料7形成的。如圖2(A)所示，在使用密封材料7時，不僅IC3和調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4具有相同程度的高度，而且必須通過調(diào)整使包含密封材料的高度相同。具體言之，使調(diào)整基板間隔的層(隔離物層) 和密封材料相加的高度(即材料層的高度)，在IC和密封材料相加的高度(即包含IC的材料層的高度)的士0.3mm以內(nèi)為優(yōu)選。另外，IC并不只限定于一般驅(qū)動器IC，也可以是具有其他的功能的電路。如以上所詳細說明的，在利用COG法等在基板上連接和安裝驅(qū)動器IC的顯示裝置中，通過在基板上配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)或材料層來控制高低差，可以配置對置基板使其不傾斜。由此，可以進行接合精度高的密封。其結(jié)果，通過防止外部空氣及濕氣侵入可以得到耐久性、可靠性高、長壽命的顯示元件。另外，在將驅(qū)動器IC安裝到顯示裝置的密封區(qū)時，可以構(gòu)成邊框窄(窄邊框)的顯示板。此外，也可以利用密封材料等保護驅(qū)動器IC。

圖1為安裝IC的TFT基板的剖面圖。圖2為將調(diào)整基板間隔的層配置在驅(qū)動器上的TFT基板的剖面圖。圖3為將調(diào)整基板間隔的層配置成為包圍密封區(qū)的TFT基板的結(jié)構(gòu)圖。圖4為將安裝IC的TFT基板和對置基板粘接的顯示板的結(jié)構(gòu)圖。圖5為在產(chǎn)生高低差的TFT基板上配置對置基板的顯示板的剖面圖。
圖6為在布線上配置片狀電容器的結(jié)構(gòu)圖。圖7為將調(diào)整基板間隔的層配置在顯示板的角部的TFT基板的結(jié)構(gòu)圖。圖8為說明TFT的制作工序的示圖。圖9為說明TFT的制作工序的示圖。圖10為說明TFT的制作工序的示圖。圖11為說明液晶顯示裝置的制作工序的示圖。圖12為說明液晶顯示裝置的制作工序的示圖。圖13為說明液晶顯示裝置的制作工序的示圖。圖14為說明液晶顯示裝置的制作工序的示圖。圖15為說明EL顯示裝置的制作工序的示圖。圖16為說明EL顯示裝置的制作工序的示圖。圖17為說明EL顯示裝置的制作工序的示圖。圖18為說明EL顯示裝置的制作工序的示圖。圖19為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子機器的實例的示圖。圖20為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子機器的實例的示圖。圖21為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子機器的實例的示圖。圖22為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子機器的實例的示圖。圖23為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子機器的實例的示圖。圖24為示出應(yīng)用本發(fā)明的電子機器的實例的示圖。
具體實施例方式(實施方式1)下面利用圖2 4等對本發(fā)明的實施方式進行說明。首先，基板1，在利用COG法連接或安裝IC3時，一般為玻璃基板。然而，在本發(fā)明中，基板1，不限于使用玻璃基板，也可以使用塑料基板、Si晶片等。另外，在直接將IC3與塑料基板上的電極端子相連接時，采用 COP法(芯片在塑料上)。在本發(fā)明中，可以與基板1的材質(zhì)無關(guān)地在基板1上設(shè)置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4。下面對IC3進行說明。IC3可以是具有通用性的IC。IC的封裝為小型且易于安裝為優(yōu)選。或者也可以是IC芯片單體。基板1和IC3的電連接，是在使在IC上形成的錫焊凸點與在基板上形成的端子焊盤對準位置之后，使兩者密接并對錫焊凸點加熱熔融而進行。或者，利用以引線將從IC引出的端子與基板上的端子相連接的所謂的引線鍵合法進行連接。配置IC3的位置，在將IC3配置在顯示板的密封區(qū)時，可以構(gòu)成邊框窄(窄邊框)的顯示板，密封材料7可以起到保護IC的作用。調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4，只要是可以控制高低差，可以配置對置基板6使其不傾斜，使用什么都可以。例如，可以使用玻璃、塑料膜、金屬膜、Si基板、IC等。另外，也可以使用CVD法、旋涂法等形成薄膜。在此場合，可以形成氧化硅膜、氮化硅膜等絕緣膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜。在安裝了 IC3時，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4，與在基板1上產(chǎn)生的高低差具有同一高度為優(yōu)選。不考慮成本時，也可以形成與IC3相同的IC。另外，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4也可以具有與IC大致相同的高度。調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的高度在IC3的高度的士0. 3mm以內(nèi)為優(yōu)選。更優(yōu)選是調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)的高度在IC3的高度的士0. 05mm以內(nèi)。另外，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4在控制高低差以外，也可以具有電氣功能。在此場合，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的高度也可以比IC低。如圖6所示，也可以將用作電源的存儲電容器的片狀電容器(也稱為單片電容器)9配置在與連接端子11連接的布線10上。片狀電容器9在作為控制高低差的層的同時，也可以用作使電源穩(wěn)定的存儲電容器。例如，在經(jīng)電源線Vdd和電源線Vss配置片狀電容器9的場合，片狀電容器9作為兩個布線間的存儲電容器工作，可以期待電源Vdd和電源Vss的穩(wěn)定化。片狀電容器的高度一般為0. 6 1. Omm左右，以接近稱為CSP (芯片尺寸封裝)的芯片尺寸進行封裝的IC的高度小于等于1. 0mm。根據(jù)IC的高度選擇片狀電容器時可以將高低差抑制為IC的高度的士0.1mm以內(nèi)。另外，作為具有這種電氣功能的調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4也可以是片狀電阻等等。片狀電容器，設(shè)置在某一電壓供給線和另一布線之間。作為另一布線，沒有特別的限定，例如，既可以設(shè)置專用的布線，也可以使用另外的電壓供給線。片狀電阻，既可以設(shè)置在信號線和電壓供給線之間，或者也可以串聯(lián)地插入到信號線中。此外，也可以使用片狀電容器和片狀電阻的組合。片狀電容器，連接到電源線(Vdd線等)及接地線(Vss線、GND線)等可以連續(xù)供給一定的電位的布線為優(yōu)選。其原因是通過將片狀電容器配置在這種大量消耗電荷的布線上，在出現(xiàn)與該布線相連接的電路消耗大量電流的情況時，可以使用存儲于電容器上的電荷來迅速供給電流。就是說，使用存儲于電容器中的電荷可以防止由于大量電流流過而引起的電位下降。假設(shè)在消耗電流的電路附近沒有電容器時，就必須從距離很遠的位置供給電荷。此時，由于布線電阻的影響，布線的電位會下降。其結(jié)果，電路會發(fā)生誤動作。因此，通過將片狀電容器配置在消耗電流的電路附近，即玻璃基板上，可以防止電位降低及電路的誤動作。在將片狀電容器與布線相連接時，也可以配置只用于連接片狀電容器的布線而連接在該布線和電源線(Vdd線等)及接地線(Vss線、GND線)等連續(xù)供給一定電位的布線之間。然而，在此場合，由于必須具有專用的布線，優(yōu)選是將片狀電容器連接到電源線(Vdd 線等)及接地線(Vss線、GND線)等連續(xù)供給一定電位的布線之間。由此，可以減少布線數(shù)。另外，在將片狀電容器連接到布線間時，在電位高的布線(高電位側(cè)電源線)和電位低的布線(低電位側(cè)電源線)之間，配置片狀電容器是優(yōu)選的。其原因是通過連接到電位差大的布線間，可以保存更多的電荷。另外，在從外部向在基板上一體形成的像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)供給電壓的部分中，將片狀電容器連接在連續(xù)供給一定的電位的布線間是優(yōu)選的。由此，在像素區(qū)及驅(qū)動電路區(qū)中，可以減少由于電壓下降引起的動作故障。另外，在從外部向利用COG等的外帶IC供給電壓的部分中，將片狀電容器連接在向外帶IC連續(xù)供給一定的電位的布線間是優(yōu)選的。由此，可以減小向外帶IC供給的電壓的變動，減少誤動作。另外，在從利用COG等的外帶IC向在基板上一體形成的像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)供給電壓的部分中，將片狀電容器連接在連續(xù)供給一定的電位的布線間(即從外帶IC輸出的布線間)是優(yōu)選的。由此，可以減少在像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)中由于電壓下降而引起的動作故障。另外，片狀電容器可以配置在從外部向像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)供給電壓的布線、向利用 COG等的外帶IC供給電壓的布線及從利用COG等的外帶IC向像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)供給電壓的布線等之間的一個之上，也可以配置在全部之上。另外，也可以在電荷抽運電路中使用片狀電容器。但是，此處示出的示例只不過是一例而已，片狀電容器的用途并非限定于這些。片狀電阻，也可以用作上拉電阻及下拉電阻。就是說，通過在向利用COG等的外帶 IC輸入的信號線和向利用COG等的外帶IC輸入的電源線之間配置電阻，即使是在輸入信號的振幅不夠大的場合，也由于電源線的電位經(jīng)電阻傳遞到信號線，所以實質(zhì)上輸入信號的振幅增大，外帶IC容易動作。在該場合，通過在外帶IC的輸入端子的附近配置，可以減少將輸入信號輸入到外帶IC的電路的誤動作。另外，也可以將片狀電阻串聯(lián)配置在輸入到利用COG等的外帶IC的信號線和外帶IC的輸入端子之間。由此，在靜電進入外帶IC的場合，通過電阻可以使靜電的能量衰減而保護外帶IC。
另外，為了減小靜電的影響，也可以將片狀電阻和片狀電容器組合配置。在此場合，由于產(chǎn)生由RC引起的延遲，即使是在輸入由于靜電等引起的脈沖形狀的信號時，由于不會使信號減弱，可以減小靜電的影響而保護元件。另外，即使是在用作減小靜電用的場合，在用作上拉電阻及下拉電阻的場合之中，也并不限定應(yīng)用于向利用COG等的外帶IC進行輸入的部分。也可以配置在從利用COG等的外帶IC輸出的部分及向在基板上一體形成的像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)供給的部分。在此場合也可以得到與外帶IC的場合同樣的效果。就是說，通過在玻璃基板上配置片狀電阻，可以使外帶IC、將信號輸入外帶IC的電路及在基板上一體形成的像素區(qū)和驅(qū)動電路區(qū)容易正常動作，減小靜電的影響。但是，此處示出的示例只不過是一例而已，片狀電阻的用途并非限定于這些。當在基板上制作TFT，利用此TFT形成驅(qū)動電路、驅(qū)動器的場合，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)或材料層也可以配置在TFT基板上形成的驅(qū)動電路、驅(qū)動器之上。有源矩陣驅(qū)動的顯示裝置，是由信號線驅(qū)動電路供給信號，由掃描線驅(qū)動電路進行掃描并將外部信號存儲于各個像素。例如，在以IC安裝功耗大的信號線驅(qū)動電路的場合，可以在TFT基板上形成的掃描線驅(qū)動電路上配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)或材料層。另外，即使是在基板上不形成TFT的顯示裝置，即無源型顯示裝置中，本發(fā)明也可應(yīng)用是自不待言的。在IC3設(shè)置在基板1的一邊的場合，調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4必須設(shè)置在基板1的至少一邊之上。設(shè)置在一邊的場合，將調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4夾著像素區(qū)2配置在與IC3的相對側(cè)。圖3示出夾著像素區(qū)2在基板1的兩端形成的掃描線驅(qū)動電路5之上配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4，并且還夾著像素區(qū)2在與IC3的相對側(cè)也配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的結(jié)構(gòu)圖。另外，如圖4所示，也可以將調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4配置成包圍作為顯示裝置的密封區(qū)的顯示板周邊。在此場合，與圖3 的配置例相比，可以穩(wěn)定地配置對置基板6，增加與基板1的接合性。此外，也可以在基板1的全部角部上形成調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4(圖 7(A))。也可以不是配置在全部角部，而是夾著像素區(qū)2在與IC3的相對側(cè)一邊的角部兩個位置配置(圖7(B))。顯示裝置的密封，通過以密封材料7將基板1與對置基板6粘接而進行。在將調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)配置在密封區(qū)時，也可以在形成密封材料之前在整個基板或密封區(qū)上設(shè)置平坦化膜。由于具有平坦化膜，進一步增加基板1和對置基板6的接合性。平坦化膜，既可以是有機膜，也可以是無機膜。密封材料7可以通過利用分配器等進行涂敷的方法、絲網(wǎng)印刷法等形成。密封材料可以采用具有熱硬化性、熱塑性、紫外線硬化性的材料。另外，產(chǎn)生在像素區(qū)以及密封區(qū) 以外的基板1和對置基板6之間的間隙8中，也可以填充密封材料。作為顯示方式，也可以是液晶、有機EL、電子紙等。本發(fā)明對顯示方式?jīng)]有限制。在調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的粘接上使用粘接劑。以具有電氣功能的材料作為調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)，在配置位置不在驅(qū)動器及布線上的場合，與安裝IC 時一樣，也可以在基板1上形成的端子焊盤上配置調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4，通過將預(yù)先附著在調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4上的焊錫加熱熔融進行粘接。在將電容器，例如，片狀電容器這樣的具有電氣功能的器件作為調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)的場合，除了粘接之外還必須連接布線。另外，必須根據(jù)調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的配置位置和調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4的物質(zhì)性質(zhì)在粘接部設(shè)置絕緣層。特別是在將調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4配置于驅(qū)動器及布線上時，不能將導(dǎo)體原樣不變進行粘接。因此，必須在TFT基板和調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4之間形成絕緣膜等。在使用電絕緣性優(yōu)異的粘接劑時，也有粘接劑成為絕緣層的場合。然而，在調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4 具有電氣功能，反而不需要絕緣的場合，可使用導(dǎo)電性樹脂材料作為粘接劑。作為形成調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4和IC3的工序，可以是同時形成；也可以是在形成IC3后形成調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4 ；也可以在形成調(diào)整基板間隔的層 (隔離物層)4后形成IC3。于是，密封材料，在形成調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4和IC3 之后形成。對置基板6，也可以采用玻璃基板、塑料基板、硅晶片等等。但是，由于本發(fā)明是應(yīng) 用于顯示裝置，在基板1和對置基板6之中必須至少有一個是透光性的。另外，在本發(fā)明中，基板1和對置基板6是相同形狀為優(yōu)選。因此，不僅是像素區(qū)，IC3也可以由密封材料及對置基板6進行保護。最后，在基板1上利用上述方法形成IC3、調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4及密封材料7之后，將對置基板6貼合。(實施方式2)下面利用圖8、圖9及圖10，對本發(fā)明為有源矩陣顯示裝置的場合，說明在像素區(qū) 和周邊驅(qū)動電路區(qū)中形成的薄膜晶體管的制作方法。另外，在本實施方式中，說明的是采用晶態(tài)半導(dǎo)體膜的場合，但也可以采用非晶態(tài) 半導(dǎo)體膜、單晶半導(dǎo)體膜。首先，如圖8(A)所示，在基板500上，形成底層膜501?；?00可以使用例如硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁玻璃等的玻璃基板；石英基板；不銹鋼基板等。另外，也可以使用由以PET、PES、PEN為代表的塑料及丙烯等具有柔性的合成樹脂構(gòu)成的基板。設(shè)置底層膜501是為了防止在基板500中包含的Na等的堿金屬及堿土族金屬在半導(dǎo)體膜中擴散而對半導(dǎo)體元件的特性造成不良影響。因此，采用可以抑制堿金屬及堿土族金屬向半導(dǎo)體膜中擴散的氮化硅、含氮氧化硅等的絕緣膜來形成。在本實施方式中，使用等離子CVD法形成膜厚為IOnm 400nm(優(yōu)選是50nm 300歷)的含氮氧化硅膜。之后在底層膜501上形成半導(dǎo)體膜502。半導(dǎo)體膜502的膜厚為25nm IOOnm (優(yōu) 選是30nm 60nm)。另外，半導(dǎo)體膜502，既可以是非晶態(tài)半導(dǎo)體，也可以是多晶半導(dǎo)體。另夕卜，半導(dǎo)體不僅可以使用硅(Si)，也可以使用鍺化硅(SiGe)。在使用鍺化硅的場合，鍺的濃度為0. 01 4. 5原子％左右為優(yōu)選。之后，如圖8(B)所示，以直線激光499對半導(dǎo)體膜502進行照射進行結(jié)晶化。在進行激光結(jié)晶化的場合，在激光結(jié)晶化之前，為了提高半導(dǎo)體膜502對激光的耐受性，也可以對半導(dǎo)體膜502施加500°C、1小時的加熱處理。激光結(jié)晶化，可以使用連續(xù)振蕩的激光器或作為準CW激光器的振蕩頻率大于等于IOMHz，優(yōu)選是大于等于80MHz的脈沖振蕩激光器。具體言之，作為連續(xù)振蕩的激光器，可以使用的有Ar激光器、Kr激光器、CO2激光器、YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、Y2O3激光器、紅寶石激光器、金綠寶石(變石)激光器、Ti:藍寶石激光器、氦鎘激光器等等。另外，作為準CW激光器，如果是振蕩頻率大于等于10MHz，優(yōu)選是大于等于80MHz 的可以進行脈沖振蕩的激光器，那么可以使用的有Ar激光器、Kr激光器、準分子激光器、CO2 激光器、YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、Y2O3激光器、紅寶石激光器、金綠寶石(變石)激光器、Ti:藍寶石激光器、銅蒸氣激光器或金蒸氣激光器這樣的脈沖振蕩激光器。這種脈沖振蕩激光器，在增加振蕩頻率時，任何一個都顯示出與連續(xù)振蕩激光器同樣的效果。例如，在使用可進行連續(xù)振蕩的固體激光器的場合，通過進行二次諧波四次諧波的激光照射，可以得到大粒徑的結(jié)晶。代表性地，使用YAG激光器(基波1064nm)的二次諧波(532nm)及三次諧波(355nm)是優(yōu)選的。例如，利用非線性光學(xué)元件將從連續(xù)振蕩的 YAG激光器射出的激光變換為諧波，對半導(dǎo)體膜502進行照射。能量密度為0. 01 100MW/ cm2左右(優(yōu)選是0. 1 l(MW/cm2)。通過對上述半導(dǎo)體膜502進行激光照射，可形成進一步提高結(jié)晶性的晶態(tài)半導(dǎo)體膜 504。之后，如圖8 (C)所示，通過對晶態(tài)半導(dǎo)體膜504進行選擇性刻蝕，可形成島狀半導(dǎo) 體膜507 509。之后，將用來控制閾值的雜質(zhì)導(dǎo)入到島狀半導(dǎo)體膜。在本實施方式中，通過用乙硼烷(B2H6)進行摻雜，將硼⑶導(dǎo)入到島狀半導(dǎo)體膜中。之后，形成絕緣膜510以覆蓋島狀半導(dǎo)體膜507 509。對于絕緣膜510可以使用例如氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)或含氮氧化硅(SiOxNy :X > y > 0)等。并且，成膜方法可以使用等離子CVD法、濺射法等。之后，在絕緣膜510上形成導(dǎo)電膜之后，通過對導(dǎo)電膜進行選擇性刻蝕，形成柵電極 570 572。柵電極570 572，使用單層或大于等于2層的導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)而形成。在對大于等于2層的導(dǎo)電膜進行層疊的場合，也可以將從鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)中選擇的元素或以上述元素作為主要成分的合金材料或化合物材料層疊而形成柵電極570 572。另外，也可以使用以摻雜了磷(P)等雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜形成柵電極。在本實施方式中，柵電極570 572可以以下述方式形成。首先，作為第1導(dǎo)電膜 511，形成例如氮化鉭(TaN)膜，其厚度為10 50nm，例如，30nm。然后，在第1導(dǎo)電膜511 之上，作為第2導(dǎo)電膜512，形成例如，鎢(W)膜，其厚度為200 400nm，例如，370nm，形成第1導(dǎo)電膜511及第2導(dǎo)電膜512的疊層膜(圖8(D))。之后，以各向異性刻蝕對第2導(dǎo)電膜512進行刻蝕，形成上層?xùn)烹姌O560 562 (圖 9(A))。之后以各向同性刻蝕對第1導(dǎo)電膜511進行刻蝕，形成下層?xùn)烹姌O563 565 (圖 9(B))。以上述方式形成柵電極570 572。柵電極570 572，既可以作為柵布線的一部分形成，也可以另外形成柵布線，使柵電極570 572與該柵布線相連接。于是，將柵電極570 572或選擇形成的光刻膠作為掩模，對島狀半導(dǎo)體膜507 509分別添加賦予一種導(dǎo)電性(η型或ρ型導(dǎo)電性)的雜質(zhì)，形成源區(qū)、漏區(qū)以及低濃度雜質(zhì)區(qū)等。首先，使用磷化氫(PH3),將磷(P)以加速電壓60 120keV、劑量IXlO13 1 X IO15CnT2導(dǎo)入到島狀半導(dǎo)體膜。在導(dǎo)入此雜質(zhì)時，形成η溝道型TFT550及552的溝道形成區(qū)522及527。另外，為了制作ρ溝道型TFT551，利用乙硼烷(B2H6)在施加電壓60 IOOkeV,例如，80keV，劑量1 X IO13 5 X 1015cm_2，例如，3 X IO15cnT2的條件下，將硼(B)導(dǎo)入島狀半導(dǎo)體膜。由此，形成P溝道型TFT的源區(qū)或漏區(qū)523并且在導(dǎo)入雜質(zhì)時形成溝道形成區(qū)524 (圖 9(C))。之后，對絕緣膜510進行選擇刻蝕而形成柵絕緣膜580 582。在柵絕緣膜580 582形成后，在成為η溝道型TFT 550和552的島狀半導(dǎo)體膜中，使用磷化氫(PH3)，在施加電壓40 80keV,例如，50keV,劑量1. 0 X IO15 2.5X1016cm_2，例如，3.0X1015cm_2的條件下，將磷(P)導(dǎo)入。結(jié)果，形成η溝道型TFT的低濃度雜質(zhì)區(qū)521、526及源區(qū)或漏區(qū)520、525(圖10(A))。在本實施方式中，在η溝道型TFT550及552的源區(qū)或漏區(qū)520、525中分別包含 IXlO19 5Χ IO21CnT3的濃度的磷(P)。并且，在η溝道型TFT550及552的低濃度雜質(zhì)區(qū) 521、526中分別包含1 X IO18 5Χ IO19CnT3的濃度的磷(P)。此外，在ρ溝道型TFT551的源區(qū)或漏區(qū)523中包含1 X IO19 5 X IO21CnT3的濃度的硼⑶。之后，形成第1層間絕緣膜530覆蓋島狀半導(dǎo)體膜507 509、柵電極570 572 (圖 10(B))。作為第1層間絕緣膜530，利用等離子CVD法或濺射法，由包含硅的絕緣膜，例如，氧化硅膜(SiO)、氮化硅膜(SiN)、含氮氧化硅(SiOxNy :x>y>0)或其疊層膜形成。當然，第1層間絕緣膜530并不限定于含氮氧化硅膜及氮化硅膜或其疊層膜，也可以使用其他的包含硅的絕緣膜的單層或疊層結(jié)構(gòu)。之后，在410°C下對整體加熱1小時，通過從含氮氧化硅膜中釋放氫來進行氫化。不過，在進行了上述的在氮氣氛中以550°C進行4小時的加熱處理時是不需要的。之后，形成用作平坦化膜的第2層間絕緣膜531來覆蓋第1層間絕緣膜530。作為第2層間絕緣膜531，可以使用感光性或非感光性的有機材料(聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、光刻膠或苯甲酰環(huán)丁烷)、由硅(Si)和氧(0)的鍵(Si-O-Si鍵) 構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)，在取代基中至少包含氫或在取代基中具有氟、烷基或芳香族碳化氫中的至少一種的材料、所謂的環(huán)氧烷及其疊層結(jié)構(gòu)。作為有機材料，可以使用正型感光性有機樹脂或負型感光性有機樹脂。在本實施方式中，利用旋轉(zhuǎn)涂敷法使環(huán)氧烷形成為第2層間絕緣膜531。對第1層間絕緣膜530及第2層間絕緣膜531進行刻蝕，在第1層間絕緣膜530 及第2層間絕緣膜531中形成到達島狀半導(dǎo)體膜507 509的接觸孔。另外，也可以在第2層間絕緣膜531上形成第3層間絕緣膜，在第1層間絕緣膜第3層間絕緣膜中形成接觸孔。作為第3層間絕緣膜，使用與其他絕緣膜相比使水分和氧難以透過的薄膜。作為代表，可以使用利用濺射法或CVD法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、含氧氮化硅膜(SiNxOy膜(χ > y > 0)或SiOxNy膜(x > y > 0))、以碳為主要成分的薄膜(例如，DLC膜、CN膜)等。在第2層間絕緣膜531上經(jīng)接觸孔形成第3導(dǎo)電膜，對第3導(dǎo)電膜進行選擇性刻蝕，形成電極或布線540 544。在本實施方式中第3導(dǎo)電膜使用金屬膜。該金屬膜，可以使用由鋁(Al)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)或硅(Si)的元素構(gòu)成的薄膜或使用這些元素的合金膜。在本實施方式中，在將鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、硅-鋁合金膜(Al-Si)JjJl (Ti)分別層疊為60nm、40nm、300nm、 IOOnm之后，通過選擇性刻蝕成為所要求的形狀而形成電極或布線540 544。另外，電極或布線540 544，也可以由鎳、鈷、鐵之中至少一種元素以及含碳鋁合金膜形成。這種鋁合金膜，即使與硅接觸，也可以防止硅和鋁相互擴散。另外，這種鋁合金膜，即使與透明導(dǎo)電膜，例如，ITO(氧化銦錫)膜接觸，也不會發(fā)生氧化還原反應(yīng)，因此可以使兩者直接接觸。此外，這種鋁合金膜，因為電阻率低且耐熱性優(yōu)異，作為布線材料很有用。另外，電極或布線540 544分別可以是電極和布線同時形成，也可以是電極和布線分別形成并將其互相連接。利用上述一系列的工序，可以形成包含η溝道型TFT550及ρ溝道型TFT551的CMOS 電路553及包含η溝道型TFT552的半導(dǎo)體裝置(圖10(C))。另外，半導(dǎo)體裝置的制作方法，并不限定于島狀半導(dǎo)體膜的形成以下的上述制造工序。另外，也可以是包含使用非晶態(tài) 半導(dǎo)體膜的TFT、使用單晶半導(dǎo)體膜的TFT的半導(dǎo)體裝置。(實施方式3)此處示出制作液晶顯示裝置(IXD)的示例。在本實施方式中說明的顯示裝置的制作方法是同時制作包含像素TFT的像素部及在其周邊設(shè)置的驅(qū)動電路部的TFT的方法。但是，為簡化說明起見，關(guān)于驅(qū)動電路在圖中示出作為基本單元的CMOS電路。首先，根據(jù)上述實施方式中記述的方法一直進行到形成圖10(C)的電極或布線 540 544為止。另外，對于與上述實施方式相同的部分賦予相同的符號。之后，在第2層間絕緣膜531及電極或布線540 544上形成第3層間絕緣膜610。另外，第3層間絕緣膜610，可以使用與第2層間絕緣膜531同樣的材料形成。接著，使用光刻掩模形成光刻膠掩模，利用干法刻蝕將第3層間絕緣膜610的一部分去掉形成開孔(形成接觸孔)。在此接觸孔的形成之中，作為刻蝕氣體使用四氟化碳 (CF4)、氧(O2)、氦(He)，其流量分別為50sccm、50sccm及30sccm。另外，接觸孔的底部達到電極或布線544。接著，在去掉光刻膠掩模之后，在整個表面上形成第4導(dǎo)電膜。接著，使用光刻掩模對第4導(dǎo)電膜進行選擇性刻蝕，形成與電極或布線544電連接的像素電極623 (圖11)。在本實施方式中，因為是制作反射型的液晶顯示板，所以像素電極623可以利用濺射法使用Ag (銀)、Au (金)、Cu (銅)、W(鎢)、Al (鋁)等具有光反射性的金屬材料形成。另外，在制作透射型液晶顯示板的場合，使用氧化銦錫(ITO)、包含氧化硅的氧化銦錫、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)等的透明導(dǎo)電膜形成像素電極623。另外，在圖13中示出包含像素TFT的像素部650的一部分的擴大上視圖。另外，圖13示出的是像素電極形成的中間過程，示出在左側(cè)的像素中形成像素電極，而在右側(cè)的像素中未形成像素電極的狀態(tài)。在圖13中，實線A-A’切斷的圖形與圖11的像素部的剖面相對應(yīng)，與圖11相對應(yīng)的部位使用同樣的符號。如圖13所示，柵電極572與柵布線630相連接。并且，電極543與源布線一體形成。另外，設(shè)置電容器布線631，存儲電容器以第1層間絕緣膜530作為電介質(zhì)，由像素電極623和與該像素電極重疊的電容器布線631形成。另外，在此實施方式中，像素電極623和電容器布線631重疊的區(qū)域，對第2層間絕緣膜531及第3層間絕緣膜610進行刻蝕，存儲電容器由像素電極623、第1層間絕緣膜 530及電容器布線631形成。然而，在第2層間絕緣膜531及第3層間絕緣膜610也可以用作電介質(zhì)時，也可以不對第2層間絕緣膜531及第3層間絕緣膜610進行刻蝕。在此場合，將第1層間絕緣膜530、第2層間絕緣膜531及第3層間絕緣膜610用作電介質(zhì)。或者也可以只對第3層間絕緣膜610進行刻蝕，將第1層間絕緣膜530和第2層間絕緣膜531用作電介質(zhì)。通過以上的工序，完成在基板500上形成由頂柵型的像素TFT552、頂柵型的η溝道型TFT550及頂柵型的ρ溝道型TFT551構(gòu)成的CMOS電路553及像素電極623的液晶顯示裝置的TFT基板。在本實施方式中，形成的是頂柵型TFT，但也可以適當采用底柵型TFT。之后，將IC3安裝到基板500。驅(qū)動器IC的電連接，是在使在IC上形成的錫焊凸點與在基板500上形成的端子焊盤對準位置之后，使兩者密接并對錫焊凸點加熱熔融而進行?；蛘撸靡砸€將從IC引出的端子與基板上的端子相連接的所謂的引線鍵合法進行連接(未圖示)。其后，將調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4，例如，如圖3所示，配置在構(gòu)成掃描線驅(qū)動電路的CMOS電路553上，控制基板500上的高低差(圖12)。接著，形成取向膜624a覆蓋像素電極623。另外，取向膜624a，可以使用液滴排出法、絲網(wǎng)印刷法及膠板印刷法。其后，對取向膜624a的表面進行摩擦處理。于是，在對置基板625上設(shè)置由著色層626a、遮光層(黑矩陣)626b以及覆蓋層 627構(gòu)成的彩色濾光片，還形成由透明電極或反射電極構(gòu)成的對置電極628，在其上形成取向膜624b (圖12)。對置基板625也可以采用與基板500相同大小或相同形狀的基板。此處所謂的相同大小或相同形狀指的并非是必須嚴格相同，而是大致足以構(gòu)成顯示板的大小及形狀即可。于是，利用液滴排出法形成作為封閉圖形的密封材料600將與包含像素TFT 的像素部650重疊的區(qū)域包圍(圖14(A))。此處，示出的是為使液晶滴注而繪制成為封閉圖形的密封材料600的示例，但也可以采用設(shè)置具有開口部的密封圖形，在貼合基板500之后利用毛細管現(xiàn)象注入液晶的浸漬式(吸上式)。接著，為了不使氣泡進入在減壓下進行液晶組成物629的滴注(圖14(B))并將兩片基板500及625貼合(圖12、圖14 (C))。將液晶一次或多次滴注到形成閉環(huán)的密封圖形內(nèi)。作為液晶組成物629的取向模式，采用液晶分子的排列從光的入射方向朝向出射方向扭曲90°取向的TN模式。于是，使其貼合成為與基板的摩擦方向正交。接著，對基板進行切斷。在分成多面的場合，將其切斷為各個顯示板。并且，在分成一面的場合，也可以通過與預(yù)先切割的對置基板進行貼合，省略切斷工序(圖12、圖 140)))。于是，中間夾著各向異性導(dǎo)電層，利用公知的技術(shù)與FPC(柔性印刷電路)進行粘貼。經(jīng)過以上的工序完成液晶顯示裝置。另外，必要時可粘貼光學(xué)膜。在制作的是透射型液晶顯示裝置時，偏振片粘貼到TFT基板和對置基板兩者之上。如上所示，在本實施方式中，使用的是在上述實施方式中記述的方法，并且可以使用具有晶態(tài)半導(dǎo)體膜的TFT制作液晶顯示裝置。結(jié)果，可以制作高可靠性的液晶顯示裝置。利用本實施方式制作的液晶顯示裝置可以應(yīng)用于各種電子機器的顯示部。另外，在本實施方式中，TFT是頂柵型TFT，但并不限定于這一結(jié)構(gòu)，可以使用合適的底柵型(逆交錯型)TFT、順交錯型TFT。另外，并不限定于單柵結(jié)構(gòu)的TFT，也可以是具有多個溝道形成區(qū)域的多柵型TFT，例如，雙柵型TFT。另外，在本實施方式中，必要時可以將上述實施方式的任何記述進行自由組合。(實施方式4)此處示出制作可以使用本發(fā)明的雙面射出型顯示裝置的示例。首先，根據(jù)實施方式形成圖8(C)的島狀半導(dǎo)體膜507 509。另外，對于與上述實施方式相同的部分以相同的符號表示。之后，在島狀半導(dǎo)體膜507 509中導(dǎo)入用來控制閾值的雜質(zhì)。在本實施方式中，通過以乙硼烷(B2H6)進行摻雜，將硼(B)導(dǎo)入到島狀半導(dǎo)體膜中。之后，形成絕緣膜700以覆蓋島狀半導(dǎo)體膜507 509 (圖15(A))。對于絕緣膜 700，可以使用例如，氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)或含氮氧化硅(SiOxNy :X > y > 0)等。并且，成膜方法可以使用等離子CVD法、濺射法等等。之后，在絕緣膜700上形成導(dǎo)電膜之后，通過對導(dǎo)電膜進行選擇性刻蝕，形成柵電極 707 709。柵電極707 709，使用單層或大于等于2層的導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)而形成。在層疊大于等于2層的導(dǎo)電膜的場合，也可以將從鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)中選擇的元素或以上述元素作為主要成分的合金材料或化合物材料層疊形成柵電極707 709。另外，也可以使用以摻雜了磷(P)等雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜形成柵電極。在本實施方式中，使用將氮化鉭(TaN)和鎢(W)分別層疊了 30nm、370nm的疊層膜，形成柵電極707 709。在本實施方式中，使用鎢(W)形成上層?xùn)烹姌O701 703，使用氮化鉭(TaN)形成下層?xùn)烹姌O704 706。柵電極707 709，既可以作為柵布線的一部分形成，也可以另外形成柵布線，使柵電極707 709與該柵布線相連接。于是，使用柵電極707 709或選擇性形成的光刻膠作為掩模，對島狀半導(dǎo)體膜 507 509添加賦予η型或ρ型導(dǎo)電性的雜質(zhì)，形成源區(qū)、漏區(qū)以及低濃度雜質(zhì)區(qū)等。首先，對成為η溝道型TFT 761及762的島狀半導(dǎo)體膜507及508有選擇地添加雜質(zhì)。使用磷化氫(PH3)，將磷⑵以加速電壓60 120keV、劑量IX IO13 IX 1015cm_2導(dǎo) 入到島狀半導(dǎo)體膜。通過導(dǎo)入此雜質(zhì)，形成η溝道型TFT 761及762的溝道形成區(qū)713及 716。另外，為了制作ρ溝道型TFT，對成為ρ溝道型TFT 763的島狀半導(dǎo)體膜509有選擇地添加雜質(zhì)。利用乙硼烷(B2H6)在施加電壓60 IOOkeV,例如，80keV，劑量IXlO13 5X1015cm_2，例如，3X1015cm_2的條件下，將硼⑶導(dǎo)入島狀半導(dǎo)體膜。由此，形成ρ溝道型 TFT 763的源區(qū)或漏區(qū)717并且在導(dǎo)入雜質(zhì)時形成溝道形成區(qū)718 (圖15(A))。之后，對絕緣膜700進行選擇性刻蝕而形成柵絕緣膜721 723。在柵絕緣膜721 723形成后，在成為η溝道型TFT 761及762的島狀半導(dǎo)體膜 507及508中，使用磷化氫(PH3)，在施加電壓40 80keV,例如，50keV，劑量1.0X IO15 2. 5 X IO16CnT2，例如，3. OX IO15CnT2的條件下，將磷(P)導(dǎo)入。結(jié)果，形成η溝道型TFT 761 及762的低濃度雜質(zhì)區(qū)712及715、源區(qū)或漏區(qū)711及714 (圖15(B))。在本實施方式中，在η溝道型TFT 761及762的源區(qū)或漏區(qū)711及714中分別包含 IXlO19 5 X IO21CnT3的濃度的磷⑵。并且，在η溝道型TFT 761及762的低濃度雜質(zhì)區(qū) 712及715中分別包含IXlO18 5X IO19CnT3的濃度的磷(P)。此外，在ρ溝道型TFT 763 的源區(qū)或漏區(qū)717中包含1 X IO19 5Χ IO21CnT3的濃度的硼⑶。在本實施方式中，ρ溝道型TFT 763用作本雙面射出型顯示裝置的像素TFT。并且，η溝道型TFT 761及762，用作驅(qū)動像素TFT 763的驅(qū)動電路的TFT。但是，像素TFT并不一定必須是P溝道型TFT，也可以使用η溝道型TFT。另外，驅(qū)動電路也不一定必須是組合多個η溝道型TFT的電路，也可以是η溝道型TFT和ρ溝道型TFT的互補組合的電路或組合多個P溝道型TFT的電路。之后，形成含氫絕緣膜730，其后對在島狀半導(dǎo)體膜中添加的雜質(zhì)元素進行激活。此雜質(zhì)元素的激活可以使用在上述實施方式中記述的激光處理方法進行。或者也可以在形成含氫絕緣膜后，在氮氣氣氛中在550°C加熱4小時，來激活雜質(zhì)。含氫絕緣膜，使用利用PCVD法得到的含氮氧化硅膜(SiOxNy膜x > y > 0)?；蛘?也可以使用含氧氮化硅膜(SiNxOy膜X > y > 0)。另外，在使用協(xié)助結(jié)晶化的金屬元素，代表性的元素為鎳，使半導(dǎo)體膜結(jié)晶化時，也可以在激活的同時進行減少溝道形成區(qū)域中的鎳的吸氣。另外，含氫絕緣膜730，是第1層間絕緣膜，是包含氧化硅的具有透光性的絕緣膜。其后，通過在410°C整體加熱1小時，進行島狀半導(dǎo)體膜的氫化。接著，形成成為第2層間絕緣膜731的平坦化膜。作為平坦化膜，可以使用具有透光性的無機材料(氧化硅、氮化硅、含氧氮化硅等)、感光性或非感光性的有機材料(聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、光刻膠或苯甲酰環(huán)丁烷)或這些材料的疊層。另外，作為在平坦化膜中使用的其他具有透光性的薄膜，可以使用利用涂敷法得到的由包含烷基的SiOx膜構(gòu)成的絕緣膜，例如，使用硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半環(huán)氧乙烷聚合物、氫化硅倍半環(huán)氧乙烷聚合物、氫化烷基硅倍半環(huán)氧乙烷聚合物等形成的絕緣膜。作為硅氧烷系聚合物的一例，可以舉出的有日本東麗(東 > )公司制的涂敷絕緣膜材料PSB-K1、 PSB-K31及日本觸媒化成公司制的涂敷絕緣膜材料ZRS-5PH。接著，形成具有透光性的第3層間絕緣膜732。第3層間絕緣膜732，是作為在以后的工序中對透明電極750進行選擇性刻蝕時，用來保護作為第2層間絕緣膜731的平坦化膜的刻蝕停止膜設(shè)置的。但是，在對透明電極750進行選擇性刻蝕時，如果第2層間絕緣膜731為刻蝕停止膜，就不需要第3層間絕緣膜732。接著，使用新掩模在第1層間絕緣膜730、第2層間絕緣膜731及第3層間絕緣膜 732中形成接觸孔。接著，在去掉掩模形成導(dǎo)電膜(TiN、Al及TiN的疊層膜)之后，再使用另外的掩模進行刻蝕(利用BCl3和Cl3的混合氣體的干法刻蝕)，形成電極或布線741 745 (TFT的源布線、漏布線及電流供給布線等)(圖15(C))。但是，在本實施方式中，電極和布線是一體形成的，但電極和布線也可以分開形成進行電連接。另外，TiN是與高耐熱性平坦化膜的密接性良好的材料之一。除此之外，為了與TFT的源區(qū)或漏區(qū)取得良好的歐姆接觸，TiN的N含量小于44原子％為優(yōu)選。接著，使用新掩模形成透明電極750，即在膜厚IOnm SOOnm的范圍內(nèi)形成有機發(fā) 光元件的陽極。作為透明電極750，除了氧化銦錫(ITO)之外，例如，可以使用在含Si元素的氧化銦錫及氧化銦中混合2 20原子％的氧化鋅(ZnO)的IZO(氧化銦鋅)等功函數(shù)高 (功函數(shù)大于等于4. OeV)的透明導(dǎo)電材料(圖16(A))。接著，使用新掩模形成覆蓋透明電極750的端部的絕緣物733 (稱為隔壁、壁障、阻擋壁等等)。作為絕緣物733，可以使用利用涂敷法得到的感光性或非感光性的有機材料 (聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、光刻膠或苯甲酰環(huán)丁烷)或SOG膜(例如，包含烷基的3風膜)，膜厚在0.8μπι Iym范圍。接著，使用蒸鍍法或涂敷法形成包含有機化合物的第1層751、第2層752、第3層 753、第4層754及第5層755。另外，為了使發(fā)光元件的可靠性提高，在形成第1層751之前，進行真空加熱而進行去氣是優(yōu)選的。例如，在進行有機化合物材料的蒸鍍之前，為了去掉在基板中包含的氣體，在減壓氣氛及不活潑氣氛中在200°C 300°C下進行加熱處理是優(yōu)選的。另外，在層間絕緣膜和隔壁是由具有高耐熱性的SiOx膜形成的場合，也可以還施加高加熱處理(410°C )。首先，使用蒸鍍掩模有選擇地在透明電極750上混蒸氧化鉬(MoOx)、4，4'-雙 [N-(l-萘)-N-苯-氨]-聯(lián)苯(α-NPD)及紅熒烯而形成第1包含有機化合物的層(第1 層)751。另外，除了 MoOx以外，也可以使用銅酞花青(CuPC)及氧化釩(VOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎢(WOx)等空穴注入性高的材料。另外，也可以將使用聚(乙烯乙二氧撐噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)等空穴注入性高的高分子材料利用涂敷法形成的薄膜用作第1包含有機化合物的層(第1層)751。接著，使用蒸鍍掩模有選擇地蒸鍍^-呢0，在第1包含有機化合物的層(第1 層)751之上形成空穴傳輸層(第2層)752。另外，除了 α-NPD之外，可以使用以4，4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯-氨]-聯(lián)苯(簡稱TPD)、4，4'，4〃 -三(N，N-聯(lián)苯-氨)-三苯胺(簡稱=TDADA) ,4,4'，4〃 -三[N-(3-甲基苯基)-N-苯-氨]-三苯胺(簡稱=MTDATA) 等的芳香族胺系化合物為代表的空穴傳輸性高的材料。接著，有選擇地形成發(fā)光層753 (第3層)。為了制作全色顯示裝置，對每個發(fā)光顏色(R、G、B)進行蒸鍍掩模對準而分別進行選擇蒸鍍。作為顯示紅色發(fā)光的發(fā)光層753R，使用Alq3 = DCM或Alq3:紅熒烯BisDCJTM等材料。另外，作為顯示綠色發(fā)光的發(fā)光層753G，使用Alq3:DMQD(N，N' -二甲基喹吖啶酮)或 Alq3:香豆素6等材料。另外，作為顯示藍色發(fā)光的發(fā)光層753B，使用α-NPD、或tBu_DNA 等材料(圖8)。
接著，使用蒸鍍掩模有選擇地蒸鍍Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁，在發(fā)光層753上形成電子傳輸層(第4層)754。另外，除了 Alq3之外，可以使用以具有三(5_甲基_8_喹啉) 鋁(簡稱=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(簡稱=BeBq2)、雙(2-甲基_8_喹啉)_4 苯基苯酚鋁(簡稱BAlq)等的喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬絡(luò)合物等為代表的電子傳輸性高的材料。另外，除此之外也可以使用具有雙[2-(2-羥基苯)_苯并噁唑]鋅(簡稱 Zn(BOX)2)、雙[2-(2_羥基苯)-苯并噻唑]鋅(簡稱=Zn(BTZ)2)等的噁唑系、噻唑系配體的金屬絡(luò)合物等。此外，在金屬絡(luò)合物以外，由于2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-tert- 丁基苯基)-1，3， 4-噁二唑(簡稱PBD)、1，3-雙[5-(p-tert-丁基苯基)-1，3，4_ 噁二唑-2-(某)基]苯 (簡稱:0XD-7)、3-(4-tert-丁基苯基)-4_ 苯基-5-(4-聯(lián)苯)-1，2，4-三唑(簡稱:ΤΑΖ), 3-(4-tert-丁基苯基)-4-(4_ 乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯)-1，2，4-三唑(簡稱p_EtTAZ)、4， 7-二苯基-1，10-鄰菲羅林(簡稱出卩1^11)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅林(簡稱BCP)等的電子傳輸性高，也可以用作電子傳輸層754。接著，將4，4_雙(5-甲基苯并噁唑_2-(某)基)二苯乙烯(簡稱Bz0s)和鋰 (Li)混蒸，在整個表面上形成電子注入層(第5層)755覆蓋電子傳輸層及絕緣物。通過使用苯并噁唑衍生物(BzOS)，可以抑制在以后的工序中進行的透明電極756的形成中的濺射法引起的損傷。另外，除了 BzOs = Li以外，還可以使用氟化鈣(CaF2)、氟化鋰、氟化銫等這樣的堿金屬或堿土金屬的化合物等的電子注入性高的材料。另外，除此之外，可以使用Alq3 和鎂(Mg)的混合物。之后，在第5層755之上，在膜厚IOnm 800nm范圍內(nèi)形成透明電極756，即有機發(fā)光元件的陰極。作為透明電極756，除了氧化銦錫(ITO)之外，例如，可以使用在包含Si 元素的氧化銦錫及氧化銦中混合2 20原子％的氧化鋅(ZnO)的IZO(氧化銦鋅)。以如上所述方式制作發(fā)光元件。適當選擇構(gòu)成發(fā)光元件的陽極、包含有機化合物的層(第1層第5層)及陰極的各材料，并且調(diào)整各膜厚。優(yōu)選是在陽極和陰極中使用相同的材料，并且采用相同的膜厚，優(yōu)選是采用IOOnm左右的薄的膜厚。另外，在必要時，形成防止水分侵入的透明保護層757覆蓋發(fā)光元件。作為透明保護層757，可以使用利用濺射法或CVD法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、含氧氮化硅膜(SiNO膜 (組成比N>0))或含氮氧化硅膜(SiON膜(組成比N<0))、以碳為主要成分的薄膜(例如，DLC(類金剛石碳膜)、CN膜)等(圖16(B))。之后，將IC3安裝到基板500。IC3的電連接，是在使在IC3上形成的錫焊凸點與在基板500上形成的端子焊盤對準位置之后，使兩者密接并使錫焊凸點加熱熔融而進行?；蛘撸靡砸€將從IC引出的端子與基板上的端子相連接的所謂的引線鍵合法進行連接(未圖示)。其后，將調(diào)整基板間隔的層(隔離物層)4，例如，如圖3所示，配置在構(gòu)成驅(qū)動電路的η溝道型TFT 761、762上，控制基板500上的高低差(圖16(B))。接著，使用用來確?；彘g隔的密封材料，使第2基板770與基板500貼合。第2 基板770也可以使用具有透光性的玻璃基板及石英基板等。另外，第2基板770也可以采用與第1基板500相同大小或相同形狀的基板。此處所謂的相同大小和相同形狀指的并非是必須嚴格相同，而是大致足以構(gòu)成顯示板的大小及形狀即可。另外，在一對基板之間，既可以配置干燥劑作為空隙(不活潑氣體)，也可以將透明密封材料(紫外線硬化或熱硬化的環(huán)氧樹脂等)填充到一對基板之間。發(fā)光元件，由于透明電極750、756是由透光性材料構(gòu)成的，一個發(fā)光元件可以從兩個方向，即兩個表面?zhèn)冗M行采光。通過以上所示的顯示板的構(gòu)成，從上表面發(fā)光和從下表面發(fā)光可以大致相同。最后設(shè)置光學(xué)膜(偏振片或圓偏振片)771、772以提高對比度(圖17)。在圖18中示出對每個發(fā)光色(R、G、B)的發(fā)光元件的剖面圖。紅色(R)的發(fā)光元件，具有像素TFT 763R、透明電極(陽極)750R、第1層751R、第2層(空穴傳輸層)752R、第3層(發(fā)光層)753R、第4層(電子傳輸層)754R、第5層(電子注入層)755、透明電極 (陰極)756及透明保護層757。另外，綠色(G)的發(fā)光元件，具有像素TFT 763G、透明電極(陽極)750G、第1層 751G、第2層(空穴傳輸層)752G、第3層(發(fā)光層)753G、第4層(電子傳輸層)754G、第5 層(電子注入層)755、透明電極(陰極)756及透明保護層757。此外，藍色(B)的發(fā)光元件，具有像素TFT 763B、透明電極(陽極)750B、第1層 751B、第2層(空穴傳輸層)752B、第3層(發(fā)光層)753B、第4層(電子傳輸層)754B、第5 層(電子注入層)755、透明電極(陰極)756及透明保護層757。另外，在本實施方式中，TFT是頂柵型TFT，但并不限定于這一結(jié)構(gòu)，可以使用合適的底柵型(逆交錯型)TFT、順交錯型TFT。另外，并不限定于單柵結(jié)構(gòu)的TFT，也可以是具有多個溝道形成區(qū)域的多柵型TFT，例如，雙柵型TFT。另外，在本實施方式中，必要時可以將上述實施方式的任何記述進行自由組合。(實施方式5)作為應(yīng)用本發(fā)明的電子機器，可以舉出的有攝像機、數(shù)字相機、眼鏡型顯示器、導(dǎo) 航系統(tǒng)、音響重放裝置(汽車組合音響)、計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動式計算機、便攜式電話、便攜式游戲機或電子書)、具有記錄媒體的圖像重放裝置(具體說是具有可重放DVD等記錄媒體，顯示其圖像的顯示器的裝置)等。這些電子機器的具體例如以下所示。圖19示出將顯示板5001和電路基板5011組合而成的液晶模塊或EL模塊。在電路基板5011上形成控制電路5012及信號分割電路5013等，利用連接布線5014與顯示板 5001進行電連接。在此顯示板5001中，具有設(shè)置了多個像素的像素部5002、掃描線驅(qū)動電路5003以及向所選擇的像素提供視頻信號的信號線驅(qū)動電路5004。另外，在制作EL模塊、液晶模塊的場合，可以利用上述實施方式制作顯示板5001。利用圖19所示的液晶模塊或EL模塊可以完成液晶電視接收機或EL電視接收機。圖20為示出液晶電視接收機或EL電視接收機的主要構(gòu)成的框圖。調(diào)諧器5101接收影像信號和聲音信號。影像信號，由影像信號放大電路5102、將從其輸出的信號變換為與紅、綠、藍的各色相對應(yīng)的色信號的影像信號處理電路5103及用來將該影像信號變換為驅(qū)動器IC 的輸入規(guī)格的控制電路5012進行處理。控制電路5012，將信號分別輸出到掃描線側(cè)及信號線側(cè)。在數(shù)字驅(qū)動的場合，也可以是在信號線側(cè)設(shè)置信號分割電路5013，將輸入數(shù)字信號分割為m個供給的結(jié)構(gòu)。在由調(diào)諧器5101接收的信號之中，聲音信號送入聲音信號放大電路5105，其輸出經(jīng)聲音信號處理電路5106供給揚聲器5107?？刂齐娐?108，從輸入部5109接收接收局 (接收頻率)及音量的控制信息，將信號發(fā)送到調(diào)諧器5101及聲音信號處理電路5106。如圖21 (A)所示，通過將液晶模塊或EL模塊組裝到框體5201中，可以完成電視接收機。利用液晶模塊或EL模塊，形成顯示畫面5202。另外，可適當設(shè)置揚聲器5203，操作開關(guān)5204等。另外，在圖21(B)中，示出可以以無線方式只移動顯示器的電視接收機。在框體 5212中內(nèi)置電池及信號接收器，由該電池驅(qū)動顯示部5213及揚聲器部5217。電池可由充電器5210重復(fù)充電。另外，充電器5210可收發(fā)影像信號，可以將該影像信號發(fā)送到顯示器的信號接收器?？蝮w5212，由操作鍵5216控制。另外，圖21 (B)所示的裝置，由于也可以通過對操作鍵5216進行操作，從框體5212將信號發(fā)送到充電器5210，也可以稱為影像聲音雙向通信裝置。另外，通過對操作鍵5216進行操作，可以將信號從框體5212發(fā)送到充電器 5210，并且通過由其他電子機器接收充電器5210可以發(fā)送的信號，也可以對其他電子機器進行通信控制，也可以說是通用遙控裝置。本發(fā)明可應(yīng)用于顯示部5213。通過在圖19 圖21所示的電視接收機中使用本發(fā)明，可以制造可靠性高的電視接收機。當然，本發(fā)明并不限定于電視接收機，作為包括個人計算機的監(jiān)視器在內(nèi)的，鐵路車站及機場等之中的信息顯示板及街頭的廣告顯示板等特大面積的顯示媒體，可以有種種用途。圖22 (A)示出將顯示板5301和印刷布線基板5302組合而成的模塊。顯示板5301，具有設(shè)置有多個像素的像素部5303、第1掃描線驅(qū)動電路5304、第2掃描線驅(qū)動電路5305 及將視頻信號供給所選擇的像素的信號線驅(qū)動電路5306。在印刷布線基板5302上設(shè)置有控制器5307、中央處理裝置(CPU) 5308、存儲器 5309、電源電路5310、聲音處理電路5311及收發(fā)電路5312等。印刷布線基板5302和顯示板5301，由柔性布線基板(FPC) 5313連接。也可以在印刷布線基板5302上設(shè)置電容元件、緩沖電路等，防止對電源電壓及信號施加噪聲及使信號的上升遲鈍。另外，控制器5307、聲音處理電路5311、存儲器5309、CPTO308及電源電路5310等也可以使用C0G(芯片在玻璃上)方式安裝到顯示板5301上。利用COG方式，可以縮小印刷布線基板5302的規(guī)模。通過在印刷布線基板5302上設(shè)置的接口(I/F)部5314，進行各種控制信號的輸入輸出。另外，在印刷布線基板5302上設(shè)置用來在與天線之間進行信號收發(fā)的天線用端口
5315。圖22⑶示出圖22㈧所示的模塊的框圖。此模塊，作為存儲器5309，包含VRAM
5316、DRAM5317及閃存5318等。在VRAM5312中存儲在顯示板上顯示的圖像的數(shù)據(jù)，在DRAM 5317中存儲圖像數(shù)據(jù)或聲音數(shù)據(jù)，而在閃存中存儲各種程序。電源電路5310，提供使顯示板5301、控制器5307、CPU5308、聲音處理電路5311、存儲器5309及收發(fā)電路5312動作的電功率。另外，根據(jù)顯示板的規(guī)格的不同，也有在電源電路5310中設(shè)置電流源的情況。CPU 5308，具有控制信號生成電路5320、譯碼器5321、寄存器5322、運算電路 5323、RAM 5324、CPU 5308用的接口 5366等。經(jīng)接口 5366輸入到CPU 5308的各種信號，在臨時保持于寄存器5322之后，輸入到運算電路5323及譯碼器5321等。在運算電路5323 中進行基于輸入的信號的運算，指定發(fā)送各種命令的地點。另一方面，對輸入到譯碼器5321 中的信號進行譯碼并輸入到控制信號生成電路5320?？刂菩盘柹呻娐?320，根據(jù)輸入的信號，生成包含各種命令的信號，發(fā)送到在運算電路5323中指定的地點，具體說是存儲器 5309、收發(fā)電路5312、聲音處理電路5311及控制器5307等。存儲器5309、收發(fā)電路5312、聲音處理電路5311及控制器5307，分別按照接收到的命令動作。下面對其動作進行簡單說明。從輸入裝置5325輸入的信號，經(jīng)I/F部5314發(fā)送到安裝在印刷布線基板5302上的CPU 5308?？刂菩盘柹呻娐?320，按照從點擊設(shè)備及鍵盤等輸入裝置5325發(fā)送來的信號，將存儲于VRAM 5316中的圖像數(shù)據(jù)變換為規(guī)定的格式，送交控制器5307。控制器5307，根據(jù)顯示板的規(guī)格對CPU 5308發(fā)送來的包含圖像數(shù)據(jù)的信號實施數(shù)據(jù)處理，提供給顯示板5301。并且，控制器5307，根據(jù)從電源電路5310輸入的電源電壓及從CPU 5308輸入的各種信號，生成Hsync信號、Vsync信號、時鐘信號CLK、交流電壓(AC Cont)及切換信號L/R并供給顯示板5301。在收發(fā)電路5312中，對在天線5328中作為電波收發(fā)的信號進行處理，具體言之，包含隔離器、帶通濾波器、VCO (電壓控制振蕩器)、LPF (低通濾波器)、耦合器、平衡-不平衡變壓器等高頻電路。在收發(fā)電路5312中收發(fā)的信號中包含聲音信息的信號，按照來自 CPU5308的命令，發(fā)送到聲音處理電路5311。按照CPU 5308的命令發(fā)送來的包含聲音信息的信號，在聲音處理電路5311中解調(diào)為聲音信號并發(fā)送到揚聲器5327。并且，從話筒5326發(fā)送來的聲音信號，在聲音處理電路5311中進行調(diào)制，按照CPU5308的命令，發(fā)送到收發(fā)電路5312。控制器5307、CPU 5308、電源電路5310、聲音處理電路5311及存儲器5309等可以
作為本實施方式的封裝進行安裝。圖23示出包含圖22所示的模塊的便攜式電話機的一種形態(tài)。顯示板5301，可以自由裝入底殼5330或取出。底殼5330可按照顯示板5301的大小適當改變形狀及尺寸。固定顯示板5301的底殼5330，嵌裝在印刷基板5331中，作為模塊進行組裝。顯示板5301，經(jīng)FPC 5313與印刷基板5331連接。在印刷基板5331上形成揚聲器 5332、話筒5333、收發(fā)電路5334、包含CPU及控制器等的信號處理電路5335。這種模塊，與輸入裝置5336、電池5337、天線5340進行組合收容于框體5339中。其配置方式為顯示板 5301的像素部可以通過在框體5339上形成的開口窗觀看。本實施方式的便攜式電話機，可根據(jù)其功能和用途而具有種種形態(tài)。例如，具有多個顯示板，將框體適當分割為多個變成利用合頁的開閉式結(jié)構(gòu)，也可以獲得上述的作用和效果。
通過在圖23所示的便攜式電話中使用本發(fā)明，可以制作高可靠性的便攜式電話。圖24 (A)是液晶顯示器或OLED顯示器，由框體6001、支座6002、顯示部6003等構(gòu)成。使用圖19所示的液晶模塊或EL模塊，圖22 (A)所示的顯示板的結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于顯示部 6003。通過使用本發(fā)明，可以制作高可靠性的顯示器。圖24 (B)是計算機，包含主體6101、框體6102、顯示部6103、鍵盤6104、外部連接端口 6105及點擊鼠標6106等。使用圖19所示的液晶模塊或EL模塊，圖22 (A)所示的顯示板的結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于顯示部6103。通過使用本發(fā)明，可以制作高可靠性的計算機。圖24 (C)是可攜帶計算機，包含主體6201、顯示部6202、開關(guān)6203、操作鍵6204、紅外線端口 6205等。使用圖19所示的液晶模塊或EL模塊，圖22 (A)所示的顯示板的結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于顯示部6202。通過使用本發(fā)明，可以制作高可靠性的計算機。圖24(D)是便攜式游戲機，包含框體6301、顯示部6302、揚聲器部6303、操作鍵 6304、記錄媒體插入部6305等。使用圖19所示的液晶模塊或EL模塊，圖22 (A)所示的顯示板的結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于顯示部6302。通過使用本發(fā)明，可以制作高可靠性的游戲機。圖24(E)是具有記錄媒體的便攜型圖像重放裝置(具體說是DVD重放裝置)，包含主體6401、框體6402、顯示部A6403、顯示部B6404、記錄媒體(DVD等)讀取部6405、操作鍵 6406、揚聲器部6407等。顯示部A6403主要顯示圖像信息，顯示部B6404主要顯示文字信息。使用圖19所示的液晶模塊或EL模塊，圖22 (A)所示的顯示板的結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于顯示部A6403、顯示部B6404及控制用電路等。另外，具有記錄媒體的圖像重放裝置中也可以包含家用游戲機等。通過使用本發(fā)明，可以制作高可靠性的圖像重放裝置。在這些電子機器中使用的顯示裝置，根據(jù)大小和強度或者使用目的，不僅可以使用玻璃基板，也可使用耐熱性的塑料基板。由此可以達到進一步的輕量化。另外，附帶指出，本實施方式的示例只是一例而已，并不限定于上述用途。另外，本實施方式，可以與上述實施方式的任何記述進行自由組合而實現(xiàn)。
權(quán)利要求
一種顯示裝置，其特征在于具有由在基板上形成的IC芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路、在上述基板上形成的片狀電容器、在上述基板上形成的像素，上述片狀電容器被電連接在一個電壓供給線與另一個電壓供給線之間，上述一個電壓供給線與上述IC芯片電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于由上述IC芯片構(gòu)成的上述驅(qū)動電路是信號線驅(qū)動電路。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于具有將上述像素與TFT—體形成在上述基板上而制作的掃描線驅(qū)動電路。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述IC芯片的高度與上述片狀電容器的高度之差小于等于0. 1mm。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述一個電壓供給線的電壓比上述另一個電壓供給線的電壓高。
6.一種液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視機、便攜式電話機、顯示器、計算機、游戲機或圖像重放裝置，其特征在于具有權(quán)利要求1所述的顯示裝置。
7.—種顯示裝置，其特征在于具有由在基板上形成的IC芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路、在上述基板上形成的片狀電容器、在上述基板上形成的像素，上述片狀電容器被電連接在一個電壓供給線與另一個電壓供給線之間，上述一個電壓供給線與上述像素電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于由上述IC芯片構(gòu)成的上述驅(qū)動電路是信號線驅(qū)動電路。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于具有將上述像素與TFT—體形成在上述基板上而制作的掃描線驅(qū)動電路。
10.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于上述IC芯片的高度與上述片狀電容器的高度之差小于等于0. 1mm。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于上述一個電壓供給線的電壓比上述另一個電壓供給線的電壓高。
12.一種液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視機、便攜式電話機、顯示器、計算機、游戲機或圖像重放裝置，其特征在于具有權(quán)利要求7所述的顯示裝置。
13.—種顯示裝置，其特征在于具有由在基板上形成的IC芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路、在上述基板上形成的片狀電容器、在上述基板上形成的像素，上述片狀電容器被電連接在一個電壓供給線與另一個電壓供給線之間，上述一個電壓供給線與上述IC芯片和上述像素電連接。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于由上述IC芯片構(gòu)成的上述驅(qū)動電路是信號線驅(qū)動電路。
15.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于具有將上述像素與TFT—體形成在上述基板上而制作的掃描線驅(qū)動電路。
16.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于上述IC芯片的高度與上述片狀電容器的高度之差小于等于0. 1mm。
17.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其特征在于上述一個電壓供給線的電壓比上述另一個電壓供給線的電壓高。
18.一種液晶顯示裝置、EL顯示裝置、電視機、便攜式電話機、顯示器、計算機、游戲機或圖像重放裝置，其特征在于具有權(quán)利要求13所述的顯示裝置.
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，可提高可靠性。在基板上設(shè)置有IC和與上述IC高度相同的材料層。另外，在基板的一邊上設(shè)置有IC，至少在另一邊上設(shè)置具有與上述IC相同的高度的材料層。另外，在基板的一邊上設(shè)置有IC，別的所有邊上設(shè)置具有與上述IC相同的高度的材料層。另外，在基板上設(shè)置IC，與上述IC高度相同的材料層設(shè)置在上述基板的角部。
文檔編號H01L51/52GK101825786SQ20101016873
公開日2010年9月8日申請日期2005年12月2日優(yōu)先權(quán)日2004年12月2日
發(fā)明者木村肇申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所

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