顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了顯示裝置，顯示裝置的圖像品質(zhì)得以提高。顯示裝置(DIS1)包括：包括顯示功能層的顯示部(PN1)；包括前面(CVf)以及位于前面(CVf)的相反側(cè)的背面(CVb)，覆蓋顯示部(PN1)的蓋部件(CV1)；以及包括經(jīng)由沿蓋部件(CV1的背面(CVb)延伸的空間(LA1)與蓋部件(CV1)的背面(CVb)相對(duì)的前面(PL1f)的偏振板(PL1)。另外，在蓋部件(CV1)的背面(CVb)以及偏振板(PL1)的前面(PL1f)中的任一面形成有使在顯示面?zhèn)缺荒恳暣_認(rèn)的反射光減少的反射抑制層(RC1)。
【專利說明】
顯7J^裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及顯示裝置，例如設(shè)及適用于顯示部的顯示面?zhèn)缺簧w部件覆蓋且在 蓋部件和顯示部之間形成有空間的顯示裝置的有效的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002] 例如，在日本特開2014-29614號(hào)公報(bào)（專利文獻(xiàn)1)、日本特開2012-22844號(hào)公報(bào) (專利文獻(xiàn)2)中記載有在靜電電容方式的觸摸面板上層疊硬涂層W及反射防止層的技術(shù)。
[0003] 另外，在日本特開2013-246610號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中記載有在蓋玻璃的顯示面?zhèn)?形成反射防止膜、在顯示面的相反側(cè)的面上形成觸摸面板用的電極的觸摸面板。
[0004] 【先行技術(shù)文獻(xiàn)】
[0005] 【專利文獻(xiàn)】
[0006] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2014-29614號(hào)公報(bào)
[0007] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-22844好公報(bào) [000引專利文獻(xiàn)3:日本特開2013-246610號(hào)公報(bào)
[0009] 顯示裝置的顯示部具有例如液晶層或者利用電致發(fā)光的發(fā)光層等顯示功能層、例 如晶體管等多個(gè)顯示元件，通過將信號(hào)傳送到多個(gè)顯示元件、驅(qū)動(dòng)顯示元件，從而顯示圖 像。另外，顯示部的顯示面?zhèn)缺簧w部件覆蓋，存在在蓋部件和顯示部之間設(shè)置有空間的情 況。本申請(qǐng)研究人員根據(jù)W上所述對(duì)在蓋部件和顯示部之間設(shè)置有空間的顯示裝置進(jìn)行探 討，發(fā)現(xiàn)W下課題。
[0010] 目P，可知在上述顯示裝置的情況下，如蓋部件局部彈性變形，則存在彈性變形的部 分的周圍不能正確顯示的情況。例如，在具有所謂觸摸面板的輸入裝置的顯示裝置的情況 下存在用手指等進(jìn)行輸入操作時(shí)蓋部件局部地彈性變形的情況。此時(shí)，所謂牛頓環(huán)的環(huán)狀 干設(shè)條紋在已彈性變形的部分的周圍被目視確認(rèn)。
[0011] 雖然蓋部件的彈性變形地方復(fù)原則該牛頓環(huán)消失，然而從使顯示裝置的圖像品質(zhì) 提高的觀點(diǎn)出發(fā)，即使是蓋部件已彈性變形的狀態(tài)下，也優(yōu)選牛頓環(huán)不被目視確認(rèn)。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0012] 本實(shí)用新型的目的在于提供使顯示裝置的圖像品質(zhì)得W提高的技術(shù)。
[0013] 本實(shí)用新型一個(gè)方面的顯示裝置包括：顯示部，包括顯示功能層;蓋部件，包括第 一面W及位于所述第一面的相反側(cè)的第二面，所述蓋部件覆蓋所述顯示部;第一部件，包括 經(jīng)由第一空間與所述蓋部件的所述第二面相對(duì)的第Ξ面；W及輸入部，包括多個(gè)檢測(cè)電極， 所述輸入部經(jīng)由多個(gè)所述檢測(cè)電極檢測(cè)電容量的變化，在所述蓋部件的所述第二面及所述 第一部件的所述第Ξ面中的任一面，形成有使反射光減少的反射抑制層。
[0014] 并且，在所述第一部件的所述第Ξ面形成有作為所述反射抑制層的第一反射抑制 層。
[0015] 并且，在所述蓋部件的所述第二面形成有作為所述反射抑制層的第二反射抑制 層。
[0016] 此外，所述第一反射抑制層具有使從所述顯示面?zhèn)日丈涞娜肷涔庠诙鄠€(gè)方向擴(kuò)散 的光擴(kuò)散部。
[0017] 進(jìn)一步地，所述第一反射抑制層的與所述蓋部件相對(duì)的面的表面粗糖度比所述第 一反射抑制層的與所述第一部件相對(duì)的面的表面粗糖度更粗糖。
[0018] 此外，所述第一反射抑制層的露出面比和位于所述露出面的相反側(cè)的所述第一部 件之間的粘結(jié)界面，表面粗糖度更粗糖。
[0019] 并且，所述第一反射抑制層具有使從所述顯示面?zhèn)日丈涞娜肷涔鈹U(kuò)散的第一光擴(kuò) 散部，所述第二反射抑制層具有使從所述顯示面?zhèn)日丈涞娜肷涔鈹U(kuò)散的第二光擴(kuò)散部。
[0020] 此外，所述第一反射抑制層的與所述蓋部件相對(duì)的面的表面粗糖度比所述第一反 射抑制層的與所述第一部件相對(duì)的面的表面粗糖度更粗糖，所述第二反射抑制層的與所述 第一部件相對(duì)的面的表面粗糖度比所述第二反射抑制層的與所述蓋部件相對(duì)的面的表面 粗糖度更粗糖。
[0021] 并且，所述第一反射抑制層的第一露出面比和位于所述第一露出面的相反側(cè)的所 述第一部件之間的粘結(jié)界面，表面粗糖度更粗糖，所述第二反射抑制層的第二露出面比和 位于所述第二露出面的相反側(cè)的所述蓋部件之間的粘結(jié)界面，表面粗糖度更粗糖。
[0022] 進(jìn)一步地，所述第一反射抑制層的霧度的值為26% W上。
[0023] 此外，在所述蓋部件的所述第二面未形成有所述反射抑制層，所述第一反射抑制 層的霧度的值為28% W上。
[0024] 并且，所述第一反射抑制層具有包含折射率互不相同的多個(gè)部分的第一反射方向 調(diào)整部，所述第一反射抑制層的反射率為0.14% W下。
[0025] 此外，所述第一反射抑制層具有包含折射率互不相同的多個(gè)部分的第一反射方向 調(diào)整部，所述第二反射抑制層具有包含折射率互不相同的多個(gè)部分的第二反射方向調(diào)整 部，所述第一反射抑制層W及所述第二反射抑制層的反射率分別為1.6% W下。
[0026] 并且，所述第一反射抑制層W及所述第二反射抑制層的反射率分別為0.3% W下。
[0027] 此外，所述第一反射抑制層W及所述的第二反射抑制層的反射率分別為0.14% W 下。
[0028] 此外，所述蓋部件的所述第二面和所述第一部件的所述第Ξ面之間的離開距離比 所述蓋部件的厚度薄。
[0029] 進(jìn)一步地，所述第一空間設(shè)置在多個(gè)所述檢測(cè)電極和所述蓋部件之間。
[0030] 此外，多個(gè)所述檢測(cè)電極設(shè)置在所述蓋部件的所述第一面和所述第二面之間，所 述第一空間設(shè)置在多個(gè)所述檢測(cè)電極和所述蓋部件之間。
[0031] 并且，所述第一部件是使從所述顯示面?zhèn)裙┙o的透過光偏振的偏振板。
【附圖說明】
[0032] 圖1是示出實(shí)施方式的顯示裝置的一個(gè)例子的俯視圖。
[0033] 圖2是沿著圖1的A-A線的截面圖。
[0034] 圖3是圖2的B部的放大截面圖。
[0035] 圖4是示出靜電電容型的輸入部即觸摸面板的概要構(gòu)成的說明圖。
[0036] 圖5是示出施加于圖4所示的觸摸面板的驅(qū)動(dòng)波形、從觸摸面板輸出的信號(hào)波形的 關(guān)系的例子的說明圖。
[0037] 圖6是模式地示出圖1所示的顯示裝置中設(shè)置圖4所示的輸入部用的電極的位置的 說明圖。
[0038] 圖7是示出相對(duì)于圖6的變形例的說明圖
[0039] 圖8是示出相對(duì)于圖6的其他變形例的說明圖。
[0040] 圖9是示出相對(duì)于圖4W及圖5所示的互檢方式的變形例即自檢方式的檢測(cè)原理的 說明圖。
[0041] 圖10是在圖9之后示出自檢方式的檢測(cè)原理的說明圖。
[0042] 圖11是在圖10之后示出自檢方式的檢測(cè)原理的說明圖。
[0043] 圖12是在圖11之后示出自檢方式的檢測(cè)原理的說明圖。
[0044] 圖13是示出圖2所示的蓋部件周邊的構(gòu)成部分的放大截面圖。
[0045] 圖14是示出觸摸面板的檢測(cè)精度和圖13所示的空間的厚度的關(guān)系的說明圖。
[0046] 圖15是模式地示出反射抑制層的一個(gè)構(gòu)造例的說明圖。
[0047] 圖16是模式地示出W與圖15不同的方式抑制反射的構(gòu)造例的說明圖。
[0048] 圖17是示出相對(duì)于圖13的變形例的顯示裝置的放大截面圖。
[0049] 圖18是示出相對(duì)于圖13的其他變形例的顯示裝置的放大截面圖。
[0050] 圖19是示出相對(duì)于圖13的其他變形例的顯示裝置的放大截面圖。
[0051] 圖20是示出相對(duì)于圖13的其他變形例的顯示裝置的放大截面圖。
[0052] 圖21是示出相對(duì)于圖13的其他變形例的顯示裝置的放大截面圖。
[0053] 圖22是示出相對(duì)于圖13所述的顯示裝置的比較例的放大截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054] 下面，參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型的各實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，公開只不過一個(gè)例 子，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，對(duì)保持實(shí)用新型的主旨的適當(dāng)變更是很容易能夠想到的，當(dāng)然 是包含于本實(shí)用新型的范圍的內(nèi)容。另外，為了使說明更加明確，附圖與實(shí)際方式相比較， 存在對(duì)各部分的寬、厚度、形狀等模式地進(jìn)行表示的情況，然而僅為一個(gè)例子，并非限定本 實(shí)用新型的解釋。另外，在本說明書和各圖中與先前參考在先附圖所述的同樣的要素附上 同一或者關(guān)聯(lián)的符號(hào)，適當(dāng)省略詳細(xì)說明。
[0055] 另外，在W下實(shí)施方式中說明的技術(shù)能夠適用于不具備所謂觸摸面板的輸入部的 顯示裝置。但是，在W下的實(shí)施方式中，本申請(qǐng)研究人員進(jìn)行探討，發(fā)現(xiàn)通過使蓋部件局部 變形而牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的課題，舉出帶有輸入部的顯示裝置的構(gòu)成而進(jìn)行說明。
[0056] 另外，在W下實(shí)施方式中說明的技術(shù)可W廣泛適用于在設(shè)置有顯示功能層的顯示 區(qū)域的多個(gè)元件具備從顯示區(qū)域的周圍供給信號(hào)的機(jī)構(gòu)的顯示裝置。對(duì)上述的顯示裝置可 W例示例如液晶顯示裝置、有機(jī)化化lectro-Luminescence，電致發(fā)光）顯示裝置或者等離 子體顯示裝置等各種顯示裝置。在W下實(shí)施方式中作為顯示裝置的代表例列舉出液晶顯示 裝置進(jìn)行說明。
[0057] 另外，根據(jù)用于使顯示功能層即液晶層的液晶分子的取向變化的電場(chǎng)的施加方 向，液晶顯示裝置被大幅分為W下兩類。即，作為第一分類是對(duì)顯示裝置的厚度方向（或者 面外方向）施加電場(chǎng)的所謂縱向電場(chǎng)模式?？v向電場(chǎng)模式中例如有TN(Twisted化matic，扭 曲向列)模式、VA(Vertical Alig皿ent，垂直對(duì)齊)模式等。另外，作為第二分類是對(duì)顯示裝 置的平面方向（或者面內(nèi)方向）施加電場(chǎng)的所謂橫向電場(chǎng)模式。橫向電場(chǎng)模式中例如有IPS (In-Plane Switching,平板開關(guān)）模式、IPS模式的一種即FFS(F;ringe Field Switching, 邊緣切換)模式等。在下面說明的技術(shù)能夠適用于縱向電場(chǎng)模式W及橫向電場(chǎng)模式的任意 一個(gè)，然而在下面說明的實(shí)施方式中作為一個(gè)例子舉出橫向電場(chǎng)模式的顯示裝置進(jìn)行說 明。
[0化引 <顯示裝置的基本構(gòu)成〉
[0059] 首先，對(duì)顯示裝置的基本構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是示出本實(shí)施方式的顯示裝置的一個(gè) 例子的俯視圖，圖2是沿圖1的A-A線的截面圖。另外，圖3是圖2的B部分的放大截面圖。
[0060] 如圖2所示，本實(shí)施方式的顯示裝置DIS1具有具備顯示功能層即液晶層LCL(參照 圖3)的顯示部PN1、覆蓋顯示部PN1的顯示面?zhèn)鹊纳w部件CV1。
[0061] 在本實(shí)施方式中作為一個(gè)例子進(jìn)行說明的顯示裝置DIS1如上所述是液晶顯示裝 置。在液晶顯示裝置的情況下，因?yàn)椴⒎亲园l(fā)光型的顯示裝置，所W顯示裝置DIS1具有光源 LS。在如圖2所示的例子中，光源LS設(shè)置在位于顯示面的相反側(cè)的背面?zhèn)取?br>[0062] 另外，顯示裝置DIS1具有使從光源LS向顯示面?zhèn)刃羞M(jìn)的光偏振的偏振板化及 偏振板化2。顯示部PN1設(shè)置于配置為相互相對(duì)的偏振板化及偏振板化2之間。在圖2所示 的例子中，在顯示部PN1的顯示面?zhèn)日澈嫌衅癜寤?，在位于偏振板化1的顯示面的相反的 背面?zhèn)日澈嫌衅癜寤?。另外，在圖2所示的例子中，覆蓋顯示部PN1的顯示面?zhèn)鹊纳w部件 CV1經(jīng)由沿配置于顯示部PN1的上層的第一部件的周邊部而設(shè)置的粘合材料BND被粘合在偏 振板化1。此外，在本實(shí)施方式中，第一部件表示偏振板化1。此外，作為粘合材料BND使用糊 狀的粘合材料的時(shí)候，經(jīng)由沿偏振板化1的周邊部涂布的粘合材料BND使偏振板化1和蓋部 件CV1貼合。另外，作為粘合材料BND而使用所謂雙面膠等膠帶狀的粘合部件的情況下，在蓋 部件CV1W及偏振板化1中的至少一個(gè)預(yù)先粘貼膠帶狀的粘合材料BND，經(jīng)由粘合材料BND使 偏振板化1和蓋部件CV1貼合。
[0063] 此外，作為相對(duì)于本實(shí)施方式的變形例，在具有例如有機(jī)化顯示面板或者等離子 體顯示面板等自發(fā)光型的顯示部的情況下，也可W沒有光源LS。另外，在具有自發(fā)光型的顯 示部的情況下，偏振板化及偏振板化2可W沒有。此時(shí)，蓋部件CV1被粘合固定于偏振板 PL1之外的別的部件(省略圖示）。
[0064] 另外，如圖1所示，顯示部PN1具有形成根據(jù)輸入信號(hào)從外部可W目視確認(rèn)的圖像 的顯示區(qū)域DP。另外，顯示部PN1在俯視時(shí)具有在顯示區(qū)域DP的周圍設(shè)置為框狀的非顯示區(qū) 域即邊緣部化。另外，顯示部PN1在俯視時(shí)具有形成于邊緣部化的密封部。密封部形成為連 續(xù)地圍在顯示區(qū)域DP的周圍，圖2所示的基板FS和基板BS被設(shè)置于密封部的密封材料粘合 固定。
[0065] 另外，在本實(shí)施方式的例子中，顯示部PN1具備在相對(duì)配置的一對(duì)基板之間形成顯 示功能層即液晶層的構(gòu)造。即，如圖3所示，顯示部PN1具有顯示面?zhèn)鹊幕錐S、位于基板FS 的相反側(cè)的基板BSW及配置于基板FS和基板BS之間的液晶層LCL。液晶層LCL被設(shè)置為圍在 如圖1所示的顯示區(qū)域DP的周圍的密封部密封。
[0066] 圖3所示的液晶層LCL的厚度與圖2所示的基板FS、基板BS的厚度相比較極端薄。例 如，液晶層LCL的厚度相對(duì)于基板FS或者基板BSD的厚度為0.4%~5%左右的厚度。在圖3 W 及圖4所示的例子中，液晶層LCL的厚度例如為3μηι~4μηι左右。
[0067] 另外，圖1所示的設(shè)置于顯示區(qū)域DP的液晶層LCL根據(jù)經(jīng)由設(shè)置于邊緣部化的電路 部CC而被傳送的信號(hào)，對(duì)每個(gè)像素(詳細(xì)而言為子像素)進(jìn)行動(dòng)作。另外，在驅(qū)動(dòng)顯示功能層 的電路部CC，多個(gè)顯示元件被排列在與顯示區(qū)域DP重合的位置。多個(gè)顯示元件對(duì)每個(gè)像素 (詳細(xì)而言為子像素)設(shè)置為矩陣狀，進(jìn)行切換動(dòng)作。在本實(shí)施方式中，多個(gè)顯示元件是形成 于基板BS的所謂TFT(Thin-Fi Im Trans iStor，薄膜晶體管）的晶體管。
[0068] 另外，在驅(qū)動(dòng)顯示功能層的電路部CC包括對(duì)多個(gè)顯示元件輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)、影像(映 像)信號(hào)的信號(hào)輸入部IPC。在圖1所示的例子中，在信號(hào)輸入部IPC搭載有形成圖像顯示用 的驅(qū)動(dòng)電路DR1、控制電路CNT1的半導(dǎo)體忍片CHP。
[0069] 另外，如上所述，分別在顯示部PN1的顯示面?zhèn)日澈瞎潭ㄓ衅癜寤?(參照?qǐng)D2)， 在顯示面的相反側(cè)的背面?zhèn)日澈瞎潭ㄓ衅癜錚L2(參照?qǐng)D2)。詳細(xì)而言，在顯示部PN1的基 板BS的背面B訊側(cè)設(shè)置有偏振板化2。偏振板化2經(jīng)由粘合層被粘合固定在基板BS的背面 BSb。另一方面，在基板FS的前面FSf側(cè)設(shè)置有偏振板化1。偏振板化1經(jīng)由粘合層被粘合固定 在基板FS的前面FSf。
[0070] 此外，在圖2中，例示出用于形成顯示圖像的基本構(gòu)成部件，然而作為變形例除圖2 所示的構(gòu)成部件W外能夠添加其他部件。例如，詳細(xì)情況在后敘述，然而顯示裝置DIS1具有 檢測(cè)顯示畫面中的手指等的位置并對(duì)應(yīng)于檢測(cè)位置輸入指令等控制信號(hào)的輸入部。在圖2 中，省略圖示，在基板FS和偏振板PL1之間能夠形成用于檢測(cè)手指等位置的檢測(cè)電極。
[0071] 另外，如圖3所示，顯示部PN1具有配置于基板FS和基板BS之間的多個(gè)像素電極PE、 W及配置于基板FS和基板BS之間的共用電極CE。本實(shí)施方式的顯示部PN1如上所述是橫向 電場(chǎng)模式的顯示裝置，多個(gè)像素電極PEW及共用電極CE分別形成于基板BS。
[0072] 如圖3所示的基板BS具有由玻璃基板等構(gòu)成的基材BSg，主要在基材8地形成有圖 像顯示用的電路?；錌S具有位于基板FS側(cè)的前面BSfW及位于其相反側(cè)的背面BSb(參照 圖2)。另外，在基板BS的前面BSf側(cè)，TFT等顯示元件和多個(gè)像素電極PE形成為矩陣狀。
[0073] 圖3所示的例子示出橫向電場(chǎng)模式(詳細(xì)而言為Fi^模式）的顯示部PN1，所W共用 電極CEW及像素電極PE分別形成于基板BS的前面BSf側(cè)。共用電極CE形成于基板BS具備的 基材BSg的前面?zhèn)?，且被絕緣層0C2覆蓋。另外，多個(gè)像素電極PE經(jīng)由絕緣層0C2與共用電極 CE相對(duì)地形成于絕緣層0C2的基板FS側(cè)。此外，在圖3所示的例子中例示有從基板BS側(cè)依次 層疊共用電極CE、絕緣層0C2W及像素電極PE的實(shí)施方式?？墒?，共用電極CE、絕緣層0C2W 及像素電極PE是一個(gè)例子，有各種變形例。例如，可W是從基板BS側(cè)依次層疊像素電極PE、 絕緣層0C2W及共用電極CE的構(gòu)造。
[0074] 另外，圖3所示的基板FS是在由玻璃基板等構(gòu)成的基材。地上形成圖像的濾色片CF 的基板，該濾色片CF形成彩色顯示的濾色片，基板FS具有顯示面?zhèn)燃辞懊鍲Sf(參照?qǐng)D2) W 及位于前面FSf的相反側(cè)的背面FSb。如基板FS運(yùn)樣形成濾色片CF的基板在與上述TFT基板 進(jìn)行區(qū)別時(shí)由于與濾色片基板或者經(jīng)由液晶層與TFT基板相對(duì)，因此稱為對(duì)置基板。此外， 作為相對(duì)于圖3的變形例可W采用在TFT基板設(shè)置濾色片CF的構(gòu)成。
[0075] 基板FS在例如玻璃基板等基材!^地的一面形成有周期地排列紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B) Ξ色濾色片像素 CFr、CFg、CFb的濾色片CF。在彩色顯示裝置中，例如W該紅(R)、綠(G)、藍(lán) (Β)Ξ色子像素為一組，構(gòu)成一個(gè)像素（也稱為一個(gè)像素）?；錐S的多個(gè)濾色片像素 CFr、 CFg、C訊配置為與具有形成于基板BS的像素電極PE的各個(gè)子像素相互相對(duì)的位置。
[0076] 另外，在各色的濾色片像素 CFr、CFg、C即各個(gè)邊界形成有遮光膜BM。遮光膜BM被稱 為黑色矩陣，例如由黑色的樹脂構(gòu)成。另外，遮光膜BM例如有時(shí)是多種濾色片重疊而形成 的。遮光膜BM在俯視時(shí)形成為格子狀。換而言之，基板FS具有形成于形成為格子狀的遮光膜 BM之間的各色濾色片像素 CFr、CFg、C訊。
[0077] 另外，基板FS具有覆蓋濾色片CF的樹脂層0C1。因?yàn)樵诟魃珵V色片像素 CFr、CFg、 CFb的邊界形成有遮光膜BM，所W濾色片CF的內(nèi)面為凹凸面。樹脂層0C1作為使濾色片CF的 內(nèi)面的凹凸平坦化的平坦化膜而發(fā)揮作用?；蛘?，樹脂層0C1作為防止雜質(zhì)從濾色片CF對(duì)液 晶層擴(kuò)散的保護(hù)膜而發(fā)揮作用。樹脂層0C1通過使材料中含有熱固化性樹脂成分或者光固 化性樹脂成分等通過給予能量而固化的成分，能夠使樹脂材料固化。
[0078] 另外，在基板FS和基板BS之間設(shè)置有通過對(duì)像素電極PE和共用電極CE之間施加顯 示用電壓而形成顯示圖像的液晶層LCL。液晶層LCL根據(jù)被施加的電場(chǎng)的狀態(tài)調(diào)制通過其的 光。
[0079] 另外，基板FS在與液晶層LCL相接的界面即背面FSb具有覆蓋樹脂層0C1的取向膜 AF1。另外，基板BS在與液晶層LCL相接的界面即前面BSf具有絕緣層0C2W及覆蓋多個(gè)像素 電極PE的取向膜AF2。該取向膜AF1、AF2是為了使液晶層LCL所含的液晶的初始取向一致而 形成的膜。
[0080] 圖3所示的顯示部PN1的彩色圖像的顯示方法如W下所述。即，從光源LS(參照?qǐng)D2) 射出的光被偏振板化2(參照?qǐng)D2)濾光，通過偏振板化2的光射入液晶層1XL。射入液晶層1XL 的光根據(jù)液晶的折射率各向異性(換而言之為雙折射)而使偏振狀態(tài)變化在液晶層LCL的厚 度方向（換而言之從基板BS向基板FS的方向）傳播，從基板FS射出。此時(shí)，利用對(duì)像素電極PE 和共用電極CE施加電壓形成的電場(chǎng)控制液晶取向，液晶層LCL作為光學(xué)性的快口而發(fā)揮作 用。即，在液晶層LCL能夠?qū)γ總€(gè)子像素控制光的透過率。到達(dá)基板FS的光在形成于基板FS 的濾色片被實(shí)施顏色濾光處理（即吸收指定波長(zhǎng)之外的光的處理），從前面FSf射出。另外， 從前面FSf射出的光經(jīng)由偏振板化1到達(dá)觀眾VW。
[0081] <輸入部的構(gòu)成〉
[0082] 接著，對(duì)本實(shí)施方式的顯示裝置DIS1具備的輸入部的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖4是示出靜 電電容型的輸入部即觸摸面板的概要構(gòu)成的說明圖。另外，圖5是示出對(duì)圖4所示的觸摸面 板被施加的驅(qū)動(dòng)波形和從觸摸面板輸出的信號(hào)波性的關(guān)系的例子的說明圖。另外，圖6是模 式地示出在圖1所示的顯示裝置中設(shè)置圖4所示的輸入部用的電極的位置的說明圖。另外， 圖7W及圖8分別是示出相對(duì)于圖6的變形例的說明圖。
[0083] 圖及圖2所示的本實(shí)施方式的顯示裝置DIS1具有檢測(cè)顯示畫面中的手指等的 位置且對(duì)應(yīng)于檢測(cè)位置而輸入指令等控制信號(hào)的輸入部即觸摸面板ΤΡ(參照?qǐng)D4)。在圖4所 示的例子中，觸摸面板ΤΡ是利用接近輸入工具CMD時(shí)的檢測(cè)電極Rx周邊的電容的變化檢測(cè) 輸入工具CMD的位置的電容型的輸入部。
[0084] 如圖4所示，靜電電容型的觸摸面板TP具備電介質(zhì)層化、由經(jīng)由電介質(zhì)層化相對(duì)配 置的電極對(duì)構(gòu)成的多個(gè)電容元件C1。對(duì)構(gòu)成該電極對(duì)的一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電極Τχ從輸入裝置用的 驅(qū)動(dòng)電路DR2施加例如圖5所示的矩形波即驅(qū)動(dòng)波形DW。另一方面，從構(gòu)成電極對(duì)的另一個(gè) 的檢測(cè)電極(輸入位置檢測(cè)電極)Rx例如如圖5所示流動(dòng)對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)波形DWW及圖4所示的 電容元件C1的靜電電容的電流，輸出信號(hào)波形SW。從檢測(cè)電極Rx輸出的信號(hào)波形SW被輸出 至檢測(cè)輸入位置的檢測(cè)電路DT1 (參照?qǐng)D4)。
[0085] 圖5所例示的信號(hào)波形的大小根據(jù)對(duì)驅(qū)動(dòng)電極Τχ施加驅(qū)動(dòng)波形時(shí)發(fā)生的由連接驅(qū) 動(dòng)電極Τχ和檢測(cè)電極Rx的多個(gè)電力線表示的電場(chǎng)(electric field)的大小而變化。
[0086] 在此，如圖4所示使手指、觸摸筆等一端連接接地電位的電容元件（電介質(zhì)體)即輸 入工具CMD接近或者接觸觸摸面板TP的多個(gè)檢測(cè)電極Rx中的一個(gè)。此時(shí)，用存在于接近輸入 工具CMD的位置的檢測(cè)電極Rx對(duì)電容元件C1添加輸入工具的CMD的電容。此時(shí)，在輸入工具 CMD的周邊，電力線的數(shù)量與其他區(qū)域相比較相對(duì)減少。因此，在配置于接近輸入工具CMD的 檢測(cè)電極Rx，輸出比用配置于其他位置的檢測(cè)電極Rx輸出的信號(hào)波形SW小的信號(hào)波形SW。
[0087] 目P，在圖4所示的檢測(cè)電路DT1中，監(jiān)視從多個(gè)檢測(cè)電極Rx的每一個(gè)傳送的信號(hào)波 形SW，根據(jù)信號(hào)波形SW的值或者信號(hào)波形SW的變化量，能夠指定輸入工具CMD的位置。換而 言之，在觸摸面板TP具有的檢測(cè)電路DT1中，經(jīng)由多個(gè)檢測(cè)電極Rx，通過檢測(cè)起因于輸入工 具CMD的有無的電容量的變化，檢測(cè)輸入工具CMD的位置。例如，對(duì)信號(hào)波形SW的變化量預(yù)先 設(shè)定闊值，參照超越闊值的檢測(cè)電極Rx的位置數(shù)據(jù)，能夠輸出輸入工具CMD的位置。同時(shí)例 如能夠直接將信號(hào)波形SW的值與闊值進(jìn)行比較。另外，在監(jiān)視信號(hào)波形SW的變化量的方法 中有各種方法，例如，能夠使用測(cè)量在檢測(cè)電極Rx發(fā)生的電壓值的方法、或者測(cè)量流過檢測(cè) 電路DT1的每單位時(shí)間的電流值的累計(jì)量的方法。
[0088] 如圖5所示，在靜電電容型的觸摸面板TP的情況下，需要沿顯示畫面設(shè)置驅(qū)動(dòng)電機(jī) TxW及檢測(cè)電極Rx。在具備觸摸面板TP的顯示裝置的情況下，設(shè)置觸摸面板TP用的電極的 位置能夠大致分為圖6所示的顯示裝置DISK圖7所示的顯示裝置DIS2W及圖8所示的顯示 裝置DIS3。
[0089] 在圖6所示的顯示裝置DIS1中，在顯示部PN1和偏振板化1之間設(shè)置有檢測(cè)電極Rx W及驅(qū)動(dòng)電極Τχ。即，顯示裝置DIS1是在顯示部PN1的顯示面?zhèn)确謩e設(shè)置有檢測(cè)電極RxW及 驅(qū)動(dòng)電極Τχ的所謂化-Cell型帶有輸入部的顯示裝置。On-Cell型帶有輸入部顯示裝置能 夠減少顯示部PN1的構(gòu)造給觸摸面板TP的檢測(cè)精度帶來的影響。
[0090] 另外，在圖7所示的顯示裝置DIS2中，檢測(cè)電極RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ設(shè)置于顯示部 ΡΝ1內(nèi)，詳細(xì)而言在基板FS和基板BS之間。即，顯示裝置DIS2是在顯示部ΡΝ1的內(nèi)部分別設(shè)置 有檢測(cè)電極RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ的所謂In-Cell型帶有輸入部顯示裝置。In-Cell型帶有輸入 部顯示裝置因?yàn)樵陲@示部PN1內(nèi)形成電極，所W能夠兼用作例如觸摸面板TP用的驅(qū)動(dòng)電極 Τχ和顯不部PN1用的共用電極CE。如兼用作觸挺面板TP用驅(qū)動(dòng)電極Τχ、顯不部PN1用的共用 電極CE，則能夠使制造工序簡(jiǎn)化。
[0091] 此外，在圖6W及圖7中，模式地示出了形成有檢測(cè)電極RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ的位置。 圖6W及圖7所示的觸摸面板ΤΡ的詳細(xì)的構(gòu)造如圖4所示，驅(qū)動(dòng)電極TxW及多個(gè)檢測(cè)電極Rx 經(jīng)由電介質(zhì)層化在厚度方向?qū)盈B。
[0092] 或者，作為相對(duì)于圖4的變形例，驅(qū)動(dòng)電極Τχ和檢測(cè)電極Rx可W在同層相互離開而 形成。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)電極Τχ和檢測(cè)電極Rx之間例如設(shè)置有覆蓋驅(qū)動(dòng)電極TxW及檢測(cè)電極Rx 的電介質(zhì)層化。
[0093] 另外，在圖8所示的顯示裝置DIS3中，在顯示部PN1和偏振板化1之間設(shè)置有檢測(cè)電 極Rx。另一方面，驅(qū)動(dòng)電極Τχ被設(shè)置在顯示部PNl內(nèi)，詳細(xì)而言為基板FS和基板BS之間。即， 顯示裝置DIS3是分別在顯示部PN1的內(nèi)部設(shè)置驅(qū)動(dòng)電極Τχ、在顯示部PN1的顯示面?zhèn)仍O(shè)置檢 測(cè)電極Rx的In-Cell型和On-Cell型混合的帶有輸入部顯示裝置。在顯示裝置DIS3的情況 下，因?yàn)樵陲@示部PN1內(nèi)形成驅(qū)動(dòng)電極Τχ，所W能夠兼用作觸摸面板TP用的驅(qū)動(dòng)電極Τχ和顯 示部ΡΝ1用的共用電極CE。另外，因?yàn)闄z測(cè)電極Rx設(shè)置為比顯示部ΡΝ1靠近顯示面?zhèn)?，所W能 夠使檢測(cè)電極Rx比圖7所示的In-Cell型的情況更接近手指等輸入工具CMD(參照?qǐng)D4)。因 此，能夠使檢測(cè)精度提高。
[0094] 此外，圖8所示的顯示裝置DIS3作為In-Cell型和化-Cell型混合的類型的帶有輸 入部顯示裝置進(jìn)行了說明，然而在驅(qū)動(dòng)電極Τχ設(shè)置于顯示部PN1內(nèi)的方面上，能夠認(rèn)為是 In-Cell型的一個(gè)方式。另外，說明了在包含顯示裝置DIS3的In-Cell型的帶有輸入部顯示 裝置中，能夠兼用作觸摸面板TP用的驅(qū)動(dòng)電極Τχ和顯示部PN1用的共用電極CE?？墒牵鳛?變形例，即使是In-Cell型，不兼用作觸摸面板ΤΡ用的驅(qū)動(dòng)電極Τχ和顯示部ΡΝ1用的共用電 極CE，能夠分別獨(dú)立設(shè)置。
[00Μ]另外，在上述圖4W及圖5中，作為靜電電容型的輸入部即觸摸面板ΤΡ的例子說明 了驅(qū)動(dòng)電極Τχ和檢測(cè)電極Rx形成為各不相同的電極、在驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入至驅(qū)動(dòng)電極Τχ時(shí)處理 從檢測(cè)電極Rx輸出的檢測(cè)信號(hào)、檢測(cè)輸入工具CMD的位置的方式。該方式稱為互(Mu化al)檢 方式。在圖4中，作為觸摸面板TPm示出互檢方式的觸摸面板TP?？墒?，作為輸入部的檢測(cè)方 式，除互檢方式之外還可W適用作為同一電極(后述的圖9~圖11所示的檢測(cè)電極化)形成 驅(qū)動(dòng)電極Τχ和檢測(cè)電極Rx、對(duì)多個(gè)檢測(cè)電極化的每一個(gè)輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)、通過對(duì)多個(gè)檢測(cè)電 極化自身發(fā)生的信號(hào)進(jìn)行處理而檢測(cè)輸入工具CMD的位置的自（Self)檢方式。
[0096] 下面，使用附圖，對(duì)自檢方式的檢測(cè)原理簡(jiǎn)單地進(jìn)行說明。圖9~圖12是示出對(duì)圖4 W及圖5所示的互檢方式的變形例即自檢方式的檢測(cè)原理的說明圖。詳細(xì)而言，圖9W及圖 10示出在檢測(cè)電極化的附近不存在輸入工具CMD(參照?qǐng)D11)的狀態(tài)下的動(dòng)作，圖11W及圖 12示出輸入工具CMD接近檢測(cè)電極化的附近的時(shí)候的動(dòng)作。
[0097] 如圖9~圖12所示，在W自檢方式進(jìn)行動(dòng)作的觸摸面板TPs的情況下多個(gè)檢測(cè)電極 化的每一個(gè)被連接在控制開關(guān)SWc。控制開關(guān)SWc具備切換連接狀態(tài)的功能，W使電源VddW 及電容器Ccr中的任意一個(gè)和檢測(cè)電極化電連接。
[0098] 在圖9所示的狀態(tài)下，檢測(cè)電極化經(jīng)由控制開關(guān)SWc與電源Vdd連接，與電容器不電 連接。在該狀態(tài)下，檢測(cè)電極化具有的電容Cx 1被充電。
[0099] 另外，如將控制開關(guān)SWc從圖9所示的狀態(tài)切換至圖10所示的狀態(tài)，則檢測(cè)電極化 經(jīng)由控制開關(guān)SWc與電容器Ccr連接，與電源Vdd不電連接。在該狀態(tài)下，電容Cxi的電荷經(jīng)由 電容器Ccr被放電。
[0100] 接著，如圖11W及圖12所示，在將輸入工具CMD接近檢測(cè)電極的情況下，如W下所 示進(jìn)行動(dòng)作。即，在圖11所示的狀態(tài)下，檢測(cè)電極化經(jīng)由控制開關(guān)SWc與電源Vdd連接，與電 容器Ccr不電連接。此時(shí)，在檢測(cè)電極化的附近因?yàn)榇嬖诰哂须娙軨x2的輸入工具CMD，所W 檢測(cè)電極化具有的電容Cxi W及具有輸入工具CMD的電容Cx2被充電。
[0101] 另外，如將控制開關(guān)SWc從圖11所示的狀態(tài)切換為圖12所示的狀態(tài)，則檢測(cè)電極化 經(jīng)由控制開關(guān)SWc與電容器Ccr連接，與電源Vdd不電連接。在該狀態(tài)下，電容Cxi W及電容 Cx2的電荷經(jīng)由電容器Ccr被放電。
[0102] 目P，根據(jù)在檢測(cè)電極化的附近是否存在輸入工具CMD，電容器Ccr的電壓變化特性 變化。在自檢方式中，通過設(shè)置連接于電容器Ccr的多個(gè)檢測(cè)電極化、經(jīng)由多個(gè)檢測(cè)電極化 檢測(cè)起因于輸入工具CMD的有無的電容量的變化，檢測(cè)輸入工具CMD的位置。
[0103] 在圖9~圖12所示的自檢方式的觸摸面板TPs的情況下，多個(gè)檢測(cè)電極化的每一個(gè) 兼具圖4所示的多個(gè)檢測(cè)電極Rx的功能和驅(qū)動(dòng)電極Τχ的功能。因而，在圖6~圖8所示的觸摸 面板ΤΡ是自檢方式的觸摸面板ΤΡ2的情況下，多個(gè)檢測(cè)電極化形成于圖6~圖8所示的檢測(cè) 電極RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ中的任意一個(gè)位置即可。
[0104] <蓋部件的詳細(xì)〉
[0105] 接著，對(duì)圖2所示的蓋部件CV1的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。圖13是示出圖2所示的蓋部件 CV1的周邊的構(gòu)成部分的放大截面圖。另外，圖22是示出相對(duì)于圖13所示的顯示裝置的比較 例的放大截面圖。此外，在圖13中，因?yàn)樯w部件CV1的厚度比空間LA1、偏振板化1的厚度極端 厚，所W為了在一個(gè)附圖中示出各個(gè)部件，因此將蓋部件CV1的厚度較薄地示出。
[0106] 如圖2所示，顯示裝置DIS1的顯示面?zhèn)缺簧w部件CV1覆蓋。該蓋部件CV1具備作為保 護(hù)偏振板化1、顯示部PN1W及偏振板化2等的保護(hù)部件的功能。另外，存在通過在顯示面?zhèn)?設(shè)置蓋部件CV1而能夠抑制在被顯示的圖像形成局部的不均勻的情況。
[0107] 在蓋部件CV1除玻璃板外有時(shí)可使用由例如丙締樹脂等樹脂材料構(gòu)成的樹脂板。 在本實(shí)施方式中，蓋部件CV1是由樹脂材料構(gòu)成的樹脂板。蓋部件CV1是樹脂板的情況下，與 是玻璃板的情況相比較，能夠使蓋部件CV1輕量化。
[010引另外，蓋部件CV1和偏振板PL1接觸，從抑制在偏振板PL1發(fā)生損傷的觀點(diǎn)出發(fā)，蓋 部件CV1優(yōu)選固定于偏振板化1。在本實(shí)施方式中，蓋部件CV1經(jīng)由沿偏振板化1的周邊部涂 布的粘合材料BND被粘合在偏振板化1。還有在蓋部件CV1和偏振板化1相對(duì)的整個(gè)面涂布粘 合材料BND的方法?？墒?，從減少粘合材料BND的涂布量的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選如本實(shí)施方式運(yùn)樣 沿偏振板化1的周邊部涂布粘合材料BND的方法。
[0109] 此時(shí)，在涂布粘合材料BND的粘合區(qū)域的內(nèi)側(cè)，如圖13所示，空間LA1介于蓋部件 CV1的背面CVb和偏振板化1的前面化If之間?？臻gLA1沿蓋部件CV1的背面CVbW及偏振板 PL1的前面化If延伸，在空間LA1內(nèi)存在例如空氣。換而言之，蓋部件CV1的背面CVb和偏振板 PL1的前面化If經(jīng)由沿蓋部件CV1的背面CVb延伸的空間而相互相對(duì)。此外，如構(gòu)成為蓋部件 CV1因來自外部的壓力而變形，則在空間LA1可W包含空氣層之外的變形層。
[0110] 運(yùn)樣，在經(jīng)由空間LA1而使蓋部件CV1和偏振板化1相對(duì)配置的方式的情況下，能夠 減少粘合材料BND的涂布量。只要能夠減少粘合材料BND的涂布量，則在組裝顯示裝置DIS1 時(shí)，能夠減少粘合材料BND的涂布量的誤差。因此，能夠減少起因于粘合材料BND的涂布量的 偏差的粘合材料BND的遺漏。或者，通過減少粘合材料BND的涂布量的誤差，能夠使蓋部件 CV1的背面CVb和偏振板化1的前面化1 f的離開距離即圖13所示的空間LA1的厚度TH1穩(wěn)定。
[0111] 但是，優(yōu)選空間LA1的厚度變薄。即，從實(shí)現(xiàn)顯示裝置DIS1的薄型化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu) 選使顯示裝置DIS1的各構(gòu)成部件的厚度變薄，優(yōu)選使空間LA1的厚度TH1也變薄。圖14是示 出觸摸面板的檢測(cè)精度和圖13所示的空間的厚度的關(guān)系的說明圖。圖14的縱軸表示觸摸面 板的檢測(cè)精度，W空間LA的厚度TH1為lOOwn時(shí)的檢測(cè)精度為100%時(shí)的比例進(jìn)行示出。另 夕h圖14的橫軸表示觸摸面板的例如圖13所示的空間LA1的厚度TH1的數(shù)值。
[0112] 另外，如圖13所示的本實(shí)施方式的顯示裝置DIS1那樣，在帶有輸入部顯示裝置且 空間LAI介于檢測(cè)電極Τχ和蓋部件CVl之間的情況下，空間LAI介于檢測(cè)電極Rx和手指等輸 入工具CMD(參照?qǐng)D4)之間。因此，通過使空間LA1的厚度TH1縮小，可W使檢測(cè)電極Rx的位置 檢測(cè)精度提局。
[0113] 例如，在圖13所示的例子中，蓋部件CV1的厚度TH2為1mm~2mm左右，然而空間LA1 的厚度TH1優(yōu)選比蓋部件CV1的厚度T肥薄。另外，從使觸摸面板TP的檢測(cè)精度提高的觀點(diǎn)出 發(fā)，空間LA1的厚度TH1優(yōu)選為300ymW下。另外，本申請(qǐng)研究人員對(duì)觸摸面板TP的檢測(cè)精度 和空間LA1的厚度TH1的關(guān)系進(jìn)行了探討之后，如圖14所示，觸摸面板TP的檢測(cè)精度和空間 LA1的厚度TH1為概略反比例的關(guān)系。即，空間LA1的厚度TH1越小，觸摸面板TP的檢測(cè)精度越 提高。尤其在空間LA1的厚度TH1為300ymW下的情況下，通過縮小空間LA1的厚度TH1，使觸 摸面板TP的檢測(cè)精度提高的效果很大。因而，空間LA1的厚度TH1優(yōu)選為偏振板化1的厚度 TH3 W下。在圖13所示的例子中，偏振板化1的厚度TH3的厚度為100皿左右。因而，空間LA1的 厚度TH1如為lOOymW下，則空間LA1的厚度TH1與偏振板化1的厚度TH3同程度或者為厚度 T冊(cè)W下。
[0114] <關(guān)于牛頓環(huán)〉
[0115] 在此，本申請(qǐng)研究人員在進(jìn)一步進(jìn)行探討之后可知，如上所述，在經(jīng)由空間LA1相 對(duì)配置蓋部件CV1和偏振板化1的顯示裝置的情況下，如蓋部件CV1局部地彈性變形，則存在 彈性變形的部分的周圍不能正確顯示的情況。例如，如圖13所示的本實(shí)施方式的顯示裝置 DISK圖22所示的顯示裝置DI化1那樣，在帶有觸摸面板TP的顯示裝置DI化1的情況下，存在 用手指等進(jìn)行輸入操作時(shí)蓋部件CV1局部地彈性變形的情況。圖22所示的顯示裝置DI化1在 蓋部件CV1的前面CVf、背面CVbW及偏振板化1的前面化If的每一個(gè)不形成圖13所示的反射 抑制層RC1(第一反射抑制層的一例）的方面，與圖13所示的顯示裝置DIS1不同。其他方面 與圖13所示的顯示裝置DIS1同樣。
[0116] 由本申請(qǐng)研究人員對(duì)圖22所示的顯示裝置DI化1進(jìn)行探討的結(jié)果可知，如顯示裝 置DI化1的蓋部件CV1的一部分由于觸摸操作而局部地變形，則在變形的部分的周圍，所謂 牛頓環(huán)的環(huán)狀干設(shè)條紋被目視確認(rèn)。
[0117] 該牛頓環(huán)是在蓋部件CV1的一部分已局部地變形時(shí)由于被蓋部件CV1的背面CVbW 及偏振板化1的前面化If的兩面反射的光波的干設(shè)而產(chǎn)生的同屯、圓狀的多個(gè)干設(shè)條紋。因 而，牛頓環(huán)在蓋部件CV1沒有變形時(shí)不發(fā)生，如蓋部件CV1的彈性變形部分復(fù)原，則消失。可 是，從使顯示裝置的圖像品質(zhì)提高的觀點(diǎn)出發(fā)，即使在蓋部件彈性變形的狀態(tài)下，優(yōu)選牛頓 環(huán)不被目視確認(rèn)。
[0118] 另外，蓋部件CV1彎曲的部分的曲率半徑越大則環(huán)的直徑越大，牛頓環(huán)被目視確認(rèn) 變得容易。另外，蓋部件CV1和偏振板化1接觸的情況下，目視確認(rèn)變得特別容易。
[0119] 即，如上所述，在蓋部件CV1由例如丙締樹脂等樹脂材料構(gòu)成的樹脂板的情況下， 因?yàn)樯w部件CV1容易變形，所W牛頓環(huán)容易被目視確認(rèn)。另外，如本實(shí)施方式那樣，在具備觸 摸面板TP的顯示裝置DIS1的情況下，因?yàn)樯w部件CV1被手指等局部地按壓，所W蓋部件CV1 容易局部地變形。
[0120] 另外，如上所述，在空間LA1的厚度TH1薄的情況下，因?yàn)樯w部件CV1的彎曲部分的 曲率半徑增大，所W牛頓環(huán)容易被目視確認(rèn)。另外，由于空間LA1的厚度TH1薄，在蓋部件CV1 的一部分和偏振板化1的一部分接觸的情況下，牛頓環(huán)被目視確認(rèn)變得特別容易。
[0121] 因此，本申請(qǐng)研究人員對(duì)抑制牛頓環(huán)的顯現(xiàn)的技術(shù)進(jìn)行了探討。其結(jié)果可知，如在 下面詳細(xì)所述，如在與空間LA1相對(duì)的兩面中至少一面形成有反射抑制層RC1(參照?qǐng)D13)， 則能夠抑制牛頓環(huán)的顯現(xiàn)。下面本申請(qǐng)研究人員參照對(duì)各種構(gòu)成進(jìn)行試驗(yàn)的結(jié)果進(jìn)行詳細(xì) 地說明。
[0122] 下面的表（1)~（3)是示出對(duì)蓋部件W及偏振板的各面的反射抑制處理的方法和 牛頓環(huán)的顯現(xiàn)程度的關(guān)系的說明圖。另外，圖15是模式地示出反射抑制層的一個(gè)構(gòu)造例的 說明圖。另外，圖16是模式地示出W與圖15不同的方式抑制反射的構(gòu)造例的說明圖。另外， 圖8~圖20分別是示出相對(duì)于圖13的變形例的顯示裝置的放大截面圖。
[0123] 表(1)
[0129] 在表(1)~(3)中，在各表的最上部所示出的是劃分號(hào)碼(plot number)。在劃分號(hào) 碼的欄目記載有對(duì)應(yīng)于圖22所示的顯示裝置DI化1的對(duì)照區(qū)CP的條件。另外，劃分號(hào)碼的欄 目的ΕΡ1、ΕΡ2、ΕΡ3、···、ΕΡ16的各記號(hào)示出試驗(yàn)區(qū)的號(hào)碼。
[0130] 圖13、圖17~圖20W及圖22所示的顯示裝置和上述表（1)~(3)所示的各試驗(yàn)區(qū)的 對(duì)應(yīng)關(guān)系如下。即，圖22所示的顯示裝置DI化1對(duì)應(yīng)于上述表（1)~（3)所示的對(duì)照區(qū)CP。另 夕h圖13所示的顯示裝置DIS1對(duì)應(yīng)于上述表（1)~（3)所示的試驗(yàn)區(qū)ΕΡ2、試驗(yàn)區(qū)ΕΡ3 W及試 驗(yàn)區(qū)EP4。另外，圖17所示的顯示裝置DIS4對(duì)應(yīng)于上述表（1)~（3)所示的試驗(yàn)區(qū)EP1。另外， 圖18所示的顯示裝DIS5對(duì)應(yīng)于上述表（1)~（3)所示的試驗(yàn)區(qū)EP5、試驗(yàn)區(qū)EP12、試驗(yàn)區(qū)EP13 W及試驗(yàn)區(qū)EP14。另外，圖19所示的顯示裝置DIS6對(duì)應(yīng)于上述表（1)~（3)所示的試驗(yàn)區(qū) EP7、試驗(yàn)區(qū)EP8、試驗(yàn)區(qū)EP9、試驗(yàn)區(qū)10、試驗(yàn)區(qū)15 W及試驗(yàn)區(qū)EP16。另夕h圖20所示的顯示裝 置DIS7對(duì)應(yīng)于上述表(1)~(3)所示的試驗(yàn)區(qū)EP6W及試驗(yàn)區(qū)EP11。
[0131] 另外，在劃分號(hào)碼的欄目的下部示出對(duì)蓋部件CV1(參照?qǐng)D13)的前面CVf、背面CVb W及偏振板化1(參照?qǐng)D13)的前面化If的各面的表面處理(surface treatment)的種類。詳 細(xì)而言，在表面處理的欄目示出圖13所示的反射抑制層RC1等的具備抑制反射光的功能的 功能性膜的種類W及反射光抑制的程度的區(qū)別。
[0132] 圖13所示的反射抑制層RC1是具備通過控制在顯示面?zhèn)确瓷涞姆瓷涔獾姆瓷浞较?而使在顯示面?zhèn)缺荒恳暣_認(rèn)的反射光減少的功能的光學(xué)功能性膜。使被目視確認(rèn)的反射光 減少的方法大致分為在圖15所示的光擴(kuò)散方式和圖16所示的光干設(shè)衰減方式。
[0133] 圖15所示的光擴(kuò)散方式的反射抑制層AG具有使入射光IL1在多個(gè)方向擴(kuò)散的光擴(kuò) 散部DIF。光擴(kuò)散部DIF是具備使反射光化1在多個(gè)方向擴(kuò)散的功能的部分。在圖15所示的例 子中，例如，粒徑為2WI1~化m左右的多個(gè)粒子FIL被分散配置于樹脂中。被照射到反射抑制 層AG的入射光IL1因?yàn)楸还鈹U(kuò)散部DIF擴(kuò)散，所W到達(dá)觀察者的反射光化1的量衰減。其結(jié) 果，可W目視確認(rèn)的反射光化1的亮度降低。此外，光擴(kuò)散方式的反射抑制層AG的構(gòu)成除圖 15所示的例子之外有各種變形例。例如可列舉利用噴砂法等對(duì)反射抑制層AG的露出面進(jìn)行 粗面化處理的方法等。
[0134] 對(duì)反射抑制層AG的露出面進(jìn)行粗面化處理的構(gòu)造可W如下表現(xiàn)。即，反射抑制層 AG的露出面與和位于露出面的相反側(cè)的母材(在圖15所示的例子中為蓋部件CV1或者偏振 板化1)的粘合界面相比較，表面粗糖度粗。并且，對(duì)在圖13、后述的圖17所記載的反射抑制 層RC1進(jìn)行了粗糖化處理的構(gòu)造可W如下所述地表現(xiàn)。也就是說，反射抑制層RC1的與蓋部 件CV1相對(duì)的面與反射抑制層RC1的與偏振板化1相對(duì)的面相比，表面粗糖度更粗糖。并且， 在對(duì)圖17記載的反射抑制層RC2進(jìn)行了表面處理的構(gòu)造可W如下所述地表現(xiàn)。也就是說，反 射抑制層RC2的與偏振板1相對(duì)的面與反射抑制層RC2的與蓋部件CV1相對(duì)的面相比，表面粗 糖度更粗糖。
[0135] 另外，光擴(kuò)散方式的反射抑制層AG的反射抑制層效果的程度可W使用霧度化aze) 的指標(biāo)進(jìn)行評(píng)價(jià)。霧度可作為相對(duì)于全部光線透過光的擴(kuò)散透過光的比例而求出。意味著 霧度的數(shù)值越大，反射抑制效果越大。
[0136] 在上述表(1)~(3)的表面處理的欄中，在記載有"AG1"的試驗(yàn)區(qū)中，形成反射抑制 層AG使霧度為26%。另外，在上述表（1)~(3)的表面處理的欄中，在記載有"AG2"的試驗(yàn)區(qū) 中，形成反射抑制層AG使霧度為28%。
[0137] 此外，在上述表（1)~（3)所示的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，記載有霧度的值為26%的情況和為 28%的情況，然而如后所述，圖15所示的反射抑制層AG的牛頓環(huán)的抑制效果比圖16所示的 反射抑制層AR的牛頓環(huán)的抑制效果高。因此，認(rèn)為即使是霧度的值小于26%的情況，與上述 表(1)~(3)所示的對(duì)照區(qū)CP相比較，可獲得抑制牛頓環(huán)的效果。
[0138] 另一方面，圖16所示的光干設(shè)衰減方式的反射抑制層AR具有使相對(duì)于入射光IL2 的反射光化2的反射角度一致的反射方向調(diào)整部RDC。反射方向調(diào)整部RDC是包含折射率互 不相同的多個(gè)部分，具備利用光的折射而使相對(duì)于入射光IL2的反射光化2的反射角度一致 的功能的部分。在圖16所示的例子中，示出通過使折射率互不相同的反射膜RF1W及反射 膜RF2層疊而使反射光化2相對(duì)于入射光IL2的反射角度一致的例子。如圖16所示，例如偏振 板化1的前面化1 f相對(duì)的入射光IL2的入射角度和反射光化2的反射角度如果一致，則利用 入射光IL2和反射光化2的干設(shè)，能夠使到達(dá)觀察者的反射光化2衰減。其結(jié)果是，可目視確 認(rèn)的反射光化2的亮度降低。此外，光干設(shè)衰減方式的反射抑制層AR的構(gòu)成除圖16所示的例 子之外有各種的變形例。例如，可W使Ξ層W上的反射膜層疊。或者可W在反射抑制層AR分 散配置棱鏡運(yùn)樣的多個(gè)構(gòu)造物。
[0139] 另外，光干設(shè)衰減方式的反射抑制層AR的反射抑制效果的程度可W使用反射率的 指標(biāo)進(jìn)行評(píng)價(jià)。反射率作為相對(duì)于入射光的反射光的比例而求出。意味著反射率的值越小， 反射抑制效果越大。
[0140] 在上述表(1)~(3)的表面處理的欄中，在記載有"AR1"的試驗(yàn)區(qū)中，形成有反射抑 制層AR使反射率為1.6%。另外，在上述表(1)~(3)的表面處理的欄中，在記載有"AR2"的試 驗(yàn)區(qū)中，形成有反射抑制層AR使反射率為0.3%。另外，在上述表（1)~(3)的表面處理的欄 中，在記載有"AR3"的試驗(yàn)區(qū)中，形成有反射抑制層AR使反射率為0.14%。
[0141] 另外，在上述表（1)~(3)的表面處理的欄中示出在記載有HC的試驗(yàn)區(qū)中沒有形成 圖15所示的反射抑制層AGW及圖16所示的反射抑制層AR的任意一個(gè)的狀態(tài)。
[0142] 另外，在表面處理的欄的下部示出蓋部件CV1(參照?qǐng)D13)的厚度TH2W及空間LA1 (參照?qǐng)D13)的厚度TH1。此外，對(duì)變更蓋部件CV1的厚度TH2W及空間LA1的厚度TH1的實(shí)驗(yàn)對(duì) 多個(gè)試驗(yàn)區(qū)中的一部分試驗(yàn)區(qū)示出實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
[0143] 另外，在厚度(thickness)的欄目的下部示出牛頓環(huán)(Newton's rings)的程度。牛 頓環(huán)(Newton's rings)的程度的評(píng)價(jià)結(jié)果示出通過目視確認(rèn)牛頓環(huán)的有無的結(jié)果。記載有 記號(hào)"◎"的試驗(yàn)區(qū)與其他試驗(yàn)區(qū)相比較，牛頓環(huán)的抑制效果特別高。即使在有意地用例如 20N(牛頓)左右的強(qiáng)力按壓蓋部件CV1(參照?qǐng)D13)而使其局部變形的情況下，對(duì)牛頓環(huán)幾乎 不被目視確認(rèn)的試驗(yàn)區(qū)附上。
[0144] 記載有記號(hào)"〇(◎ r的試驗(yàn)區(qū)在記載有記號(hào)"◎"的試驗(yàn)區(qū)之后，牛頓環(huán)的抑制效 果高。在有意地用強(qiáng)力按壓蓋部件CV1(參照?qǐng)D13)的情況下存在發(fā)生牛頓環(huán)的情況，與后述 的記載有記號(hào)的試驗(yàn)區(qū)相比較，在牛頓環(huán)的發(fā)生頻率特別低的試驗(yàn)區(qū)附上"〇(◎)"。
[0145] 另外，記載有?"的試驗(yàn)區(qū)在記載有記號(hào)"〇(◎)"的試驗(yàn)區(qū)之后，牛頓環(huán)的抑制 效果高。在有意地用強(qiáng)力按壓蓋部件CV1(參照?qǐng)D13)的時(shí)候存在發(fā)生牛頓環(huán)的情況，在通常 的觸摸操作下用設(shè)想的例如3N(牛頓)左右的力不發(fā)生牛頓環(huán)的試驗(yàn)區(qū)附上"〇"。
[0146] 記載有記號(hào)"Δ(〇r的試驗(yàn)區(qū)在記載有記號(hào)的試驗(yàn)區(qū)之后，牛頓環(huán)的抑制效 果高。如與記載有記號(hào)的試驗(yàn)區(qū)相比較，則牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的頻率高，然而如與后述 的記載有記號(hào)"Δ"的試驗(yàn)區(qū)相比較，則在牛頓環(huán)的發(fā)生頻率低的試驗(yàn)區(qū)附上"Δ(ΟΓ。
[0147]另外，記載有記號(hào)"Δ"的試驗(yàn)區(qū)在記載有記號(hào)"Δ( 0 Γ的試驗(yàn)區(qū)之后，牛頓環(huán)的 抑制效果高。在通常設(shè)想的程度的觸摸操作下，存在牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的情況，然而如與對(duì) 照區(qū)CP相比較，則在牛頓環(huán)的發(fā)生頻率明顯低的試驗(yàn)區(qū)附上"Δ"。
[014引另外，記號(hào)"X"在上述表（1)~（3)所示的表中僅記載于對(duì)照區(qū)CP。對(duì)照區(qū)CP的情 況下，牛頓環(huán)W高于記載有記號(hào)"Δ"的試驗(yàn)區(qū)的頻率被目視確認(rèn)。
[0149] 根據(jù)上述的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)，參照上述表（1)~（3)所示的評(píng)價(jià)結(jié)果，對(duì)抑制牛頓環(huán)顯現(xiàn) 的技術(shù)進(jìn)行說明。
[0150] 首先，對(duì)上述表（1)~（3)所示的對(duì)照區(qū)CP和試驗(yàn)區(qū)ΕΡ1~試驗(yàn)區(qū)ΕΡ4進(jìn)行比較?？?知如圖13所示的顯示裝置DIS1或者圖17所示的顯示裝置DIS4那樣，如在蓋部件CV1的背面 CVbW及偏振板化1的前面化If中至少一面設(shè)置反射抑制層RC1或者反射抑制層RC2(第二反 射抑制層的一例），則與對(duì)照區(qū)CP進(jìn)行比較，能夠抑制牛頓環(huán)的發(fā)生。
[0151] 另外，可知因?yàn)閷?duì)試驗(yàn)區(qū)EP1~試驗(yàn)區(qū)EP16全部給予記號(hào)上的評(píng)價(jià)，所W無 論對(duì)蓋部件CV1的前面CVf的表面處理的有無，都能夠抑制牛頓環(huán)的發(fā)生。
[0152] 另外，可知如對(duì)試驗(yàn)區(qū)EP1和試驗(yàn)區(qū)EP2進(jìn)行比較，則如圖13所示的顯示裝置DIS1 那樣，在偏振板化1的前面化If設(shè)置有反射抑制層RC1，容易抑制牛頓環(huán)的發(fā)生。即，圖13所 示的顯示裝置DIS1比圖17所示的顯示裝置DIS4相對(duì)地難W發(fā)生牛頓環(huán)。
[0153] 接著，利用反射抑制層RC1(參照?qǐng)D13)或者反射抑制層RC2(參照?qǐng)D17)等的功能， 對(duì)使被目視確認(rèn)的反射光減少的效果進(jìn)行比較。如對(duì)試驗(yàn)區(qū)EP2和試驗(yàn)區(qū)EP3進(jìn)行比較，可 知如在圖15所示的反射抑制層AG那樣，利用光擴(kuò)散部DIF使入射光擴(kuò)散的方式牛頓環(huán)的抑 制效果高于圖16所示的反射抑制層AR。該傾向?qū)τ谠囼?yàn)區(qū)EP5對(duì)試驗(yàn)區(qū)7、試驗(yàn)區(qū)8或者試驗(yàn) 區(qū)EP12進(jìn)行比較的情況也同樣。另外，如試驗(yàn)區(qū)EP15W及試驗(yàn)區(qū)EP16所示，即使圖19所示的 蓋部件CV1的厚度T肥變薄，反射抑制層AR的牛頓環(huán)的抑制效果也難W改善。
[0154] 因而，從抑制牛頓環(huán)發(fā)生的觀點(diǎn)出發(fā)，圖13、圖18W及圖19所示的反射抑制層RC1 優(yōu)選為圖15所示的反射抑制層AG。另外，圖17、圖18W及圖19所示的反射抑制層RC2優(yōu)選圖 15所示的反射抑制層AG。尤其如圖13所示的顯示裝置DISK圖17所示的顯示裝置DIS4那樣， 在蓋部件CV1的背面CVbW及偏振板PL1的前面化If中任一面形成反射抑制層而在另一面不 形成反射抑制層的情況下，優(yōu)選形成圖15所示的反射抑制層AG。
[01巧]另外，如圖19所示的顯示裝置DIS6、圖20所示的顯示裝置DIS7那樣，在蓋部件CV1 的前面CVf形成反射抑制層RC3的情況下，反射抑制層RC3是圖15所示的反射抑制層AG，抑制 牛頓環(huán)發(fā)生的效果高。但是，如對(duì)試驗(yàn)區(qū)EP2、試驗(yàn)區(qū)EP5、試驗(yàn)區(qū)EP6相互比較，則認(rèn)為在蓋 部件CV1的前面CVf，反射抑制層RC3與蓋部件CV1的背面CVb的反射抑制層RC2(參照?qǐng)D18)相 比較，抑制牛頓環(huán)發(fā)生的效果相對(duì)較小。
[0156] 另外，如對(duì)試驗(yàn)區(qū)EP1、試驗(yàn)區(qū)EP2的每一個(gè)和試驗(yàn)區(qū)EP5進(jìn)行比較，則在試驗(yàn)區(qū)EP5 中，在前面CVf沒有形成反射抑制層，然而通過在背面CVb和前面PLlf形成反射抑制層AG(參 照?qǐng)D15)，牛頓環(huán)欄的評(píng)價(jià)為因而，如圖18所示的顯示裝置DIS5那樣，在偏振板化1的 前面化If設(shè)置有反射抑制層RC1且在蓋部件CV1的背面CVb設(shè)置有反射抑制層RC2的情況 下，與圖13所示的顯示裝置DIS1、圖17所示的顯示裝置DIS4相比較，容易抑制牛頓環(huán)的發(fā) 生。另外，在反射抑制層RC1W及反射抑制層RC2為圖15所示的反射抑制層AG的情況下，牛頓 環(huán)的抑制效果特別高。另外，在能夠分別形成圖18所示的反射抑制層Rcm及反射抑制層 RC2的情況下，優(yōu)選在圖19 W及圖20所示的反射抑制層RC3優(yōu)先設(shè)置反射抑制層RCW及反射 抑制層RC2。
[0157]但是，如對(duì)試驗(yàn)區(qū)EP2和試驗(yàn)區(qū)EP4進(jìn)行比較可知，如反射抑制層AG(參照?qǐng)D15)的 霧度化aze)的值較大，則牛頓環(huán)難W被目視確認(rèn)。根據(jù)對(duì)照區(qū)CP和試驗(yàn)區(qū)EP4結(jié)果的比較， 反射抑制層AG的霧度的值優(yōu)選為26% W上。另外，根據(jù)試驗(yàn)區(qū)EP2和試驗(yàn)區(qū)EP4結(jié)果的比較， 如圖13所示，在蓋部件CV1的背面CVb不設(shè)置反射抑制層RC2(參照?qǐng)D18)的時(shí)候反射抑制層 AG的霧度的值特別優(yōu)選為28% W上。
[015引另外，如對(duì)試驗(yàn)區(qū)EP7、試驗(yàn)區(qū)EP8 W及試驗(yàn)區(qū)EP9的每一個(gè)進(jìn)行比較，可知圖19所 示的反射抑制層RC1、反射抑制層RC2W及反射抑制層RC3的每一個(gè)即使是圖16所示的反射 抑制層AR的情況，通過縮小反射抑制層AR的反射率的值，也能夠抑制牛頓環(huán)的發(fā)生。即，圖 16所示的反射抑制層AR的反射率的值如果在1.6% W下，則可得到能夠抑制牛頓環(huán)的發(fā)生 的效果。另外，反射抑制層AR的反射率的值優(yōu)選為0.3% W下，特別優(yōu)選為0.14% W下。
[0159] 此外，沒有使圖18所示的反射抑制層RC1W及反射抑制層RC2為圖16所示的反射抑 制層AR的試驗(yàn)區(qū)?？墒牵缟纤?，在蓋部件CV1的前面CVf設(shè)置反射抑制層RC3(參照?qǐng)D19) 的牛頓環(huán)的抑制效果比較小。因而，認(rèn)為對(duì)圖18所示的反射抑制層RC1W及反射抑制層RC2 與試驗(yàn)區(qū)EP7、試驗(yàn)區(qū)EP8W及試驗(yàn)區(qū)EP9的比較可得到同樣的結(jié)果。
[0160] 另外，如試驗(yàn)區(qū)EP5所示，在圖18所示的反射抑制層RC1W及反射抑制層RC2的每一 個(gè)是圖15所示的反射抑制層AG的情況下，牛頓環(huán)幾乎不被目視確認(rèn)。另外，如試驗(yàn)區(qū)EP13W 及試驗(yàn)區(qū)EP14所示，空間LAU參照?qǐng)D18)的厚度TH1即使變化，該評(píng)價(jià)結(jié)果也同樣。此時(shí)，如 圖18所示，在蓋部件CV1的前面CVf即使不設(shè)置反射抑制層RC3(參照?qǐng)D19)，牛頓環(huán)的抑制 效果不變化。另一方面，從使顯示裝置的制造工序效率化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選不形成反射抑制 層 RC3。
[0161] W上根據(jù)實(shí)施方式W及代表性的變形例對(duì)本申請(qǐng)研究人員完成的實(shí)用新型具體 進(jìn)行了說明，除上述變形例之外還有各種變形例。例如，在上述實(shí)施方式中，公開了作為顯 示功能層使用液晶層的顯示裝置，然而還可W是其他方式。例如，對(duì)作為顯示功能層使用由 機(jī)化合物構(gòu)成的發(fā)光元件的所謂有機(jī)化型顯示裝置能夠適用上述技術(shù)。
[0162] 另外，例如在上述實(shí)施方式中，公開了牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的可能性高的帶有輸入 部的顯示裝置，然而還可W適用不具有輸入部的顯示裝置。即使是不具有輸入部的顯示裝 置，在存在經(jīng)由空間覆蓋顯示部的顯示面?zhèn)鹊纳w部件的一部分局部變形的主要原因的情況 下，存在牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的情況。此時(shí)，通過適用上述技術(shù)，能夠抑制牛頓環(huán)被目視確認(rèn)。
[0163] 另外，例如在上述實(shí)施方式中，舉出蓋部件由樹脂材料構(gòu)成的樹脂板的情況的實(shí) 施方式進(jìn)行了說明。樹脂制的蓋部件與玻璃制的蓋部件相比較，如局部被施加外力，則局部 容易變形，所W牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的條件容易成立?？墒?，即使蓋部件是玻璃制的，也存在 由于空間的厚度、蓋部件的厚度而牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的情況。此時(shí)，通過適用上述技術(shù)能夠 抑制牛頓環(huán)被目視確認(rèn)。
[0164] 另外，例如在上述實(shí)施方式中，公開了經(jīng)由空間與蓋部件相對(duì)配置的第一部件是 偏振板的實(shí)施方式?？墒羌词乖诮?jīng)由空間與蓋部件相對(duì)配置的部件不是偏振板的情況下， 也存在牛頓環(huán)被目視確認(rèn)的情況。此時(shí)，通過適用上述技術(shù)，能夠抑制牛頓環(huán)被目視確認(rèn)。
[0165] 另外，例如在上述實(shí)施方式中，如圖13、圖17、圖18、圖19 W及圖20所示，公開了在 檢測(cè)電極Rx和蓋部件CV1之間設(shè)置空間LA1的實(shí)施方式?？墒?，如圖21所示的顯示裝置DIS8 那樣，在蓋部件CV1的前面CVf和背面CVb之間可W形成檢測(cè)電極Rx。圖21是示出相對(duì)于圖13 的其他變形例即顯示裝置的放大截面圖。
[0166] 圖21所示的顯示裝置DIS8在檢測(cè)電極Rx形成于蓋部件CV1的背面CVb側(cè)即為顯示 面的前面CVf的相反側(cè)的面的方面，與圖13所示的顯示裝置DIS1不同。其他方面與顯示裝置 DIS1同樣。
[0167] 在顯示裝置DIS8的情況下，檢測(cè)電極Rx被樹脂層0C3等覆蓋膜覆蓋，樹脂層0C3的 一個(gè)面具有蓋部件CV1的背面CVb。換而言之，顯示裝置DIS8具有的檢測(cè)電極Rx形成于蓋部 件CV1的前面CVf和背面CVb之間。
[0168] 在顯示裝置DIS8的情況下，因?yàn)樵谏w部件CV1形成檢測(cè)電極Rx，決定圖4W及圖9~ 圖11所示的輸入工具CMD和檢測(cè)電極Rx之間的距離與空間LA1的厚度TH1無關(guān)。但是，即使是 顯示裝置DIS8的情況下，例如從裝置的薄型化等目的出發(fā)，存在使空間LA1的厚度TH1變薄 的情況。因而，由于使空間LA1的厚度TH1變薄，在牛頓環(huán)顯現(xiàn)的情況下，通過適用上述技術(shù)， 能夠抑制牛頓環(huán)被目視確認(rèn)。
[0169] 此外，作為圖21所示的顯示裝置DIS8的變形例，在蓋部件CV1的背面CVb形成圖18、 圖19所示的反射抑制層RC2的時(shí)候，在樹脂層0C3的露出面進(jìn)一步層疊反射抑制層RC2。
[0170] 另外，省略圖示，然而作為對(duì)圖21所示的顯示裝置DIS8的其他變形例，存在在蓋部 件CV1和空間LA1之間形成圖4所示的檢測(cè)電極RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ或者圖9~圖12所示的檢 巧陸極EL的情況。另外，在形成檢測(cè)電極RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ的情況下，例如如使用圖4所說 明，驅(qū)動(dòng)電極TxW及多個(gè)檢測(cè)電極Rx經(jīng)由電介質(zhì)層DL在厚度方向?qū)盈B。或者形成檢測(cè)電極 RxW及驅(qū)動(dòng)電極Τχ的情況下，可W在同層形成驅(qū)動(dòng)電極TxW及檢測(cè)電極Rx。
[0171] 另外，例如，還能夠使上述各種變形例之間組合而適用。
[0172] 在本實(shí)用新型精神范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可構(gòu)想各種變形例W及修改例，并且 應(yīng)當(dāng)理解為運(yùn)些變形例和修改例也涵蓋在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。只要具備本實(shí)用新型的要 點(diǎn)，皆包含在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)，例如本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)上述的各實(shí)施方式適當(dāng)進(jìn)行構(gòu) 成要素的添加、刪除或者設(shè)計(jì)變更、或者進(jìn)行工序的添加、省略或者條件變更。
[0173] 【工業(yè)實(shí)用性】
[0174] 本實(shí)用新型可用于顯示裝置、裝入顯示裝置的電子機(jī)器。
[0175] 符號(hào)說明
[0176] AFUAF2取向膜
[0177] AG、AR、RC1、RC2、RC3 反射抑制層
[0178] BM遮光膜 BND粘合材料
[0179] BS、FS基板 B訊、F訊背面
[0180] BSf、FSf 前面 BSg、FSg 基材
[0181] C1電容元件 Cxl、Cx2電容
[0182] CC電路部 Ccr電容器
[0183] CE共用電極 CF濾色片
[0184] CFr、CFg、C即濾色片像素 CHP半導(dǎo)體忍片
[0185] CMD輸入工具 CNTl控制電路
[0186] CV1蓋部件 CVb背面
[0187] CVf前面 DIF光擴(kuò)散部
[018 引 DISl、DIS2、DIS3、DIS4、DIS5、DIS6、DIS7、DIS8、DIShl 顯示裝置
[0189] DL電介質(zhì)層 DP顯示區(qū)域
[0190] DRUDR2驅(qū)動(dòng)電路 DT1檢測(cè)電路
[0191] DW驅(qū)動(dòng)波形 化檢測(cè)電極
[0192] FIL粒子 化邊緣部
[0193] ILUIL2入射光 IPC信號(hào)輸入部
[0194] LA1空間 LCL液晶層
[0195] LS光源 0CU0C3樹脂層
[0196] 0C2絕緣層 陽像素電極
[0197] PLUPL2偏振板 化If前面
[019引 PN1顯示部 畑C反射方向調(diào)整部
[0199] RFURF2反射膜 RLURL2反射光
[0200] Rx檢測(cè)電極(輸入位置檢測(cè)電極）
[0201] SW信號(hào)波形 SWc控制開關(guān)
[0202] TP觸摸面板 Τχ驅(qū)動(dòng)電極
[0203] Vdd電源 VW觀眾。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種顯示裝置，其特征在于，包括： 顯示部，包括顯示功能層； 蓋部件，包括第一面以及位于所述第一面的相反側(cè)的第二面，所述蓋部件覆蓋所述顯 示部； 第一部件，包括經(jīng)由第一空間與所述蓋部件的所述第二面相對(duì)的第三面；以及 輸入部，包括多個(gè)檢測(cè)電極，所述輸入部經(jīng)由多個(gè)所述檢測(cè)電極檢測(cè)電容量的變化， 在所述蓋部件的所述第二面及所述第一部件的所述第三面中的任一面，形成有使反射 光減少的反射抑制層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 在所述第一部件的所述第三面形成有作為所述反射抑制層的第一反射抑制層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 在所述蓋部件的所述第二面形成有作為所述反射抑制層的第二反射抑制層。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 在所述蓋部件的所述第二面形成有作為所述反射抑制層的第二反射抑制層。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層具有使從顯示面?zhèn)日丈涞娜肷涔庠诙鄠€(gè)方向擴(kuò)散的光擴(kuò)散部。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層的與所述蓋部件相對(duì)的面的表面粗糙度比所述第一反射抑制層 的與所述第一部件相對(duì)的面的表面粗糙度更粗糙。7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層的露出面比和位于所述露出面的相反側(cè)的所述第一部件之間的 粘結(jié)界面，表面粗糙度更粗糙。8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層具有使從顯示面?zhèn)日丈涞娜肷涔鈹U(kuò)散的第一光擴(kuò)散部， 所述第二反射抑制層具有使從所述顯示面?zhèn)日丈涞娜肷涔鈹U(kuò)散的第二光擴(kuò)散部。9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層的與所述蓋部件相對(duì)的面的表面粗糙度比所述第一反射抑制層 的與所述第一部件相對(duì)的面的表面粗糙度更粗糙， 所述第二反射抑制層的與所述第一部件相對(duì)的面的表面粗糙度比所述第二反射抑制 層的與所述蓋部件相對(duì)的面的表面粗糙度更粗糙。10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層的第一露出面比和位于所述第一露出面的相反側(cè)的所述第一部 件之間的粘結(jié)界面，表面粗糙度更粗糙， 所述第二反射抑制層的第二露出面比和位于所述第二露出面的相反側(cè)的所述蓋部件 之間的粘結(jié)界面，表面粗糙度更粗糙。11. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層的霧度的值為26 %以上。12. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 在所述蓋部件的所述第二面未形成有所述反射抑制層， 所述第一反射抑制層的霧度的值為28%以上。13. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層具有包含折射率互不相同的多個(gè)部分的第一反射方向調(diào)整部， 所述第一反射抑制層的反射率為〇. 14%以下。14. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層具有包含折射率互不相同的多個(gè)部分的第一反射方向調(diào)整部， 所述第二反射抑制層具有包含折射率互不相同的多個(gè)部分的第二反射方向調(diào)整部， 所述第一反射抑制層以及所述第二反射抑制層的反射率分別為1.6%以下。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層以及所述第二反射抑制層的反射率分別為〇. 3 %以下。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一反射抑制層以及所述的第二反射抑制層的反射率分別為〇. 14%以下。17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述蓋部件的所述第二面和所述第一部件的所述第三面之間的離開距離比所述蓋部 件的厚度薄。18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一空間設(shè)置在多個(gè)所述檢測(cè)電極和所述蓋部件之間。19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 多個(gè)所述檢測(cè)電極設(shè)置在所述蓋部件的所述第一面和所述第二面之間， 所述第一空間設(shè)置在多個(gè)所述檢測(cè)電極和所述蓋部件之間。20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一部件是使從顯示面?zhèn)裙┙o的透過光偏振的偏振板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1335GK205450504SQ201520891090
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年11月10日
【發(fā)明人】古谷直祐, 中村厚志, 石毛理, 野口幸治, 田中千浩
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日本顯示器