專利名稱：一種采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽(yáng)電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線 金屬電極的彩色薄膜的方法。
背景技術(shù)：
目前，制備晶體硅太陽(yáng)電池常規(guī)工藝一般采用PECVD在晶體硅太陽(yáng)電池的前表面 鍍上單層氮化硅(SiNx),然后在氮化硅上通過絲網(wǎng)印刷的方法印上一層銀漿，通過燒結(jié)使 銀漿燒穿氮化硅，與硅形成歐姆接觸的方法制備正面電極。由于金屬柵線位于太陽(yáng)電池的 頂層，直接與空氣接觸，在電池從電池廠商到組件廠商的運(yùn)輸過程中，正面的銀電極金屬柵 線有可能由于缺乏保護(hù)被空氣中的氧所氧化，這不僅影響了電池的外觀效果，而且增加了 電極的電阻，從而影響了電池的功率輸出。單層的氮化硅薄膜為了兼顧鈍化性能和減反性能采取了折衷的設(shè)計(jì)，仍有提升空 間。與此同時(shí)，由于該層氮化硅的作用，太陽(yáng)電池的顏色一般為湖藍(lán)色。在太陽(yáng)電池與建筑 結(jié)合日益緊密特別是光伏建筑一體化(BIPV)日益發(fā)展的今天，太陽(yáng)電池單調(diào)的顏色制約 了建筑設(shè)計(jì)師靈感的發(fā)揮，也無法更好的滿足人們的審美需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄 膜的方法，采用該方法可在太陽(yáng)電池上形成介質(zhì)層_細(xì)柵線金屬電極_鈍化層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu) 可以對(duì)太陽(yáng)電池正面的細(xì)柵線金屬電極起到保護(hù)作用，使其不易氧化，主柵線金屬電極不 被介質(zhì)層覆蓋，可正常進(jìn)行焊條連接；通過優(yōu)化鈍化層，可以增強(qiáng)前表面的鈍化效果；通過 調(diào)控介質(zhì)層，可以降低太陽(yáng)電池前表面的反射率和實(shí)現(xiàn)顏色調(diào)控，同時(shí)通過改變掩模的圖 案，可以在電池的前表面顯示漢字、數(shù)字以及圖形。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩 色薄膜的方法是在制備太陽(yáng)電池后，在太陽(yáng)電池前表面利用掩模對(duì)主柵線金屬電極進(jìn)行 覆蓋，在未被掩模覆蓋的區(qū)域進(jìn)行二次鍍膜，制備保護(hù)細(xì)柵線金屬電極的介質(zhì)層，形成介質(zhì) 層_細(xì)柵線金屬電極_鈍化層結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法的具體過程為在制備太陽(yáng)電池后，選取掩模，加工制成掩模模具，并將掩模模具與 太陽(yáng)電池進(jìn)行對(duì)位、調(diào)整，使主柵線金屬電極被掩模覆蓋，然后固定；將固定好掩模模具的 太陽(yáng)電池放入鍍膜設(shè)備，調(diào)整鍍膜參數(shù)，對(duì)太陽(yáng)電池前表面未被掩模覆蓋的區(qū)域進(jìn)行二次 鍍膜，制備保護(hù)細(xì)柵線金屬電極的介質(zhì)層，形成介質(zhì)層_細(xì)柵線金屬電極_鈍化層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的掩模為金屬掩模，所述的金屬掩模的材質(zhì)為不銹鋼、銅、硅鋼片、鋁 和鎳中的一種或幾種組成的合金。本發(fā)明所述的主柵線金屬電極和所述的細(xì)柵線金屬電極的材質(zhì)為銀、鋁、金、銅和鎳中的一種或幾種組成的合金。本發(fā)明所述的主柵線金屬電極的寬度為0. 5 5mm，所述的細(xì)柵線金屬電極的寬 度為10 120 μ m。本發(fā)明所述的介質(zhì)層的主要材質(zhì)為氧化物、氮化物、硫化物和氟化物中的一種或 幾種，所述的氧化物為一氧化硅、二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化鋯或三 氧化二鉻；所述的氮化物為氮化硅、氮氧化硅或氮氧化鋁；所述的硫化物為硫化鋅或硫化 鎘；所述的氟化物為氟化鎂。本發(fā)明所述的二次鍍膜的方式為蒸發(fā)、濺射、離子鍍或CVD。本發(fā)明所述的介質(zhì)層的厚度為1 600nm，折射率為1. 1 4. 0。本發(fā)明所述的鈍化層的材質(zhì)為氮化硅、氧化硅、非晶硅中的一種 或幾種。本發(fā)明所述的鈍化層的厚度為1 600nm，折射率為1. 1 4. 0。其中，金屬掩模除覆蓋主柵線之外，還可覆蓋一定區(qū)域，該區(qū)域圖案可以為漢字、 字母、數(shù)字、符號(hào)、線條、幾何圖形等形狀。本發(fā)明的有益效果是(1)在細(xì)柵線金屬電極上覆蓋介質(zhì)層，使金屬電極與外界環(huán)境隔離，可保護(hù)電極不 易氧化，保持電極的導(dǎo)電性和電池的功率輸出，從而延長(zhǎng)電池、組件的使用壽命，同時(shí)，主柵 線金屬電極不被介質(zhì)層覆蓋，可正常用于焊條連接，組件制作不受影響；(2)采用介質(zhì)層-細(xì)柵線金屬電極-鈍化層的結(jié)構(gòu)，可以降低對(duì)鈍化層材料的限 制，在保證材料對(duì)光不會(huì)產(chǎn)生過大吸收的范圍內(nèi)，可以進(jìn)一步優(yōu)化太陽(yáng)電池前表面的鈍化 性能，降低復(fù)合速率，提高開路電壓和整體性能；(3)通過膜系設(shè)計(jì)，介質(zhì)層-細(xì)柵線金屬電極_鈍化層的結(jié)構(gòu)的整體減反射效果將 優(yōu)于細(xì)柵線金屬電極_氮化硅結(jié)構(gòu)，通過調(diào)整介質(zhì)層的材料體系、折射率、膜厚等參數(shù)可以 實(shí)現(xiàn)顏色調(diào)控，制備彩色電池；(4)掩模的設(shè)計(jì)靈活多變，可以設(shè)計(jì)不同的掩模，在前表面進(jìn)行選擇性鍍膜，可以 方便在太陽(yáng)電池前表面顯示不同的圖案和花樣，滿足設(shè)計(jì)多樣性，掩?？梢耘恐苽浜椭?復(fù)使用，可如同印刷一般進(jìn)行量產(chǎn)；(5)采用二次鍍膜的方法，無須特殊的金屬漿料和增加高溫過程，與現(xiàn)有工藝對(duì)接 良好，制作簡(jiǎn)便，可以簡(jiǎn)單方便地結(jié)合到現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝中，具有很好的產(chǎn)業(yè)化前景。


圖1是硅片p-n結(jié)簡(jiǎn)單示意圖；圖2是硅片鍍完鈍化層示意圖；圖3是晶體硅太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)立體示意圖；圖4是掩模模具俯視示意圖；圖5是將掩模模具與太陽(yáng)電池固定后的主視圖；圖6是二次鍍膜示意圖；圖7是二次鍍膜后太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)主視圖；其中，1、硅襯底；2、p-n結(jié)η區(qū)3、鈍化層；4、背面場(chǎng)和電極；5、電池正面細(xì)柵線金 屬電極；6、電池正面主柵線金屬電極；7、掩模模具；8、二次鍍膜后形成的介質(zhì)層。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明方法的一般處理步驟是選取硅片，依次進(jìn)行清洗、制絨、擴(kuò)散后形成p-n 結(jié)，使用等離子刻蝕去邊后，在前表面鍍鈍化層，然后制備金屬背場(chǎng)、背電極、前表面細(xì)柵線 金屬電極和主柵線金屬電極，最后在太陽(yáng)電池前表面利用掩模對(duì)主柵線金屬電極進(jìn)行覆 蓋，在未被掩模覆蓋的區(qū)域進(jìn)行二次鍍膜，形成保護(hù)細(xì)柵線金屬電極的介質(zhì)層。具體步驟如 下(1)將硅片1，進(jìn)行清洗制絨、擴(kuò)散之后形成p-n結(jié)2，按根據(jù)摻雜襯底分類，硅片為 P型片或η型片，按晶體類型分，可以為單晶硅片，也可以是多晶硅片，如附圖1所示；
(2)用蒸發(fā)、濺射、沉積、離子鍍或CVD的方法在前表面鍍上1 600nm厚、折射率 在1. 1 4. O之間的鈍化層3，鈍化層的材料可以為氮化硅、氧化硅、非晶硅中的一種或幾 種，還可以為其它常規(guī)材料，如附圖2所示；(3)采用蒸鍍、濺射、沉積、電鍍或絲網(wǎng)印刷等方法制備金屬背場(chǎng)、背電極4、以及 前表面前電極細(xì)柵線金屬電極5和主柵線金屬電極6，金屬電極的材料可以為銀、鋁、金、 銅、鎳中的一種或上述幾種組成的合金以及以上金屬與玻璃料、有機(jī)物的混合物等，通過退 火或者燒結(jié)，使金屬電極與硅基體形成接觸，制備出晶體硅太陽(yáng)電池，如附圖3所示；(4)設(shè)計(jì)可以遮蓋主柵線的金屬掩模，加工制成掩模模具7，該金屬掩模的材料可 用一般的掩模材料，如不銹鋼、銅、硅鋼片、鋁、鎳等或上述幾種組成的合金等，如附圖4所 示；(5)將掩模模具7與太陽(yáng)電池進(jìn)行對(duì)位、調(diào)整太陽(yáng)電池的位置，使主柵線金屬電極 6被金屬掩模7覆蓋，然后固定，如附圖5所示；(6)將固定好的模具放入鍍膜設(shè)備的腔體，調(diào)整鍍膜參數(shù)，使用蒸發(fā)、濺射、離子鍍 或CVD等方式在電池前表面進(jìn)行二次鍍膜，如附圖6所示；(7)鍍膜完成之后，待溫度降下來之后，取下模具7，此時(shí)不被掩模保護(hù)的區(qū)域包 括細(xì)柵線金屬電極5上均被覆蓋上一層折射率為1. 1 4. 0，厚度為1 600nm的介質(zhì)膜 8，該介質(zhì)膜的材料可以為氮化物、氧化物、氟化物、硫化物中的一種或數(shù)種，還可以為其它 材料，該介質(zhì)膜可保護(hù)細(xì)柵線金屬電極5不易氧化，同時(shí)，主柵線金屬電極6不被介質(zhì)膜覆 蓋，不影響導(dǎo)電性能，可正常用于組件焊條連接，如附圖7所示。實(shí)施例1如附圖1-3所示，將ρ型單晶硅片1進(jìn)行清洗，酸制絨。然后用管式擴(kuò)散爐通入三 氯氧磷氣體，在800°C的高溫下進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成p-n結(jié)2。用體積比百分含量為5%的氫氟 酸水溶液去除磷硅玻璃，使用等離子刻蝕的方法去邊，然后采用蒸發(fā)、濺射、沉積、離子鍍或 CVD方法，在本例中采用PECVD方法，在η型區(qū)上方鍍一層厚度為40nm、折射率為2. 1的氮 化硅鈍化膜3，鈍化層還可通過增加氫含量來提高鈍化效果，同時(shí)減小鈍化層厚度，避免鈍 化層對(duì)光的過度吸收。使用絲網(wǎng)印刷的方法在背面印刷銀鋁漿，在烘干爐內(nèi)用180 260°C 的溫區(qū)烘干，之后印刷鋁漿，再次烘干；在正面印刷銀漿，在200 860°C的溫區(qū)進(jìn)行燒結(jié)， 形成鋁背場(chǎng)、銀鋁電極4和前表面電極細(xì)柵線銀電極5和主柵線銀電極6，金屬電極與硅基 體形成接觸，分為正面電極與背面電極，其中，正面電極位于鈍化層上面，通過燒結(jié)、退火等 方式，能與P-n結(jié)η區(qū)形成接觸，形成的前表面電極主柵線金屬電極寬度為2mm，細(xì)柵線金屬電極的寬度為90 μ m。如附圖4-7所示，制備只遮蓋電池主柵線的金屬掩模模具7，該金屬掩模模具的材 質(zhì)為不銹鋼、銅、硅鋼片、鋁和鎳中的一種或幾種金屬組成的合金，在本實(shí)施例中采用不銹 鋼材質(zhì)，將掩模模具7與太陽(yáng)電池進(jìn)行對(duì)位、調(diào)整太陽(yáng)電池的位置，使電池主柵線銀電極6 被金屬掩模7覆蓋，然后固定。將固定好的模具放入鍍膜設(shè)備的腔體用磁控濺射鍍上一層 折射率為2. 05、厚度為30nm的氮化硅介質(zhì)膜，待溫度降下來之后，取出模具和掩模，此時(shí)電 池上不被掩模保護(hù)的區(qū)域包括細(xì)柵線銀電極5均被覆蓋上一層介質(zhì)膜8，該介質(zhì)膜可保護(hù) 細(xì)柵線銀電極，隔離外部環(huán)境，使電極保持導(dǎo)電性不易氧化。而主柵線銀電極不被介質(zhì)膜覆 蓋，可正常用于焊條連接，此時(shí)太陽(yáng)電池的主體顏色為湖藍(lán)色。實(shí)施例2如附圖1-3所示，將ρ型硅片1進(jìn)行清洗，堿制絨。然后用管式擴(kuò)散爐通入三氯氧 磷氣體，在800°C的高溫下進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成p-n結(jié)2。用體積百分含量為5%的氫氟酸水溶 液去除磷硅玻璃，使用等離子刻蝕的方法去邊，然后采用PECVD在η型區(qū)上方鍍氧化硅和氮 化硅的復(fù)合鈍化膜3，其中，氧化硅的折射率為1. 46，厚度為30nm ；氮化硅的折射率為2. 1， 厚度為20nm。使用絲網(wǎng)印刷的方法在背面印刷銀鋁漿，在烘干爐內(nèi)用180 260°C的溫區(qū) 烘干，之后印刷鋁漿，再次烘干；在正面印刷銀漿，在200 860°C的溫區(qū)進(jìn)行燒結(jié)，形成鋁 背場(chǎng)、銀鋁電極4和前表面電極細(xì)柵線銀電極5和主柵線銀電極6，形成的主柵線金屬電極 寬度為2mm，細(xì)柵線金屬電極的寬度為110 μ m。如附圖4-7所示，制備只遮蓋電池主柵線的金屬掩模模具7，該金屬掩模模具的材 質(zhì)為不銹鋼、銅、硅鋼片、鋁和鎳中的一種或上述幾種金屬組成的合金，在本實(shí)施例中具體 為不銹鋼和硅鋼片的合金，將掩模模具7與太陽(yáng)電池進(jìn)行對(duì)位、調(diào)整太陽(yáng)電池的位置，使電 池主柵線銀電極6被金屬掩模7覆蓋，然后固定。將固定好的模具放入鍍膜設(shè)備的腔體用 磁控濺射鍍上一層氮化硅和氧化硅的復(fù)合介質(zhì)膜，其中，氮化硅的折射率為2. 05，厚度為 20nm ；氧化硅的折射率為1. 46，厚度為30nm。待溫度降下來之后，取出模具，取下掩模，此時(shí) 電池上不被掩模保護(hù)的區(qū)域包括細(xì)柵線銀電極5均被覆蓋上一層介質(zhì)膜8，該介質(zhì)膜可保 護(hù)細(xì)柵線銀電極，隔離外部環(huán)境，使電極保持導(dǎo)電性不易氧化。而主柵線銀電極不被介質(zhì)膜 覆蓋，可正常用于焊條連接，此時(shí)太陽(yáng)電池的主體顏色為洋紅色。實(shí)施例3如附圖1-3所示，將η型多晶硅片1進(jìn)行清洗，酸制絨。然后進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成ρ_η 結(jié)2。用體積百分含量為5%的氫氟酸水溶液清洗，然后使用等離子刻蝕的方法去邊，用 PECVD在η型區(qū)上方鍍一層厚度為20nm、折射率為2. 0的非晶硅鈍化膜3。使用絲網(wǎng)印刷 方法在背面印刷銀鋁漿，在烘干爐內(nèi)用180 260°C的溫區(qū)烘干，之后印刷鋁菜，再次烘干； 在正面印刷銀漿，在200 860°C的溫區(qū)進(jìn)行燒結(jié)，形成鋁背場(chǎng)、銀鋁電極4和前表面電極細(xì) 柵線銀電極5和主柵線銀電極6，形成的主柵線金屬電極寬度為3mm，細(xì)柵線金屬電極的寬 度為120 μ m。如附圖4-7所示，制備遮蓋電池主柵線并在主柵之間遮蓋形狀為“Α”的金屬 掩模模具7，該金屬掩模模具的材質(zhì)為不銹鋼、銅、硅鋼片、鋁和鎳中的一種或上述幾種金屬 組成的合金，在本例中采用硅鋼片。將掩模模具7與太陽(yáng)電池進(jìn)行對(duì)位、調(diào)整太陽(yáng)電池的位 置，使電池主柵線銀電極6被金屬掩模7覆蓋，然后固定。將固定好的模具放入鍍膜設(shè)備的 腔體用磁控濺射鍍上硫化鋅和氟化鎂的復(fù)合介質(zhì)層，其中，硫化鋅的折射率為2. 35，厚度為140nm，氟化鎂的折射率為1. 38，厚度為2nm。待溫度降下來之后，取出模具，取下掩模，此時(shí) 電池上不被掩模保護(hù)的區(qū)域包括細(xì)柵線銀電極5均被覆蓋上一層介質(zhì)膜8，該介質(zhì)膜可保 護(hù)細(xì)柵線銀電極，隔離外部環(huán)境，使電極保持導(dǎo)電性不易氧化。而主柵線銀電極不被介質(zhì)膜 覆蓋，可正常用于焊條連接，此時(shí)太陽(yáng)電池的主體顏色為湖藍(lán)色。此時(shí)電池上不被掩模保護(hù) 的區(qū)域包括細(xì)柵線均被覆蓋上一層介質(zhì)膜8，顏色為金黃色。由于掩模的保護(hù)，“A”未被覆 蓋上介質(zhì)層，“A”顯湖藍(lán)色。由于“A”的遮蓋，一部分細(xì)柵線未被覆蓋上介質(zhì)層，這將降低 保護(hù)效果。 以上列舉的具體實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的說明。需要指出的是，以上實(shí)施例只用 于對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，不代表本發(fā)明的保護(hù)范圍，其他人根據(jù)本發(fā)明的提示做出的非 本質(zhì)的修改和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜的方法，其特征在于，在制備太陽(yáng)電池后，在太陽(yáng)電池前表面利用掩模對(duì)主柵線金屬電極進(jìn)行覆蓋，在未被掩模覆蓋的區(qū)域進(jìn)行二次鍍膜，制備保護(hù)細(xì)柵線金屬電極的介質(zhì)層，形成介質(zhì)層一細(xì)柵線金屬電極一鈍化層結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜的 方法，其特征在于，該方法的具體過程為在制備太陽(yáng)電池后，選取掩模，加工制成掩模模 具，并將掩模模具與太陽(yáng)電池進(jìn)行對(duì)位、調(diào)整，使主柵線金屬電極被掩模覆蓋，然后固定；將 固定好掩模模具的太陽(yáng)電池放入鍍膜設(shè)備，調(diào)整鍍膜參數(shù)，對(duì)太陽(yáng)電池前表面未被掩模覆 蓋的區(qū)域進(jìn)行二次鍍膜，制備保護(hù)細(xì)柵線金屬電極的介質(zhì)層，形成介質(zhì)層一細(xì)柵線金屬電 極一鈍化層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄 膜的方法，其特征在于，所述的掩模為金屬掩模，所述的金屬掩模的材質(zhì)為不銹鋼、銅、硅鋼 片、鋁和鎳中的一種或幾種組成的合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法，其特征在于，所述的主柵線金屬電極和所述的細(xì)柵線金屬電極的材質(zhì)為銀、鋁、金、 銅和鎳中的一種或幾種組成的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法，其特征在于，所述的主柵線金屬電極的寬度為0. 5 5mm，所述的細(xì)柵線金屬電極 的寬度為10 120 iim。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法，其特征在于，所述的介質(zhì)層的主要材質(zhì)為氧化物、氮化物、硫化物和氟化物中的一 種或幾種，所述的氧化物為一氧化硅、二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋅、二氧化鋯 或三氧化二鉻；所述的氮化物為氮化硅、氮氧化硅或氮氧化鋁；所述的硫化物為硫化鋅或 硫化鎘；所述的氟化物為氟化鎂。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法，其特征在于，所述的二次鍍膜的方式為蒸發(fā)、濺射、離子鍍或CVD。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法，其特征在于，所述的介質(zhì)層的厚度為1 600nm，折射率為1. 1 4. 0。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜 的方法，其特征在于，所述的鈍化層的材質(zhì)為氮化硅、氧化硅和非晶硅中的一種或幾種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜的 方法，其特征在于，所述的鈍化層的厚度為1 600nm，折射率為1. 1 4. 0。
全文摘要
一種采用掩模制備保護(hù)太陽(yáng)電池細(xì)柵線金屬電極的彩色薄膜的方法，該方法是在制備太陽(yáng)電池后，在太陽(yáng)電池前表面利用掩模對(duì)主柵線金屬電極進(jìn)行覆蓋，在未被掩模覆蓋的區(qū)域進(jìn)行二次鍍膜，制備保護(hù)細(xì)柵線金屬電極的介質(zhì)層，形成介質(zhì)層-細(xì)柵線金屬電極-鈍化層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明方法可保護(hù)細(xì)柵線金屬電極不易氧化，主柵線金屬電極進(jìn)行正常焊條連接；通過優(yōu)化鈍化層，可以增強(qiáng)前表面的鈍化效果；通過調(diào)控介質(zhì)層，可降低太陽(yáng)電池前表面的反射率和實(shí)現(xiàn)顏色調(diào)控；通過改變掩模圖案，可在電池前表面顯示漢字、數(shù)字及圖形等，且二次鍍膜方法便與現(xiàn)有晶體硅太陽(yáng)電池制備工藝對(duì)接，易于產(chǎn)業(yè)化。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101834230SQ20101016860
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者梁學(xué)勤, 沈輝, 許欣翔, 陳奕峰 申請(qǐng)人:中山大學(xué)