專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高性能的大功率led的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種照明設(shè)備，尤其涉及一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：
LED的散熱和光提取問(wèn)題仍是行業(yè)中關(guān)鍵共性問(wèn)題，傳統(tǒng)功率LED的封裝一般是 采用貼片式，在杯底由金屬與注塑材料組成，以方便LED芯片的焊接，如此一來(lái)，很難保證 底部的平整，影響光的提?。徊⑶矣捎谧⑺懿牧吓c芯片相隔非常近，由于芯片發(fā)出大量的熱 量會(huì)使注塑材料加快老化、顏色黃變，從而增加LED的光衰；從傳熱方面來(lái)看，LED芯片所產(chǎn) 生的熱量首先要經(jīng)過(guò)注塑材料然后再傳至鋁基板散熱，這種散熱會(huì)比較慢。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)， LED取光效率高、散熱好，且降低LED的光衰。 本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括一底座、一 LED芯片和涂敷在該LED芯片表面的一熒光粉層，其中，該底座包括一鋁基板、一絕緣注塑 層，以及一對(duì)金屬電極，鋁基板和絕緣注塑層是以注塑方式連接，所述鋁基板上設(shè)有一凹陷 但不穿透該鋁基板的半錐體形的反光杯；所述LED芯片即設(shè)在該反光杯的底部；所述絕緣 注塑層包括注塑主體和注塑連接腳，該注塑主體位于所述鋁基板的上方，且該注塑主體對(duì) 應(yīng)于所述反光杯設(shè)一半錐體，該半錐體與所述反光杯為同一錐體相鄰的兩段，所述注塑連 接腳由上至下貫穿所述鋁基板；所述一對(duì)金屬電極是兩不直接電導(dǎo)通的金屬片，該兩金屬 片的一端固定在絕緣注塑層內(nèi)，并通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與LED芯片連接，另一端連接在所述鋁基板的 表層，且位于該對(duì)金屬電極之間的鋁基板的表層相互絕緣。 所述鋁基板連同所述反光杯均包括自下而上設(shè)置的一鋁層、一絕緣層、一銅層以 及一鍍銀層，該鋁基板處于所述兩金屬片之間的位置的銅層和鍍銀層均斷開(kāi)為正負(fù)極兩部 分。 所述LED芯片的周?chē)畛錆M(mǎn)由高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂混合形成的第一膠體層，且 第一膠體層的表面與所述LED芯片的表面平齊，所述熒光粉層延展覆蓋所述第一膠體層的 表面。 所述熒光粉層的表面還具有一 由高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂混合形成的第二膠體層， 該第二膠體層外形為圓弧體狀。 第一膠體層和第二膠體層是由折射率為1. 9 2. 1，細(xì)度為400 450目的高折射 玻璃珠與硅樹(shù)脂按l:2的質(zhì)量比混合制成。 所述LED芯片通過(guò)絕緣膠粘在所述反光杯的底部，該絕緣膠的厚度為10 lOOum。 所述兩金屬片外形為立向設(shè)置的Z字形，且該兩金屬片的表面鍍銀。 所述鋁基板位于所述反光杯的周?chē)O(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)用以固定該絕緣注塑層的穿孔，所
述注塑連接腳由上至下貫穿該穿孔。
3[0012] 絕緣注塑層為具有高反光特性的絕緣材料所制。 所述半錐體鄰近開(kāi)口處的側(cè)壁向外延展一環(huán)形臺(tái)面。 本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)在鋁基板上制作杯座，可以保證杯底的平整性和 LED芯片發(fā)光顏色的一致性，并可使LED芯片產(chǎn)生的熱量很快散發(fā)；且LED芯片內(nèi)、外側(cè)均 置入高折射玻璃珠，使LED芯片內(nèi)部所產(chǎn)生的光通過(guò)高折射玻璃珠的折射取出，可使芯片 的光提取率有很大的增加。


下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。 圖1是本實(shí)用新型高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是圖1的A-A剖視圖，同時(shí)表示鋁基板與絕緣注塑層連接處。 圖3是本實(shí)用新型鋁基板的頂面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4是圖3沿B-B剖視示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，本實(shí)用新型的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括 底座1、 LED芯片2、第一膠體層3、熒光粉層4以及第二膠體層5。 所述底座1包括一鋁基板11、一絕緣注塑層12，以及一對(duì)金屬電極13，鋁基板11 和絕緣注塑層12是以注塑方式連接。 所述鋁基板11是通過(guò)特殊的模型澆鑄而成的，鋁基板11上設(shè)有一凹陷但不穿透 該鋁基板11的半錐體形的反光杯110 ;所述鋁基板11連同所述反光杯110均包括自下而 上設(shè)置的一鋁層111、一絕緣層112、一銅層113以及一鍍銀層114，其中鍍銀層114是最后 鍍?cè)谒鲢~層113上。且該鋁基板11位于所述反光杯110的周?chē)O(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)用以固定該 絕緣注塑層的穿孔115。再如圖3所示，所述鋁基板11的銅層113和鍍銀層114均斷開(kāi)為 相互絕緣的正極和負(fù)極兩部分。即在鍍銀前，先按圖3所示腐蝕區(qū)域16的形狀，將該鋁基 板11的銅層113腐蝕掉，以保證銅層113的正負(fù)極分開(kāi)，然后再在銅層113上鍍上銀層，用 以增強(qiáng)反光效果。 所述絕緣注塑層12為具有高反光特性的絕緣材料所制，包括注塑主體121和注塑 連接腳122，該注塑主體121位于所述鋁基板11的上方，且該注塑主體121對(duì)應(yīng)于所述反光 杯110設(shè)一半錐體120，該半錐體120與所述反光杯110為同一錐體相鄰的兩段，即該半錐 體120的底部的大小與鋁基板反光杯110的頂部的大小相等，并且要求該半錐體120的角 度與鋁基板11上反光杯110的錐體形的角度一致。且該半錐體120鄰近開(kāi)口處的側(cè)壁向 外延展一環(huán)形臺(tái)面123，便于安設(shè)所述金屬電極13。所述注塑連接腳122由上至下貫穿所 述鋁基板ll的穿孔115。 所述一對(duì)金屬電極13是兩不直接電導(dǎo)通的金屬片，所述兩金屬片外形為立向設(shè) 置的Z字形，且該兩金屬片的表面鍍銀，以增強(qiáng)反光效果。該兩金屬片的一端固定在絕緣注 塑層12內(nèi)，并通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)6與LED芯片2連接，另一端分別連接在所述鋁基板11的正極和負(fù) 極的表層即鍍銀層114，由于所述鋁基板11的銅層113和鍍銀層114中間位置均斷開(kāi)為相 互絕緣的正極和負(fù)極兩部分，即在未通電的情況下，該一對(duì)金屬電極13不導(dǎo)通。[0025] 所述LED芯片2通過(guò)絕緣膠粘在所述底座1的反光杯112的底部中央，該絕緣膠 的厚度為10 100um。 所述第一膠體層3是由高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂混合形成的，該第一膠體層3填充 在所述LED芯片2的周?chē)?，且其表面與所述LED芯片2的表面平齊。 所述熒光粉層4直接涂敷在所述LED芯片2的表面上并延展覆蓋所述第一膠體層 3的表面，讓其與所述LED芯片2所發(fā)藍(lán)光耦合，以形成白光。 所述第二膠體層5也是由高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂混合形成的，該第二膠體層5設(shè) 在熒光粉層4的表面上且外形成為圓弧體狀，使回字形LED芯片2所發(fā)出的點(diǎn)光源變成面 光源。 所述第一膠體層3和第二膠體層5是由折射率為1. 9 2. 1，細(xì)度為400 450目
的高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂按1 : 2的質(zhì)量比混合制成，該高折射玻璃珠可使LED芯片內(nèi)部
所產(chǎn)生的光通過(guò)高折射玻璃珠的折射取出，可使芯片的光提取率增加15%以上。 綜上所述，本實(shí)用新型通過(guò)在鋁基板上制作杯座，可以保證杯底的平整性和LED
芯片發(fā)光顏色的一致性，并可使LED芯片產(chǎn)生的熱量很快散發(fā)；且LED芯片內(nèi)、外側(cè)均置入
高折射玻璃珠，使LED芯片內(nèi)部所產(chǎn)生的光通過(guò)高折射玻璃珠的折射取出，可使LED芯片的
光提取率有很大的增加。
權(quán)利要求一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括一底座、一LED芯片和涂敷在該LED芯片表面的一熒光粉層，其特征在于該底座包括一鋁基板、一絕緣注塑層，以及一對(duì)金屬電極，鋁基板和絕緣注塑層是以注塑方式連接，所述鋁基板上設(shè)有一凹陷但不穿透該鋁基板的半錐體形的反光杯；所述LED芯片即設(shè)在該反光杯的底部；所述絕緣注塑層包括注塑主體和注塑連接腳，該注塑主體位于所述鋁基板的上方，且該注塑主體對(duì)應(yīng)于所述反光杯設(shè)一半錐體，該半錐體與所述反光杯為同一錐體相鄰的兩段，所述注塑連接腳由上至下貫穿所述鋁基板；所述一對(duì)金屬電極是兩不直接電導(dǎo)通的金屬片，該兩金屬片的一端固定在絕緣注塑層內(nèi)，并通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與LED芯片連接，另一端連接在所述鋁基板的表層，且位于該對(duì)金屬電極之間的鋁基板的表層相互絕緣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鋁 基板連同所述反光杯均包括自下而上設(shè)置的一鋁層、一絕緣層、一銅層以及一鍍銀層，該鋁 基板處于所述兩金屬片之間的位置的銅層和鍍銀層均斷開(kāi)為正負(fù)極兩部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述LED 芯片的周?chē)畛錆M(mǎn)由高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂混合形成的第一膠體層，且第一膠體層的表面 與所述LED芯片的表面平齊，所述熒光粉層延展覆蓋所述第一膠體層的表面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒 光粉層的表面還具有一由高折射玻璃珠與硅樹(shù)脂混合形成的第二膠體層，該第二膠體層外 形為圓弧體狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述LED 芯片通過(guò)絕緣膠粘在所述反光杯的底部，該絕緣膠的厚度為10 100um。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述兩 金屬片外形為立向設(shè)置的Z字形，且該兩金屬片的表面鍍銀。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鋁 基板位于所述反光杯的周?chē)O(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)用以固定該絕緣注塑層的穿孔，所述注塑連接腳由 上至下貫穿該穿孔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕 緣注塑層為具有高反光特性的絕緣材料所制。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述半 錐體鄰近開(kāi)口處的側(cè)壁向外延展一環(huán)形臺(tái)面。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種高發(fā)光效率的LED的封裝結(jié)構(gòu)，屬于照明設(shè)備的加工領(lǐng)域，其包括一具有反光杯的底座，底座的反光杯底部中央設(shè)有一LED芯片，該LED芯片的表面涂敷有一熒光粉層，其中，所述LED芯片的外形為中心為空的回字形，該LED芯片通過(guò)絕緣膠粘在所述底座的反光杯的底部中央。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)可使LED發(fā)光效率得到明顯提高。
文檔編號(hào)H01L33/00GK201536111SQ200920139170
公開(kāi)日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月3日
發(fā)明者何文銘 申請(qǐng)人:福建中科萬(wàn)邦光電股份有限公司