專利名稱：用于使用偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)照射激光束的方法和設(shè)備的制作方法
用于使用偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)照射激光束
的方法和設(shè)備
相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
本申請(qǐng)根據(jù)35 U.S.C. §119要求于2007年8月8日向韓國知 識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的韓國專利申請(qǐng)第2007-79301號(hào)的優(yōu)先權(quán)， 其內(nèi)容通過引證結(jié)合與此。
技術(shù)領(lǐng)城
本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例涉及用于使用偏軸(off-axis )旋轉(zhuǎn)光學(xué)系 統(tǒng)照射(irradiate )激光束的方法和設(shè)備、用于使用該偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué) 系統(tǒng)對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行孩i調(diào)的方法和"i殳備、以及用于4吏用該偏軸旋 轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)制造印刷電路板的方法。更特別地，本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施 例涉及用于使用能夠?qū)⒈∧る娮杵鞯碾娮枵{(diào)節(jié)到預(yù)定電阻的偏軸 旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)來照射激光束的方法和設(shè)備、用于使用該偏軸旋轉(zhuǎn)光 學(xué)系統(tǒng)來微調(diào)薄膜電阻器的方法和設(shè)備、以及使用該偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué) 系統(tǒng)來制造印刷電路板的方法。
背景技術(shù)：
一般地，嵌入式印刷電路板(PCB)可以包括具有諸如電阻器、 電容器等無源元件的PCB。在韓國專利第483623號(hào)中公開了該嵌 入式PCB。
該嵌入式PCB的電阻器可以:帔稱作薄力莫電阻器。而且，該電
阻器可以包括連接在于PCB上彼此隔開排列的電極圖案(electrode pattern )之間的電阻器圖案(resistor pattern )。在本文中，電阻器圖 案可以包括包含諸如碳(C)、銀(Ag)等的添加劑的碳糊?？梢酝?過絲網(wǎng)印刷工藝來形成電阻器圖案。
這里，當(dāng)可以形成嵌入式PCB時(shí)，4艮難4是供具有可允許誤差 范圍內(nèi)的預(yù)定電阻的薄膜電阻器。因此，在形成嵌入式PCB的過程 中，在形成薄膜電阻器之后，可以對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)以將薄膜 電阻器的電阻調(diào)節(jié)到可允許誤差范圍內(nèi)的預(yù)定電阻。在孩i調(diào)工藝中 可以使用具有高斯分布的激光束。即，可以在PCB上形成薄膜電阻 器?？梢允褂镁哂懈咚狗植嫉募す馐ㄟ^切割工藝來部分地去除薄 膜電阻器，以將薄膜電阻器的電阻調(diào)節(jié)到可允許誤差范圍內(nèi)的預(yù)定 電阻。
然而，雖然可以通過微調(diào)工藝提供具有可允許誤差范圍內(nèi)的預(yù) 定電阻的薄膜電阻器的電阻，但是隨著時(shí)間的流逝調(diào)節(jié)后的薄膜電 阻器的電阻可以#1改變，所以薄"莫電阻器的電阻可能會(huì)頻繁地超過 可允許的誤差范圍。這可以由諸如在薄膜電阻器的切口部分處由激 光束所產(chǎn)生的碳粒子、銀粒子等殘留物的影響所導(dǎo)致。
特別地，當(dāng)使用具有高斯分布的激光束來切割薄膜電阻器時(shí)， 薄膜電阻器的切口部分可以呈具有大入口和窄底部的槽形。薄膜電 阻器的槽形切口部分可能是由具有高斯分布的激光束的能量密度
所導(dǎo)致的。即，具有高斯分布的激光束可以具有最高的中心能量密 度和最低的邊緣能量密度。因此，碳粒子、銀粒子等可能保留在薄 膜電阻器的切口部分的周圍，所以電子可以通過薄膜電阻器的窄槽 形切口部分的底部處的殘留物。因此，剛微調(diào)過的薄膜電阻器的電
阻可能與一^:時(shí)間之后的薄膜電阻器的電阻有所不同。
這里，為了防止薄膜電阻器的電阻-波改變，在孩i調(diào)工藝中，可 以通過增加具有高斯分布的激光束的能量密度來使銀粒子熔化。然 而，雖然可以防止薄膜電阻器的電阻的改變，^旦可能集中地?zé)龤?糊和PCB。
因此，在使用具有高斯分布的激光束的孩史調(diào)工藝中，非常難將 薄膜電阻器的電阻調(diào)節(jié)到可允許誤差范圍內(nèi)的預(yù)定電阻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例提供了 一種4吏用可以容易地用于對(duì)具有 預(yù)定可允許的誤差范圍內(nèi)的電阻的薄膜電阻器進(jìn)行小務(wù)邊的偏軸旋 轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)來照射激光束的方法。
本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例還才是供了 一種用于寺丸行上述照射方法的 設(shè)備。
本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例又提供了 一種4吏用上述照射方法對(duì)薄膜 電阻器進(jìn)行微調(diào)的方法。
本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例還4是供了 一種用于執(zhí)行上述微調(diào)方法的 設(shè)備。
本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例又提供了 一種使用上述微調(diào)方法來制造 印刷電路板的方法。
在才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面使用偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)照射激光束 的方法中，可以產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光束。該第一激光束可 以穿過具有偏軸旋轉(zhuǎn)射束形狀的光學(xué)系統(tǒng)，以產(chǎn)生具有沿圓圏旋轉(zhuǎn) 的點(diǎn)的第二激光束。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面用于照射激光束的設(shè)備可以包括激光 發(fā)射器和光學(xué)系統(tǒng)。激光發(fā)射器可以產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光 束?？梢詫⒐鈱W(xué)系統(tǒng)排列在第一激光束的光路上。此外，光學(xué)系統(tǒng) 可以包4舌偏軸^走轉(zhuǎn)光束成形器。第 一激光束可以穿過該光學(xué)系統(tǒng)的 光束成形器，以產(chǎn)生具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束。
才艮據(jù)本發(fā)明的 一些實(shí)例實(shí)施例，光學(xué)系統(tǒng)的光束成形器可以包 括多個(gè)透鏡。而且，至少一個(gè)透鏡可以具有偏軸可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。這些
透鏡可以以數(shù)百至數(shù)萬RPM進(jìn)行偏軸旋轉(zhuǎn)。
在才艮據(jù)本發(fā)明的又一方面對(duì)薄力莫電阻器進(jìn)行;f敬調(diào)的方法中，可 以產(chǎn)生具有高斯分布的第 一激光束。該第 一激光束可以穿過具有偏 軸旋轉(zhuǎn)光束成形器的光學(xué)系統(tǒng)，以產(chǎn)生具有沿圓圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二 激光束。然后，該將第二激光束照射到印刷電路板上的薄膜電阻器 的目標(biāo)區(qū)域上，以切割薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域。這里，薄膜電阻器 的切口部分可以具有平坦的底面。
根據(jù)本發(fā)明的又 一 方面對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的設(shè)備可以包 括激光發(fā)射器、光學(xué)系統(tǒng)和臺(tái)架(stage )。激光發(fā)射器可以產(chǎn)生具 有高斯分布的第一激光束?？梢詫⒐鈱W(xué)系統(tǒng)排列在第一激光束的第 一光^各上。而且，光學(xué)系統(tǒng)可以包括偏軸旋轉(zhuǎn)光束成形器。第一激 光束可以穿過光學(xué)系統(tǒng)的光束成形器，以產(chǎn)生具有沿圓圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn) 的第二激光束。可以將該臺(tái)架排列在第二激光束的第二光路上。可 以將具有薄膜電阻器的基板放置在臺(tái)架上?？梢詫⒌诙す馐丈?br> 到印刷電路板上的薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以對(duì)薄膜電阻器的目標(biāo) 區(qū)域進(jìn)行切割。這里，薄膜電阻器的切口部分可以具有平坦的底面。
在才艮據(jù)本發(fā)明的又一方面的制造印刷電路板的方法中，可以在 基板上形成薄膜電阻器。這里，薄膜電阻器可以包括彼此相對(duì)的電 極圖案，并且電阻器圖案連接在電極圖案之間?？梢詫⒕哂懈咚狗?布的包括由偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)所產(chǎn)生的沿圓圏^走轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激 光束照射到印刷電路板上的薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以對(duì)薄膜電阻 器的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行切割。這里，薄膜電阻器的切口部分可以具有平 坦的底面?？梢酝ㄟ^對(duì)薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)4亍切割來將薄膜電 阻器的電阻調(diào)節(jié)到預(yù)定電阻。然后，通過切割可以在其上形成具有 調(diào)節(jié)后的電阻的薄膜電阻器的基板上形成保護(hù)層。
根據(jù)本發(fā)明，在微調(diào)工藝中可以使用具有高斯分布的包括沿圓 圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的激光束。因此，薄膜電阻器的切口部分可以具有平坦 的底面。因此，雖然在微調(diào)工藝之后，碳粒子、銀粒子等還可能保 留在薄膜電阻器的切口部分，但由于薄膜電阻器的切口部分的平坦 底面導(dǎo)致電子不會(huì)通過粒子。
因此，使用本發(fā)明的方法和設(shè)備可以容易地制造出具有預(yù)定的 可允許范圍內(nèi)的電阻的薄膜電阻器。
附圖i兌明
當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過參考以下的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述 和其他特征及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，其中


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)例實(shí)施例使用偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系
統(tǒng)來照射激光束的設(shè)備的框圖2是示出圖1中的光學(xué)系統(tǒng)的偏軸S走轉(zhuǎn)透4竟的平面圖3是示出用于偏軸旋轉(zhuǎn)圖2中的光學(xué)系統(tǒng)的透4竟的部件；
圖4是示出由圖1中的設(shè)備所轉(zhuǎn)換的激光束的點(diǎn)以及普通激光 束的點(diǎn)；
圖5是示出使用圖1中的設(shè)備對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的設(shè)備的 框圖6是示出使用圖5中的設(shè)備對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的方法的 平面圖7是沿圖6中的線VI-VI，的截面^L圖8A到8C是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)例實(shí)施例制造印刷電 i 各4反的方法的截面4見圖；以及
圖9是圖8B的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下文中將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，在其中示出了本發(fā)明 的實(shí)例實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以4艮多不同形式來體現(xiàn)并且不應(yīng) 該被看作是對(duì)本文中所闡釋的實(shí)例實(shí)施例的限制。更確切地，提供 這些實(shí)施例以4吏此^Hf全面和完整，而且將向本領(lǐng)纟或的才支術(shù)人員完 全轉(zhuǎn)達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰，可以放大層和區(qū)域的
尺寸和相對(duì)尺寸。
可以理解，當(dāng)指出元件或?qū)?位于"或"連接至，，另一元件或 層上時(shí)，它可以直"l妄位于、或連4妄至其<也元件或?qū)由希蛘呖梢源?br> 在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)指出元件"直接位于"或"直接連接至" 另一元件或?qū)由蠒r(shí)，則不存在插入元件或?qū)?。相同的?biāo)號(hào)通篇表示 相同的元件。正如本文所使用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè) 相關(guān)所列條目中的4壬一個(gè)以及所有的組合。
可以理解，雖然在本文中可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來 描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，4旦是這些元件、部件、 區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該—皮這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于將一 個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因 此，在不背離本發(fā)明教導(dǎo)的情況下，以下所^侖述的第一元件、部件、 區(qū)域、層或部分可被稱作第二元件、部件、區(qū)域、層和/或部分。
為了易于描述，本文可以4吏用空間相對(duì)關(guān)系術(shù)語，例如"在… 下方"、"在…上方"等來描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征相對(duì)于 另一個(gè)(多個(gè))元件或(多個(gè))特征的關(guān)系。可以理解，空間相對(duì) 關(guān)系術(shù)語旨在包括除了圖中描述的方位之外的使用或操作中的裝 置的不同方位。例如，如果將圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么^皮描述為在其 他元件或特征"下面，，或"下方，，的元件將被定位在其他元件的"上 方"。因jt匕，實(shí)例術(shù)i吾"下面"可以包4舌上面禾n下面的兩個(gè)方4立。
裝置可以以另外的方式(旋轉(zhuǎn)90°或者位于其他方位處)定向，則 本文中所使用的空間相對(duì)關(guān)系描述語被相應(yīng)地解釋。
本文中所使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而并非旨 在限制本發(fā)明。正如本文中所使用的，單數(shù)形式"一個(gè)"("a" "an" 和"the")也旨在于包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中清楚地指示了其 他方式。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，在此說明書中所使用的術(shù)語"包括" (comprise和/或"comprising")時(shí)，其指定所述的特4正、整lt、步 驟、才喿作、元件、和/或部件的存在，而不排除一個(gè)或多個(gè)特征、整 數(shù)、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合的存在或附加。
在本文中，本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例是參照^黃截面視圖進(jìn)行描述 的，橫截面視圖是本發(fā)明理想實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意性視 圖。同樣地，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差所導(dǎo)致的圖中形 狀上的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施例不應(yīng)該被理解為限于本文 中所示的區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)當(dāng)包括由于例如制造所導(dǎo)致的形狀 上的偏差。圖中所示的區(qū)域在性質(zhì)上是示意性的，而且其形狀并不 旨在說明裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且并不旨在限制本發(fā)明的范 圍。
除非另有定義，否則本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科 學(xué)術(shù)語)都具有與由本發(fā)明所屬的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解
的相同的含義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，諸如定義在通常所使用的字典中 的那些術(shù)語的術(shù)語應(yīng)該凈皮解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域中的上下文中的
其含義一致的含義，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為是理想的或過度的意義，除 非在本文中清楚地如此定義。
照射激光束的"i殳備和方法
下文中，參考附圖詳細(xì)說明用于照射激光束的i殳備。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)例實(shí)施例用于使用偏軸旋轉(zhuǎn)光 學(xué)系統(tǒng)來照射激光束的設(shè)備的框圖，圖2是示出圖1中的光學(xué)系統(tǒng) 的偏軸旋轉(zhuǎn)透4竟的平面圖，以及圖3是示出用于偏軸旋轉(zhuǎn)圖2中的 光學(xué)系統(tǒng)的透4竟的部件的平面圖。
參考圖1,根據(jù)本實(shí)例實(shí)施例用于照射激光束的設(shè)備100可以 包括激光發(fā)射器10和光學(xué)系統(tǒng)12。
激光發(fā)射器10可以產(chǎn)生具有高斯分布的激光束，其具有最高 的中心能量密度和最低的邊緣能量密度。這里，能夠產(chǎn)生具有高斯
分布的激光束的形形色色的激光發(fā)射器10不被限制在特定范圍內(nèi)。
激光束的實(shí)例可以包括約1064 nm波長的激光束(其可以由〗吏用諸 如Nd:YAG或Nd:YV04的激光源的固體激光器所產(chǎn)生)，通過頻率 調(diào)制等獲得的約532 nm波長的激光束(二倍頻)、約355 nm波長 的激光束(三4咅頻)、約266 nm波長的激光束(四倍頻)。
光學(xué)系統(tǒng)12可以聚集和/或擴(kuò)散激光束。如圖2和圖3中所示 的，光學(xué)系統(tǒng)12可以包括透4竟12a和用于偏軸萬走轉(zhuǎn)該透4竟12a的 部件12b。這里，光學(xué)系統(tǒng)12中的透4竟12a的種類和部件可以不浮皮 限制在特定范圍內(nèi)。光學(xué)系統(tǒng)12中的透鏡12a的實(shí)例可以包括球 面凸透4竟、3求面凹透4竟等。
光學(xué)系統(tǒng)12可以具有偏軸可》炎轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。如圖2中所示，光學(xué) 系統(tǒng)12的透4竟12a可以具有偏軸可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。這里，可以相對(duì)于 遠(yuǎn)離透鏡12a的中心軸Cl相隔距離dl的偏軸C2旋轉(zhuǎn)透鏡12a。 圖2中的虛線可以表示光學(xué)系統(tǒng)12中的透鏡12a的偏軸旋轉(zhuǎn)軌跡。 即，由于可以相對(duì)于偏軸C2旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12的透鏡12a，所以可 以沿內(nèi)軌跡tl旋轉(zhuǎn)透4免12a的中心軸Cl以及可以沿外軌跡t3 ^走轉(zhuǎn) 透鏡12a的圓周C3?？梢匝仄SC2來發(fā)射來自激光發(fā)射器10的 激光束。
參考圖3,用于偏軸4t轉(zhuǎn)透4竟12a的部件12b可以連4妄至透鎮(zhèn): 12a。在這個(gè)實(shí)例實(shí)施例中，部件12b可以以凄t百至凄t萬RPM來錄_ 轉(zhuǎn)透4竟12a。優(yōu)選地，可以由部件12b以凄t萬RPM來旋轉(zhuǎn)透4竟12a。 因此，部件12b可以包4舌電動(dòng)沖幾、氣靜壓電主軸、以及能夠快速4t 轉(zhuǎn)的同等物。
如上所述，i殳備100可以包括i敫光發(fā)射器10和光學(xué)系統(tǒng)12。 而且，光學(xué)系統(tǒng)12可以具有偏軸可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。光學(xué)系統(tǒng)12可以包 括透鏡12a和部件12b?？梢詫⒐鈱W(xué)系統(tǒng)12》文置于來自激光發(fā)射器10的激光束的光^各上。這里，需要排列光學(xué)系統(tǒng)12使得在偏軸旋 轉(zhuǎn)該光學(xué)系統(tǒng)12期間來自激光發(fā)射器10的激光束通過該光學(xué)系 統(tǒng)。
因此，i殳備100可以允許激光束穿過偏軸4t轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12。因 此，穿過光學(xué)系統(tǒng)12的激光束可以祐^是供有沿圓圈^走轉(zhuǎn)的點(diǎn)。
下文中，詳細(xì)說明使用設(shè)備100來照射激光束的方法。
激光發(fā)射器10可以產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光束。該第一 激光束可以穿過光學(xué)系統(tǒng)12。這里，光學(xué)系統(tǒng)12可以連續(xù)地進(jìn)行 偏軸力走壽爭(zhēng)。特別;也，第一;敫光束可以穿過光學(xué)系統(tǒng)12的偏軸禱:轉(zhuǎn) 透鏡12a。這里，可以以數(shù)百到數(shù)萬RPM來旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12的透 鏡12a。當(dāng)?shù)谝患す馐梢砸詳?shù)百到數(shù)萬RPM穿過偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系 統(tǒng)12時(shí)，可以產(chǎn)生具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束。即，第一 激光束的點(diǎn)可以-波轉(zhuǎn)換成第二激光束的沿圓圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)。
參考圖4,當(dāng)普通5敫光束的點(diǎn)可沿切割線前進(jìn)時(shí)，普通激光束 的點(diǎn)可以具有線性形狀41。相反，當(dāng)?shù)诙す馐难貓A圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn) 可以沿切割線前進(jìn)時(shí)，第二激光束的點(diǎn)可以具有寬度為d2的螺旋 形狀43。
因此，當(dāng)可以將此實(shí)例實(shí)施例的i殳備和方法用在切削物體時(shí)， 該物體的切口部分可以具有平坦的底面，這歸功于第二激光束的螺 旋旋轉(zhuǎn)點(diǎn)。
對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)(trim)的設(shè)備和方法
下文中，參考附圖詳細(xì)說明用于對(duì)包括激光照射設(shè)備IOO的薄 膜電阻器進(jìn)行《效調(diào)的設(shè)備。這里，相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
圖5是示出用于使用圖1中的設(shè)備對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的設(shè) 備的框圖。
參考圖5,用于根據(jù)該實(shí)例實(shí)施例對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的設(shè) 備500可以包括激光發(fā)射器10、光學(xué)系統(tǒng)12、臺(tái)架14、粒子去除 構(gòu)4牛60、電阻測(cè)量部4牛65、 4空制部4牛67、以及馬區(qū)動(dòng)吾fM牛69。
在這個(gè)實(shí)例實(shí)施例中，激光發(fā)射器10可以與圖1中的激光照 射設(shè)備100中的激光發(fā)射器基本相同。因此，激光發(fā)射器10可以 產(chǎn)生具有高斯分布的激光束，其具有最高的中心能量密度和最低的 邊緣能量密度。這里，能夠產(chǎn)生具有高斯分布的激光束的形形色色 的激光發(fā)射器10沒有被限制在特定范圍內(nèi)。激光發(fā)射器10的實(shí)例 可以包括能夠使用固體激光源產(chǎn)生激光束的固體激光發(fā)生器。特別 地，激光發(fā)射器10的實(shí)例可以包括Nd:YAG激光發(fā)生器、Nd:YLF 激光發(fā)生器、Nd:YV04激光發(fā)生器等。
而且，光學(xué)系統(tǒng)12可以與圖1中的激光照射i殳備100中的光 學(xué)系統(tǒng)基本相同。因此，可以將光學(xué)系統(tǒng)12排列在來自激光發(fā)射 器10的第一激光束的光^各上。光學(xué)系統(tǒng)12可以將穿過偏軸旋轉(zhuǎn)光 學(xué)系統(tǒng)12的第一激光束的點(diǎn)轉(zhuǎn)換為第二激光束的沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)。
光學(xué)系統(tǒng)12可以包4舌具有透4竟12a和12c的光束成形器13、 以及用于偏軸旋轉(zhuǎn)透鏡12a的旋轉(zhuǎn)部件12b。另外，光學(xué)系統(tǒng)12 還可以包4舌以下元4牛。
光學(xué)系統(tǒng)12可以包括具有透4竟12a和12c的光束成形器。透 鏡12a和12c的實(shí)例可以包括球面凹透鏡、球面凸透4竟等。而且， 光束成形器13可以包括擴(kuò)束器、光束準(zhǔn)直器等。在這個(gè)實(shí)例實(shí)施 例中，光學(xué)系統(tǒng)12可以包括光束擴(kuò)展器和作為偏軸旋轉(zhuǎn)透鏡的球 面凸透4竟12a?？蛇x地，光學(xué)系統(tǒng)12可以包括作為偏軸旋轉(zhuǎn)透4竟的
J求面凹透4竟12c。另外，光學(xué)系統(tǒng)12可以包4舌作為偏軸旋轉(zhuǎn)透4竟的 J求面凸透4竟12a和J求面凹透4竟12c。即，只需要偏軸i走轉(zhuǎn)光束成形 器13中的至少一個(gè)透4竟，以圓狀;5走轉(zhuǎn)激光束的點(diǎn)。而且，作為偏 軸旋轉(zhuǎn)透鏡的球面凸透鏡12a和/或球面凹透鏡12c的排列位置沒有 一皮限制在特定位置內(nèi)。即，在偏軸^走轉(zhuǎn)透4竟12a位于激光束的光^各 上的情況下，可以將偏軸旋轉(zhuǎn)透鏡12a排列在光學(xué)系統(tǒng)12的鏡子 121a和121b、才企流計(jì)掃描器123、 f-theta透鏡124之間。
如上所述的，旋轉(zhuǎn)部件12b可以連接至偏軸旋轉(zhuǎn)透鏡12a。旋 轉(zhuǎn)部件12b可以以凄t百到凄t萬RPM來凝:轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12的偏軸凝:轉(zhuǎn) 透鏡12a。旋轉(zhuǎn)部件12b的實(shí)例可以包括連接至偏軸旋轉(zhuǎn)透鏡12a 的電動(dòng)機(jī)、氣靜壓電主軸等。
光學(xué)系統(tǒng)12可以進(jìn)一步包括鏡子121a和121b、檢流計(jì)掃描器 123、 f-theta透鏡124。鏡子121a和121b可以改變來自激光發(fā)射器 10的第一激光束的光^各。4企流計(jì)掃描器123可以將第二激光束感應(yīng) 到臺(tái)架14上的物體。f-theta透鏡124可以將第二激光束聚集到臺(tái)架 14上的物體上。
根據(jù)此實(shí)例實(shí)施例用于對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的設(shè)備500的光 學(xué)系統(tǒng)可以包括4竟子121a和121b、才企流計(jì)123和f-theta透4竟124 以及透鏡12a和12c以及旋轉(zhuǎn)部件12b。因此，光學(xué)系統(tǒng)12可以將 具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束感應(yīng)并聚集到臺(tái)架14上的物體 處，以及將第一激光束的點(diǎn)轉(zhuǎn)換為第二激光束的沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)。
臺(tái)架14可以支撐物體。在此實(shí)例實(shí)施例中，可以將具有薄月莫 電阻器的基板50放置在臺(tái)架14上。因此，可以將臺(tái)架14排列在 可以照射具有沿圓圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束的位置處。這里，當(dāng)使
用第二激光束切割薄膜電阻器時(shí)，第二激光束可以沿薄膜電阻器的 切割線前進(jìn)。因此，第二激光束可以通過4企流計(jì)掃描器123或可以
在其上》文置基才反50的臺(tái)架14沿切割線前進(jìn)切割線。當(dāng)臺(tái)架14可 以沿切割線前進(jìn)時(shí)，微調(diào)設(shè)備500可以進(jìn)一步包括連接至臺(tái)架14 的驅(qū)動(dòng)部件69。驅(qū)動(dòng)部件69可以沿相對(duì)于初始照射第二激光束的 基斗反50的區(qū)域的前和后的方向以及左和右的方向移動(dòng)臺(tái)架14上的 基板50。
因此，此實(shí)例實(shí)施例的微調(diào)設(shè)備500可以將具有沿圓圏旋轉(zhuǎn)的 點(diǎn)的第二激光束照射到薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以切割薄膜電阻 器，從而形成薄膜電阻器的平坦的底面。
孩i調(diào)i殳備500可以包括4立子去除構(gòu)4牛60。該4立子去除構(gòu)Y牛60 可以去除剩余在由第二激光束所切割的薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域處 的粒子。粒子去除構(gòu)件60可以包括朝向薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域(即， 薄膜電阻器的切割區(qū)域)所排列的噴射器60a。噴射器60a在切割 薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域期間可以向薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域噴射氣 體。這里，當(dāng)未將氣體噴射到薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域時(shí)，粒子可能 殘留在目標(biāo)區(qū)域處。因?yàn)闅埩舻牧Ｗ樱∧る娮杵骺赡懿痪哂蓄A(yù)定 電阻。在此實(shí)例實(shí)施例中，乂人噴射器60a所噴射的噴射氣體的實(shí)例 可以包括空氣、氮?dú)?、惰性氣體等。惰性氣體的實(shí)例可以包括氦氣、 氖氣、氬氣等。這里，氦氣可以具有制冷特性。因此，當(dāng)將氦氣用 作噴射氣體時(shí)，可以降低微調(diào)工藝期間所產(chǎn)生的高溫，并且可以有 效地去除粒子。當(dāng)可以將氮?dú)庥米鲊娚錃怏w時(shí)，氮?dú)庵械牡梢耘c 碳粒子中的碳發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以形成碳氮化物(CN)氣體，從而可 以充分的減少粒子的凄t量。因此，可以有利地將氦氣和/或氮?dú)庥米?從粒子去除構(gòu)件60的噴射器60a中所噴射的噴射氣體。而且，粒 子去除構(gòu)4牛60可以額外;也包4舌4由吸才幾(suction) 60b。抽氣才幾60b 可以吸入由噴射器60a所吹出的粒子。
粒子去除構(gòu)件60的噴射器60a在執(zhí)行切割工藝的情況下可以 吹出殘留在薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域處的粒子。抽吸機(jī)60b可以吸入
粒子。因此包括粒子去除構(gòu)件60的孩i調(diào)i殳備500可以有效地去除 由切割薄膜電阻器從目標(biāo)區(qū)域所產(chǎn)生的粒子。因此，微調(diào)設(shè)備500 可以充分i也降^f氐由4立子所導(dǎo)致的電阻變4匕。
此實(shí)例實(shí)施例的微調(diào)設(shè)備500可以包括用于測(cè)量可以通過切割 薄月莫電阻器的目標(biāo)區(qū)i或而纟皮改變的薄力莫電阻器的電阻的電阻測(cè)量 部件65。在此實(shí)例實(shí)施例中，電阻測(cè)量部件65可以包括歐姆表和 #:針。此夕卜，此實(shí)例實(shí)施例的孩i調(diào)i殳備500可以包括控制部件67, 用于接收由電阻測(cè)量部件65測(cè)量的薄膜電阻器的電阻并基于所接 收的薄膜電阻器的電阻來控制激光發(fā)射器10。
微調(diào)設(shè)備500的電阻測(cè)量部件65可以測(cè)量通過切割薄膜電阻 器的目標(biāo)區(qū)域而纟皮持續(xù)改變的薄膜電阻器的電阻。電阻測(cè)量部件65 可以向控制部件67 1Ir出所測(cè)量的薄膜電阻器的電阻?？刂撇考?7 可以*接收所測(cè)量的薄力莫電阻器的電阻?？刂撇考?7可以基于所才妄 收的薄膜電阻器的電阻選擇性地停止激光發(fā)射器10。即，當(dāng)所測(cè)量 的薄月莫電阻器的電阻在預(yù)定"i吳差范圍內(nèi)時(shí)，則由電阻測(cè)量部件65 和控制部件67暫停激光發(fā)射器10的l喿作。由電阻測(cè)量部件65和 控制部件67執(zhí)行的激光發(fā)射器10的暫停時(shí)間可以是約0.05秒至約 0.1秒。
因此，由于電阻測(cè)量部件65和控制部件67,此實(shí)例實(shí)施例的 孩史調(diào)i殳備500可以對(duì)薄膜電阻器進(jìn)4刊鼓調(diào)，以才是供具有預(yù)定誤差范 圍內(nèi)的電阻切割薄月莫電阻器(cut film resistor )。
下文中，詳細(xì)說明使用微調(diào)設(shè)備對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的方法。
將具有薄膜電阻器的基板50放置在臺(tái)架14上。這里，在基板 50上的薄膜電阻器可以包括電極圖案和電阻圖案。電極圖案可以被:
此相對(duì)。電阻圖案可以連4妄在電才及圖案之間。在此實(shí)例實(shí)施例中， 電極圖案的實(shí)例可以包括銅、鋁等。這些可被單獨(dú)使用或使用其組
合。電阻圖案的實(shí)例可以包括碳糊。碳糊可以包括約40%到約80% 的碳和約20%到約60%的銀。在此實(shí)例實(shí)施例中，可以使用包括約 60%的碳和約40%的銀的碳糊來形成電阻圖案。
激光發(fā)射器10可以產(chǎn)生第一激光束，其可以被照射到基板50 上的薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，即，電阻圖案的預(yù)定區(qū)域。在此實(shí)例 實(shí)施例中，第一激光束可以具有高斯分布。而且，可以從固體激光 源中產(chǎn)生第一激光束。
從激光發(fā)射器10發(fā)射的第一激光束可以穿過偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系 統(tǒng)12。特別i也，光學(xué)系統(tǒng)12中的元^f牛的具體透4竟12a可以是偏軸 旋轉(zhuǎn)的。而且，可以以數(shù)百到數(shù)萬RPM來偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12。 因此，穿過偏軸》走轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12的第一激光束的點(diǎn)可以凈皮轉(zhuǎn)換為 第二激光束的沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)。
可以將具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束照射到臺(tái)架14上的 基板50中的薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以切割薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū) 域。這里，切割薄膜電阻器可以具有預(yù)定誤差范圍內(nèi)的電阻。由于 第二激光束可以具有圓形旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)，所以如圖6和圖7中所示的， 薄膜電阻器的切口部分可以具有平坦的底面55a。通過照射由將第 一激光束穿過偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)12所轉(zhuǎn)換的具有參考圖4所示寬 度d2的第二激光束的沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)來形成薄膜電阻器的平坦的 底面55a。而且，切口寬度d2可以與遠(yuǎn)離透鏡12a的中心軸Cl相 隔距離dl成比例?？梢愿鶕?jù)f-theta透鏡124的放大倍數(shù)來確定切 口寬度d2和距離dl之間的比率。這里，在附圖中，參考標(biāo)號(hào)50 表示基板，參考標(biāo)號(hào)53表示薄膜電阻器的電極圖案，以及參考標(biāo) 號(hào)55表示薄膜電阻器的電阻圖案。
另外，4艮據(jù)此實(shí)例實(shí)施例，可以通過控制光學(xué)系統(tǒng)12的偏軸 容易地調(diào)節(jié)第二激光束的圓形點(diǎn)的尺寸。在將偏軸C2》文置在相對(duì) 遠(yuǎn)離中心軸Cl的情況下所產(chǎn)生的第二激光束的點(diǎn)可以比在將偏軸 C2放置在相對(duì)靠近中心軸Cl的情況下所產(chǎn)生的第二激光束的點(diǎn) 大。因此，可以容易地調(diào)節(jié)薄膜電阻器的切口寬度。即，薄膜電阻 器的平坦的底面可以被容易提供有所需的寬度。
而且，當(dāng)使用第二激光束來去除薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域時(shí)，粒 子去除構(gòu)件60可以去除殘留在薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域處的粒子。 即，粒子去除構(gòu)件60的噴射器60a可以向薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域 噴射氣體。^立子去除構(gòu)^f牛60的^由p及4幾60b可以^及入由噴射氣體所 吹出的粒子，以去除薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域中的粒子。
此外，在薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域被切割期間，薄膜電阻器的電 阻可以,皮持續(xù):l也測(cè)量。即，電阻測(cè)量部4牛65可以在切割薄月莫電阻 器的目標(biāo)區(qū)域期間測(cè)量薄膜電阻器的持續(xù)變化的電阻?？梢詫⒂呻?阻測(cè)量部件65測(cè)量的薄膜電阻器的電阻輸出至控制部件67。控制 部件可以持續(xù)地*接收薄膜電阻器的變化的電阻。當(dāng)將預(yù)定誤差范圍 內(nèi)的電阻輸入到控制部件67時(shí)，控制部件67可以停止激光發(fā)送器 10的操作。因此，沒有將第二激光束照射到薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域， /人而完成了樣i調(diào)工藝。
這里，當(dāng)切割薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域時(shí)，可以沿切割線移動(dòng)第 二激光束。因此，驅(qū)動(dòng)部件69可以沿前和后的方向以及左和右的 方向來移動(dòng)臺(tái)架14?？蛇xi也，可以4吏用4企流計(jì)掃描器123沿切割線 移動(dòng)第二激光束。
才艮據(jù)此實(shí)例實(shí)施例，孩i調(diào)工藝可以4吏用具有沿圓圏^走轉(zhuǎn)的點(diǎn)的 第二激光束，從而可以容易地控制薄膜電阻器的電阻。特別地，薄 膜電阻器的切口部件可以具有平坦的底面。因此，電子不會(huì)通過薄
膜電阻器的平坦底面處的石友糊中的4艮。即，由于薄膜電阻器的平坦 底面具有足夠?qū)挼膶挾?，所以電子不?huì)容易地通過碳糊中的銀。
因此，可以使用此實(shí)例實(shí)施例的微調(diào)設(shè)備和方法容易地執(zhí)行用 于制造具有預(yù)定誤差范圍內(nèi)的電阻的薄膜電阻器的工藝。而且，由 于電子不會(huì)通過碳糊中的銀，所以可以充分地防止薄膜電阻器的電
阻變^b而不管時(shí)間的流逝。
可以使用此實(shí)例實(shí)施例的纟效調(diào)設(shè)備和方法有效地去除殘留在 薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域中的粒子。因此，由于粒子的去除，所以薄 膜電阻器的電阻不會(huì)一皮容易地改變。而且，包括氦氣、氮?dú)獾鹊膰?射氣體可以充分地減少由第二激光束所導(dǎo)致的施加給薄膜電阻器 的熱壓力。此外，噴射氣體可以充分地減少粒子的數(shù)量。
第二激光束可以具有由偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)所產(chǎn)生的沿圓圏旋 轉(zhuǎn)的點(diǎn)。因此，因?yàn)檠貓A圏3走轉(zhuǎn)的點(diǎn)，薄膜電阻器的切口部分可以
具有平坦的底面。同時(shí)，美國專利第6,534,743號(hào)7>開了4吏用具有 使用光束成形元件和孔徑從高斯分布所轉(zhuǎn)換的平均能量密度分布 的激光束來對(duì)薄膜電阻器進(jìn)行微調(diào)的方法。相反，根據(jù)此實(shí)例實(shí)施 例，可以使用偏軸旋轉(zhuǎn)將第 一激光束的點(diǎn)轉(zhuǎn)換為第二激光束的沿圓 圈4t轉(zhuǎn)的點(diǎn)。特別地，以上的美國專利沒有z^開偏軸^L轉(zhuǎn)。因此， 本發(fā)明的這些實(shí)例實(shí)施例與以上美國專利有明顯的不同。
制造印刷電路纟反的方法
下文中，詳細(xì)說明制造印刷電路板(PCB)的方法。這里，為 了簡(jiǎn)短，將在此省略任何關(guān)于微調(diào)設(shè)備和方法與此實(shí)例實(shí)施例之間 的重復(fù)描述的進(jìn)一步i兌明，而且相同標(biāo)號(hào)指相同的元件。而且，此 實(shí)例實(shí)施例的方法4十7于嵌入式PCB。
圖8A到8C是示出根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)例實(shí)施例制造印刷電 ^^反的方法的截面4見圖，以及圖9是圖8B的平面圖。
參考圖8A，可以準(zhǔn)備包括諸如環(huán)氧樹脂的樹脂的基板50?？?以在基板50上形成電極圖案53。在此實(shí)例實(shí)施例中，電極圖案53 可以包括銅、鋁等。這些可以4皮單獨(dú)4吏用或4吏用其組合。而且，可 以彼此相對(duì)地排列電極圖案53?？梢酝ㄟ^堆疊工藝、光刻工藝等形 成電才及圖案53。
在形成電才及圖案53之后，電阻圖案55可以連4妄在電才及圖案53 之間。在此實(shí)例實(shí)施例中，電阻圖案55可以包括包含約60%的碳 和約40%的銀的碳糊。而且，可以通過絲網(wǎng)印刷工藝形成電阻圖案 55。
因此，可以在基板50上形成薄膜電阻器，其可以包括相對(duì)的 電極圖案53和連接在電極圖案53之間的電阻圖案55。
參考圖8B和圖9，很難提供具有預(yù)定誤差范圍內(nèi)的電阻的薄 膜電阻器，這是因?yàn)橥ㄟ^絲網(wǎng)印刷工藝形成電阻圖案55。因此，在 形成具有相對(duì)稍^f氐電阻的薄膜電阻器之后，然后，可以孩i調(diào)薄膜電 阻器。即，通過微調(diào)工藝對(duì)薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行切割，薄膜 電阻器可以纟皮才是供有所期望的電阻。
因此，可以使用圖5中的微調(diào)設(shè)備微調(diào)薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域， 即，電阻圖案55。這里，用于制造嵌入式PCB的微調(diào)工藝可以與 參考圖5所示的微調(diào)工藝基本相同。因此，為了簡(jiǎn)短，省略任何關(guān) 于孩i調(diào)工藝的進(jìn)一 步i兌明。
可以通過與參考圖5所示的微調(diào)工藝基本相同的微調(diào)工藝獲得 具有平坦底面55a的薄膜電阻器。即，可以通過孩i調(diào)工藝來切割薄
膜電阻器，以具有平坦底面55a, 乂人而將薄膜電阻器的電阻控制在 預(yù)定誤差范圍內(nèi)。
參考圖8C，在通過^f鼓調(diào)工藝切割薄膜電阻器以具有平坦底面 55a之后，可以在基板50、電極圖案53和電阻圖案55上形成保護(hù) 層57，以防止薄膜電阻器纟皮外部環(huán)境所損壞以及防止薄膜電阻器的 電阻:被改變。在此實(shí)例實(shí)施例中，^呆護(hù)層57可以包括焊劑防護(hù)層。
才艮據(jù)此實(shí)例實(shí)施例，制造嵌入式PCB的方法可以包括用于切 割薄膜電阻器以具有平坦底面55a的孩史調(diào)工藝。因此，電子可以不 會(huì)通過殘留在薄膜電阻器的切口部分中的碳糊中的銀。
因此，通過此實(shí)例實(shí)施例的方法所制造的嵌入式PCB可以包 括具有不隨時(shí)間流逝而改變電阻的薄爿莫電阻器。
根據(jù)本發(fā)明，可以使用偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)獲得具有沿圓圈旋轉(zhuǎn) 的點(diǎn)的激光束?？梢詫⒓す馐迷诒∧る娮杵鞯那懈罟に囍小６?， 在使用激光束的薄膜電阻器的微調(diào)工藝中的微調(diào)工藝的控制和粒 子的去除可以彼此一起纟皮執(zhí)行。而且，可以將樣B周設(shè)備和孩史調(diào)方法 用在制造嵌入式PCB的方法中。
因此，通過纟敬調(diào)工藝，切割薄膜電阻器可以具有平坦底面?？?以充分地防止電子通過薄膜電阻器的切口部分處的碳糊中的4艮的 運(yùn)動(dòng)。因此，薄膜電阻器可以具有預(yù)定誤差范圍內(nèi)的所需電阻而不 管時(shí)間的流逝。此外，通過》走轉(zhuǎn)偏軸可以容易地調(diào)節(jié)激光束的切口 寬度，從而可以容易地控制薄膜電阻器中的切口部分的尺寸。
此外，與切割工藝一起，可以充分地去除導(dǎo)致薄膜電阻器中的 電阻變化的粒子。薄膜電阻器可以具有精確控制的電阻。而且，包 括氦氣、氮?dú)獾鹊膰娚錃怏w可以充分地減少由第二激光束所導(dǎo)致的
施加到薄膜電阻器的熱壓力。此外，噴射氣體可以充分地減少粒子 的數(shù)量。
因此，可以將本發(fā)明有效地用在制造嵌入式PCB的方法中。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，^E應(yīng)當(dāng)注意，才艮據(jù)以上教導(dǎo)， 本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行修改和變形。因此，應(yīng)當(dāng)理解，可以在 所公開的由所附權(quán)利要求所概括的本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的本發(fā) 明的特定實(shí)施例中進(jìn)4亍改變。
權(quán)利要求
1. 一種照射激光束的方法，包括產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光束；以及使所述第一激光束穿過具有偏軸旋轉(zhuǎn)光束成形器的光學(xué)系統(tǒng)，以形成具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束。
2. #4居權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光束成形器包括多個(gè) 透鏡，以及其中，以數(shù)百到數(shù)萬RPM偏軸旋轉(zhuǎn)所述多個(gè)透鏡 中的至少一個(gè)透4竟。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述光束成形器包括擴(kuò)束 器。
4. 一種用于照射激光束的i殳備，包括激光發(fā)射器，用于產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光束；以及光學(xué)系統(tǒng)，排列在所述第一激光束的光路上，所述光學(xué) 系統(tǒng)包括偏軸旋轉(zhuǎn)光束成形器，用于從穿過所述偏軸旋轉(zhuǎn)光束 成形器的所述第 一激光束形成具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激 光束。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述光束成形器包括多個(gè) 透4竟，所述多個(gè)透4竟中的至少一個(gè)透4竟具有偏軸可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)， 以及其中，以數(shù)百到數(shù)萬RPM偏軸旋轉(zhuǎn)所述至少一個(gè)透鏡。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述光束成形器包括擴(kuò)束 器。
7. —種孩i調(diào)薄膜電阻器的方法，包括產(chǎn)生具有高斯分布的第 一 激光束；使所述第 一激光束穿過具有偏軸旋轉(zhuǎn)光束成形器的光學(xué) 系統(tǒng)，以形成具有沿圓圈;5炎轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束；以及將具有所述沿圓圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的所述第二激光束照射到基 4反上的所述薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以切割所述薄膜電阻器的 所述目標(biāo)區(qū)域，所述薄膜電阻器的切口部分具有平坦的底面。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述光束成形器包括多個(gè) 透鏡，以及其中，以數(shù)百到數(shù)萬RPM偏軸旋轉(zhuǎn)所述多個(gè)透鏡 中的至少一個(gè)透4竟。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述光束成形器包括擴(kuò)束 器。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述薄膜電阻器包括電極圖案，彼此相對(duì)地排列在所述基板上；以及 電阻圖案，連接在所述電極圖案之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中，所述電極圖案包括銅、 鋁、或其合金。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中，所述電阻圖案包括包含 約40%到約80%的碳以及約20%到60%的4艮的碳糊。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，使用固體激光器產(chǎn)生所述 第一激光束。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述固體激光器具有約 1064 nm、約532 nm、約355 nm、或約266 nm的波長。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第二激光束的所述沿 圓圏旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的尺寸取決于距所述光學(xué)系統(tǒng)中的所述偏軸旋 轉(zhuǎn)光束成形器的中心軸的距離。
16. 才艮據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括去除在切割所述薄膜電阻 器的所述目標(biāo)區(qū)域中所產(chǎn)生的以及殘留在所述薄膜電阻器的 所述目標(biāo)區(qū)域中的粒子。
17. 才艮據(jù)4又利要求16所述的方法，其中，通過向所述目標(biāo)區(qū)域噴 射空氣、氮?dú)狻⒒蚨栊詺怏w來去除所述粒子。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，去除所述粒子包括向所述目標(biāo)區(qū)域噴射空氣、氮?dú)?、或惰性氣體；以及吸入包括所述粒子的所述空氣、所述氮?dú)?、或所述惰?氣體。
19. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括測(cè)量通過切割所述薄月莫電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域而^皮改變 的所述薄膜電阻器的電阻；以及當(dāng)所測(cè)量的所述薄力莫電阻器的電阻是預(yù)定電阻時(shí)，暫停 所述第一激光束的產(chǎn)生。
20. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，沿相對(duì)于所述薄膜電阻器 的初始照射所述第二激光束的區(qū)域的包括前方和后方以及左 方和右方的每個(gè)方向使所述第二激光束照射到所述薄膜電阻 器的所述目標(biāo)區(qū)域。
21. 根據(jù)4又利要求20所述的方法，其中，通過移動(dòng)所述基^反，沿 包4舌所述前方和所述后方以及所述左方和所述右方的每個(gè)方 向照射所述第二激光束。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，通過移動(dòng)所述第二激光 束的光路，沿包4舌所述前方和所述后方以及所述左方和所述右 方的每個(gè)方向照射所述第二激光束。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，通過檢流計(jì)掃描器來移 動(dòng)所述第二激光束的所述光路。
24. —種用于^f效調(diào)薄膜電阻器的設(shè)備，包括激光發(fā)射器，用于產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光束；光學(xué)系統(tǒng)，排列在所述第 一激光束的光路上以從穿過所 述偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)的所述第 一激光束形成具有沿圓圈旋轉(zhuǎn) 的點(diǎn)的第二激光束；以及臺(tái)架，排列在所述第二激光束的光路上以支撐具有所述 薄膜電阻器的基板，其中，將所述第二激光束照射到所述臺(tái)架上的所述基板 的所述薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以切割所述薄膜電阻器的所述 目標(biāo)區(qū)域，并且所述薄膜電阻器的切口部分具有平坦的底面。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中，所述激光發(fā)射器包括固 體激光發(fā)生器。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中，所述固體激光發(fā)生器發(fā) 射具有約1064 nm、約532 nm、約355 nm、或約266 nm的波 長的所述第一激光束。
27. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括包含 多個(gè)透鏡的光束成形器，所述多個(gè)透鏡中的至少 一個(gè)透鏡具有 偏軸可礎(chǔ)j爭(zhēng)結(jié)構(gòu)，以及其中，以凄史百到凄t萬RPM偏軸S走專爭(zhēng)所 述至少一個(gè)透4竟。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中，所述光束成形器包括擴(kuò) 束器，優(yōu)選地校準(zhǔn)所擴(kuò)展的光束。
29. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)還包括鏡子，用于改變所述第二激光束的所述光路；檢流計(jì)掃描器，用于將所述第二激光束的所述光路感應(yīng) 到所述臺(tái)架上的所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域；以及f-theta透鏡，用于將所述第二激光束聚集到所述臺(tái)架上的 所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域。
30. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，還包括粒子去除構(gòu)件，用于去 除在切割所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域中所產(chǎn)生的并且殘 留在所述目標(biāo)區(qū)域中的粒子。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中，所述粒子去除構(gòu)件包括 噴射器，朝向所述臺(tái)架上的所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域以 當(dāng)切割所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域時(shí)向所述目標(biāo)區(qū)域噴 射氣體。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其中，所述粒子去除構(gòu)件還包 括抽吸機(jī)，用于吸入由所述噴射器所吹出的粒子。
33. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其中，所述氣體包括空氣、氮 氣、或惰性氣體。
34. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，還包括電阻測(cè)量部件，用于測(cè)量通過切割所述薄膜電阻器的所 述目標(biāo)區(qū)i或而^皮改變的所述薄力莫電阻器的電阻；以及控制部件，用于4妄收來自所述電阻測(cè)量部件的所述薄膜 電阻器的電阻并基于所測(cè)量的電阻選擇性地暫停所述激光發(fā) 射器的操作。
35. 才艮據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中，通過移動(dòng)所述第二激光 束的光路，沿相對(duì)于所述薄膜電阻器的初始照射所述第二激光 束的區(qū)i或的包4舌前方和后方以及左方和右方的每個(gè)方向一尋所 述第二激光束照射到所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的設(shè)備，其中，通過檢流計(jì)掃描器移動(dòng) 所述第二激光束的所述光路。
37. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中，移動(dòng)所述臺(tái)架，用于使 所述第二激光束能沿相對(duì)于所述薄膜電阻器的初始照射所述 第二〗敫光束的區(qū)i或的包纟舌前方和后方以及左方和右方的每個(gè) 方向照射所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域。
38. —種制造印刷電路板(PCB)的方法，包括在基板上形成薄膜電阻器，所述薄膜電阻器包括相對(duì)的 電極圖案以及連接在所述電極圖案之間的電阻圖案；將由偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)所產(chǎn)生的并具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn) 的具有高斯分布的激光束照射到所述薄膜電阻器的目標(biāo)區(qū)域，以切割具有平坦底面的所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域，以將所述薄膜電阻器的電阻調(diào)節(jié)到預(yù)定電阻；以及在具有所述薄膜電阻器的所述基板上形成保護(hù)層。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，所述電極圖案包括銅、 鋁或其合金，以及其中，所述電阻器圖案包括包含約40%到 約80%的碳以及約20%到約60%的銀的碳糊。
40. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，所述光學(xué)系統(tǒng)包括具有 多個(gè)透鏡的光束成形器，其中，所述多個(gè)透鏡中的至少一個(gè)透 鏡具有偏軸可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，以及其中，以數(shù)百到數(shù)萬RPM偏軸 旋轉(zhuǎn)所述至少一個(gè)透鏡。
41. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中，所述光束成形器包括擴(kuò) 束器，優(yōu)選地校準(zhǔn)所擴(kuò)展的光束。
42. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，使用固體激光器產(chǎn)生所 述第一激光束。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中，所述固體激光器具有約 1064 nm、約532 nm、約355 nm、或約266 nm的;皮長。
44. 才艮據(jù)^又利要求38所述的方法，其中，所述第二激光束的所述沿圓圏凝:4爭(zhēng)的點(diǎn)的尺寸取決于^巨所述光學(xué)系統(tǒng)中的偏軸錄:轉(zhuǎn) 光束成形器的中心軸的距離。
45. 才艮據(jù)一又利要求38所述的方法，還包括向所述目標(biāo)區(qū)域噴射空氣、氮?dú)?、或惰性氣體；以及 吸入包括所述粒子的所述空氣、所述氮?dú)?、或所述惰性氣體o
46. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，調(diào)節(jié)所述薄膜電阻器的 所述電阻包4舌 測(cè)量通過切割所述薄膜電阻器的所述目標(biāo)區(qū)域而#皮改變的所述薄膜電阻器的電阻；以及當(dāng)所測(cè)量的所述薄膜電阻器的電阻是預(yù)定電阻時(shí)，暫停 所述第一激光束的產(chǎn)生。
47.才艮據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，沿相對(duì)于所述薄膜電阻 器的初始照射所述第二激光束的區(qū)域的包括前方和后方以及 左方和右方的每個(gè)方向?qū)⑺龅诙す馐丈涞剿霰∧る?阻器的所述目標(biāo)區(qū)域。
全文摘要
在使用偏軸旋轉(zhuǎn)光學(xué)系統(tǒng)照射激光束的方法中，可以產(chǎn)生具有高斯分布的第一激光束。該第一激光束可以穿過具有偏軸旋轉(zhuǎn)光束成形器的光學(xué)系統(tǒng)，以產(chǎn)生具有沿圓圈旋轉(zhuǎn)的點(diǎn)的第二激光束。因此，薄膜電阻器的切口部分可以具有平坦的底面。因此，雖然在微調(diào)工藝之后碳粒子、銀粒子等可能殘留在薄膜電阻器的切口部分處，但由于薄膜電阻器的切口部分的平坦的底面，使電子不會(huì)通過粒子。
文檔編號(hào)H01S3/00GK101393374SQ20081014585
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月8日
發(fā)明者樸鐘國, 李億基, 李致炯 申請(qǐng)人:飛而康公司;李億基