專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)總地涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地講，涉及一種抵抗有 機(jī)發(fā)射層因與雜質(zhì)(例如，氧和潮氣)的接觸而劣化的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有置于像素電極和相對(duì)電極之間的由有機(jī)物質(zhì)形成 的發(fā)射層。在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的實(shí)施例中，當(dāng)向電極施加正電壓和負(fù)電壓 時(shí)，從像素電極注入的空穴經(jīng)過(guò)空穴傳輸層移動(dòng)到發(fā)射層中，從相對(duì)電極注 入的電子經(jīng)過(guò)電子傳輸層移動(dòng)到發(fā)射層。電子和空穴結(jié)合，在發(fā)射層中形成 激子。隨著激子從激發(fā)態(tài)弛豫(relax)到基態(tài)，激子將能量傳遞給發(fā)射層中 的磷光體分子，使得磷光體分子發(fā)光，從而形成圖像。
由于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的實(shí)施例響應(yīng)時(shí)間快、視角寬且對(duì)比度極好，所 以它們被認(rèn)為是下一代的顯示裝置。然而，包括有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)層會(huì)受潮 氣和氧的影響，因此，當(dāng)潮氣和/或氧滲透到發(fā)光單元的顯示區(qū)中時(shí)，裝置的 壽命嚴(yán)重受損。
在普通的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，用金屬蓋(metal cap)或包封基底包封 顯示區(qū)的外圍，并且用密封劑密封顯示區(qū)的外圍。此外， 一些實(shí)施例在密封 的空間內(nèi)包括吸潮劑。然而，在許多情況下，這些方法沒(méi)有充分地阻擋外界 的氧或潮氣。

發(fā)明內(nèi)容
在此提供一種抵抗外界的潮氣和氧滲透的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。 一些實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底，包括多個(gè)薄膜晶體管(TFT)裝置；顯示區(qū)，形成在基底上。其中， 顯示區(qū)包括基體層，包括電連接到TFT裝置的第一電極并限定像素區(qū)；有 機(jī)層，形成在基體層上；第二電極層，以完全覆蓋基體層和有機(jī)層的結(jié)構(gòu)形 成。
有機(jī)層可至少包括含有小分子有機(jī)物質(zhì)的發(fā)射層。
有機(jī)層可以是空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層和空 穴阻擋層中的至少一種。
基體層還可包括像素限定層，該像素限定層以預(yù)定的厚度形成在第一電 極之間。
基體層還可包括啞像素區(qū)。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括電極布線部分，所述電極布線部分在顯示區(qū) 的一側(cè)電連接到第二電極層，可這樣形成電極布線部分，使得第二電極層可 覆蓋電極布線部分。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括在TFT裝置和第一電極之間的平坦化膜。
第二電極層可由光可滲透材料形成。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括向顯示區(qū)發(fā)送各種信號(hào)的裝置單元和向顯示 區(qū)供應(yīng)電功率的電源單元，其中，裝置單元和電源單元形成在基底上。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括密封顯示區(qū)的包封結(jié)構(gòu)，包封結(jié)構(gòu)形成在基 底上。
可通過(guò)在顯示區(qū)上交替地沉積有機(jī)層和無(wú)機(jī)層來(lái)形成包封結(jié)構(gòu)。
其它實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括 基底，包括多個(gè)TFT裝置；顯示區(qū)，形成在基底上。其中，顯示區(qū)包括基 體層，包括電連接到TFT裝置的第一電極并限定像素區(qū)；有機(jī)層，形成在基 體層上；第二電極層，延伸超過(guò)有機(jī)層的外圍大于100pm。
有機(jī)層包括含有至少 一種小分子有機(jī)物質(zhì)的發(fā)射層。
有機(jī)層是空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層和空穴阻 擋層中的至少一種。
基體層還可包括像素限定層，該像素限定層具有預(yù)定的厚度并形成在第 一電才及之間。
基體層還包括啞像素區(qū)。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括電極布線部分，所述電極布線部分在顯示區(qū)的一側(cè)電連接到第二電極層，可這樣形成電極布線部分，使得第二電極層可 覆蓋電極布線部分。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括在TFT裝置和第一電極之間的平坦化膜。
第二電極層可由光可滲透材料形成。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括向顯示區(qū)發(fā)送各種信號(hào)的裝置單元和/或向 顯示區(qū)供應(yīng)電功率的電源單元。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括形成在基底上并密封顯示區(qū)的包封結(jié)構(gòu)。
可通過(guò)交替地沉積有機(jī)層和無(wú)機(jī)層來(lái)形成包封結(jié)構(gòu)。
其它實(shí)施例提供了 一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括 基底，包括多個(gè)薄膜晶體管(TFT)裝置；顯示區(qū)，形成在基底上，其中， 顯示區(qū)包括基體層，包括多個(gè)像素限定層和電連接到TFT裝置的多個(gè)第一 電極；有機(jī)層，覆蓋多個(gè)像素限定層和多個(gè)第一電極，其中，有機(jī)層包括有 機(jī)發(fā)射層，有機(jī)發(fā)射層設(shè)置在第一電極上并在像素限定層之間；第二電極層， 完全覆蓋基體層和有機(jī)層的外圍。
在一些實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)射層包括至少一種小分子有機(jī)物質(zhì)。在一些實(shí) 施例中，有機(jī)層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層和 空穴阻擋層中的至少一種。
在一些實(shí)施例中，基體層還包括啞像素區(qū)。
一些實(shí)施例還包括電極布線部分，所述電極布線部分設(shè)置在顯示區(qū)的一 側(cè)并電連接到第二電極層，其中，第二電極層覆蓋電極布線部分。
一些實(shí)施例還包括在TFT裝置和第 一 電極之間的平坦化膜。
在一些實(shí)施例中，第二電極層包含透明材料。
一些實(shí)施例還包括被構(gòu)造為向顯示區(qū)發(fā)送信號(hào)的裝置單元和向顯示區(qū)供 應(yīng)電功率的電源單元，其中，裝置單元和電源單元形成在基底上。
一些實(shí)施例還包括包封結(jié)構(gòu)，包封結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底上并密封顯示區(qū)。在 一些實(shí)施例中，包封結(jié)構(gòu)包括在顯示區(qū)設(shè)置的交替的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層。
其它實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括 基底，包括多個(gè)TFT裝置；顯示區(qū)，形成在基底上。其中，顯示區(qū)包括基 體層，包括多個(gè)像素限定層和電連接到TFT裝置的多個(gè)第一電極；有機(jī)層， 覆蓋多個(gè)像素限定層和多個(gè)第一電極，其中，有機(jī)層包括有機(jī)發(fā)射層，有機(jī) 發(fā)射層設(shè)置在第一電極上并在像素限定層之間；第二電極層，覆蓋有機(jī)層，
并在有機(jī)層的外圍的周圍形成具有大于大約lOOμm的寬度的容限。
在一些實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)射層包括至少一種小分子有機(jī)物質(zhì)。在一些實(shí)施例中，有機(jī)層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層中的至少一種。
在一些實(shí)施例中，基體層還包括啞像素區(qū)。
一些實(shí)施例還包括電極布線部分，所述電極布線部分設(shè)置在顯示區(qū)的一 側(cè)并電連接到第二電極層，其中，第二電極層覆蓋電極布線部分。
一些實(shí)施例還包括設(shè)置在TFT裝置和第一電極之間的平坦化膜。 在一些實(shí)施例中，第二電極層包含透明材料。
一些實(shí)施例還包括被構(gòu)造為向顯示區(qū)發(fā)送信號(hào)的裝置單元和向顯示區(qū)供 應(yīng)電功率的電源單元中的至少一個(gè)。
一些實(shí)施例還包括包封結(jié)構(gòu)，包封結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底上并密封顯示區(qū)。
在 一些實(shí)施例中，包封結(jié)構(gòu)包括在顯示區(qū)設(shè)置的交替的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它 特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中
圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖2是沿著剖面線I1-II截取的圖1中的設(shè)備的剖視圖3是圖2中的局部(detail) III的放大圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖5是沿著剖面線V-V截取的圖4中的設(shè)備的剖對(duì)見(jiàn)圖6是根據(jù)對(duì)比例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖7是沿著剖面線VII-VII截取的圖6中的設(shè)備的剖視圖8是根據(jù)又一 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖9是根據(jù)又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖10是根據(jù)又 一 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖ll是沿著圖10中的剖面線XI-XI截取的剖視圖12和圖13是根據(jù)其它實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖來(lái)更充分地描述特定實(shí)施例，示例性實(shí)施例示出在附圖中。
圖1至圖3示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。圖1是當(dāng)前實(shí) 施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖。圖2是沿著剖面線II-II截取的 圖1中的設(shè)備的剖視圖，圖3是圖2中的局部III的放大剖視圖。參照?qǐng)D1至 圖3，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括在基底100上的顯示區(qū)200，顯示區(qū)200包括基 體層210、有才幾層220和第二電才及層230,基 氛100包才舌多個(gè)薄月莫晶體管(TFT) 裝置110(圖2)，其中，第二電極層230完全覆蓋基體層210和有機(jī)層220。 根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的基底100可由包括玻璃、塑料(例如丙烯酸類塑料 (acrylic))、金屬等的各種材料形成。從圖2清晰地看出，由&02等形成的 緩沖層111形成在基底100上。緩沖層111防止來(lái)自基底100的潮氣或雜質(zhì) 穿過(guò)緩沖層111擴(kuò)散，和/或通過(guò)控制在結(jié)晶過(guò)程中的傳熱速度來(lái)促進(jìn)半導(dǎo)體 層121的結(jié)晶。
半導(dǎo)體層121可在緩沖層111上由非晶硅薄膜或多晶硅薄膜形成。半導(dǎo) 體層121也可由有機(jī)半導(dǎo)體材料形成。雖然在圖1至圖3中未示出，但是按 照需要，半導(dǎo)體層121可包括用N型或P型摻雜劑摻雜的源區(qū)和漏區(qū)及溝道 區(qū)。
柵電極122設(shè)置在半導(dǎo)體層121的上方。源電極和漏電極根據(jù)施加到柵 電極122的信號(hào)相互電連通?？紤]到柵電極122與相鄰層的緊密度、將要沉 積的層的表面平坦度和可加工性，柵電極122由諸如MoW、 Al/Cu等的材料 形成。
柵極絕緣膜112作為半導(dǎo)體層121和柵電極122之間的絕緣體形成在半 導(dǎo)體層121和柵電極122之間，例如通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD)由Si02等形成柵極絕緣膜112。利用Si02、 SiNx等在柵電極122 上方形成單層或多層中間絕緣層113，使得源電極和漏電極123中的每個(gè)通 過(guò)穿過(guò)柵極絕緣膜112和中間絕緣層113形成的接觸孔124與半導(dǎo)體層121 的源區(qū)和漏區(qū)接觸。
平坦化膜114設(shè)置在源電極和漏電極123上，用于保護(hù)薄膜晶體管裝置 110并使薄膜晶體管裝置110平坦化。此外，以各種形式存在的鈍化層(在圖 1至圖3中未示出)可設(shè)置在平坦化膜114和中間絕緣層113之間。
雖然在圖2中只示出了連接到第一電極(像素電極)211的薄膜晶體管裝置110，但是當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可包括開(kāi)關(guān)裝置。此外， 可按照所期望的包括諸如電容器等的各種裝置，并且裝置的數(shù)量不受限制。 除此之外，圖2中示出的薄膜晶體管裝置110為頂部柵極型裝置。然而，薄膜晶體管裝置不限于此，在一些實(shí)施例中也可包括在半導(dǎo)體層121下方形成 柵電極122的底部4冊(cè)極型裝置。
包括第一電極211并限定像素區(qū)的基體層210形成在平坦化膜114上。 這里，"像素區(qū)"不但指包括發(fā)射層的像素本身，而且指使每個(gè)像素分開(kāi)并限 定每個(gè)像素的發(fā)射區(qū)的結(jié)構(gòu)(例如，像素限定層212)。在當(dāng)前實(shí)施例中，像 素限定層212以預(yù)定的厚度形成在第一電極211之間。
第一電極211通過(guò)通孔125電連接到下方的源電極或漏電極123。第一 電極211可以是透明型或反射型。透明型電極可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦 鋅(IZO)、 ZnO、 ln203等形成。在當(dāng)前實(shí)施例中，使用反射陽(yáng)極。在利用 Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr及它們的合金和/或混合物形成 反射膜之后，可在反射膜上利用ITO、 IZO、 ZnO、 111203等形成反射陽(yáng)極。
像素限定層(PDL) 212以預(yù)定的厚度形成在第一電極211之間。除了 限定發(fā)射區(qū)之外，PDL 212通過(guò)增大第二電極層230和第一電極211的邊緣 之間的距離來(lái)減小在第一電極211的邊緣部分處的電場(chǎng)強(qiáng)度，而防止第一電 極211和第二電極層230之間的短路。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的基體層210包括PDL 212;然而，在其它實(shí)施例中，任何使每個(gè)像素分開(kāi)并限定每個(gè)像素的發(fā)射區(qū) 的結(jié)構(gòu)可形成基體層210。
從圖3清晰地看出，至少包括有機(jī)發(fā)射層223的有機(jī)層220形成在基體 層210上。因?yàn)橛袡C(jī)層220包括多個(gè)層，所以該有^/L層220也被稱作"多層 有機(jī)層220"。有機(jī)發(fā)射層223可包含小分子有機(jī)物質(zhì)或聚合的有機(jī)物質(zhì)。當(dāng) 有機(jī)發(fā)射層223包含聚合的有機(jī)物質(zhì)時(shí)，有機(jī)層220包括空穴傳輸層和發(fā)射 層。在一些實(shí)施例中，聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)用于空穴傳輸層，諸如聚 苯撐乙烯撐(ppv， polyphenylenevmylene )和聚芴的聚合的有機(jī)物質(zhì)用于發(fā) 射層。
在包括小分子有機(jī)物質(zhì)的實(shí)施例中，如圖3中所示，可以通過(guò)沉積作為 單層的或具有更復(fù)雜結(jié)構(gòu)的空穴注入層(HIL) 221、空穴傳輸層(HTL) 222、 有機(jī)發(fā)射層(EML) 223、電子傳輸層(ETL) 224、電子注入層(EIL ) 225等來(lái)形成有機(jī)層220.可用漢語(yǔ)沉積有機(jī)發(fā)射層的有機(jī)物質(zhì)的示例包括銅酞菁
(CuPc ) 、 N，N'- 二 (1-萘基)-N,N'- 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB ， N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N，N'-diphenyl-benzidme )、三(8-羥基唾啉)鋁(Alq3, tris-8-hydroxyquinoline aluminum)等。
在一些實(shí)施例中，有機(jī)層220中的一些沒(méi)有完全覆蓋像素區(qū)，即，按期 望選擇性地只形成有機(jī)層220中的一些的特定部分。雖然未在圖3中示出， 但是還可在有機(jī)發(fā)射層223和電子傳輸層224之間設(shè)置空穴阻擋層(HBL)。 同樣，有機(jī)層220的一些實(shí)施例包括各種其它的有機(jī)層。另外，當(dāng)?shù)谝浑姌O 211用作陰極且第二電極層230用作陽(yáng)極時(shí)，有機(jī)層220的順序按本領(lǐng)域技 術(shù)人員應(yīng)該理解的進(jìn)行改變。
小分子有機(jī)層220通過(guò)利用掩模的真空沉積形成在基體層210上。在當(dāng) 前實(shí)施例中，通過(guò)利用精細(xì)掩模(fine mask)對(duì)用于每個(gè)像素的每個(gè)第一電 極進(jìn)行圖案化來(lái)形成有機(jī)發(fā)射層223，沒(méi)有對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行圖案化而是通過(guò) 開(kāi)口掩模在基體層210上順序沉積其它有機(jī)層221 、 222、 224和225。
參照?qǐng)D1和圖2,包括發(fā)射層的有機(jī)層220沉積在區(qū)域B上，該區(qū)域B 與基體層210的區(qū)域A具有相同的面積或比區(qū)域A的面積稍孩吏大些。通常這 樣設(shè)計(jì)用于沉積有機(jī)層221、 222、 224和225的開(kāi)口掩模，使得沉積有有機(jī) 層220的區(qū)域B覆蓋沉積有基體層210的區(qū)域A。
圖1和圖2示出了有機(jī)層221、 222、 224和225理想地排列在基體層210 上方的實(shí)施例；即，沉積有有機(jī)層220的區(qū)域B完全覆蓋沉積有基體層210 的區(qū)域A。此外，當(dāng)?shù)诙姌O層230沉積在完全覆蓋區(qū)域B的區(qū)域C時(shí)，因 為第二電極層230也完全覆蓋有機(jī)層220，所以沒(méi)有暴露有機(jī)層220的邊緣。 因此，外界的潮氣和/或氧不能滲入有機(jī)層220中的有機(jī)層221、 222、 224和 225的邊緣處的空隙(interstice )之間。
然而，當(dāng)沉積有機(jī)層220時(shí)，如上所述，存在有機(jī)層220沒(méi)有理想地排 列在基體層210上方的情形。圖4和圖5示出了有機(jī)層220沒(méi)有理想地排列 在基體層的上方但在第二電極層230的任一側(cè)上也未暴露于外部的實(shí)施例。
用于沉積有機(jī)層221、 222、 224和225的開(kāi)口掩模被設(shè)計(jì)為至少覆蓋形 成有基體層210的區(qū)域A。然而，由于在制造掩模的工藝中的制造公差或者 在基底100上對(duì)齊掩模的過(guò)程中的對(duì)齊誤差，導(dǎo)致有機(jī)層220沒(méi)有理想地沉 積在基體層210上。
圖4和圖5示出了存在用于沉積有機(jī)層221 、 222、 224和225的掩模的左側(cè)和右側(cè)的制造公差或者用由于對(duì)齊誤差造成誤對(duì)齊到右側(cè)的掩模沉積有機(jī)層220時(shí)的實(shí)施例。參照?qǐng)D4和圖5，有機(jī)層220在基體層210上形成在 右側(cè)；然而，因?yàn)榈诙姌O層230被形成在除了完全覆蓋形成有有機(jī)層220 的區(qū)域B之外，還完全覆蓋形成有基體層210的區(qū)域A的區(qū)域C，所以有機(jī) 層220在左側(cè)沒(méi)有暴露于外界環(huán)境。
在圖6和圖7示出的實(shí)施例中，與圖4和圖5—樣，有機(jī)層220在基體 層210上形成在右側(cè)。即，形成有有機(jī)層220的區(qū)域B位于右側(cè)，稍樣史延伸 超過(guò)形成有基體層210的區(qū)域A。如果當(dāng)沉積第二電極層230時(shí)，不用考慮 用于沉積有機(jī)層220的掩模的制造公差或者在基體層210上對(duì)齊掩模時(shí)的對(duì) 齊誤差，則第二電極層230通常覆蓋形成有基體層210的區(qū)域。在這種情況 下，與圖4和圖5中示出的實(shí)施例不同的是，有機(jī)層220的右邊緣沒(méi)有被第 二電極層230完全覆蓋。因此，潮氣和氧會(huì)經(jīng)過(guò)有機(jī)層220的暴露的邊緣之 間的空隙到達(dá)有機(jī)發(fā)射層223，從而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)射層223的劣化。
然而，在根據(jù)圖1至圖5中示出的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，第二 電極層230既覆蓋基體層210又覆蓋有機(jī)層220。因此，可以在很大程度上 防止由于有機(jī)層220暴露于外界環(huán)境造成的有機(jī)發(fā)射層223的劣化，因此， 可延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的壽命。
第二電極層230可包括透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O層230包括透 明電極時(shí)，具有低逸出功的金屬例如Li、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al、 Al、 Ag、 Mg 及它們的合金和混合物薄薄地沉積在有機(jī)發(fā)射層的上方，利用適于透明電極 的材料(例如ITO、 IZO、 ZnO、 111203等)可在第二電極層230上形成輔助 電極層或匯流電極線。當(dāng)利用反射電極時(shí)，通過(guò)在整個(gè)表面上沉積例如Li、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al、 Al、 Ag、 Mg或它們的合金和/或混合物來(lái)形成第二電 極層230。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的由光可滲透電極形成的第二電極層230用作有 機(jī)發(fā)射層223的陰極并用作共電極。
上文描述了利用開(kāi)口掩模形成除了有機(jī)發(fā)射層223之外的有機(jī)層的實(shí)施 例。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，也能夠利用精細(xì)掩模沉積用于每個(gè) 像素的其它有機(jī)層中的一些或全部。有機(jī)發(fā)射層223通常形成在每個(gè)像素的 中心部分上，換言之，有機(jī)發(fā)射層223形成在像素限定層212之間的第一電 極211上，由于精細(xì)掩模的制造公差或掩模的對(duì)齊誤差，導(dǎo)致形成有機(jī)發(fā)射 層223的材料會(huì)稍微沉積在基體層210的每個(gè)像素的位置之外。即使在這種情況下，如果第二電極層230既覆蓋基體層210又覆蓋包括有機(jī)發(fā)射層223 的有機(jī)層220,則可防止由于有機(jī)發(fā)射層223的暴露造成的劣化。
圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖。參照?qǐng)D8， 在區(qū)域A中形成的基體層210除了包括第一電極和像素區(qū)之外，還包括啞像素區(qū)214。有機(jī)層220在包括啞像素區(qū)214的基體層210上形成在區(qū)域B中， 第二電極層230在有^/L層220上形成在區(qū)域C中。
當(dāng)制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時(shí)，期望檢查是否正確地形成了像素，或者期望測(cè)試每個(gè)像素的TFT的特征。對(duì)于這種測(cè)試， 一些實(shí)施例利用啞像素的一個(gè)部分或多個(gè)部分。啞像素的部分可包括顯示裝置的用于發(fā)光的部分，或者 包括控制顯示裝置的裝置(例如TFT)。
根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，有機(jī)層220形成在顯示裝置的包括啞像素區(qū)214的基體層210上，第二電極層230完全覆蓋基體層210和有機(jī)層220。因此，在 顯示區(qū)的外圍處形成用于測(cè)試顯示裝置的啞像素區(qū)214上形成的有機(jī)層220, 因此，有機(jī)層220暴露于外部的危險(xiǎn)性高。然而，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，用第二 電極層230完全地覆蓋有機(jī)層220，因此可防止外界潮氣和氧滲透到有機(jī)層 220。
在圖8中，啞像素區(qū)214形成在顯示區(qū)的一側(cè)。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，啞像素區(qū)也可沿著顯示區(qū)的外圍形成在其它的一側(cè)或多側(cè)。
圖9是根據(jù)又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖。參照?qǐng)D9,顯示區(qū)包括全都形成在基底100上的基體層210、有機(jī)層220和第二電極層230。電極布線部分300電連接到第二電極層230，并形成在顯示區(qū)的一側(cè)。
電極布線部分300向作為共電極工作的第二電極層230提供電功率。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的第二電極層230覆蓋電極布線部分300。絕緣層設(shè)置在第二電極層230和電極布線部分300之間，第二電極層230和電4及布線部分300 通過(guò)多個(gè)接觸孔互連。
在包括電極布線部分300的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，在基體層210上形成的有機(jī)層220沒(méi)有形成在電極布線部分300上；然而，第二電極層230形成在電極布線部分300上。因此，在有機(jī)層220沉積在顯示區(qū)的左-右區(qū)域和/ 或頂部區(qū)域/底部區(qū)域的實(shí)施例中，非典型的情形是第二電極層230沒(méi)有覆 蓋有才幾層220的與電才及布線部分300相鄰的部分。然而，當(dāng)有^L層220沉積在顯示區(qū)的沒(méi)有形成電極布線部分300的那(些)側(cè)時(shí)，有機(jī)層220不會(huì)完 全覆蓋基體層210。盡管如此，即使在這些情況下，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的第二 電極層230也覆蓋基體層210和有機(jī)層220,因此防止有機(jī)層220暴露于外 界環(huán)境。
此外，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括密封顯示區(qū)的包封結(jié) 構(gòu)。在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，第二電極層完全包圍有機(jī)層， 因此在很大程度上防止了外界的氧和潮氣滲入到有機(jī)層。然而，可通過(guò)進(jìn)一 步包括包封顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)，更有效地阻擋外界的氧和潮氣。包封結(jié)構(gòu)的示例 包括任何適合的包封結(jié)構(gòu)，例如，具有密封劑的金屬蓋、具有密封劑的包封 基底或者通過(guò)交替地沉積絕緣有機(jī)層和絕緣無(wú)機(jī)層形成的薄型包封結(jié)構(gòu)。因 此，可進(jìn)一步包括利用各種物質(zhì)和方法密封顯示區(qū)的各種包封結(jié)構(gòu)。
圖10至圖11示出了根據(jù)又一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。圖IO是該有 機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖，圖ll是沿著圖10中的剖面線XI-XI截取 的示意性剖視圖。圖12至圖13是根據(jù)其它實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示 意性剖視圖。
參照?qǐng)DIO至圖13，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備在包括多個(gè)TFT 裝置的基底400上包括顯示區(qū)500，顯示區(qū)500包括基體層510、有機(jī)層520 和第二電極層530,其中，第二電極層530覆蓋有機(jī)層520，并延伸超過(guò)有機(jī) 層520的外圍大于大約lOO)im的寬度D。在下文，描述根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有 機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和根據(jù)前面實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備之間的 一些不同之 處。
首先，當(dāng)前實(shí)施例的第二電極層530完全覆蓋有^L層520, 4旦是會(huì)覆蓋 基體層510或不會(huì)覆蓋基體層510。圖10和圖11示出了第二電極層530延 伸超過(guò)有機(jī)層的外圍寬度D既覆蓋基體層510又覆蓋有機(jī)層520的情形。另 一方面，圖12示出了第二電極層530覆蓋有機(jī)層520并延伸超過(guò)有機(jī)層的外 圍寬度D，但是沒(méi)有覆蓋基體層510的左側(cè)邊緣的情形。在根據(jù)前面實(shí)施例 的一些實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，有機(jī)層220被設(shè)計(jì)為至少覆蓋基體層 210，因此，覆蓋有機(jī)層220的第二電極層230還覆蓋基體層210。相反，當(dāng) 前實(shí)施例包括有機(jī)層520沒(méi)有完全覆蓋基體層510的情形，并且包括形成在 顯示區(qū)外圍上的像素限定層沒(méi)有被有機(jī)層520覆蓋的情形。
此外，在當(dāng)前實(shí)施例中，在利用掩模沉積有機(jī)層520的過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)大
約100um的誤差，掩模的制造公差為大約50um,在基底上對(duì)齊掩模的對(duì)齊 誤差為大約50um。即，將在基底400上沉積有機(jī)層520的過(guò)程中在位置方面 存在大約lOOum的最大誤差考慮在內(nèi)。因此，由于第二電極層530的尺寸沿 著有機(jī)層520的外圍比有機(jī)層520的尺寸大大約100um,所以第二電極層530 完全覆蓋有機(jī)層520。即，即使當(dāng)有機(jī)層520沉積在位置之外時(shí)，第二電極 層530也覆蓋有機(jī)層520的各側(cè)，延伸超過(guò)有機(jī)層520的外圍大于大約 100um。
圖10至圖12示出了沉積有有機(jī)層520的區(qū)域小于沉積有基體層510的 區(qū)域的情形。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在一些實(shí)施例中，有機(jī)層 520的區(qū)域比基體層510的區(qū)域大，或者與基體層510的區(qū)域一樣大。參照 圖13，即使當(dāng)由于制造公差或?qū)R誤差導(dǎo)致有機(jī)層520形成在基體層510的 右邊緣時(shí)，通過(guò)形成第二電極層530來(lái)覆蓋有機(jī)層520并且在有機(jī)層520的 外圍具有寬度D的余量(margm)，仍然可防止外界的氧或潮氣到達(dá)有機(jī)層 520。
雖然在上述實(shí)施例和附圖中沒(méi)有描述，但是根據(jù)一些實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光 顯示設(shè)備除了包括顯示區(qū)之外，還可包括形成在基底上的例如用于發(fā)送信號(hào) 的裝置單元、用于供應(yīng)電功率的電源單元等。另外，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 應(yīng)該理解，在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中還可包括以各種形成存在的各種功能裝置。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備提供的優(yōu)點(diǎn)包括以下 一 點(diǎn)或多 點(diǎn)。首先，不管用于沉積有機(jī)層的掩模的制造公差為何，通過(guò)用第二電極層 覆蓋有機(jī)層，可減少或防止由于外部的潮氣和氧造成的發(fā)射層的劣化。其次， 不管在對(duì)齊基底和用于沉積有機(jī)層的掩模時(shí)會(huì)出現(xiàn)的對(duì)齊誤差為何，通過(guò)用 第二電極層覆蓋有機(jī)層，可防止由于外界的潮氣和/或氧滲透造成的發(fā)射層的 劣化。
盡管已經(jīng)在此具體示出和描述了特定實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本公開(kāi)的精神和范圍的情況下，在 此可進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)方面的改變。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括基底，包括多個(gè)薄膜晶體管裝置；顯示區(qū)，形成在基底上，其中，顯示區(qū)包括基體層，包括多個(gè)像素限定層和電連接到薄膜晶體管裝置的多個(gè)第一電極；有機(jī)層，覆蓋多個(gè)像素限定層和多個(gè)第一電極，其中，有機(jī)層包括設(shè)置在第一電極上并設(shè)置在像素限定層之間的有機(jī)發(fā)射層；第二電極層，完全覆蓋基體層和有機(jī)層的外圍。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有機(jī)發(fā)射層包括至少 一種小分子有機(jī)物質(zhì)。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有機(jī)層包括空穴注入 層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層中的至少一種。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，基體層還包括啞像素區(qū)。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括電極布線部分，所述 電極布線部分設(shè)置在顯示區(qū)的一側(cè)并電連接到第二電極層，其中，第二電極 層覆蓋電極布線部分。
6、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括在薄膜晶體管裝置和 第 一 電極之間的平坦化膜。
7、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二電極層包含透明 材料。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括被構(gòu)造為向顯示區(qū)發(fā) 送信號(hào)的裝置單元和向顯示區(qū)供應(yīng)電功率的電源單元，其中，裝置單元和電 源單元形成在基底上。
9、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括設(shè)置在基底上并密封 顯示區(qū)的包封結(jié)構(gòu)。
10、 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，包封結(jié)構(gòu)包括在顯 示區(qū)設(shè)置的交替的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層。
11、 一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括基底，包括多個(gè)薄膜晶體管裝置； 顯示區(qū)，形成在基底上， 其中，顯示區(qū)包括基體層，包括多個(gè)像素限定層和電連接到薄膜晶體管裝置的多個(gè)第 一電極；有機(jī)層，覆蓋多個(gè)像素限定層和多個(gè)第一電極，其中，有機(jī)層包括 設(shè)置在第一電極上并設(shè)置在像素限定層之間的有機(jī)發(fā)射層；第二電極層，覆蓋有機(jī)層，并在有機(jī)層的外圍的周圍形成具有大于 大約100pm的寬度的容限。
12、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有機(jī)發(fā)射層包含至 少一種小分子有機(jī)物質(zhì)。
13、 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，有機(jī)層包括空穴注 入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層中的至少一種。
14、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，基體層還包括啞像 素區(qū)。
15、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括電極布線部分，所 述電極布線部分設(shè)置在顯示區(qū)的一側(cè)并電連接到第二電極層，其中，第二電 極層覆蓋電極布線部分。
16、 如權(quán)利要求il所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括設(shè)置在薄膜晶體管 裝置和第 一 電極之間的平坦化膜。
17、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二電極層包含透 明材料。
18、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括被構(gòu)造為向顯示區(qū) 發(fā)送信號(hào)的裝置單元和向顯示區(qū)供應(yīng)電功率的電源單元中的至少一個(gè)。
19、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，還包括設(shè)置在基底上并密 封顯示區(qū)的包封結(jié)構(gòu)。
20、 如權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，包封結(jié)構(gòu)包括在顯 示區(qū)設(shè)置的交替的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種減少外界的潮氣和氧滲透的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底，包括多個(gè)TFT裝置；顯示區(qū)，形成在基底上。其中，顯示區(qū)包括基體層，包括電連接到TFT裝置的第一電極并限定像素區(qū)；有機(jī)層，形成在基體層上；第二電極層，以完全覆蓋基體層和有機(jī)層的結(jié)構(gòu)形成。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101202298SQ200710194699
公開(kāi)日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2007年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者崔元奎, 白智然 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社