專利名稱：一種檢測芯片當前層與前層是否對準的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體工藝制程領域，特別是涉及一種檢測芯片當前 層與前層是否對準的方法。
背景技術：
形變(Di s tor t ion )是指某一種晶體裂損位移。在半導體工藝中， 經(jīng)常會發(fā)生芯片當前層與前層發(fā)生形變不能對準的情況。例如，在生 長氮化硅的過程中，芯片會發(fā)生相關形變。
圖1是水和氧氣泄漏示意圖。如圖1所示，當芯片在機臺中生 長氮化硅時，由于機臺中會有少許水和氧氣泄露出來，泄露出來的水 和氧氣侵入到芯片的底層硼磷硅玻璃中。
圖2是水和氧氣揮發(fā)示意圖。如圖2所示，在后續(xù)的高溫制程工 藝中，晶片將會承受較大的溫度壓力，導致水和氧氣從硼磷硅玻璃揮 發(fā)到氮化硅。
圖3是芯片形變示意圖。如圖3所示，氮化硅在水和氧氣的揮發(fā) 壓力下變形，即芯片發(fā)生形變。
水和氧氣的泄漏會造成芯片形變，影響了芯片的性能，有可能造 成芯片的報廢；芯片性能的降低會降低工廠的生產效率；芯片的報廢
浪費了人力和物力。
發(fā)明內容
為了解決上述芯片層與層發(fā)生形變的問題，提出 一種檢測芯片當 前層與前層是否對準的方法，能有效地消除芯片的形變。
本發(fā)明包括如下步驟步驟1,在待檢測晶片表面做出標記，將 待檢測晶片的微影區(qū)曝光出當前層與對照層的標記；步驟2，利用迭 對測量儀測量當前層和對照層的標記，并利用迭對測量儀的分析軟件 進行模擬計算，通過量測結果判斷是否存在形變。
本發(fā)明解決了芯片層與層之間發(fā)生形變的問題，提高了芯片的性 能，避免了芯片的報廢；提高了工廠的生產效率；節(jié)約了人力和物力。
圖l是水和氧氣泄漏示意圖2是水和氧氣揮發(fā)示意圖3是芯片形變示意圖4是本發(fā)明的步驟流程圖5是迭對測量儀的原理示意圖6是本發(fā)明的監(jiān)控標記排布位置示意具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
本發(fā)明的一個實施例是針對在機臺中生長氮化硅時，解決由于芯 片形變而引起的機臺水和氧氣泄露的問題。
圖4是本發(fā)明的步驟流程圖。如圖4所示，本發(fā)明包括如下步驟 步驟l，在待檢測晶片表面做出標記，將待測晶片在微影區(qū)曝光出當 前層與對照層的標記；步驟2,'利用迭對測量儀測量當前層和對照層 的標記，并利用迭對測量儀的分析軟件進行模擬計算，通過量測結果 判斷是否存在形變。
本發(fā)明需要使用迭對測量儀，即Overlay機臺。所述迭對測量儀 是一種在光刻制程中量測當前層與前層對準關系的一種量測儀器。所 述迭對測量儀包括光學系統(tǒng)，上傳系統(tǒng)，操作臺以及控制系統(tǒng)。圖5 是迭對測量儀的原理示意圖。如圖所示，小正方形表示當前層，稍 大的正方形表示前層。所述前層和所述當前層在X軸方向上的位移， 記為Mx;所述前層和所述當前層在Y軸方向上的位移，記為My。當 Mx-O， My=0，迭對測量儀則i^為當前層和前層完全對準；當Mx， My 不為G時，迭對測量儀則認為當前層和前層沒有對準。
圖6是本發(fā)明的監(jiān)控標記排布位置示意圖。如圖6所示，在本 實施例中先在硼磷硅玻璃層表面預先做出大量的正方形迭對量測標 記，即如圖5所示標記1。然后生長氮化硅，再在微影區(qū)曝光定義出 氮化硅的迭對量測標記，即標記2。迭對測量儀分析軟件能夠通過才全 測這兩層標志的相對距離來檢測這2層的迭對狀況并計算出相關數(shù) 據(jù)，然后將所述數(shù)據(jù)和標準數(shù)據(jù)范圍進行比較。之后構建數(shù)學模型，這兩層的迭對測量(Overlay )信息就能夠被轉換成量化的模型數(shù)據(jù)， 并且能夠形成矢量圖。
以上所述^f義為本發(fā)明的具體實施方式
而已，并不用于限定本發(fā) 明。任何對本發(fā)明作本技術領域內熟知的替換、組合、分立均應包含 在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種檢測芯片當前層與前層是否對準的方法，其特征在于包括如下步驟步驟1，在待檢測晶片表面做出標記，將待檢測晶片的微影區(qū)曝光出當前層與對照層的標記；步驟2，利用迭對測量儀測量當前層和對照層的標記，并利用迭對測量儀的分析軟件進行模擬計算，通過量測結果判斷是否存在形變。
全文摘要
一種檢測芯片當前層與前層是否對準的方法，屬于半導體工藝制程領域，包括如下步驟步驟1，在待檢測晶片表面做出標記，將待檢測晶片的微影區(qū)曝光出當前層與對照層的標記；步驟2，利用迭對測量儀測量當前層和對照層的標記，并利用迭對測量儀的分析軟件進行模擬計算，通過量測結果判斷是否存在形變。本發(fā)明解決了芯片發(fā)生形變的問題，提高了芯片的性能，提高了工廠的生產效率，節(jié)約了人力和物力。
文檔編號H01L21/66GK101369548SQ20071004485
公開日2009年2月18日 申請日期2007年8月14日 優(yōu)先權日2007年8月14日
發(fā)明者楊金坡, 梁國亮, 郭偉凱, 高蓮花 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司