專利名稱：加熱裝置以及加熱方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)涂敷有涂敷液的基板進(jìn)行加熱處理的加熱裝置以及加熱方法。
背景技術(shù)：
作為在半導(dǎo)體晶片(以下稱“晶片”)或LCD(液晶顯示器)用的玻璃基板上形成抗蝕劑圖案(resist pattern)的裝置，通常采用的是對(duì)晶片涂敷抗蝕劑，對(duì)曝光后的晶片進(jìn)行顯影的涂敷、顯影裝置。在該裝置內(nèi)組裝有被稱為烘焙(bake)裝置的加熱裝置，例如，作為將涂敷了抗蝕劑液的晶片進(jìn)行加熱的裝置，起到使抗蝕劑液中的溶劑干燥的作用。
作為該加熱裝置，本發(fā)明者針對(duì)采用將加熱晶片的熱板的上方區(qū)域用蓋子覆蓋而形成氣流的通路，在形成從該通路一方的開口流向另一側(cè)的、所謂單向氣流的同時(shí)進(jìn)行加熱處理的裝置進(jìn)行了探討。通過形成上述氣流而進(jìn)行加熱處理，可以減少從抗蝕劑液升華的升華物以微粒的形式附著在晶片W上。
圖18所示的是形成上述單向氣流的加熱裝置的一個(gè)例子。圖中10為筐體、10a為晶片的搬送口、10b為用于開關(guān)上述晶片的搬送口的擋板。另外，圖中11為底盤(base plate)、12為熱板、13為能夠在底盤11上向熱板12一側(cè)移動(dòng)并且用于冷卻晶片W的冷卻板。在底盤11上，氣體供給部14被設(shè)置在熱板12的前側(cè)的同時(shí)，排氣部15被設(shè)置在熱板12的里側(cè)。
另外，在底盤11的內(nèi)部空間內(nèi)設(shè)置有用于使銷16a、17a升降的升降機(jī)構(gòu)16和17，銷16a通過升降機(jī)構(gòu)16進(jìn)行升降，晶片W經(jīng)由搬送口10a進(jìn)入筐體10內(nèi)，在外部的搬送機(jī)構(gòu)(未圖示)與冷卻板13之間進(jìn)行交接，再者，銷17a通過升降機(jī)構(gòu)17進(jìn)行升降，由此，使得晶片W在熱板12與冷卻板13之間被交接傳遞。圖中18為通過升降機(jī)構(gòu)18a能夠進(jìn)行升降的蓋狀頂板。
下面，針對(duì)如上所述的加熱裝置中的加熱處理，如果參照?qǐng)D19進(jìn)行說明，則首先，如圖19(a)所示，在用頂板18覆蓋熱板12并將熱板12加熱至規(guī)定的溫度的狀態(tài)下，將晶片W傳遞給冷卻板13，然后，如圖19(b)所示，使頂板18上升，使冷卻板13進(jìn)入頂板18與熱板12之間，從冷卻板13將晶片W交接傳遞至熱板12。之后，如圖19(c)所示，使冷卻板13退回與熱板12鄰接的位置上，使頂板18下降至僅僅稍微高于熱板12的位置上。在此狀態(tài)下，一邊從排氣部15進(jìn)行排氣一邊從氣體供給部14供給氣體，由此，在熱板12與頂板18之間的空間形成從氣體供給部14一側(cè)向排氣部15一側(cè)流動(dòng)的單向氣流，進(jìn)行規(guī)定的熱處理。在使頂板18上升后，將經(jīng)熱處理后的晶片W從熱板12傳遞交接給冷卻板13，隨后，從冷卻板13傳遞交接給未圖示的搬送機(jī)構(gòu)，被搬運(yùn)至下一個(gè)工序。
然而，在安裝了如上所述的加熱裝置的抗蝕劑圖案形成裝置中，為了提高生產(chǎn)能力，需要安裝薄型化和多層化的加熱裝置。但是，在該加熱裝置中，例如在冷卻板13的內(nèi)部或下面安裝有冷卻配管，設(shè)置了使冷卻液在該冷卻配管中流通的冷卻機(jī)構(gòu)，因此冷卻板13的厚度為10mm。由此，在熱板12與頂板18之間，為了與冷卻板13之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接，考慮冷卻板13的厚度以及傳遞交接晶片W用的間隙尺寸，需要10mm以上的間隙，其結(jié)果，導(dǎo)致加熱裝置薄型化難以實(shí)現(xiàn)。
另一方面，如果上述熱板12與頂板18之間的間隙過大，則外部氣流進(jìn)入該間隙內(nèi)，致使氣流發(fā)生混亂，沿上述單向氣流的上述升華物質(zhì)的排出無法充分進(jìn)行，因而使上述頂板18形成升降自由的結(jié)構(gòu)形式，當(dāng)在與冷卻板13之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接時(shí)使頂板18上升，當(dāng)進(jìn)行熱處理時(shí)使其下降至規(guī)定的位置。然而如果頂板18如此進(jìn)行升降，則需要該頂板18的升降機(jī)構(gòu)的設(shè)置空間，以及進(jìn)行升降移動(dòng)所需的上下方向的空間，因此，這一方面也阻礙了加熱裝置的薄型化。
鑒于上述問題，本發(fā)明者針對(duì)通過停止由冷卻板13自身進(jìn)行晶片W的搬運(yùn)，縮小熱板12與頂板18之間上下方向的大小，并且，通過停止頂板18的升降以及停止在冷卻板13與熱板12之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接，以期實(shí)現(xiàn)加熱裝置的薄型化而進(jìn)行了探討。就在將晶片搬運(yùn)至熱板時(shí)不使用板或臂的結(jié)構(gòu)形式來說，在專利文獻(xiàn)1中記載了如下例子，將氣體從設(shè)置在基板搬運(yùn)通路底面上的多個(gè)細(xì)孔中噴出，利用氣體的壓力將基板保持在空中并使之移動(dòng)。
但是，專利文獻(xiàn)1的構(gòu)成形式中，雖然朝向基板移動(dòng)方向的前進(jìn)方向噴出氣體使基板移動(dòng)，但是浮起的基板沒有摩擦力的作用而呈現(xiàn)不穩(wěn)定的狀態(tài)，通過微小的力便會(huì)移動(dòng)，如果朝向上述前進(jìn)方向而噴出氣體，則基板在移動(dòng)中，在前進(jìn)方向的前后方向或左右方向容易發(fā)生錯(cuò)位。因此，由于難以在確定位置的穩(wěn)定的狀態(tài)下進(jìn)行晶片的搬運(yùn)，也難以使晶片W停止在規(guī)定的位置上，因而該結(jié)構(gòu)并不實(shí)用。
專利文獻(xiàn)1日本特開昭57-128940號(hào)公報(bào)第二頁右上欄第七行～第二頁左下欄第四行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出的，其目的在于提供一種具有冷卻板和熱板的加熱裝置，在該加熱裝置中，使氣體從冷卻板和熱板噴出，由此，使基板浮起在冷卻板以及熱板之上，并進(jìn)行橫向移動(dòng)，這樣使基板在冷卻板與熱板之間進(jìn)行移動(dòng)，以期實(shí)現(xiàn)加熱裝置的薄型化。
因此，本發(fā)明的加熱裝置，包括用于加熱基板的熱板和用于冷卻基板的冷卻板，基板在上述熱板和冷卻板之間移動(dòng)，其特征在于，包括加熱室，被設(shè)置在處理容器內(nèi)呈扁平狀，用于加熱處理基板，其一側(cè)為了搬入搬出基板而設(shè)有開口；設(shè)置在上述加熱室的內(nèi)部的熱板；冷卻板，在上述處理容器內(nèi)與上述加熱室的開口側(cè)鄰接設(shè)置，用于冷卻經(jīng)熱板加熱過的基板；噴出孔，在上述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，朝向基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)向斜上方噴出基板浮起用的氣體；推壓部件，用于推壓利用上述氣體的吐出而浮起的基板在移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)或后方側(cè)；和使上述推壓部件移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，利用推壓部件推壓基板，抵抗因來自上述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板向與氣體噴出方向相反的方向移動(dòng)，或者利用來自上述噴出孔的氣體的噴出，在基板推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)。
例如，在基板的移動(dòng)通路上，如果將冷卻板側(cè)稱為移動(dòng)通路的一端側(cè)，則在噴出孔朝向移動(dòng)線路的一端側(cè)斜向上方將氣體噴出時(shí)，基板被推壓部件推壓移動(dòng)通路的一端側(cè)、即冷卻板側(cè)，同時(shí)從冷卻板向熱板或者從熱板向冷卻板移動(dòng)。另外，在噴出孔朝向移動(dòng)線路的另一端斜向上方將氣體噴出時(shí)，基板被推壓部件推壓移動(dòng)線路的另一端側(cè)、即熱板側(cè)，同時(shí)從冷卻板向熱板或者從熱板向冷卻板移動(dòng)。
此處，當(dāng)上述移動(dòng)通路的一端側(cè)是冷卻板側(cè)時(shí)，上述推壓機(jī)構(gòu)被設(shè)置在冷卻板側(cè)。另外，也可以包括中心位置定位用的噴出孔，在上述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，在基板的移動(dòng)通路的中心線的兩側(cè)向該中心線噴出氣體，使得浮起的基板位于移動(dòng)通路的中央位置上。
而且，本發(fā)明的其他的加熱裝置，包括用于加熱基板的熱板和用于冷卻基板的冷卻板，基板在上述熱板和冷卻板之間移動(dòng)，其特征在于，包括加熱室，被設(shè)置在處理容器內(nèi)呈扁平狀，用于加熱處理基板，其一側(cè)為了搬入搬出基板而設(shè)有開口；設(shè)置在上述加熱室內(nèi)的熱板；冷卻板，在上述處理容器內(nèi)與上述加熱室的開口側(cè)鄰接設(shè)置，用于冷卻經(jīng)熱板加熱過的基板；去路用噴出孔，在上述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，在將冷卻板側(cè)作為基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)時(shí)，朝上述移動(dòng)通路的另一端側(cè)向斜上方噴出氣體，使得在使基板浮起的同時(shí)推進(jìn)基板從冷卻板側(cè)向加熱室側(cè)的移動(dòng)；歸路用噴出孔，在上述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，朝向基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)斜向上方噴出氣體，使得在使基板浮起的同時(shí)推進(jìn)基板從加熱室側(cè)向冷卻板側(cè)的移動(dòng)；和中心位置定位用的噴出孔，在上述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，在基板的移動(dòng)通路的中心線的兩側(cè)向該中心線噴出氣體，以使得浮起的基板位于移動(dòng)通路的中央位置上。
此處，上述去路用噴出孔和歸路用噴出孔，可以形成在沿基板的移動(dòng)通路延伸的同一直線上，也可以形成在沿基板的移動(dòng)通路延伸的不同直線上。另外，為了使基板浮起而將氣體噴出的噴出孔也可以兼用作中心位置定位用的噴出孔。而且，在冷卻板和熱板上也可以設(shè)置對(duì)沿基板的移動(dòng)通路移動(dòng)的基板的停止位置進(jìn)行定位的定位部件。
此外，本發(fā)明的加熱方法，在加熱裝置中進(jìn)行，該加熱裝置包括用于加熱基板的熱板和用于冷卻基板的冷卻板，基板在上述熱板和冷卻板之間移動(dòng)，其特征在于，包括將基板載置在冷卻板上的工序；從上述冷卻板以及熱板沿著基板的移動(dòng)通路朝向基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)斜向上方噴出基板浮起用的氣體，使基板在冷卻板上浮起的工序；為了使在冷卻板上浮起的基板向熱板側(cè)移動(dòng)，利用推壓部件推壓基板移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)，抵抗因來自上述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板朝向與氣體噴出方向相反的方向移動(dòng)；或是利用來自上述噴出孔的氣體的噴出，在基板的移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)的工序；停止從熱板噴出基板浮起用的氣體，將基板傳遞交接到熱板上，進(jìn)行基板的熱處理的工序；從上述冷卻板和熱板沿基板的移動(dòng)通路朝向基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)向斜上方噴出基板浮起用的氣體，使基板在熱板上浮起的工序；和為了使在熱板上浮起的基板向冷卻板側(cè)移動(dòng)，利用來自上述噴出孔的氣體的噴出，在基板的移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)，或者利用推壓部件推壓基板移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)，抵抗因來自上述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板向與氣體噴出方向相反的方向移動(dòng)的工序。
在如上上述的本發(fā)明中，由于使基板在冷卻板和熱板上浮起，利用氣體產(chǎn)生的推壓力，使基板沿橫向例如水平移動(dòng)并將其搬入具有扁平空間的加熱室中，因?yàn)榫瓦@樣進(jìn)行基板的熱處理，所以在加熱室內(nèi)沒有設(shè)置升降自由的蓋體，而且不需要將基板交接給熱板的動(dòng)作。因此，不需要蓋體的升降或在與熱板之間進(jìn)行交接基板所需要的機(jī)構(gòu)、或該機(jī)構(gòu)在上下方向的操作空間，從而能夠?qū)崿F(xiàn)加熱裝置的薄型化。
另外，設(shè)置在冷卻板和熱板移動(dòng)時(shí)、推壓前方側(cè)或后方側(cè)的推壓機(jī)構(gòu)，在冷卻板和熱板之間，利用推壓部件推壓基板移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)，抵抗利用來自上述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板向與氣體噴出方向相反的一側(cè)移動(dòng)，或者利用來自上述噴出孔的氣體的噴出，在基板的移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)，由此，在移動(dòng)時(shí)，利用來自氣體或推壓機(jī)構(gòu)中的任何一個(gè)的推壓力而推壓基板的前方側(cè)和后方側(cè)的雙方，所以能夠防止移動(dòng)時(shí)的基板的前后方向上的位置偏移，能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)進(jìn)形基板的移動(dòng)。
此外，通過設(shè)置中心位置定位用的噴出孔，氣體的推壓力發(fā)生作用使得浮起的基板位于移動(dòng)通路的中央位置上，所以能夠防止移動(dòng)中的基板的左右方向的位置偏移，能夠更進(jìn)一步以穩(wěn)定的狀態(tài)移動(dòng)基板。


圖1表示的是本發(fā)明的加熱裝置的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖。
圖2表示的是上述加熱裝置的側(cè)截面圖。
圖3表示的是上述加熱裝置的側(cè)截面圖。
圖4表示的是上述加熱裝置中使用的推壓機(jī)構(gòu)的側(cè)截面圖。
圖5表示的是從加熱室一側(cè)看到的上述加熱裝置中使用的冷卻板的截面圖。
圖6表示的是從冷卻板一側(cè)看到的上述加熱裝置中使用的熱板的截面圖。
圖7表示的是上述加熱裝置中使用的加熱室的側(cè)截面圖。
圖8表示的是上述加熱裝置中的搬運(yùn)晶片W用的外部搬送機(jī)構(gòu)和設(shè)置在加熱裝置中的冷卻板的平面圖和立體圖。
圖9表示的是用于說明上述加熱裝置的功能的工序圖。
圖10表示的是用于說明上述加熱裝置的功能的工序圖。
圖11表示的是上述加熱裝置的其他例子的平面圖。
圖12表示的是圖11所示的加熱裝置的側(cè)截面圖。
圖13表示的是圖11所示的加熱裝置中使用的加熱室的側(cè)截面圖。
圖14表示的是上述加熱裝置的另一個(gè)例子的平面圖。
圖15表示的是圖14所示的加熱裝置的側(cè)截面圖。
圖16表示的是組裝有上述加熱裝置的抗蝕劑圖案形成裝置的一個(gè)例子的平面圖。
圖17表示的是上述抗蝕劑圖案形成裝置的一個(gè)例子的立體圖。
圖18表示的是現(xiàn)有加熱裝置的截面圖。
圖19是為了說明現(xiàn)有加熱裝置的功能的工序圖。
標(biāo)號(hào)說明W半導(dǎo)體晶片；2加熱裝置；20筐體；3冷卻板；3a噴出孔；3b定中心用噴出孔；4加熱室；40開口部；5推壓機(jī)構(gòu)；6熱板；6a噴出孔；6b定中心用噴出孔具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，作為本發(fā)明所涉及的加熱裝置的實(shí)施方式的一個(gè)例子，例如，針對(duì)將在表面涂敷有作為涂敷液的抗蝕劑液的作為基板的晶片W進(jìn)行加熱處理、在該晶片W表面上形成抗蝕劑膜的加熱裝置2進(jìn)行說明。此外，該晶片W的大小，采用了例如12英尺的尺寸。該加熱裝置2，如圖1、圖2所示，具有形成處理容器的筐體20，在筐體20的側(cè)壁上開設(shè)有晶片W的搬送口21，該搬送口21利用擋板21a可自由開啟關(guān)閉。該擋板21a是為了防止在加熱晶片W時(shí)，由于外部氣體經(jīng)搬送口21流入筐體20內(nèi)，而如后面所述的，在晶片W的周圍形成的氣流發(fā)生混亂而設(shè)置的，但是，也可以代替擋板21a，通過在搬送口21的附近設(shè)置例如空氣幕(air curtain)防止外部氣體的流入。
另外，基臺(tái)22被設(shè)置在筐體20內(nèi)的下部，如果以朝向搬送口21的一側(cè)為一端側(cè)，則在該基臺(tái)22的一端側(cè)設(shè)置有冷卻晶片W用的冷卻板3，在其另一端側(cè)上設(shè)置有用于對(duì)晶片W進(jìn)行加熱處理的扁平的加熱室4。在該加熱室4的與冷卻板3相對(duì)的側(cè)面上開設(shè)有用于搬入搬出晶片W的開口部40，上述晶片W在冷卻板3的上方一側(cè)的位置與加熱室4的內(nèi)部之間移動(dòng)，在上述加熱室4中進(jìn)行加熱處理。下面，以冷卻板3一側(cè)為晶片W的移動(dòng)通路的一端側(cè)，以加熱室4一側(cè)為上述移動(dòng)通路的另一端側(cè)而進(jìn)行說明。
上述冷卻板3，例如，由鋁構(gòu)成，如圖1所示，例如，在晶片W的移動(dòng)方向(圖中Y方向)的前后，板形部件3B、3C形成為從具有與晶片W大致相同或稍小直徑的圓板3A伸出的形式，從上述搬送口21一側(cè)看，在晶片W的移動(dòng)通路的左右兩側(cè)上具有與晶片W大致相同或稍小的直徑的圓板3A的圓弧，例如，形成大約4mm的厚度。另外，在其里側(cè)上具有例如用于流動(dòng)溫度調(diào)節(jié)水的未圖示的冷卻裝置，形成對(duì)載置在該冷卻板3上的晶片W進(jìn)行粗冷卻的結(jié)構(gòu)形式。
另外，在上述冷卻板3的基本中央部位，設(shè)置有用于推壓晶片W的側(cè)端面的推壓機(jī)構(gòu)5，其形成為跨越上述圓板3A與板形部件3B、3C，能夠沿晶片W的移動(dòng)通路移動(dòng)的結(jié)構(gòu)形式。如后所述，該推壓機(jī)構(gòu)5是當(dāng)晶片W在冷卻板3與加熱室4之間移動(dòng)時(shí)，在從冷卻板3上浮起的晶片W的移動(dòng)過程中用于推壓后方側(cè)的側(cè)端面的機(jī)構(gòu)。
如圖1、圖3、圖4、圖5所示，該推壓機(jī)構(gòu)5由兩根棒形的推壓部件51從支承部件52伸出的形式而構(gòu)成，如后所述，利用推壓部件51的先端，推壓在冷卻板3上浮起的晶片W的、上述移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)(與加熱室4一側(cè)相反的一側(cè))的側(cè)端面。
這樣，該推壓機(jī)構(gòu)5被設(shè)置為，在冷卻板3的中心部位跨越圓板3A、板形部件3B和3C，沿晶片W的移動(dòng)通路而形成的凹陷部30內(nèi)，沿上述移動(dòng)通路自由移動(dòng)。在上述凹陷部30的底面上設(shè)有沿上述移動(dòng)通路延伸的導(dǎo)軌53(未在圖1中圖示)，能夠利用安裝在支承部件52的下部的引導(dǎo)部54，沿上述導(dǎo)軌53移動(dòng)。然后，在上述導(dǎo)軌53的移動(dòng)通路的前方側(cè)和后方側(cè)上分別設(shè)置有兩個(gè)滑輪55A、55B、56A、56B，同時(shí)在支承部件52和滑輪55A、55B、56A、56B上架設(shè)同步皮帶(timingbelt)57，通過使四個(gè)滑輪55A、55B、56A、56B中的一個(gè)驅(qū)動(dòng)滑輪、例如滑輪55B(剩余的三個(gè)為從動(dòng)滑輪)經(jīng)作為驅(qū)動(dòng)單元的發(fā)動(dòng)機(jī)M而旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，使同步皮帶57沿上述移動(dòng)通路移動(dòng)，由此使推壓機(jī)構(gòu)5能夠移動(dòng)。此例中，推壓機(jī)構(gòu)5的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由同步皮帶57、滑輪55A、55B、56A、56B、引導(dǎo)部54、以及導(dǎo)軌53而構(gòu)成。另外，發(fā)動(dòng)機(jī)M通過控制部C而被控制驅(qū)動(dòng)。
另外，在上述冷卻板3的凹陷部30的兩側(cè)，沿晶片W的移動(dòng)通路設(shè)置有從冷卻板3的表面朝向晶片W的移動(dòng)通路的一端側(cè)(與加熱室4相對(duì)的一側(cè))斜向上方噴出晶片浮起用的氣體的多個(gè)噴出孔3a、3a。此例中，上述噴出孔3a、3a，例如，在凹陷部30的兩側(cè)，在晶片W的移動(dòng)通路的中心線L(貫穿載置在冷卻板3上的晶片的中心O1與載置在熱板6上的晶片W的中心O2并沿移動(dòng)通路延伸的線)的兩側(cè)，以基本等間隔夾持上述中心線L的形式，按規(guī)定的間隔形成在沿上述晶片W的移動(dòng)通路延伸的一對(duì)線上。
如圖2和圖5所示，該噴出孔3a、3a，通過為了從該氣體供給通路31、31供給氣體而在冷卻板3的內(nèi)部形成的多個(gè)細(xì)微的供氣孔32、32，與在冷卻板3的內(nèi)部以沿上述晶片的移動(dòng)通路延伸的形式而設(shè)置的氣體供給通路31、31連接，供給孔32、32的一端側(cè)成為噴出孔3a、3a。于是，如圖2所示，通過將供給孔32、32朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)形成斜向上方的形式，從噴出孔3a、3a朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)斜向上方噴出晶片浮起用的氣體。
另外，例如如圖5(b)所示，上述氣體供給通路31、31，形成在冷卻板3的內(nèi)部，包括沿晶片W的移動(dòng)通路延伸的圓筒形的空洞部31a以及設(shè)置在該空洞部31a的內(nèi)部的氣體供給管33。于是，形成供給孔32以連結(jié)上述空洞部31a和冷卻板3表面，當(dāng)氣體從在氣體供給管33的表面形成的氣體孔33a被供給至空洞部31a內(nèi)時(shí)，該氣體經(jīng)由供給孔32以及噴出孔3a被噴出。
而且，在上述冷卻板3的一對(duì)的噴出孔3a、3a的兩側(cè)、沿晶片W的移動(dòng)通路而設(shè)置有，使浮起在晶片W的移動(dòng)通路的中心線L的兩側(cè)的晶片W定位在移動(dòng)通路的中央位置上的、朝向該中心線L噴出氣體的多個(gè)中心位置對(duì)準(zhǔn)用的噴出孔(以下稱“定中心用噴出孔3b、3b”)。該定中心用噴出孔3b、3b，例如，在一對(duì)噴出孔3a、3a的兩側(cè)以基本等間隔夾持上述中心線L的形式，在沿上述移動(dòng)通路延伸的一對(duì)線上按規(guī)定的間隔而形成。
例如，在冷卻板3的內(nèi)部，該定中心用噴出孔3b、3b也是通過為了從氣體供給通路34供給氣體而在冷卻板3的內(nèi)部形成的多個(gè)細(xì)微的供氣孔35，與沿上述晶片的移動(dòng)通路延伸的形式而設(shè)置的氣體供給通路34連接，供給孔35的一端側(cè)成為定中心用噴出孔3b、3b。于是，通過使供給孔35朝向上述中心線L形成斜向上方的形式，氣體從定中心用噴出孔3b、3b朝向上述中心線L而被噴出。該氣體供給通路34也和噴出孔3a的氣體供給通路31一樣，具有圓筒形的空洞部34a(未圖示)以及設(shè)置在該空洞部34a的內(nèi)部的氣體供給管36(參照?qǐng)D1)。
而且，如圖1所示，在冷卻板3的周邊部的例如四個(gè)部位上，朝向該冷卻板3的中心部形成有切口37。而且，如后所述，該切口37在外部搬送機(jī)構(gòu)A與冷卻板3之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接時(shí)是必須的。
另外，在設(shè)置了冷卻板3的推壓機(jī)構(gòu)5的凹陷部30的底部，例如如圖4、圖5(a)所示，在凹陷部30的長(zhǎng)邊方向上以規(guī)定的間隔形成排氣口38a，從排氣口38a排出的氣體，通過在冷卻板3的凹陷部30的下部側(cè)、由設(shè)置了上述排氣口38a的區(qū)域所包圍形成的排氣室38而向外部排氣。例如，從噴出孔3a噴出、通過晶片W的下方側(cè)而進(jìn)入凹陷部30內(nèi)的氣體，從例如該排氣口38a被排氣。
上述加熱室4是在其內(nèi)部對(duì)晶片W進(jìn)行加熱處理的部件，具有比晶片W更大的內(nèi)部空間。該加熱室4包括形成與晶片W大致相同大小的圓板形的熱板6、以及與該熱板6相對(duì)設(shè)置的頂板41，熱板6例如由氮化鋁(AlN)或碳化硅(SiC)構(gòu)成，頂板41由例如厚度為3mm左右的鋁(Al)或不銹鋼等的導(dǎo)熱性材料而構(gòu)成。
如圖2、圖7所示，將熱板6設(shè)置在下部容器42內(nèi)，使得以收容在形成在下部容器42中央部位的凹陷部?jī)?nèi)的狀態(tài)下，下部容器42的上面與熱板6的上面位于相同高度。另外頂板41，在該下部容器42內(nèi)，僅上述開口部40開口，為使沿上述移動(dòng)通路的截面形狀成為日語的“コ”字形狀，即，從冷卻板3一側(cè)看加熱室4時(shí)，在熱板6的側(cè)方部位或熱板6的里側(cè)設(shè)有側(cè)壁部。于是，上述開口部40的上下方向的大小被設(shè)定為6mm以下，在其內(nèi)部形成扁平的空間。
如圖1所示，上述熱板6例如由氮化鋁構(gòu)成為具有大于晶片W直徑的圓板形，其厚度例如大約為4mm。在其表面上，為了在使晶片W從熱板6表面例如浮起大約0.2mm的狀態(tài)下對(duì)其進(jìn)行保持而設(shè)置了突起部61，另外，例如如圖4、圖6、圖7所示，在其里側(cè)具有由例如加熱器而形成的加熱單元62，形成對(duì)載置在該熱板6上的晶片W進(jìn)行加熱的結(jié)構(gòu)形式。
例如如圖4、圖7所示，在該熱板6與冷卻板3鄰接的一側(cè)，在晶片W被推壓機(jī)構(gòu)5推壓的狀態(tài)下從冷卻板3移動(dòng)至熱板6所規(guī)定的位置時(shí)，形成推壓機(jī)構(gòu)5的推壓部件51的先端部嵌入用的切口部63。
另外，在上述熱板6上設(shè)置有沿晶片W的移動(dòng)通路而設(shè)置的、朝向晶片W的移動(dòng)通路的一端側(cè)(冷卻板3一側(cè))斜向上方將晶片W浮起用的氣體噴出的多個(gè)噴出孔6a。該噴出孔6a，例如，以規(guī)定的間隔形成在晶片W的移動(dòng)通路的上述中心線L上。
上述噴出孔6a，例如，在熱板6的內(nèi)部，通過為了供給來自氣體供給通路64的氣體而在熱板6上形成的多個(gè)細(xì)微供給孔65，與沿上述晶片移動(dòng)通路延伸設(shè)置的氣體供給通路64連接，供給孔65的一端側(cè)成為噴出孔6a。于是，如圖2、圖7所示，通過朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)(冷卻板3一側(cè))斜向上方形成供給孔65，從噴出孔6a朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)斜向上方噴出氣體。
另外，氣體供給通路64與噴出孔3a的氣體供給通路31一樣，具有形成在熱板6的內(nèi)部、沿晶片W的移動(dòng)方向延伸的圓筒形的空洞部(未圖示)、以及設(shè)在該空洞部的內(nèi)部的氣體供給管66(參見圖1，圖2)。從而，形成供給孔65使其連結(jié)上述空洞部與熱板6表面，如果從形成在氣體供給管66表面的氣孔向空洞部?jī)?nèi)供給氣體，則該氣體通過供給孔65和噴出孔6a被噴出。
而且，在上述熱板6的噴出孔6a的兩側(cè)、沿晶片W的移動(dòng)通路設(shè)置有使浮起在上述中心線L的兩側(cè)的晶片W位于移動(dòng)通路的中央位置上的、朝向該中心線L噴出氣體用的多個(gè)中心位置對(duì)準(zhǔn)用的噴出孔6b、6b(以下稱“定中心用噴出孔6b、6b”)。該定中心用噴出孔6b、6b，例如，以基本等間隔夾持設(shè)置有噴出孔6a的上述中心線L的形式，按規(guī)定的間隔形成在沿移動(dòng)通路延伸的一對(duì)線上。
如圖6所示，在熱板6的內(nèi)部，該中心位置對(duì)準(zhǔn)用噴出孔6b、6b也是通過為了從氣體供給通路67供給氣體而在熱板6內(nèi)形成的多個(gè)細(xì)微的供給孔68，與沿上述晶片的移動(dòng)通路延伸的形式而設(shè)置的氣體供給通路67連接，供給孔68的一端側(cè)成為定中心用噴出孔6b、6b。于是，通過朝向上述中心線L斜向上方形成供給孔68，從定中心用噴出孔6b、6b朝向上述中心線L噴出氣體。該氣體供給通路67也和噴出孔6a的氣體供給通路64一樣，具有圓筒形的空洞部(未圖示)、以及設(shè)置在該空洞部?jī)?nèi)部的氣體供給管69(參照?qǐng)D1)。
此處，在從噴出孔3a、6a噴出的氣體，或從定中心用噴出孔3b、6b噴出的氣體中使用了壓縮空氣等。于是，對(duì)上述氣體供給通路31、34、64、67，分別供給氣體例如供給壓縮空氣用的氣體供給管33、36、66、69分別通過流量調(diào)整閥V1、V2、V3、V4與例如設(shè)置在筐體20的外部、儲(chǔ)存了上述壓縮空氣等的氣體的氣體供給源33A、36A、66A、69A連接。此外，圖2中為了圖示的方便，僅僅標(biāo)識(shí)了氣體供給管33和66。
在上述下部容器42中，從開口部40一側(cè)看，氣體噴出部43被設(shè)置在熱板6的前方側(cè)，排氣部44被設(shè)置在熱板的里側(cè)。當(dāng)晶片W在加熱室4內(nèi)時(shí)，該氣體噴出部43與排氣部44以夾著晶片W的形式被設(shè)置在前側(cè)和里側(cè)，由此覆蓋了晶片W的直徑(寬度)，進(jìn)一步，分別設(shè)置氣體噴出部與排氣部，也是為了能夠在加熱室4的頂板41與熱板6之間形成從上述開口部40一側(cè)看，從前部流向里側(cè)，即，從晶片W的一端側(cè)流向另一端側(cè)的被稱為單向氣流的氣流。
如圖1所示，就上述氣體噴出部43來說，例如，多個(gè)小孔作為噴出孔43a沿加熱室4的寬度方向(圖中的X方向)分別以一定的間隔而設(shè)置。從該噴出孔43a的一端到另一端的長(zhǎng)度構(gòu)成為能夠覆蓋載置在加熱室4內(nèi)的晶片W的直徑。例如，如圖2所示，在氣體噴出部43上，通過氣體供給管45a以及閥V5，與例如設(shè)置在筐體20外部的、貯留了干凈的凈化用氣體、例如氮?dú)獾鹊牟换钚詺怏w的氣體供給源45連接。
例如，將通過加熱單元調(diào)整到與晶片W的加熱溫度(加熱時(shí)的晶片W的表面溫度)相同的溫度的氣體從上述氣體噴出部43噴出。作為上述加熱單元，也可以使用設(shè)置在氣體供給管45a的出口附近的加熱器，或者也可以形成如下結(jié)構(gòu)，例如，在氣體噴出部43的內(nèi)部沿寬度方向設(shè)置導(dǎo)熱板，將多個(gè)熱導(dǎo)管的一端連接在該導(dǎo)熱板上，將熱導(dǎo)管的另一端連接在熱板上，由此，將從氣體供給源45通過氣體供給管45a而供給至氣體噴出部43的內(nèi)部空間的凈化用氣體，通過導(dǎo)熱板調(diào)整至與晶片W的加熱溫度(加熱時(shí)晶片W的表面溫度)相同的溫度。晶片W以被突起部61保持的狀態(tài)被支承在加熱室4內(nèi)，利用熱板6進(jìn)行加熱，同時(shí)，被加熱的凈化用氣體沿晶片W的表面流動(dòng)，由此能夠以預(yù)先設(shè)定的加工溫度對(duì)晶片W進(jìn)行加熱。
就排氣部44來說，沿加熱室4的寬度方向、分別以一定的間隔設(shè)置有例如多個(gè)小孔作為排氣口44a，從該排氣口44a的一端到另一端的長(zhǎng)度構(gòu)成為能夠覆蓋晶片W的直徑。排氣管46連接在排氣部44上，該排氣管46向筐體20的外部延伸，其端部，例如與工廠的排氣通路連接。另外，排氣管46上設(shè)有通風(fēng)扇47，通過控制該通風(fēng)扇47的轉(zhuǎn)速，排氣部44能夠以例如預(yù)先設(shè)定的排氣量從排氣口44a進(jìn)行加熱室4內(nèi)的排氣。此外，圖中V6是設(shè)置在排氣管46上的閥。
然而在本發(fā)明中，因?yàn)橹灰軌蛲ㄟ^氣體噴出部43以及排氣部44形成上述的單向氣流即可，因此氣體噴出部43以及排氣部44不局限于本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。另外，噴出孔43a以及排氣口44a的形狀也不局限于本實(shí)施方式的例子，例如也可以設(shè)置為沿寬度方向的狹縫狀。
而且，在該加熱裝置中設(shè)置有熱板引導(dǎo)部23A，其作為在決定移動(dòng)至熱板6的上方一側(cè)的晶片W的停止位置的同時(shí)決定載置在熱板6上的晶片W的位置用的定位部件。該熱板引導(dǎo)部23A，例如由與浮起在熱板6上的晶片W的側(cè)端面接觸的突起形成，被設(shè)置在熱板6的表面，在晶片W被載置到熱板6上的規(guī)定位置時(shí)的、晶片W與冷卻板3相反側(cè)的側(cè)端面接觸的位置上，在晶片W的圓周方向上設(shè)置有多個(gè)。
而且，還設(shè)置有冷卻板引導(dǎo)部23B，其作為在決定從熱板6移動(dòng)至冷卻板3的上方一側(cè)的晶片W的停止位置的同時(shí)，決定載置在冷卻板3上的晶片W的位置的定位部件。該冷卻板引導(dǎo)部23B，例如由與浮起在冷卻板3上的晶片W的側(cè)端面接觸的突起形成，被設(shè)置在冷卻板3的表面，當(dāng)晶片W被搭載在冷卻板3上的規(guī)定位置時(shí)，在晶片W與熱板6相反一側(cè)的側(cè)端面接觸的位置上，在晶片W的圓周方向上設(shè)置有多個(gè)。
另外，圖4中的24是例如在加熱室4內(nèi)進(jìn)行晶片W的加熱處理時(shí)堵塞加熱室4的開口部40的擋板，但是，例如也可以采用在上述開口部40的附近設(shè)置空氣幕代替擋板24。此外，圖4中的25是形成在例如加熱裝置2的處理容器20的側(cè)壁上的排氣部。
接著，針對(duì)將晶片W傳遞交接給冷卻板3的外部搬送機(jī)構(gòu)A進(jìn)行說明，例如如圖8所示，該搬送機(jī)構(gòu)A具有水平的馬蹄形的搬送臂26、以及支承搬送臂的搬送基體27，在搬送臂26的前方形成有比冷卻板3的板形部件3C還大的切口部26a。搬送臂26的內(nèi)周的大小形成為比冷卻板3的直徑稍大，在該內(nèi)周的下部位置上設(shè)有朝向內(nèi)部的四個(gè)突片28，如圖8(b)所示，晶片W被保持在上述突片28上。
搬送臂26通過例如未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)經(jīng)由搬送基體27形成升降自由且進(jìn)退自由的結(jié)構(gòu)形式，當(dāng)將晶片W傳遞交接給冷卻板3時(shí)，首先使推壓機(jī)構(gòu)5位于待機(jī)位置(冷卻板3的一端側(cè)位置)，使保持有晶片W的搬送臂26經(jīng)由上述搬送口21進(jìn)入筐體20內(nèi)的冷卻板3的上方一側(cè)。此處，由于冷卻板3的外周切口部37被設(shè)置在分別與搬送臂26的突片28相對(duì)應(yīng)的位置上，如圖8(b)所示，搬送臂26以相對(duì)于冷卻板3從上方遮蓋的形式下降，搬送臂26通過冷卻板3的下方一側(cè)，將搬送臂26上的晶片W傳遞交接給冷卻板3。傳遞交接晶片W的搬送臂26在冷卻板3與基臺(tái)22之間向搬送口21側(cè)后退，從筐體20內(nèi)退出。
接著，針對(duì)加熱裝置2的構(gòu)成部件的位置關(guān)系進(jìn)行說明，在本例中，由于形成晶片W在利用氣體浮起的狀態(tài)下從冷卻板3的上方側(cè)向熱板6的上方側(cè)移動(dòng)的結(jié)構(gòu)形式，設(shè)定冷卻板3與熱板6的高度位置基本相同，為了使在冷卻板3上浮起的晶片W能夠保持原有狀態(tài)進(jìn)入上述熱板6。另外，設(shè)定晶片W在熱板6的高于突起部61的上方側(cè)移動(dòng)，晶片W從該位置下降，能夠以被突起部61保持的狀態(tài)進(jìn)行熱處理。此外，在本例中，設(shè)定晶片W在從冷卻板3或熱板6的表面浮起大約0.3mm的位置進(jìn)行移動(dòng)。
下面，針對(duì)設(shè)置在該加熱裝置2內(nèi)的控制部C進(jìn)行說明。該控制部C，具有例如由計(jì)算機(jī)而形成的程序存儲(chǔ)部，在程序存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)有程序，其中組成有如后所述的實(shí)施該加熱裝置2的作用、即處理晶片W、交接晶片W、加熱晶片W以及氣流控制等的命令，例如，由軟件構(gòu)成。通過控制部讀取該程序，控制部控制該半導(dǎo)體制造裝置的功能。此外，該程序以被收容在例如硬盤、光盤(compact disc)、磁光盤(magnet optical disc)等存儲(chǔ)介質(zhì)中的狀態(tài)被存儲(chǔ)在程序存儲(chǔ)部中。
此外，該加熱裝置2中，利用控制部C進(jìn)行閥V1～V6的開關(guān)控制和發(fā)動(dòng)機(jī)M的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制，通過對(duì)來自噴出孔3a、6a、3b、6b的氣體的噴出量進(jìn)行控制而控制氣體對(duì)晶片W的推壓力和中央位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)的程度，通過控制發(fā)動(dòng)機(jī)M的轉(zhuǎn)速而控制推壓機(jī)構(gòu)5的推壓力(移動(dòng)速度)，通過控制發(fā)動(dòng)機(jī)M的旋轉(zhuǎn)方向而控制推壓機(jī)構(gòu)5的移動(dòng)方向。
接著，針對(duì)該加熱裝置2的功能進(jìn)行說明。首先如圖9(a)所示，通過外部搬送機(jī)構(gòu)A，經(jīng)由搬送口21將表面涂敷有抗蝕劑液的晶片W搬入筐體20內(nèi)，將晶片W傳遞交接到冷卻板3上。然后如圖9(b)所示，打開閥V1～V4，分別從噴出孔3a、6a以及定中心用噴出孔3b、6b噴出氣體，使晶片W從冷卻板3的表面浮起大約0.3mm。之后如圖9(c)所示，驅(qū)動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)M，利用推壓機(jī)構(gòu)5推壓晶片W移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)的側(cè)端面(與加熱室4相反一側(cè)的側(cè)端面)，使晶片W移動(dòng)至熱板6的上方側(cè)，進(jìn)行推壓直至晶片W的移動(dòng)過程中的前方側(cè)的側(cè)端面與熱板引導(dǎo)部件23A接觸為止。
此處，當(dāng)將晶片W從冷卻板3移動(dòng)至熱板6時(shí)，由于在冷卻板3與熱板6上，朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)(冷卻板3一側(cè))斜向上方噴出氣體，由此，產(chǎn)生有將晶片W向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)移動(dòng)的趨勢(shì)的推壓力。于是，抵抗該推壓力，利用推壓部件51推壓晶片W移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)的側(cè)端面，使晶片W移動(dòng)至與上述氣體的噴出方向相反側(cè)的熱板6一側(cè)。
這樣，利用推壓機(jī)構(gòu)5推壓晶片W，直至晶片W在上述移動(dòng)過程中的前方側(cè)的側(cè)端面與熱板引導(dǎo)部件23A接觸為止，之后如圖10(a)所示，關(guān)閉閥V1～V4，停止從噴出孔3a、6a、定中心用噴出孔3b、6b噴出氣體，使推壓機(jī)構(gòu)5后退至待機(jī)位置。這樣，通過停止上述氣體的噴出，使浮起在熱板6的上方側(cè)的晶片W下降，在利用熱板引導(dǎo)部件23A進(jìn)行了定位的狀態(tài)下將晶片載置在熱板6的突起部61上。此外，直至搬送晶片W，利用熱板6將加熱室4內(nèi)加熱至例如100℃左右。
這樣，如果將晶片W搬入加熱室4內(nèi)，則閥V5被打開，從氣體供給源45經(jīng)由氣體供給管45a從噴出孔43a朝向加熱室4的頂板41噴出設(shè)定在規(guī)定溫度的潔凈氣體，同時(shí)，閥V6開啟，通過通風(fēng)扇47的旋轉(zhuǎn)從排氣部44進(jìn)行排氣。這樣，從氣體噴出部43供給的清潔用氣體在加熱室4的頂板41與熱板6之間從上述移動(dòng)通路的一端側(cè)流向另一端側(cè)，在通過晶片W的周圍后，流入排氣部44，被排出至加熱室4和筐體20之外。由此在晶片W的周圍形成單向氣流，這樣，利用熱板6的熱和單向氣流對(duì)涂敷在晶片W上的抗蝕劑液進(jìn)行加熱和干燥，在晶片W上形成抗蝕劑膜。這樣，對(duì)晶片W進(jìn)行例如一定時(shí)間的清潔用氣體的供給后，停止來自氣體供給源45的清潔用氣體的供給以及由排氣部44進(jìn)行的排氣。
之后，開啟閥V1～V4，開始從熱板6和冷卻板3表面的噴出孔3a、6a、以及定中心用噴出孔3b、6b吐出氣體，同時(shí)，移動(dòng)推壓機(jī)構(gòu)5直至其到達(dá)與晶片W的上述移動(dòng)通路的一端側(cè)(冷卻板3一側(cè))的側(cè)端面接觸的位置為止。
此處，當(dāng)將晶片W從熱板6移動(dòng)至冷卻板3上時(shí)，由于在冷卻板3與熱板6上，朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)斜向上方噴出氣體，由此，產(chǎn)生向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)移動(dòng)晶片W的推壓力。之后，利用該推壓力將晶片W移動(dòng)中的前方側(cè)(冷卻板3一側(cè))的側(cè)端面推壓至推壓部件51，在該狀態(tài)下使推壓機(jī)構(gòu)5朝向與氣體噴出方向相同的方向，即、向冷卻板3一側(cè)移動(dòng)。此處，晶片W利用氣體產(chǎn)生的推壓力，向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)(冷卻板3一側(cè))移動(dòng)，通過將推壓機(jī)構(gòu)5的移動(dòng)速度設(shè)定為小于由于上述氣體的推壓產(chǎn)生的晶片W的移動(dòng)速度，能夠?qū)⒕琖移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)的側(cè)端面推壓在推壓機(jī)構(gòu)5上。
這樣，如圖10(b)所示，利用氣體的推壓力與推壓機(jī)構(gòu)5使晶片W移動(dòng)，直至晶片W在移動(dòng)過程中的前方側(cè)的側(cè)端面與冷卻板引導(dǎo)部件23B接觸為止，之后如圖10(c)所示，關(guān)閉閥V1～V4，停止從噴出孔3a、6a、定中心用噴出孔3b、6b噴出氣體。由此，通過停止上述氣體的噴出，使浮起在冷卻板3上的晶片W下降，在利用冷卻板引導(dǎo)部件23B進(jìn)行了定位的狀態(tài)下將其載置在冷卻板3上。
在冷卻板3上，使晶片W的下面與該冷卻板3接觸而冷卻，進(jìn)行晶片W的粗冷卻。然后，粗冷卻完成后，通過冷卻板3將晶片W傳遞交接給外部的搬送機(jī)構(gòu)A，搬送至筐體20外。此處晶片W從冷卻板3到搬送機(jī)構(gòu)A的傳遞交接按照與晶片W從搬送機(jī)構(gòu)A到冷卻板3的傳遞交接相反的動(dòng)作進(jìn)行，例如，使搬送機(jī)構(gòu)A的搬送臂26進(jìn)入保持晶片W的冷卻板3的下面與基臺(tái)22之間，然后使搬送臂26上升至冷卻板3的上方側(cè)，將晶片W從冷卻板3傳遞交接給搬送臂26，之后，在冷卻板3的上方側(cè)使保持著晶片W的搬送臂26退回。
在如上所述的加熱裝置2中，當(dāng)晶片W在冷卻板3與熱板6之間移動(dòng)時(shí)，通過從冷卻板3或熱板6的表面噴出氣體而使晶片W浮起，利用來自冷卻板3或熱板6的氣體形成的推壓力與推壓機(jī)構(gòu)5的推壓力的組合，將晶片W搬入具有扁平空間的加熱室4內(nèi)，進(jìn)行規(guī)定的熱處理。
此時(shí)，當(dāng)使晶片W從冷卻板3移動(dòng)至熱板6時(shí)，分別從冷卻板3與熱板6的表面朝向晶片W的移動(dòng)通路的一端側(cè)斜向上方供給氣體，同時(shí)，利用推壓機(jī)構(gòu)5推壓晶片W的上述一端側(cè)的側(cè)端面。由此，上述氣體產(chǎn)生的推壓力作用在晶片W進(jìn)行上述移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)上，晶片W利用來自上述移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)的推壓力，在被推壓機(jī)構(gòu)5推壓的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)。
據(jù)此，由于晶片W在上述移動(dòng)通路上受到兩種壓力從冷卻板3向熱板6移動(dòng)，即、由來自前進(jìn)方向的前方側(cè)的氣體產(chǎn)生的推壓、以及由來自上述前進(jìn)方向的后方側(cè)的推壓機(jī)構(gòu)5產(chǎn)生的推壓，因此，即使是處于從冷卻板3或熱板6浮起的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)的這種不穩(wěn)定的狀態(tài)，也能夠抑制向前進(jìn)方向的前方側(cè)以及后方側(cè)的位置偏移，能夠在確定了上述移動(dòng)通路的前后方向的位置的狀態(tài)下進(jìn)行穩(wěn)定的移動(dòng)。
另外，就晶片W在熱板6上的停止位置來說，從熱板6上形成與上述前進(jìn)方向反向的氣流，利用該氣流產(chǎn)生的推壓力抑制晶片W向前方側(cè)的移動(dòng)，因此，通過使推壓機(jī)構(gòu)5產(chǎn)生的推壓結(jié)束在規(guī)定的位置，能夠使晶片W停止在熱板6上的預(yù)先設(shè)定的規(guī)定位置上。
此時(shí)，如果假設(shè)在從冷卻板3或熱板6向上述移動(dòng)通路的另一端側(cè)(晶片W的前進(jìn)方向)或從冷卻板3等朝向垂直方向產(chǎn)生氣流的狀態(tài)下，由推壓機(jī)構(gòu)5推壓晶片W的上述一端側(cè)的側(cè)面使其移動(dòng)，則由于從冷卻板3等浮起的晶片W處于不穩(wěn)定的狀態(tài)，如果利用推壓機(jī)構(gòu)5推壓上述晶片W移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)的側(cè)端面，則在由于浮起而產(chǎn)生的摩擦力基本不發(fā)生作用的狀態(tài)下，晶片W容易向上述前進(jìn)方向的前方側(cè)或斜前方側(cè)移動(dòng)。因此，難以利用推壓機(jī)構(gòu)5推壓晶片W的規(guī)定位置，在移動(dòng)時(shí)容易產(chǎn)生晶片W的位置偏移。由于這樣難以使晶片W在穩(wěn)定的狀態(tài)下移動(dòng)，因此可以知道難以使晶片從冷卻板3移動(dòng)至熱板6的規(guī)定位置上。
另外，在使晶片W從熱板6向冷卻板3移動(dòng)時(shí)，分別從冷卻板3與熱板6的表面朝向晶片W的上述移動(dòng)通路的一端側(cè)(前進(jìn)方向一側(cè))供給氣體，在利用由此形成的推壓力使晶片W移動(dòng)的同時(shí)，在利用上述氣體的推壓力將晶片W的上述移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)的側(cè)端面推壓至推壓部件51上的狀態(tài)，使推壓機(jī)構(gòu)5向氣體被噴出的方向移動(dòng)。
這樣，因?yàn)榫琖從上述前進(jìn)方向的前方側(cè)被推壓機(jī)構(gòu)5推壓，從上述前進(jìn)方向的后方側(cè)利用氣體產(chǎn)生的推壓力而進(jìn)行移動(dòng)，所以即使處于從冷卻板3或熱板6浮起的狀態(tài)而進(jìn)行移動(dòng)這樣不穩(wěn)定的狀態(tài)中，通常晶片W在上述移動(dòng)通路的前方側(cè)和后方側(cè)分別被推壓，由此可以抑制向前后方向的位置偏移，能夠進(jìn)行穩(wěn)定地移動(dòng)。另外，就晶片W在冷卻板3上的停止位置來說，通過使推壓機(jī)構(gòu)5停止在規(guī)定的位置上，能夠使晶片W停止在冷卻板3上的預(yù)先設(shè)定的位置上。
而且在如上所述的例子中，在冷卻板3以及熱板6上形成定中心用噴出孔3b、6b，由于在晶片W移動(dòng)時(shí)，朝向移動(dòng)通路的中心線將氣體噴出，從移動(dòng)通路的左右方向產(chǎn)生推壓力使得浮起的晶片W位于移動(dòng)通路的中央位置上，由此而進(jìn)行晶片W的中心位置的定位，能夠防止晶片移動(dòng)時(shí)向移動(dòng)通路的左右方向的位置偏移。
另外，這樣，在本發(fā)明的加熱裝置2中，在使晶片W在冷卻板3與熱板6之間移動(dòng)時(shí)，由于不使用構(gòu)成為搭載晶片W而進(jìn)行移動(dòng)的冷卻板或與冷卻板不同的其他搬送單元，因此不需要在冷卻板與熱板6之間，或在搬送單元與熱板6之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接。在此，在這些傳遞交接操作中，通常通過使冷卻板、搬送機(jī)構(gòu)或晶片W中的任何一個(gè)在加熱室4內(nèi)升降而進(jìn)行，但由于不需要進(jìn)行上述傳遞交接操作，該升降所需的在加熱室4內(nèi)的上下方向的間隙部分變的不需要。
因此，加熱室4內(nèi)的上下方向的大小，只要是晶片W在從熱板6浮起的狀態(tài)下能夠在熱板6上進(jìn)行水平方向上的移動(dòng)的大小即可，能夠相當(dāng)大幅度地縮小加熱室4內(nèi)的上下方向的大小。因此，即使加熱室4內(nèi)的上下方向的大小為3mm以下的扁平的加熱室4，也不需要加熱室4的頂板41的升降操作。
這樣，在該加熱裝置2中，由于不需要將晶片W交接到熱板6上所需要的升降機(jī)構(gòu)、或頂板41的升降機(jī)構(gòu)，因此也不需要設(shè)置升降機(jī)構(gòu)的區(qū)域或進(jìn)行升降操作所需要的在上下方向的間隙，在加熱室4自身實(shí)現(xiàn)薄型化的同時(shí)，根據(jù)此點(diǎn)也能夠減小加熱裝置2在上下方向的高度。由此能夠?qū)崿F(xiàn)加熱裝置2的薄型化，如后所述，在將該加熱裝置組裝進(jìn)涂敷、顯影裝置中時(shí)，能夠多層化設(shè)置加熱裝置2，能夠在以往一個(gè)加熱裝置2所占據(jù)的面積上安裝多個(gè)加熱裝置。
另外，不需要蓋體41在熱板6之間進(jìn)行升降操作以及與熱板6之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接操作所需要的操作時(shí)間，因而在這一方面能夠減少額外時(shí)間(overhead time)，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)能力的提高。再者，在這樣的加熱裝置2中，如前所述，由于在加熱室4內(nèi)沒有設(shè)置自由升降的蓋體41，不需要蓋體41的升降機(jī)構(gòu)的設(shè)置空間、以及升降操作所需要的上下方向的空間，從這方面也能夠?qū)崿F(xiàn)加熱裝置2的薄型化。
而且，因?yàn)闆]有可能由于蓋體41的升降而導(dǎo)致產(chǎn)生加熱裝置2內(nèi)的氣流的混亂，加熱裝置2內(nèi)的氣流難以混亂，所以能夠良好地進(jìn)行該氣流的控制。由此，在加熱裝置2中，因?yàn)槟軌蛞种茪饬鞯幕靵y形成上述單向氣流，其結(jié)果，上述升華物質(zhì)隨著氣流的流動(dòng)被充分地從排氣部44排出，能夠抑制微粒附著在晶片W上。
接著，針對(duì)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式參照?qǐng)D11～圖13進(jìn)行說明。此例子與上述實(shí)施方式的區(qū)別在于在晶片W的移動(dòng)通路的另一端側(cè)的加熱室4側(cè)設(shè)置推壓機(jī)構(gòu)7。在本例子中，如圖12所示，在冷卻板3和熱板6上，沿晶片W的移動(dòng)通路設(shè)置有多個(gè)噴出孔7a、7b，其用于朝向晶片W的移動(dòng)通路的另一端側(cè)(加熱室4側(cè))斜向上方噴出晶片W浮起用的氣體，例如在上述移動(dòng)通路的中心線上隔開規(guī)定的間隔而形成。
另外，就推壓機(jī)構(gòu)7來說，推壓浮起在熱板6上的晶片W的上述移動(dòng)通路的另一端側(cè)的側(cè)端面的推壓部件71被設(shè)置為從支承部件72朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)延伸，該推壓部件71被支承部件72支承，能夠在從上述熱板6浮起的狀態(tài)下，沿晶片W的移動(dòng)通路移動(dòng)。
在本實(shí)施方式中，在一方的推壓部件71的側(cè)面上，薄板狀的支承臂73在加熱室4的寬度方向上(圖中的X方向)延伸，另一端側(cè)從加熱室4的側(cè)壁4a延伸至加熱室4的外部與引導(dǎo)部74連接。于是，上述引導(dǎo)部74在加熱室4的外部沿導(dǎo)軌75移動(dòng)，導(dǎo)軌沿上述移動(dòng)通路延伸，從而推壓部件71能夠沿上述移動(dòng)通路移動(dòng)。此外，在加熱室4的側(cè)壁4a上形成有上述支承臂73能夠通過的程度的間隙4b。其他結(jié)構(gòu)與上述圖1所示的加熱裝置2相同。
在如上所述的加熱裝置2中，在將晶片W從冷卻板3移向熱板6時(shí)，使氣體從冷卻板3以及熱板6噴出，由此，使推壓部件71與浮起在冷卻板3上的晶片W的移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)相接觸。然后，由于噴出上述氣體而在晶片W上作用有使之向熱板6一側(cè)移動(dòng)的推壓力，在利用該推壓力將推壓部件71向靠近晶片W的移動(dòng)通路的前方側(cè)推壓的狀態(tài)下，使推壓機(jī)構(gòu)7朝向與氣體噴出方向相同的方向(加熱室4一側(cè))移動(dòng)，使晶片W移動(dòng)至熱板6上。之后，停止從冷卻板3以及熱板6噴出氣體，將晶片W載置在熱板6上，進(jìn)行規(guī)定的熱處理。
另一方面，當(dāng)將晶片W從熱板6移動(dòng)至冷卻板3時(shí)，使氣體從冷卻板3以及熱板6噴出，由此，使推壓部件71與浮起在熱板6上的晶片W的移動(dòng)中的后方側(cè)接觸。于是，由于噴出上述氣體而在晶片W上作用有試圖使之移向熱板6側(cè)的推壓力，抵抗該推壓力，利用推壓機(jī)構(gòu)7推壓晶片W，并使基板向與氣體的噴出方向相反的一側(cè)(冷卻板3一側(cè))移動(dòng)，使晶片W移動(dòng)至冷卻板3上。之后，停止從冷卻板3以及熱板6噴出氣體，將晶片W載置在冷卻板3上，進(jìn)行規(guī)定的熱處理。
即使在上述的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)晶片W在冷卻板3與熱板6之間移動(dòng)時(shí)，因?yàn)樵诰琖上作用有由來自移動(dòng)通路的前方側(cè)和后方側(cè)的氣體所形成的推壓力、以及由推壓機(jī)構(gòu)7所產(chǎn)生的推壓力，因而抑制了晶片W移動(dòng)時(shí)在前后方向的位置偏移，能夠在穩(wěn)定的狀態(tài)下使其移動(dòng)。
如上所述，在圖1所示的加熱裝置2、以及圖11所示的加熱裝置2中，形成在冷卻板3和熱板6上的晶片W浮起用的噴出孔3a、6a、7a、7b，可以形成在沿晶片W的移動(dòng)通路的一根以上的直線上，晶片W的中心位置定位用的定中心用噴出孔3b、6b，也可以夾持上述移動(dòng)通路的中心線而形成多對(duì)。
另外，上述實(shí)施方式中，雖然晶片W的浮起用的噴出孔3a、6a、7a和晶片W的中心位置定位用的定中心用噴出孔3b、6b分別形成，但是例如，也可以設(shè)置噴出孔3a、6a、7a，使之在上述移動(dòng)通路的中心線L的兩側(cè)，朝向該中心線L噴出氣體的同時(shí)，朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)斜向上方噴出氣體，由此，設(shè)置噴出孔使之兼用作浮起晶片W用噴出孔和中心位置定位用噴出孔。
下面參照?qǐng)D14以及圖15，繼續(xù)針對(duì)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與上述實(shí)施方式的區(qū)別在于沒有設(shè)置推壓機(jī)構(gòu)，而是使氣體從設(shè)在冷卻板3和熱板6上的噴出孔噴出，在使晶片W浮起的同時(shí)，利用氣體產(chǎn)生的推壓力推進(jìn)晶片W的移動(dòng)。
在本實(shí)施方式中，在上述冷卻板3以及熱板6上形成有去路用噴出孔76和歸路用噴出孔77，去路用噴出孔沿著晶片W的移動(dòng)通路、為了朝向晶片W的移動(dòng)通路的另一端側(cè)斜向上方使晶片W浮起，同時(shí)為了將晶片W從冷卻板3一側(cè)移動(dòng)推進(jìn)至加熱室4一側(cè)而噴出氣體；歸路用噴出孔沿著晶片W的移動(dòng)通路，為了朝向晶片W的移動(dòng)通路的另一端側(cè)斜向上方使晶片W浮起，同時(shí)為了將晶片W從加熱室4移動(dòng)推進(jìn)至冷卻板3一側(cè)而噴出氣體。
例如，上述去路用噴出孔76和歸路用噴出孔77形成在例如冷卻板3以及熱板6的晶片W的移動(dòng)通路的中心線L上。于是，在本實(shí)施方式中，上述去路用噴出孔76形成在從設(shè)置在冷卻板3以及熱板6上的晶片W的中心O1、O2附近分別朝向一端側(cè)的區(qū)域上，上述歸路用噴出孔77形成在從設(shè)置在冷卻板3以及熱板6上的晶片W的中心O1、O2附近分別朝向另一端側(cè)的區(qū)域上。
然后，例如冷卻板3的去路用噴出孔76通過氣體供給管76a和閥V7與氣體供給源76b連接、冷卻板3的歸路用噴出孔77通過氣體供給管77a和閥V8與氣體供給源77b連接、熱板6的去路用噴出孔76通過氣體供給管76c和閥V9與氣體供給源76d連接、熱板6的歸路用噴出孔77通過氣體供給管77c和閥V10與氣體供給源77d連接，能夠分別獨(dú)立地噴出氣體。包括晶片W移動(dòng)時(shí)的中心位置定位用的定中心用噴出孔3b、6b的其他組成結(jié)構(gòu)與上述圖1所示的加熱裝置2相同。
在此組成結(jié)構(gòu)中，晶片W的移動(dòng)通路的去路，即，當(dāng)將晶片W從冷卻板3向熱板6移動(dòng)時(shí)，從冷卻板3與熱板6的去路用噴出孔76噴出氣體，使晶片W在冷卻板3上浮起，通過該氣體從前進(jìn)方向的后方側(cè)推壓晶片W，利用該氣體的推壓力推進(jìn)晶片W的移動(dòng)，通過使晶片W的前進(jìn)方向的前方側(cè)的側(cè)端面與熱板引導(dǎo)部件23A接觸而停止晶片W的移動(dòng)，然后停止氣體的噴出，將晶片W載置在熱板6上。
另一方面，移動(dòng)通路的歸路，即，當(dāng)將晶片W從熱板6向冷卻板3移動(dòng)時(shí)，從冷卻板3與熱板6的歸路用噴出孔77噴出氣體，使晶片W浮起在熱板6上，利用該氣體從前進(jìn)方向的后方側(cè)推壓晶片W，利用該氣體的推壓力推進(jìn)晶片W的移動(dòng)，通過使晶片W的前進(jìn)方向的前方側(cè)的側(cè)端面與冷卻板引導(dǎo)部件23B接觸，停止晶片W的移動(dòng)，然后停止氣體的噴出，將晶片W載置在冷卻板3上。
在如上所述的結(jié)構(gòu)中，由于不需要推壓機(jī)構(gòu)，使得結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，制造成本降低，同時(shí)，也可以不確保設(shè)置推壓機(jī)構(gòu)的空間，因而能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)加熱裝置4的薄型化。另外，由于晶片W在冷卻板3與熱板6之間移動(dòng)時(shí)不需要推壓機(jī)構(gòu)的控制，移動(dòng)晶片W用的程序得以簡(jiǎn)化。
這里，在冷卻板3和熱板6上，可以將去路用噴出孔76和歸路用噴出孔77設(shè)置在與沿上述晶片W的移動(dòng)通路的相同的直線上，也可以設(shè)置在與沿上述移動(dòng)通路的不同的直線上。另外，將去路用噴出孔76和歸路用噴出孔77設(shè)置在與沿上述移動(dòng)通路的相同的直線上時(shí)，也可以將兩者相互交替設(shè)置。
另外，在將晶片W從冷卻板3向熱板6移動(dòng)時(shí)，例如，當(dāng)晶片W的前進(jìn)方向的前方側(cè)進(jìn)入熱板6上時(shí)，從熱板6的歸路用噴出孔77噴出氣體，由此從前進(jìn)方向的前方側(cè)推壓晶片W，也可以這樣降低晶片W的移動(dòng)速度。同樣，在將晶片W從熱板6向冷卻板3上移動(dòng)時(shí)，例如，當(dāng)晶片W的前進(jìn)方向的前方側(cè)進(jìn)入冷卻板3上時(shí)，從冷卻板3的去路用噴出孔76噴出氣體，由此從前進(jìn)方向的前方側(cè)推壓晶片W，也可以這樣降低晶片W的移動(dòng)速度。此時(shí)，通過控制來自去路用噴出孔76以及歸路用噴出孔77的氣體的噴出量來分別控制來自噴出孔76、77的氣體所產(chǎn)生的推壓力，對(duì)晶片W向前進(jìn)方向的移動(dòng)速度以及減速的程度進(jìn)行調(diào)整。
而且，在本實(shí)施方式中也可以是如下結(jié)構(gòu)形式，通過形成去路用噴出孔76以及歸路用噴出孔77，使之朝向上述移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)斜向上方噴出氣體，同時(shí)，從上述移動(dòng)通路的中心線L的兩側(cè)朝向上述中心線L噴出氣體，將去路用噴出孔76以及歸路用噴出孔77形成為兼用作定中心用噴出孔。另外，除了去路用噴出孔76、歸路用噴出孔77、以及定中心用噴出孔以外，也可以設(shè)置用于使晶片W從冷卻板3和熱板6上浮起的浮起用的噴出孔。
此外，如圖14所示，在本發(fā)明中也可以設(shè)置定位部件78。在本實(shí)施方式中，定位部件78被設(shè)置在冷卻板3側(cè)，但通常是被設(shè)置在冷卻板3的周邊部的外側(cè)，當(dāng)晶片W被載置在冷卻板3上后，從上述位置移動(dòng)至與晶片W的周邊部側(cè)面接觸的位置上，使晶片W位于冷卻板3上的規(guī)定位置上，從而進(jìn)行定位。同樣，也可以將定位部件設(shè)置在熱板6側(cè)。另外，本發(fā)明將晶片W在冷卻板3與熱板6之間進(jìn)行橫方向上的搬運(yùn)，該橫方向除水平方向以外還包括其他傾斜的情形。
接著，針對(duì)在安裝了上述加熱裝置2的涂敷、顯影裝置上連接了曝光部(曝光裝置)的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D16及圖17進(jìn)行簡(jiǎn)單的說明。圖中B1是載體載置部，用于搬入搬出例如密閉收容了13枚基板例如晶片W的載體8，包括能夠排列載置多個(gè)該載體8的載置部80a的載體站80、從該載體站80看設(shè)置在前方壁面上的開關(guān)部81、和用于經(jīng)上述開關(guān)部81從載體8取出晶片W的傳遞交接單元A1。
在上述載體載置部B1的里側(cè)，連接有被筐體82包圍其周圍的處理部B2，在該處理部B2上從前方側(cè)依次相互交錯(cuò)排列設(shè)置有將加熱、冷卻系統(tǒng)的單元多層化的架式單元U1、U2、U3、以及在架式單元U1～U3和液處理單元U4、U5的各單元之間進(jìn)行晶片W的傳遞交接的主搬送機(jī)構(gòu)A2、A3。即，架式單元U1、U2、U3以及主搬送機(jī)構(gòu)A2、A3從載體載置部B1側(cè)看前后排成一列，在各個(gè)連接部位上形成未圖示的晶片搬送用的開口部，晶片W能夠在處理部B2內(nèi)從一端側(cè)的架式單元U1自由移動(dòng)到另一端側(cè)的架式單元U3。
上述架式單元U1、U2、U3構(gòu)成為，將進(jìn)行在液處理單元U4、U5中進(jìn)行的處理的前處理和后處理用的各種單元層積在多層、例如10層，其組合包括傳遞交接單元、疏水化處理單元(ADH)、將晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度用的溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)、在抗蝕劑液的涂敷前進(jìn)行晶片W的加熱處理用的加熱單元(BAKE)、在涂敷抗蝕劑液后進(jìn)行晶片W的加熱處理用的被稱為預(yù)烘焙?jiǎn)卧鹊募訜釂卧?PAB)、以及加熱處理顯影處理后的晶片W的被稱為后烘焙?jiǎn)卧鹊募訜釂卧?POST)等。本發(fā)明的加熱裝置2作為加熱單元(PAB)而被組裝。
另外，如圖17所示，液處理單元U4、U5構(gòu)成為將反射防止膜涂敷單元(BARC)、對(duì)晶片W進(jìn)行抗蝕劑液涂敷的涂敷單元(COT)、以及將顯影液供給至晶片W進(jìn)行顯影處理的顯影單元(DEV)等層積在多層，例如5層。
曝光部B4通過接口部B3連接在上述處理部B2中的架式單元U3的里側(cè)。該接口部B3在處理部B2與曝光部B4之間，由前后設(shè)置的第一搬送室83以及第二搬送室84而構(gòu)成，分別具有自由升降并沿垂直旋轉(zhuǎn)軸自由旋轉(zhuǎn)且自由進(jìn)退的第一搬送臂85以及第二搬送臂86。并且，在第一搬送室83內(nèi)設(shè)置有將例如傳遞交接單元、高精度溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)、以及對(duì)晶片W進(jìn)行后曝光烘焙處理的加熱、冷卻單元(PEB)等上下層積而設(shè)置的架式單元U6。
針對(duì)如上所述的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)中的晶片W的移動(dòng)的一個(gè)例子進(jìn)行說明，載置在載體載置部B1上的載體8內(nèi)的晶片W，按照如下順序進(jìn)行搬送溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)→反射防止膜形成單元(BARC)→加熱單元(BAKE)→溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)→涂敷單元(COT)→加熱單元(PAB)→曝光部B4，在這里，進(jìn)行曝光處理。曝光處理后的晶片W按照如下順序進(jìn)行搬送加熱單元(PEB)→高精度溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)→顯影單元(DEV)→加熱單元(POST)→溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)→載體載置部B1的載體8。
本發(fā)明除適用于涂敷有抗蝕劑液的晶片W的加熱處理(烘焙處理)以外，還能夠適用于曝光處理后的加熱(PEB)、顯影處理后的加熱處理等、或疏水化處理單元(ADH)。這時(shí)，在適用于疏水化處理單元(ADH)的情況下，從氣體噴出部43向加熱室4內(nèi)供給HMDS(六甲基二硅胺烷Hexamethyl Disilazane)等的氣體。另外，本發(fā)明除半導(dǎo)體晶片W以外，也能夠適用于例如LCD基板、掩膜基板等的處理。
權(quán)利要求
1.一種加熱裝置，包括用于加熱基板的熱板和用于冷卻基板的冷卻板，基板在所述熱板和冷卻板之間移動(dòng)，其特征在于，包括加熱室，被設(shè)置在處理容器內(nèi)呈扁平狀，用于加熱處理基板，其一側(cè)為了搬入搬出基板而設(shè)有開口；設(shè)置在所述加熱室的內(nèi)部的熱板；冷卻板，在所述處理容器內(nèi)與所述加熱室的開口側(cè)鄰接設(shè)置，用于冷卻經(jīng)熱板加熱過的基板；噴出孔，在所述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，朝基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)向斜上方噴出基板浮起用的氣體；推壓部件，用于推壓利用所述氣體的吐出而浮起的基板在移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)或后方側(cè)；和使所述推壓部件移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，利用推壓部件推壓基板，抵抗因來自所述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板向與氣體噴出方向相反的方向移動(dòng)，或者利用來自所述噴出孔的氣體的噴出，在基板推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于所述基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)是指冷卻板側(cè)，所述推壓機(jī)構(gòu)被設(shè)置在冷卻板一側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，包括中心位置定位用的噴出孔，在所述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，在基板的移動(dòng)通路的中心線的兩側(cè)向該中心線噴出氣體，使得浮起的基板位于移動(dòng)通路的中央位置上。
4.一種加熱裝置，包括用于加熱基板的熱板和用于冷卻基板的冷卻板，基板在所述熱板和冷卻板之間移動(dòng)，其特征在于，包括加熱室，被設(shè)置在處理容器內(nèi)呈扁平狀，用于加熱處理基板，其一側(cè)為了搬入搬出基板而設(shè)有開口；設(shè)置在所述加熱室內(nèi)的熱板；冷卻板，在所述處理容器內(nèi)與所述加熱室的開口側(cè)鄰接設(shè)置，用于冷卻經(jīng)熱板加熱過的基板；去路用噴出孔，在所述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，在將冷卻板側(cè)作為基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)時(shí)，朝所述移動(dòng)通路的另一端側(cè)向斜上方噴出氣體，使得在使基板浮起的同時(shí)推進(jìn)基板從冷卻板側(cè)向加熱室側(cè)的移動(dòng)；歸路用噴出孔，在所述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，朝基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)向斜上方噴出氣體，使得在使基板浮起的同時(shí)推進(jìn)基板從加熱室側(cè)向冷卻板側(cè)的移動(dòng)；和中心位置定位用的噴出孔，在所述冷卻板和熱板上沿基板的移動(dòng)通路設(shè)置，在基板的移動(dòng)通路的中心線的兩側(cè)向該中心線噴出氣體，使得浮起的基板位于移動(dòng)通路的中央位置上。
5.如權(quán)利要求4所述的加熱裝置，其特征在于所述去路用噴出孔和歸路用噴出孔形成在沿基板的移動(dòng)通路延伸的相同直線上。
6.如權(quán)利要求4所述的加熱裝置，其特征在于所述去路用噴出孔和歸路用噴出孔形成在沿基板的移動(dòng)通路延伸的不同直線上。
7.如權(quán)利要求3～6中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于為了使基板浮起而噴出氣體的噴出孔兼用作中心位置定位用的噴出孔。
8.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的加熱裝置，其特征在于在冷卻板以及/或者熱板上設(shè)置有定位部件，對(duì)沿基板的移動(dòng)通路移動(dòng)的基板的停止位置進(jìn)行定位。
9.一種加熱方法，在加熱裝置中進(jìn)行，該加熱裝置包括用于加熱基板的熱板和用于冷卻基板的冷卻板，基板在所述熱板和冷卻板之間移動(dòng)，其特征在于，包括將基板載置在冷卻板上的工序；從所述冷卻板以及熱板沿著基板的移動(dòng)通路朝基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)向斜上方噴出基板浮起用的氣體，使基板在冷卻板上浮起的工序；為了使在冷卻板上浮起的基板向熱板側(cè)移動(dòng)，利用推壓部件推壓基板移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)，抵抗因來自所述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板朝向與氣體噴出方向相反的方向移動(dòng)；或是利用來自所述噴出孔的氣體的噴出，在基板的移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)的工序；停止從熱板噴出基板浮起用的氣體，將基板傳遞交接到熱板上，進(jìn)行基板的熱處理的工序；從所述冷卻板和熱板沿基板的移動(dòng)通路朝基板的移動(dòng)通路的一端側(cè)或另一端側(cè)向斜上方噴出基板浮起用的氣體，使基板在熱板上浮起的工序；和為了使在熱板上浮起的基板向冷卻板側(cè)移動(dòng)，利用來自所述噴出孔的氣體的噴出，在基板的移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)推壓推壓部件的狀態(tài)下，使該推壓部件向與氣體的噴出方向相同的方向移動(dòng)，或者利用推壓部件推壓基板移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)，抵抗因來自所述噴出孔的氣體的噴出而有移動(dòng)基板的趨勢(shì)的推壓力，使基板向與氣體噴出方向相反的方向移動(dòng)的工序。
全文摘要
具有冷卻板和熱板的加熱裝置中，利用氣體使基板從冷卻板和熱板上浮起，通過使基板在水平方向上移動(dòng)使基板在冷卻板與熱板之間移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)加熱裝置的薄型化。加熱裝置(2)中，在冷卻板(3)和熱板(6)上沿晶片W的移動(dòng)通路形成噴出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移動(dòng)通路的冷卻板(3)側(cè)斜向上方噴出使基板浮起的氣體，利用推壓部件(51)推壓晶片W移動(dòng)時(shí)的后方側(cè)，抵抗從噴出孔(3a、6a)噴出的氣體產(chǎn)生的試圖使晶片W移動(dòng)的推壓力，使晶片W向與氣體噴出方向相反側(cè)的熱板(6)側(cè)移動(dòng)，或在利用噴出孔(3a、6a)噴出的氣體使晶片W移動(dòng)時(shí)的前方側(cè)推壓推壓部件(51)的狀態(tài)下，使該推壓部件(51)向與氣體的噴出方向相同的方向的冷卻板(3)側(cè)移動(dòng)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1996153SQ200710001560
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2007年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月6日
發(fā)明者飽本正巳, 林伸一, 飯?zhí)锍烧? 稻富弘朗 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社