專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法和程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由質(zhì)量流量控制器等流量控制器控制氣體或液體的流量而對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的半導(dǎo)體制造裝置、流量修正方法、程序。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在用來(lái)制造半導(dǎo)體設(shè)備等的工序例如使用成膜氣體的成膜工序、使用蝕刻氣體的蝕刻工序等中，在將各種氣體或者液體供給到半導(dǎo)體制造裝置的情況下，在其供給流路上設(shè)置有流量控制器例如質(zhì)量流量控制器(MFC)，由此來(lái)控制流量。
該質(zhì)量流量控制器(MFC)，一般這樣構(gòu)成供給流路，即，分流成設(shè)置有由發(fā)熱電阻線構(gòu)成的作為流量傳感器的上游側(cè)傳感器與下游側(cè)傳感器的側(cè)流路以及與之并行的主流路。在上游側(cè)傳感器處熱量被奪走而溫度降低，相反，在下游側(cè)傳感器處熱量被賦予而溫度上升。結(jié)果，在上游側(cè)傳感器與下游側(cè)傳感器處產(chǎn)生溫度差，通過(guò)檢測(cè)該溫度差而可以檢測(cè)供給流路的流量。質(zhì)量流量控制器(MFC)根據(jù)來(lái)自這種流量傳感器的輸出來(lái)控制流量調(diào)整閥的開(kāi)度，由此，能夠?qū)⒐┙o流路的流量調(diào)整成設(shè)定流量。
但是，在使用這種質(zhì)量流量控制器(MFC)中，因流量傳感器所卷入的管路的污染(腐蝕或生成物附著等)等，有時(shí)實(shí)際流量(實(shí)際上通過(guò)質(zhì)量流量控制器的氣體的流量)偏離設(shè)定流量。例如，即使是實(shí)際流量零(0)的情況下，相當(dāng)于由流量傳感器所檢測(cè)的流量的檢測(cè)電壓值也不為零(0)，往往稍微錯(cuò)開(kāi)而產(chǎn)生誤差(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。作為這種零點(diǎn)的錯(cuò)位(零點(diǎn)漂移)，例如有隨著使用時(shí)間慢慢加大的傾向和輸出電壓對(duì)流量的變化比率(梯度)變動(dòng)(變化范圍漂移)。在本說(shuō)明書(shū)中，將這種零點(diǎn)漂移稱(chēng)為基于使用的零點(diǎn)漂移(第一零點(diǎn)漂移)。
而且，質(zhì)量流量控制器(MFC)有時(shí)因其設(shè)置姿勢(shì)的不同也發(fā)生根據(jù)氣體分子量或者壓力等的零點(diǎn)的錯(cuò)位(零點(diǎn)漂移)。因在半導(dǎo)體制造裝置的小型化或配管系統(tǒng)的構(gòu)成上或設(shè)置空間等的關(guān)系，質(zhì)量流量控制器(MFC)的流量傳感器所卷設(shè)的側(cè)流部(與主流部平行的部分)有時(shí)必須設(shè)置成垂直姿勢(shì)。
可是，如果設(shè)置成垂直姿勢(shì)，則即使流體不在供給流路中流動(dòng)，也在質(zhì)量流量控制器(MFC)內(nèi)例如在側(cè)流部與主流部之間因其溫度差而產(chǎn)生根據(jù)氣體的分子量或壓力的流動(dòng)，有時(shí)發(fā)生零點(diǎn)的錯(cuò)位(零點(diǎn)漂移)。該現(xiàn)象一般稱(chēng)為熱虹吸現(xiàn)象(thermal siphon)(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。在本說(shuō)明書(shū)中，將這種零點(diǎn)漂移稱(chēng)為基于設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移(第二零點(diǎn)漂移)，與上述基于使用的零點(diǎn)漂移(第一零點(diǎn)漂移)相區(qū)別。在產(chǎn)生該第二零點(diǎn)漂移的情況下，將第一零點(diǎn)漂移量加到其第二零點(diǎn)漂移量上，成為實(shí)際上可能產(chǎn)生的零點(diǎn)漂移量。這樣一來(lái)，有時(shí)在質(zhì)量流量控制器(MFC)的零點(diǎn)漂移中，不僅包括第一零點(diǎn)漂移，還包括第二零點(diǎn)漂移。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2005-38058號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)平11-64060號(hào)公報(bào)在這種質(zhì)量流量控制器(MFC)中，如果產(chǎn)生上述第一零點(diǎn)漂移、第二零點(diǎn)漂移等零點(diǎn)漂移，則因?yàn)楣┙o流路中的氣體或液體的流量設(shè)定流量與實(shí)際流量偏離，因此，存在著其零點(diǎn)漂移量越大，則氣體或者液體等的供給流量控制的精度越低，對(duì)晶片W的處理的影響也變得不能忽視這樣的問(wèn)題。
特別是，近年來(lái)，因?yàn)榘雽?dǎo)體器件等的圖形越來(lái)越微細(xì)化，各膜的膜厚也變得更薄，所以，在成膜工序、蝕刻工序等半導(dǎo)體制造工序中，希望能夠以更高的精度控制氣體或者液體等的供給流量。因此，對(duì)上述零點(diǎn)漂移的對(duì)策的重要性也增大。
這一點(diǎn)，例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，記載有在關(guān)閉設(shè)置在質(zhì)量流量控制器(MFC)的上游側(cè)和下游側(cè)的截止閥的狀態(tài)下，也就是實(shí)際氣體(實(shí)際上通過(guò)質(zhì)量流量控制器的氣體)不流動(dòng)的狀態(tài)下檢測(cè)質(zhì)量流量控制器(MFC)的輸出電壓(MFC輸出電壓)，通過(guò)修正其來(lái)以更高的精度控制氣體供給流量的技術(shù)。這樣一來(lái)，在例如質(zhì)量流量控制器(MFC)以水平姿勢(shì)設(shè)置的情況下等不發(fā)生熱虹吸現(xiàn)象引起的第二零點(diǎn)漂移的情況，可以正確地檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移。但是，在例如質(zhì)量流量控制器(MFC)以垂直姿勢(shì)設(shè)置的情況下等根據(jù)條件而發(fā)生由于熱虹吸現(xiàn)象引起的零點(diǎn)漂移，所以有時(shí)無(wú)法足夠地進(jìn)行零點(diǎn)修正。
即，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，在檢測(cè)零點(diǎn)漂移時(shí)即使形成關(guān)閉設(shè)置在質(zhì)量流量控制器(MFC)的上游側(cè)和下游側(cè)的截止閥的狀態(tài)，但是即使像這樣形成實(shí)際氣體不流動(dòng)的狀態(tài)，在發(fā)生熱虹吸現(xiàn)象的情況下也發(fā)生第二零點(diǎn)漂移。而且，其第二零點(diǎn)漂移量因殘留于質(zhì)量流量控制器(MFC)內(nèi)的流體的有無(wú)、殘留的流體種類(lèi)(分子量)以及壓力而不同。因此，即使單單在關(guān)閉截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)零點(diǎn)漂移，在例如在殘留與基板處理時(shí)使用的氣體不同的氣體的狀態(tài)下檢測(cè)零點(diǎn)漂移的情況，由于其零點(diǎn)漂移量中所含有的第二零點(diǎn)漂移量與在基板處理時(shí)實(shí)際上可能產(chǎn)生的第二零點(diǎn)漂移量不同，所以無(wú)法正確地檢測(cè)在基板處理時(shí)實(shí)際上可能產(chǎn)生的第二零點(diǎn)漂移，有時(shí)無(wú)法足夠地進(jìn)行零點(diǎn)修正。
此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，記載有除了質(zhì)量流量控制器(MFC)的側(cè)流部與主流部之外，設(shè)置有與側(cè)流部平行的平行流路，通過(guò)由加熱器加熱該平行流路，來(lái)防止熱虹吸現(xiàn)象引起的質(zhì)量流量控制器(MFC)內(nèi)部的流動(dòng)的技術(shù)。但是，質(zhì)量流量控制器(MFC)由各種制造商銷(xiāo)售，在用某個(gè)特定制造商的質(zhì)量流量控制器(MFC)構(gòu)成生產(chǎn)線的情況，存在著在將質(zhì)量流量控制器(MFC)更換成其他公司的產(chǎn)品時(shí)，無(wú)法進(jìn)行其調(diào)整的缺點(diǎn)。此外，設(shè)置有與質(zhì)量流量控制器(MFC)的側(cè)流部平行的平行流路，并設(shè)置加熱器而使內(nèi)部的構(gòu)成復(fù)雜化，并且因質(zhì)量流量控制器(MFC)的設(shè)置環(huán)境以及使用狀況，還有可能根據(jù)這些的加熱器的溫度控制成為必要等質(zhì)量流量控制器(MFC)本身的控制復(fù)雜化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種通過(guò)正確地檢測(cè)基板處理時(shí)實(shí)際上可能發(fā)生的基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行正確的修正，可以與流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)而進(jìn)一步提高流量控制的精度的半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法、程序。
為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部?jī)?nèi)的氣體供給路；設(shè)置在所述氣體供給路，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；以及在所述流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用在基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置的所述流量控制器的輸出電壓修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其中，包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用在基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置于所述流量控制器的上游側(cè)和下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述流量控制器的零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則可以正確地檢測(cè)在實(shí)際的基板處理時(shí)基于可能產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)。即，因?yàn)榛跓岷缥F(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量的大小因氣體種類(lèi)(氣體的分子量)而異，因此，通過(guò)利用基板處理時(shí)所使用的氣體檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)，而能夠正確地檢測(cè)實(shí)際的基板處理時(shí)可能產(chǎn)生的零點(diǎn)漂移量。
此外，在儲(chǔ)存檢測(cè)的基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)，實(shí)行基板處理時(shí)，通過(guò)修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體流量的設(shè)定電壓，而可以正確地修正第二零點(diǎn)漂移量。由此，可以與流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)且正確地檢測(cè)并修正基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部?jī)?nèi)的多個(gè)氣體供給路；分別設(shè)置在所述各氣體供給路上，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的多個(gè)流量控制器；分別設(shè)置在所述各流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；以及在所述各流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述各氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，針對(duì)所述各流量控制器預(yù)先至少利用在基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述各流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將針對(duì)各流量控制器的輸出電壓儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中，在實(shí)行基板處理時(shí)，基于針對(duì)所述各流量控制器儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的輸出電壓，針對(duì)所述各流量控制器修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述各流量控制器中分別設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的多個(gè)流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用在基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)和下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；以及在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述流量控制器的零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則在使用多個(gè)流量控制器向處理部供給多個(gè)氣體種類(lèi)而進(jìn)行基板處理的情況下，也可以針對(duì)各流量控制器正確地檢測(cè)在基板處理時(shí)基于實(shí)際上可能產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行可靠的修正。由此，可以與各流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)而進(jìn)一步提高流量控制的精度。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部?jī)?nèi)的多個(gè)氣體供給路；分別設(shè)置在所述各氣體供給路，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的共同的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的下游側(cè)的所述各氣體供給路上的下游側(cè)截止閥；設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)上的上游側(cè)截止閥；以及在所述流量控制器中分別設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述各氣體供給路所供給的各氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，針對(duì)基板處理時(shí)所使用的各氣體種類(lèi)預(yù)先至少利用所述氣體對(duì)所述各流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將針對(duì)各氣體種類(lèi)的輸出電壓儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中，在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的針對(duì)各氣體種類(lèi)的所述流量控制器的輸出電壓分別修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的各氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中分別設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，針對(duì)基板處理時(shí)所使用的氣體種類(lèi)預(yù)先至少利用所述氣體對(duì)所述各流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將針對(duì)各氣體種類(lèi)的輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的針對(duì)各氣體種類(lèi)的零點(diǎn)漂移量分別修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的各氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正工序。
如果用這種裝置或方法，則在使用共同的流量控制器向處理部分別供給多個(gè)氣體種類(lèi)而進(jìn)行基板處理的情況下，也可以在基板處理時(shí)使用各氣體種類(lèi)時(shí)正確地檢測(cè)基于實(shí)際上可能產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行可靠的修正。由此，可以與流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)而進(jìn)一步提高流量控制的精度。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部?jī)?nèi)的氣體供給路；設(shè)置在所述氣體供給路，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；能夠?qū)λ隽髁靠刂破鲀?nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中，在實(shí)行基板處理時(shí)，利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置的所述第二零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣而在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，并基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，基于儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的第二零點(diǎn)漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則由于在檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量進(jìn)行修正前，檢測(cè)基于流量控制器的使用的第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行修正，所以可以不影響第一零點(diǎn)漂移，正確地檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量。而且，在檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量時(shí)，不僅關(guān)閉流量控制器的各截止閥而形成實(shí)際氣體不流動(dòng)的狀態(tài)，而且由于對(duì)流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣所以成為在流量控制器內(nèi)沒(méi)有可能產(chǎn)生流動(dòng)的流體本身的真空狀態(tài)。因此，由于不發(fā)生熱虹吸現(xiàn)象，所以可以在沒(méi)有基于該熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移的狀態(tài)下檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量。由此，可以正確地檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量。
此外，在實(shí)行基板處理時(shí)，也是由于在修正基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量前，檢測(cè)基于流量控制器的使用的第一零點(diǎn)漂移而進(jìn)行修正，所以可以不影響第一零點(diǎn)漂移而可靠地修正基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量。由此，可以與流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)而進(jìn)一步提高流量控制的精度。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部?jī)?nèi)的氣體供給路；設(shè)置在所述氣體供給路，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；能夠?qū)λ隽髁靠刂破鲀?nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于將對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體流量的設(shè)定電壓儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量和實(shí)行基板處理時(shí)所檢測(cè)的所述第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其中，包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于將對(duì)應(yīng)于基板處理所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量和實(shí)行基板處理時(shí)檢測(cè)到的所述第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行修正，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的第二零點(diǎn)漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則因?yàn)樵趯?shí)行基板處理時(shí)，檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量與第二零點(diǎn)漂移量，基于第一零點(diǎn)漂移量與第二零點(diǎn)漂移量的兩方修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體流量的設(shè)定電壓，故可以同時(shí)修正第一零點(diǎn)漂移量與第二零點(diǎn)漂移量。由此，可以與流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)而進(jìn)一步提高流量控制的精度。
此外，也可以在每當(dāng)檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量的同時(shí)還將累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于上述存儲(chǔ)裝置中，在檢測(cè)所述第一零點(diǎn)漂移量時(shí)，在將該第一零點(diǎn)漂移量加到直到上一次為止所累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量的值超出預(yù)定的閾值的情況進(jìn)行報(bào)知處理。由此，可以告知流量控制器的故障或更換時(shí)期等。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種程序，其特征在于其是用來(lái)實(shí)行利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正處理的程序，其中，在計(jì)算機(jī)中實(shí)行在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)和下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理，以及在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述流量控制器的零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正處理。
如果利用這種程序，則可以正確地檢測(cè)在實(shí)際的基板處理時(shí)可能發(fā)生的基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)，能夠可靠地進(jìn)行可以修正的流量控制處理。
為了解決上述課題，本發(fā)明另一方面提供一種程序，其特征在于其是用來(lái)實(shí)行利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正處理的程序，其中，在計(jì)算機(jī)中實(shí)行在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理；以及在實(shí)行基板處理時(shí)，利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的第二零點(diǎn)漂移修正處理。
如果利用這種程序，則可以實(shí)行能夠在沒(méi)有第二零點(diǎn)漂移量的影響的狀態(tài)下正確地檢測(cè)并修正流量控制器的基于使用的第一零點(diǎn)漂移量，并且可以在沒(méi)有第一零點(diǎn)漂移量的影響的狀態(tài)下正確地檢測(cè)并修正基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量的流量控制處理。
如果利用本發(fā)明，則可以正確地檢測(cè)基板處理時(shí)可能產(chǎn)生的基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行可靠修正。由此，可以與流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)無(wú)關(guān)而更加提高流量控制的精度。此外，可以與流量控制器的構(gòu)成無(wú)關(guān)而正確地檢測(cè)并修正基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例的方框圖。
圖2是表示圖1中所示的質(zhì)量流量控制器的構(gòu)成例的圖。
圖3是表示第二零點(diǎn)漂移量與氣體種類(lèi)的關(guān)系的圖。
圖4是表示圖1中所示的控制部的構(gòu)成例的方框圖。
圖5是表示該實(shí)施方式中的第一零點(diǎn)漂移信息的具體例的圖。
圖6是表示該實(shí)施方式中的第二零點(diǎn)漂移信息的具體例的圖。
圖7是表示流量修正處理的程序框圖。
圖8是表示第一零點(diǎn)漂移處理的程序框圖。
圖9是表示第一零點(diǎn)漂移處理的程序框圖。
圖10是表示第二零點(diǎn)漂移處理的程序框圖。
圖11是表示第二零點(diǎn)漂移處理的程序框圖。
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的具體例的方框圖。
圖13是表示該實(shí)施方式中的第一零點(diǎn)漂移信息的具體例的圖。
圖14是表示該實(shí)施方式中的第二零點(diǎn)漂移信息的具體例的圖。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明100熱處理裝置；110熱處理部；112反應(yīng)管；114保持120排氣系統(tǒng)；122排氣管；124真空排氣裝置；130旁路管線；132旁通管；134排氣側(cè)旁通截止閥；136供給側(cè)旁通截止閥；200氣體供給系統(tǒng)；202氣體供給管；204主閥；210(210A～210D)氣體供給路；212(212A～212D)氣體供給管；220(220A～220D)氣體供給源；222(222A～222D)調(diào)壓閥；224(224A～224D)壓力計(jì)；230(230A～230D)第一截止閥(上游側(cè)截止閥)；240(240A～240C)質(zhì)量流量控制器(MFC)；241主流路；242側(cè)流路；243上游側(cè)傳感器；244下游側(cè)傳感器；245旁通路；246控制閥(流量調(diào)整閥)；247MFC控制電路；250(250A～250C)第二截止閥(下游側(cè)截止閥)；260(260A～260D)單向閥；262(262A～262C)截止閥；300控制部；310CPU；320RAM；330顯示裝置；340輸入輸出裝置；350報(bào)知裝置；360各部控制器；370程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置；371加工處理程序；372流量修正處理程序；373第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序；374第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序；375第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序；376第二零點(diǎn)漂移修正處理程序；380處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置；381加工處理信息；382流量修正信息；W晶片。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。其中，在本說(shuō)明書(shū)和附圖中，對(duì)實(shí)質(zhì)上具有相同結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素，標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)并省略其重復(fù)的說(shuō)明。
(根據(jù)第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例)首先，根據(jù)第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置并參照附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。這里，作為半導(dǎo)體制造裝置，以對(duì)基板例如半導(dǎo)體晶片(以下單稱(chēng)為“晶片”)進(jìn)行規(guī)定熱處理的熱處理裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示根據(jù)第一實(shí)施方式的熱處理裝置的構(gòu)成例的圖。熱處理裝置100具有作為對(duì)晶片W進(jìn)行處理(例如熱處理)的處理部的熱處理部110。如圖1所示，熱處理部110例如由構(gòu)成反應(yīng)容器(處理容器)或者反應(yīng)室(處理室)的縱型反應(yīng)管112所構(gòu)成。成為能夠?qū)⒋钶d有多張晶片W的保持具114搬入到該反應(yīng)管112內(nèi)。在該熱處理部110中，包括對(duì)反應(yīng)管112內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣系統(tǒng)120、用來(lái)將規(guī)定的氣體供給到反應(yīng)管112內(nèi)的氣體供給系統(tǒng)200、以及配置于反應(yīng)管112的外側(cè)的圖未示出的加熱裝置(例如加熱器)。
熱處理部110，在將搭載有多張晶片W的保持具114搬入到反應(yīng)管112內(nèi)的狀態(tài)下，由氣體供給系統(tǒng)200將規(guī)定的氣體供給到反應(yīng)管112內(nèi)，并且由排氣系統(tǒng)120進(jìn)行反應(yīng)管112內(nèi)的排氣，同時(shí)，通過(guò)利用加熱裝置從反應(yīng)管112的外側(cè)進(jìn)行的加熱來(lái)對(duì)晶片W進(jìn)行規(guī)定的熱處理。
排氣系統(tǒng)120例如將由真空泵等所構(gòu)成的真空排氣裝置124經(jīng)由排氣管122連接于反應(yīng)管112的頂部而構(gòu)成。氣體供給系統(tǒng)200連接用來(lái)將多種氣體分別供給到例如氣體供給管202的各氣體供給路210A～210D而構(gòu)成。氣體供給管202經(jīng)由主閥204而連接于反應(yīng)管112的下方側(cè)面。
此外，排氣系統(tǒng)120的排氣管122經(jīng)由旁通管130迂回連接于氣體供給系統(tǒng)200的氣體供給管202。旁通管130在氣體供給管202中的各氣體供給路210A～210D的連接部的下游側(cè)、主閥204的上游側(cè)的部位連接旁通管132而構(gòu)成。在旁通管132的排氣系統(tǒng)120側(cè)連接著排氣側(cè)旁通截止閥134，在旁通管132的氣體供給系統(tǒng)200側(cè)連接著供給側(cè)旁通截止閥136。
此處，對(duì)氣體供給系統(tǒng)200的各氣體供給路210A～210D進(jìn)行說(shuō)明。在圖1所示的熱處理裝置100中，以能夠?qū)⑺姆N氣體(SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體、N2氣體)供給到反應(yīng)管112的情況為例。在這些氣體當(dāng)中，SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體主要作為反應(yīng)氣體使用，N2氣體主要作為用來(lái)吹洗各氣體供給路210A～210D以及反應(yīng)管110的吹洗氣體使用。
這樣，對(duì)作為反應(yīng)氣體而使用的SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體的氣體供給路210A～210C而言，同樣地構(gòu)成。即，各氣體供給路210A～210C分別具有針對(duì)SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體的氣體供給源220A～220C，各氣體供給源220A～220C連接成分別經(jīng)由氣體供給管212A～212C而合流于氣體供給管202。
在各氣體供給路210A～210C的氣體供給管212A～212C上，作為用來(lái)調(diào)整來(lái)自氣體供給源220A～220C的流量的流量控制器之一例而設(shè)置有質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C。這里的質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C也可以分別使用不同容量。例如，質(zhì)量流量控制器(MFC)分別使用500cc、3000cc、2000cc的容量。
在各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C的上游側(cè)和下游側(cè)分別設(shè)置有第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230A～230C、第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250A～250C。通過(guò)關(guān)閉第一截止閥230A～230C、第二截止閥250A～250C的雙方，而可以阻斷各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C中流體的流動(dòng)(在本具體例中為氣體的流動(dòng))。即，能夠使實(shí)際上通過(guò)各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C的氣體流量為0。
而且，如圖1中所示，也可以在氣體供給源220A～220C與第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230A～230C之間，設(shè)置調(diào)節(jié)器222A～222C與壓力計(jì)(PT)224A～224C。
另一方面，作為吹洗氣體所使用的N2氣體的氣體供給路210D具有N2氣體的氣體供給源210D，可以將來(lái)自該氣體供給源210D的N2氣體經(jīng)由其他各氣體供給路210A～210C的質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C、第二截止閥250A～250C而向反應(yīng)管112供給。由此，對(duì)于N2氣體而言，因?yàn)榭梢岳觅|(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C，所以沒(méi)有必要個(gè)別地設(shè)置質(zhì)量流量控制器(MFC)。
具體地說(shuō)，N2氣體的氣體供給源220D由氣體供給管212D分別經(jīng)由單向閥260A～260C、截止閥262A～262C而連接于各氣體供給路210A～210C的第一截止閥230A～230C與質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C之間。此外，在氣體供給路210D的氣體供給管212D上，與其他氣體供給路210A～210C同樣，連接著調(diào)節(jié)器222D、壓力計(jì)(PT)224D、第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230D。而且，在由質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C來(lái)控制N2氣體的流量的情況下，也可以將上述截止閥262A～262C作為設(shè)置在質(zhì)量流量控制器(MFC)的上游側(cè)的第一截止閥(上游側(cè)截止閥)而控制。
這里，參照附圖對(duì)質(zhì)量流量控制器(MFC)進(jìn)行說(shuō)明。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的質(zhì)量流量控制器(MFC)的構(gòu)成例的圖。因?yàn)橘|(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C是同樣的構(gòu)成，因此，從表示各構(gòu)成要素的標(biāo)號(hào)中省略A～C而典型地進(jìn)行說(shuō)明。因而，例如質(zhì)量流量控制器(MFC)240這樣的情況表示各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C。
如圖2中所示，質(zhì)量流量控制器(MFC)240在其內(nèi)部具有在氣體供給管212上分流的主流路241與側(cè)流路242。具體地說(shuō)，在質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)，從氣體導(dǎo)入口所導(dǎo)入的來(lái)自氣體供給管212的氣體暫時(shí)由主流路241與側(cè)流部242所分流，然后再次合流，之后，經(jīng)由作為流量調(diào)整部的控制閥(流量調(diào)整閥)246而從氣體導(dǎo)出口向氣體供給管212導(dǎo)出。
在側(cè)流部242上，設(shè)置有測(cè)量氣體供給管212內(nèi)的流量用的流量傳感器。流量傳感器由設(shè)置在側(cè)流部242的上游側(cè)的上游側(cè)傳感器243和設(shè)置在側(cè)流部242的下游側(cè)的下游側(cè)傳感器244組成。上游側(cè)傳感器243與下游側(cè)傳感器244例如由發(fā)熱電阻線來(lái)構(gòu)成。
在主流路241上設(shè)置有旁通路245。該旁通路245構(gòu)成為使主流路241中的流量、溫度、壓力等成為與側(cè)流路242同樣的特性。由此，可以防止流量傳感器(上游側(cè)傳感器243、下游側(cè)傳感器244)中的測(cè)量誤差。
這種質(zhì)量流量控制器(MFC)240的流量檢測(cè)原理如下所述。即，在上游側(cè)傳感器243中，如果流體流動(dòng)則帶走熱量從而溫度下降，相反，在下游側(cè)傳感器244中帶來(lái)熱量從而溫度上升。結(jié)果，在上游側(cè)傳感器243與下游側(cè)傳感器244中產(chǎn)生溫度差，通過(guò)檢測(cè)根據(jù)該溫度差的輸出電壓(MFC輸出電壓)而可以檢測(cè)流量。
在質(zhì)量流量控制器(MFC)240中設(shè)置有通過(guò)根據(jù)來(lái)自流量傳感器(上游側(cè)傳感器243、下游側(cè)傳感器244)的輸出來(lái)控制控制閥(流量調(diào)整閥)246的開(kāi)度而將氣體供給管212的流量調(diào)整成設(shè)定流量的MFC控制電路247。MFC控制電路247，雖然圖未示出，但是除了由例如以上游側(cè)傳感器243與下游側(cè)傳感器244的電阻值之差作為電壓信號(hào)檢測(cè)的橋式電路和放大該電壓信號(hào)的放大電路組成的流量檢測(cè)部之外，還具有將作為設(shè)定流量接收的設(shè)定信號(hào)(設(shè)定電壓)與來(lái)自放大電路37的電壓進(jìn)行比較，根據(jù)其比較結(jié)果(偏差)將用來(lái)調(diào)整控制閥246的開(kāi)度的操作信號(hào)輸出到控制閥246的比較部等。
MFC控制電路247經(jīng)由例如信號(hào)變換部(圖未示出)而連接于熱處理裝置100的控制部300。該信號(hào)變換部將來(lái)自質(zhì)量流量控制器(MFC)240的模擬信號(hào)變換成數(shù)字信號(hào)，將來(lái)自控制部300的數(shù)字信號(hào)變換成模擬信號(hào)。
在由這種質(zhì)量流量控制器(MFC)240進(jìn)行流量控制的情況下，熱處理裝置100的控制部300以設(shè)定流量(設(shè)定電壓)作為流量設(shè)定指令向MFC控制電路247發(fā)送。于是，MFC控制電路247則控制氣體供給管212的流量使得成為上述設(shè)定信號(hào)(設(shè)定電壓)。此外，如果MFC控制電路247從熱處理裝置100的控制部300收到零點(diǎn)設(shè)定指令，則成為將當(dāng)前的狀態(tài)設(shè)定成流量零。而且，如果MFC控制電路247收到來(lái)自熱處理裝置100的控制部300的流量檢測(cè)指令，則成為進(jìn)行流量檢測(cè)并將其結(jié)果作為根據(jù)流量的MFC輸出電壓(例如以5V為滿量程(FS)的電壓檢測(cè)值)向控制部300發(fā)送。例如熱處理裝置100的控制部300基于來(lái)自MFC控制電路247的MFC輸出電壓來(lái)檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移和第二零點(diǎn)漂移。
這種MFC控制電路247與熱處理裝置100的控制部300之間的數(shù)據(jù)的交換，經(jīng)由例如GHOST網(wǎng)絡(luò)來(lái)進(jìn)行。GHOST網(wǎng)絡(luò)是由設(shè)置在控制部300中的稱(chēng)為GHOST(General High-Speed Opyimum ScalableTransceiver通用高速最佳可縮放收發(fā)器)的LSI來(lái)實(shí)現(xiàn)的網(wǎng)絡(luò)。稱(chēng)為GHOST的LSI可以搭載于作為例如后述的各部控制器360而構(gòu)成的MC(模塊控制器)的MC板。在GHOST網(wǎng)絡(luò)中可以連接多個(gè)I/O模塊。通過(guò)將各MFC控制電路連接于該I/O模塊的I/O部，而構(gòu)筑GHOST網(wǎng)絡(luò)。
可是，一般來(lái)說(shuō)，質(zhì)量流量控制器(MFC)，如已經(jīng)敘述的那樣，在使用中有時(shí)實(shí)際流量脫離設(shè)定流量。例如即使是實(shí)際流量為零(0)的情況，相當(dāng)于由流量傳感器(例如上游側(cè)傳感器243、下游側(cè)傳感器244)所檢測(cè)的流量的檢測(cè)電壓值也不為零(0)，往往稍微錯(cuò)開(kāi)而產(chǎn)生誤差。這種零點(diǎn)的錯(cuò)開(kāi)(零點(diǎn)漂移)如果是根據(jù)例如使用時(shí)間慢慢地加大的傾向，則有輸出電壓對(duì)流量的變化比率(斜率)變動(dòng)的情況(量程漂移)。這里，將這種零點(diǎn)漂移稱(chēng)為基于使用的零點(diǎn)漂移(第一零點(diǎn)漂移)。
作為第一零點(diǎn)漂移產(chǎn)生的原因，例如，如果因制造商出廠時(shí)的環(huán)境溫度與用戶側(cè)的環(huán)境溫度而產(chǎn)生誤差，則可以考慮作為橋式電路的要素的線圈狀的發(fā)熱電阻線(傳感器)的包敷材料的歷時(shí)劣化或者剝離、發(fā)熱電阻線的線圈的松弛、電路部分的問(wèn)題、電源電壓的變動(dòng)、傳感器卷繞的管路的污染(腐蝕或生成物附著)等。
如果產(chǎn)生這種第一零點(diǎn)漂移，則由于氣體流量在設(shè)定流量與實(shí)際流量中產(chǎn)生偏差，所以第一零點(diǎn)漂移的漂移量越大，則給予晶片W的處理的影響也越大。因此，在本實(shí)施方式中，進(jìn)行定期地檢測(cè)以修正這種第一零點(diǎn)漂移的處理。
此外，質(zhì)量流量控制器(MFC)，一般來(lái)說(shuō)，有時(shí)還因其設(shè)置姿勢(shì)而發(fā)生根據(jù)氣體分子量或者壓力等的零點(diǎn)的錯(cuò)開(kāi)(零點(diǎn)漂移)。該情況下的零點(diǎn)漂移在水平地設(shè)置(例如橫置)的情況不發(fā)生?？墒?，如果水平以外的姿勢(shì)、例如垂直地設(shè)置(例如縱置、L字置)，則存在著發(fā)生的危險(xiǎn)。在本說(shuō)明書(shū)中，將這種零點(diǎn)漂移稱(chēng)為基于設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移(第二零點(diǎn)漂移)，與上述基于使用的零點(diǎn)漂移(第一零點(diǎn)漂移)相區(qū)別。
因?yàn)榘雽?dǎo)體制造裝置的小型化，或配管系統(tǒng)的構(gòu)成上或設(shè)置空間等關(guān)系，例如，如圖2所示，質(zhì)量流量控制器(MFC)240的上游側(cè)傳感器243、下游側(cè)傳感器244卷繞設(shè)置的側(cè)流部242(與主流部241平行的部分)有時(shí)不得不設(shè)置成垂直狀態(tài)(垂直姿勢(shì))?？墒?，如果設(shè)置成垂直姿勢(shì)，則根據(jù)氣體的分子量或者壓力有時(shí)會(huì)發(fā)生第二零點(diǎn)漂移。該現(xiàn)象稱(chēng)為熱虹吸現(xiàn)象。
這里，參照?qǐng)D2說(shuō)明熱虹吸現(xiàn)象發(fā)生的原因。通過(guò)質(zhì)量流量控制器(MFC)240的側(cè)流部242的氣體如果被上游側(cè)傳感器243、下游側(cè)傳感器244所加熱，則加熱的氣體在側(cè)流部242內(nèi)上升，接著，在主流路241的旁通路245中被冷卻而下降，再次向側(cè)流部242返回。因此，在側(cè)流部242與主流路241之間產(chǎn)生氣體的循環(huán)流。因而，例如，如圖2中所示，在質(zhì)量流量控制器(MFC)240其氣體導(dǎo)入口成為下方地設(shè)置的情況，氣體順向地流過(guò)上游側(cè)傳感器243、下游側(cè)傳感器244所卷繞設(shè)置的側(cè)流部242內(nèi)而發(fā)生正的輸出，相反，在氣體導(dǎo)入口成為上方的情況，則發(fā)生負(fù)的輸出。雖然這里舉出在質(zhì)量流量控制器(MFC)240縱置地設(shè)置的情況產(chǎn)生熱虹吸現(xiàn)象的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是，即使是質(zhì)量流量控制器(MFC)240橫置地設(shè)置的情況，在例如因安裝誤差等而從水平傾斜地設(shè)置的情況也可能發(fā)生熱虹吸現(xiàn)象。
這種基于質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移(第二零點(diǎn)漂移)，與上述基于質(zhì)量流量控制器(MFC)的使用的零點(diǎn)漂移(第一零點(diǎn)漂移)不同，漂移量不因使用而變動(dòng)，例如，如圖3中所示，其主要取決于設(shè)置姿勢(shì)、氣體種類(lèi)(氣體的分子量)、以及壓力的固有值。
圖3例如是表示如圖2所示的縱置地設(shè)置的質(zhì)量流量控制器(MFC)中的氣體種類(lèi)與第二零點(diǎn)漂移量的關(guān)系的曲線圖。這里，通過(guò)下面這種實(shí)驗(yàn)，得到圖3中所示的曲線圖的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。首先，形成在質(zhì)量流量控制器(MFC)內(nèi)不產(chǎn)生流動(dòng)的沒(méi)有流體本身的真空狀態(tài)，也就是不產(chǎn)生熱虹吸現(xiàn)象引起的第二零點(diǎn)漂移的狀態(tài)而確認(rèn)零點(diǎn)位置的輸出電壓。接著，將分子量不同的氣體(例如SF6氣體、SiH2Cl2氣體、F2氣體、NH3氣體)分別供給到質(zhì)量流量控制器(MFC)內(nèi)后，作為上述輸出電壓的增加量測(cè)定第二零點(diǎn)漂移量。圖3是以百分率表示輸出電壓對(duì)滿量程(FS∶5V)的比率。因而，直方圖的直方越長(zhǎng)則表示第二零點(diǎn)漂移量越大。
如果根據(jù)圖3，則查明按NH3氣體、F2氣體、SiH2Cl2氣體、SF6氣體的順序，也就是隨著分子量加大，基于設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移(第二零點(diǎn)漂移)也加大。而且，這些基于設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移(第二零點(diǎn)漂移)不因質(zhì)量流量控制器(MFC)的使用而變動(dòng)。
這樣一來(lái)，由于基于設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移(第二零點(diǎn)漂移)取決于氣體種類(lèi)(氣體的分子量)或壓力，所以，如果在例如將熱處理裝置100最初設(shè)置于工廠時(shí)或改變壓力條件等時(shí)檢測(cè)漂移量，則在以后運(yùn)行熱處理裝置100時(shí)，只要考慮該漂移量確定氣體的流量即可。
因?yàn)槿邕@樣第二零點(diǎn)漂移是因質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)而產(chǎn)生，所以，例如以適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移修正，也存在著因第二零點(diǎn)漂移而氣體的流量的設(shè)定流量與實(shí)際流量的偏差。而且，即使在檢測(cè)零點(diǎn)漂移時(shí)，將設(shè)置在質(zhì)量流量控制器(MFC)240的上游側(cè)和下游側(cè)的截止閥230、250形成關(guān)閉狀態(tài)，也就是實(shí)際氣體不流動(dòng)的狀態(tài)，在未將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)真空排氣的情況下，有時(shí)也產(chǎn)生熱虹吸現(xiàn)象。
在該情況下，如上所述，第二零點(diǎn)漂移量因殘留于質(zhì)量流量控制器(MFC)內(nèi)的流體的種類(lèi)(分子量)或壓力而不同。因而，在單單關(guān)閉截止閥230、250的狀態(tài)下，即使檢測(cè)到零點(diǎn)漂移，在例如殘留與晶片處理時(shí)使用的氣體不同的氣體的狀態(tài)下檢測(cè)到零點(diǎn)漂移的情況，有時(shí)也無(wú)法正確地檢測(cè)在晶片處理時(shí)實(shí)際上可能產(chǎn)生的零點(diǎn)漂移，無(wú)法充分地進(jìn)行零點(diǎn)修正。
因此，在本發(fā)明中，通過(guò)后述的流量修正處理正確地檢測(cè)并可靠地修正基于晶片處理時(shí)實(shí)際上可能產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)，不考慮流量控制器的設(shè)置姿勢(shì)，可以更加提高流量控制的精度。
根據(jù)本實(shí)施方式的熱處理裝置100，實(shí)行這種包括針對(duì)第一零點(diǎn)漂移和第二零點(diǎn)漂移的檢測(cè)處理和修正處理的流量修正處理。上述流量修正處理由例如控制熱處理裝置100的各部的控制部300基于規(guī)定的程序來(lái)實(shí)行。
(控制部的構(gòu)成例)進(jìn)行上述流量修正處理的控制部300的構(gòu)成例示于圖4。圖4是表示控制部300的具體構(gòu)成例的方框圖。如圖4所示，控制部300包括構(gòu)成控制部主體的CPU(中央處理裝置)310、設(shè)置有用于CPU 310進(jìn)行的各種數(shù)據(jù)處理而使用的存儲(chǔ)區(qū)等的RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)320、由顯示操作畫(huà)面或者選擇畫(huà)面等的液晶顯示器等所構(gòu)成的顯示裝置330、能夠進(jìn)行由操作者進(jìn)行的過(guò)程方案的輸入或編輯等各種數(shù)據(jù)的輸入和向規(guī)定的記錄介質(zhì)進(jìn)行的過(guò)程方案或處理記錄的輸出等各種數(shù)據(jù)的輸出等的輸入輸出裝置340、在熱處理裝置100中發(fā)生異常時(shí)進(jìn)行報(bào)知的警報(bào)器(例如蜂鳴器)等報(bào)知裝置350、以及基于來(lái)自CPU 310的指令控制熱處理裝置100的各部用的各部控制器360。各部控制器360具有基于例如CPU 310的指令將例如設(shè)定流量的設(shè)定指令、零點(diǎn)設(shè)置指令等控制信號(hào)發(fā)送到各質(zhì)量流量控制器240等流量控制器的流量控制器控制器。對(duì)于設(shè)定流量而言，成為利用例如0～5V(FS滿量程)的設(shè)定電壓可以將質(zhì)量流量控制器240的流量設(shè)定成0～100％。
此外，控制部300具有儲(chǔ)存用來(lái)實(shí)行熱處理裝置100的各種處理的處理程序的程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置370、以及為了實(shí)行處理程序而儲(chǔ)存必要的信息(數(shù)據(jù))的處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置380。程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置370、處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置380可以構(gòu)筑于例如硬盤(pán)(HDD)等存儲(chǔ)區(qū)。CPU 310根據(jù)需要從程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置370、處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置380讀出所需的程序、數(shù)據(jù)等，以實(shí)行各種處理程序。
程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置370具有對(duì)例如晶片W實(shí)行過(guò)程處理用的過(guò)程處理程序371、用來(lái)實(shí)行導(dǎo)入例如反應(yīng)管112內(nèi)的氣體流量的修正處理的流量修正處理程序372。過(guò)程處理程序371基于例如作為后述過(guò)程處理信息381的所儲(chǔ)存的氣體流量、壓力等過(guò)程方案來(lái)控制各部，并且將氣體導(dǎo)入到反應(yīng)管112內(nèi)，并且對(duì)晶片W實(shí)施作為過(guò)程處理的例如熱處理。
流量修正處理程序372主要包括第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序373、第一零點(diǎn)漂移修正處理程序374、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序375、以及第二零點(diǎn)漂移修正處理程序376。第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序373是檢測(cè)并存儲(chǔ)基于各質(zhì)量流量控制器(MFC)240的使用的零點(diǎn)漂移量(第一零點(diǎn)漂移量)用的程序。第一零點(diǎn)漂移修正處理程序374是基于第一零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移修正用的程序。第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序375是檢測(cè)并存儲(chǔ)基于各質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)用的程序。第二零點(diǎn)漂移修正處理程序376是基于第二零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行第二零點(diǎn)漂移修正用的程序。
這些第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序373、第一零點(diǎn)漂移修正處理程序374、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序375、第二零點(diǎn)漂移修正處理程序376可以作為例如流量修正處理程序的子程序而構(gòu)成，此外，也可以作為單獨(dú)的程序來(lái)構(gòu)成。而且，第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序373、第一零點(diǎn)漂移修正處理程序374、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序375、第二零點(diǎn)漂移修正處理程序376也可以在過(guò)程處理程序371中在對(duì)質(zhì)量流量控制器(MFC)240設(shè)定氣體流量時(shí)實(shí)行。
處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置380具有儲(chǔ)存例如實(shí)行對(duì)晶片的過(guò)程處理所需的信息的過(guò)程處理信息381、儲(chǔ)存實(shí)行導(dǎo)入反應(yīng)管112的氣體的流量修正處理所需的數(shù)據(jù)的流量修正信息382等。過(guò)程處理信息381儲(chǔ)存對(duì)晶片的過(guò)程處理的過(guò)程方案(例如氣體流量、壓力等)。
流量修正信息382包括儲(chǔ)存基于質(zhì)量流量控制器(MFC)240的使用的第一零點(diǎn)漂移的漂移量的第一零點(diǎn)漂移信息383、以及基于質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)的零點(diǎn)漂移的漂移量的第二零點(diǎn)漂移信息384。
(第一零點(diǎn)漂移信息的具體例)這里，首先參照?qǐng)D5說(shuō)明第一零點(diǎn)漂移信息383的具體例。圖5是表示第一零點(diǎn)漂移信息383的數(shù)據(jù)表的具體例的圖。第一零點(diǎn)漂移信息383包括例如MFC(k)、第一零點(diǎn)漂移量(Ek)的項(xiàng)目。
在MFC(k)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存有進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移的檢測(cè)和修正的質(zhì)量流量控制器(FMC)的種別。下標(biāo)k是用來(lái)指定質(zhì)量流量控制器(MFC)。在第一零點(diǎn)漂移量(Ek)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存有累積通過(guò)例如后述的第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理所檢測(cè)的第一零點(diǎn)漂移量的第一零點(diǎn)漂移量Ek。
此外，在進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移的檢測(cè)和修正的質(zhì)量流量控制器(MFC)有多個(gè)的情況下，在第一零點(diǎn)漂移信息383中，儲(chǔ)存有針對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)的第一零點(diǎn)漂移量(Ek)。例如在圖1中所示那種構(gòu)成的熱處理裝置100中，由于具有第一～第三質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C，所以，對(duì)于第一零點(diǎn)漂移信息383而言也是針對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C儲(chǔ)存第一零點(diǎn)漂移量E1～E3。而且，第一零點(diǎn)漂移信息383的項(xiàng)目不限于圖5中所示。
由于第一零點(diǎn)漂移量如上所述根據(jù)質(zhì)量流量控制器(MFC)240的使用時(shí)問(wèn)而變大，所以，在例如上述第一零點(diǎn)漂移量Ek的項(xiàng)目中儲(chǔ)存第一零點(diǎn)漂移量的累計(jì)值。即，每當(dāng)檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量就將該第一零點(diǎn)漂移量加到直到前次為止的第一零點(diǎn)漂移量的累計(jì)值的值作為新的累計(jì)值更新并儲(chǔ)存。這種第一零點(diǎn)漂移量的累計(jì)值在例如各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A、240B、240C的異常判斷中使用。例如，如果第一零點(diǎn)漂移量的累計(jì)值脫離預(yù)先設(shè)定的閾值則進(jìn)行報(bào)知處理。
(第二零點(diǎn)漂移信息的具體例)接下來(lái)參照?qǐng)D6說(shuō)明上述第二零點(diǎn)漂移信息384的具體例。圖6是表示第二零點(diǎn)漂移信息384的數(shù)據(jù)表的具體例的圖。第二零點(diǎn)漂移信息384包括例如MFC(k)、氣體種類(lèi)(Gk)、壓力(Pk)、第二零點(diǎn)漂移量(Vk)的項(xiàng)目。
在MFC(k)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存進(jìn)行第二零點(diǎn)漂移的檢測(cè)和修正的質(zhì)量流量控制器(MFC)的種別。下標(biāo)k用來(lái)指定質(zhì)量流量控制器(MFC)。在氣體種類(lèi)(Gk)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存利用質(zhì)量流量控制器(MFC)控制流量的運(yùn)用氣體(晶片處理時(shí)使用的氣體)。在壓力(Pk)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存利用質(zhì)量流量控制器(MFC)控制流量的運(yùn)用氣體的運(yùn)用壓力(晶片處理時(shí)的壓力)。在第二零點(diǎn)漂移量(Vk)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存例如通過(guò)后述的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理所檢測(cè)的第二零點(diǎn)漂移量。
此外，在進(jìn)行第二零點(diǎn)漂移的檢測(cè)和修正的質(zhì)量流量控制器(MFC)有多個(gè)的情況下，在第二零點(diǎn)漂移信息384中，儲(chǔ)存針對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)的氣體種類(lèi)(Gk)、壓力(Pk)、第二零點(diǎn)漂移量(Vk)。在例如圖1中所示那種構(gòu)成的熱處理裝置100中，由于具有第一～第三質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C，所以就第二零點(diǎn)漂移信息384而言也是與第一零點(diǎn)漂移信息383的情況同樣針對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C儲(chǔ)存第二零點(diǎn)漂移量V1～V3。而且，第二零點(diǎn)漂移信息384的項(xiàng)目不限于圖6中所示。
這種第二零點(diǎn)漂移量如上所述是根據(jù)質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)、運(yùn)用氣體種類(lèi)(氣體的分子量)、運(yùn)用壓力確定的固有的值。因而，在上述第二零點(diǎn)漂移量(Vk)的項(xiàng)目中，儲(chǔ)存在將例如熱處理裝置100最初設(shè)置于工廠的初始導(dǎo)入時(shí)通過(guò)第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理所檢測(cè)的值。此外，優(yōu)選是儲(chǔ)存其后每當(dāng)有例如運(yùn)用氣體種類(lèi)、運(yùn)用壓力等的變更的情況實(shí)行第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理所檢測(cè)的值。這種第二零點(diǎn)漂移量的固有值，在例如將氣體導(dǎo)入反應(yīng)管112內(nèi)的情況下，對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A、240B、240C進(jìn)行設(shè)定流量的設(shè)定指令時(shí)使用。即，將按第二零點(diǎn)漂移量修正作為過(guò)程處理信息381的過(guò)程方案所儲(chǔ)存的設(shè)定流量的流量作為設(shè)定流量進(jìn)行設(shè)定指令。由此，可以對(duì)供給到熱處理部110的實(shí)際氣體流量不給予第二零點(diǎn)漂移量的影響。
(流量修正處理的具體例)接下來(lái)，對(duì)利用質(zhì)量流量控制器(MFC)進(jìn)行流量控制的情況的流量修正處理的具體例進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示根據(jù)本實(shí)施方式的流量修正處理的主流程的程序框圖。在根據(jù)本實(shí)施方式的流量修正處理中，修正起因于基于質(zhì)量流量控制器(MFC)的使用的第一零點(diǎn)漂移和基于設(shè)置姿勢(shì)的第二零點(diǎn)漂移兩方的設(shè)定流量與實(shí)際流量的偏差。該流量修正處理基于流量修正處理程序針對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C實(shí)行。這里，從圖1中所示的表示氣體供給系統(tǒng)200的各構(gòu)成要素的標(biāo)號(hào)中省略A～C而典型地進(jìn)行說(shuō)明。因而，例如質(zhì)量流量控制器(MFC)240的情況表示各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C。
如圖7中所示，根據(jù)本實(shí)施方式的流量修正處理，如果熱處理裝置100運(yùn)行，則首先在步驟S110中判斷是否將熱處理裝置100最初設(shè)置于工廠的初始導(dǎo)入時(shí)。在步驟S110中判斷成是熱處理裝置100的初始導(dǎo)入時(shí)的情況下，實(shí)行零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理，也就是第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)。
這里，在第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)前，實(shí)行第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)和第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)，是因?yàn)閮H檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移的漂移量的緣故。即，因?yàn)榧词巩a(chǎn)生第一零點(diǎn)漂移其也在流量修正成零的狀態(tài)下檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移的緣故。由此，可以正確地檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移。
在步驟S110中判斷成不是熱處理裝置100的初始導(dǎo)入時(shí)的情況下，在步驟S120中判斷在MFC運(yùn)用條件中是否有變更。這里的MFC運(yùn)用條件的變更，是在第二零點(diǎn)漂移修正處理中無(wú)法照原樣利用已經(jīng)儲(chǔ)存于第二零點(diǎn)漂移信息384中的第二零點(diǎn)漂移量這種條件中變更的情況，例如可以舉出運(yùn)用氣體種類(lèi)的變更、運(yùn)用壓力的變更、質(zhì)量流量控制器(MFC)本身的更換等。在步驟S120中，在MFC運(yùn)用條件中有變更的情況下，通過(guò)實(shí)行步驟S200～S400的處理，基于所變更的MFC運(yùn)用條件重新檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移并儲(chǔ)存于第二零點(diǎn)漂移信息384。
在步驟S120中判斷成MFC運(yùn)用條件中沒(méi)有變更的情況下，在步驟S130中判斷是否實(shí)行晶片處理。因?yàn)槊慨?dāng)進(jìn)行晶片的處理在該晶片處理前修正第一零點(diǎn)漂移和第二零點(diǎn)漂移的緣故。在步驟S130中判斷成實(shí)行晶片處理的情況下，實(shí)行零點(diǎn)漂移修正處理，也就是第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)、第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)而回到步驟S120的處理。
這里，在第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)前實(shí)行第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)和第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)是因?yàn)閮H修正第二零點(diǎn)漂移的漂移量的緣故。即，即使產(chǎn)生第一零點(diǎn)漂移其也在修正成零的狀態(tài)下修正第二零點(diǎn)漂移的緣故。由此，由于可以在沒(méi)有第一零點(diǎn)漂移的影響的狀態(tài)下，修正第二零點(diǎn)漂移，所以第二零點(diǎn)漂移的修正也可以正確地進(jìn)行。
在步驟S130中判斷成不實(shí)行晶片處理的情況下，在步驟S140中判斷熱處理裝置100的運(yùn)行是否停止，在判斷成熱處理裝置100的運(yùn)行停止的情況下回到步驟S120的處理，在判斷成熱處理裝置100的運(yùn)行未停止的情況下結(jié)束一系列的流量修正處理。
圖7中所示的第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)、第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)分別基于第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序373、第一零點(diǎn)漂移修正處理程序374、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理程序375、第二零點(diǎn)漂移修正處理程序376來(lái)實(shí)行。
而且，由于第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)和第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)，相當(dāng)于第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)的事前處理，所以也可以將這些第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)、第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)作為一系列的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理來(lái)考慮。同樣，由于第一來(lái)零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)相當(dāng)于第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)的事前處理，所以也可以將這些第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)、第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)作為一系列的第二零點(diǎn)漂移修正處理來(lái)考慮。
此外，在實(shí)行第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)或第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)時(shí)，如果對(duì)第一零點(diǎn)漂移而言用其他方法等進(jìn)行補(bǔ)償，則沒(méi)有必要一定將第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)和第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)作為事前處理來(lái)實(shí)行。
而且，在圖7中所示的流量修正處理的具體例中，雖然對(duì)于第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)、第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)、第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)而言，對(duì)每當(dāng)晶片處理時(shí)實(shí)行的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是不一定局限于這些，也可以每經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間而進(jìn)行。在以下中，對(duì)圖7中所示的步驟S300～S500的處理詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
(第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理的具體例)
首先，參照?qǐng)D8中所示的子程序說(shuō)明第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)的具體例。如圖8中所示，控制部300首先通過(guò)步驟S210～S240，將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)形成真空狀態(tài)。即，在步驟S210中關(guān)閉第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230，在步驟S220中強(qiáng)制打開(kāi)質(zhì)量流量控制器(MFC)240的控制閥246。在該狀態(tài)下，在步驟S230中進(jìn)行質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)的抽真空處理。通過(guò)打開(kāi)例如排氣側(cè)旁通截止閥134和供給側(cè)旁通截止閥136而經(jīng)由旁通線130利用真空排氣裝置124進(jìn)行抽真空處理。接著，在步驟S240中關(guān)閉第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250。
通過(guò)這種步驟S210～S240，由于質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)成為沒(méi)有產(chǎn)生流動(dòng)的流體本身的真空狀態(tài)，所以不產(chǎn)生熱虹吸現(xiàn)象引起的第二零點(diǎn)漂移。
在該情況下，假如在未將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)抽真空的情況下，即使關(guān)閉例如第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230與第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250，只要在質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)存在著流動(dòng)，就可能因熱虹吸現(xiàn)象而產(chǎn)生第二零點(diǎn)漂移。因而，在這種狀態(tài)下，即使檢測(cè)MFC輸出電壓，則在該輸出電壓中不僅包含第一零點(diǎn)漂移量還包含第二零點(diǎn)漂移量。因此，無(wú)法正確地檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移。
這一點(diǎn)，由于在本實(shí)施方式中，將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)形成不產(chǎn)生第二零點(diǎn)漂移的真空狀態(tài)后，在下一個(gè)步驟S250以后檢測(cè)MFC的輸出電壓，所以可以在不含有第二零點(diǎn)漂移的狀態(tài)下檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量。由此，可以正確地檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量。
在該狀態(tài)下，等到MFC輸出電壓的輸出穩(wěn)定。然后，如果MFC輸出電壓的輸出穩(wěn)定，則在步驟S250中將MFC輸出電壓作為此次的第一零點(diǎn)漂移量E0檢測(cè)。具體地說(shuō)，將流量檢測(cè)指令發(fā)送到MFC控制電路247而接收MFC輸出電壓。在該情況下，如果不產(chǎn)生第一零點(diǎn)漂移則MFC輸出電壓為零，如果產(chǎn)生第一零點(diǎn)漂移則MFC輸出電壓不為零。
接著，在步驟S260中將直到前次所累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量Ek由Ek＝Ek+E0來(lái)更新并儲(chǔ)存。即，將此次第一零點(diǎn)漂移量E0加到第一零點(diǎn)漂移信息383的第一零點(diǎn)漂移量Ek的項(xiàng)目中所儲(chǔ)存的直到前次中累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量Ek上，作為新的第一零點(diǎn)漂移量Ek儲(chǔ)存。例如，如果在圖5中所示的第一零點(diǎn)漂移信息383中第一質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的直到前次所累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量取為E1，則通過(guò)E1＝E1+E0更新第一零點(diǎn)漂移量E1并儲(chǔ)存。
接著，在步驟S270中判斷如上所述更新的第一零點(diǎn)漂移量Ek是否超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值，在判斷成超過(guò)閾值的情況，在步驟S280中進(jìn)行報(bào)知處理。作為報(bào)知處理，利用例如報(bào)警器等報(bào)知裝置350發(fā)生警告聲，或者在液晶板等顯示裝置330上進(jìn)行警告顯示。由此，可以得知質(zhì)量流量控制器(MFC)240的故障或更換時(shí)間等。作為上述閾值將例如成為基準(zhǔn)值的電壓值的±0.3V(300mV)取為閾值，在第一零點(diǎn)漂移量的累計(jì)值Ek偏離該閾值的情況實(shí)行報(bào)知處理。這是因?yàn)樵谶@種情況下，考慮質(zhì)量流量控制器(MFC)240的問(wèn)題的緣故。在步驟S270中判斷成第一零點(diǎn)漂移量的累計(jì)值Ek不超過(guò)預(yù)先設(shè)定的閾值的情況下，結(jié)束第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理。
而且，在進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理的情況下，也可以最初進(jìn)行事前檢查處理，以便能夠可靠地檢測(cè)質(zhì)量流量控制器(MFC)240的第一零點(diǎn)漂移。作為事前檢查處理，可以舉出例如半導(dǎo)體制造裝置的電源投入后規(guī)定時(shí)間(例如4小時(shí)以上)的暖氣運(yùn)行、配置氣體供給系統(tǒng)200的容器(氣罐)內(nèi)的正常排氣(例如2小時(shí)以上)、在利用加熱器進(jìn)行溫度調(diào)整的情況等待該溫度的穩(wěn)定、第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230和第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250等的泄漏檢查等。優(yōu)選確認(rèn)在這類(lèi)事前檢查中沒(méi)有異常后進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理。
(第一零點(diǎn)漂移修正處理的具體例)接下來(lái)，參照?qǐng)D9中所示的子程序說(shuō)明第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)的具體例。如圖9中所示，控制部300首先在步驟S310中對(duì)質(zhì)量流量控制器(MFC)240進(jìn)行零點(diǎn)設(shè)定指令。具體地說(shuō)，控制部300向質(zhì)量流量控制器(MFC)240發(fā)送零點(diǎn)設(shè)定指令，將當(dāng)前的狀態(tài)設(shè)定成流量零。例如在步驟S200中，在質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)沒(méi)有流體的真空狀態(tài)下所檢測(cè)的第一零點(diǎn)漂移量Ek不為零的情況下，該狀態(tài)被設(shè)定成流量零。
接著，在步驟S320中檢測(cè)MFC輸出電壓確認(rèn)進(jìn)行零點(diǎn)設(shè)定。即，確認(rèn)MFC輸出電壓不為零。這樣一來(lái)，如果第一零點(diǎn)漂移修正處理結(jié)束，則回到圖7中所示的流量修正處理，接著，實(shí)行第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)而結(jié)束第一零點(diǎn)漂移修正處理。
(第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理的具體例)接下來(lái)，參照?qǐng)D10中所示的子程序說(shuō)明第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)的具體例。如圖10中所示，控制部300首先在步驟S410中將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)置換成運(yùn)用氣體(例如如果是質(zhì)量流量控制器(MFC)240A則為SiH4氣體)。具體地說(shuō)，打開(kāi)例如第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230和第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250而將運(yùn)用氣體導(dǎo)入質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)，并且通過(guò)打開(kāi)排氣側(cè)旁通截止閥134和供給側(cè)旁通截止閥136經(jīng)由旁通線130利用真空排氣裝置124進(jìn)行抽真空處理。此時(shí)，通過(guò)交互地重復(fù)運(yùn)用氣體的導(dǎo)入與抽真空處理的循環(huán)換氣也可以將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)置換成運(yùn)用氣體。
接著，通過(guò)步驟S420～步驟S440，以運(yùn)用壓力將運(yùn)用氣體封入質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)。即，在步驟S420中關(guān)閉第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250，在步驟S430中強(qiáng)制打開(kāi)質(zhì)量流量控制器(MFC)240的控制閥246，在步驟S440中將質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)形成運(yùn)用壓力。具體地說(shuō)，關(guān)閉第二截止閥(下游側(cè)截止閥)250的狀態(tài)下，導(dǎo)入運(yùn)用氣體直到質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)成為運(yùn)用壓力。然后，如果質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)成為運(yùn)用壓力，則在步驟S450中關(guān)閉第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230，停止運(yùn)用氣體的導(dǎo)入。由此，運(yùn)用氣體以運(yùn)用壓力被封入質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)。
在該狀態(tài)下，等待MFC輸出電壓的輸出穩(wěn)定。然后，如果MFC輸出電壓的輸出穩(wěn)定，則在步驟S460中檢測(cè)MFC輸出電壓V。具體地說(shuō)，將流量檢測(cè)指令發(fā)送到MFC控制電路247作為第二零點(diǎn)漂移量V接收MFC輸出電壓。在該情況下，如果不產(chǎn)生第二零點(diǎn)漂移則MFC輸出電壓為零，如果產(chǎn)生第二零點(diǎn)漂移則MFC輸出電壓不為零。此外，在本實(shí)施方式中，因?yàn)橐呀?jīng)進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)(步驟S200)和修正(步驟S300)，故可以在不含有第一零點(diǎn)漂移量的狀態(tài)下檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移量。由此，可以正確地檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移量。
接著，在步驟S470中照原樣儲(chǔ)存第二零點(diǎn)漂移量V。即，在第二零點(diǎn)漂移信息384的第二零點(diǎn)漂移量Vk的項(xiàng)目中照原樣儲(chǔ)存第二零點(diǎn)漂移量V。例如，在圖6中所示的第二零點(diǎn)漂移信息384中對(duì)第一質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的SiH4氣體而言，將所檢測(cè)的第二零點(diǎn)漂移量V作為第二零點(diǎn)漂移量V1SiH4儲(chǔ)存。
接著，在步驟S480中判斷所有的運(yùn)用氣體和運(yùn)用壓力中的檢查是否結(jié)束。這是因?yàn)槿缟纤鲆驗(yàn)榈诙泓c(diǎn)漂移量因氣體種類(lèi)(氣體分子量)與壓力而不同，因此在對(duì)一個(gè)質(zhì)量流量控制器(MFC)而言具有多個(gè)運(yùn)用氣體與運(yùn)用壓力的情況下，對(duì)各運(yùn)用氣體而言有必要在各運(yùn)用壓力下分別檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移。
例如在圖1中所示的構(gòu)成例中，因?yàn)榈谝毁|(zhì)量流量控制器(MFC)240A中的運(yùn)用氣體有SiH4與N2，所以針對(duì)各運(yùn)用氣體檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移。此時(shí)在一種氣體中有多個(gè)運(yùn)用壓力的情況下針對(duì)各運(yùn)用壓力檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移。
在步驟S480中判斷成所有的運(yùn)用氣體和運(yùn)用壓力下的檢查未結(jié)束的情況下回到步驟S410的處理，在判斷成所有的運(yùn)用氣體和運(yùn)用壓力下的檢查結(jié)束的情況下結(jié)束第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理。
而且，在進(jìn)行第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理的情況下，與上述第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理的情況同樣，也可以最初進(jìn)行事前檢查處理，以便質(zhì)量流量控制器(MFC)240的第二零點(diǎn)漂移可以可靠地檢測(cè)。這里的事前檢查處理的具體例，與上述針對(duì)第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理的事前檢查處理是同樣的。
(第二零點(diǎn)漂移修正處理的具體例)接下來(lái)，參照?qǐng)D11中所示的子程序說(shuō)明第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)的具體例。如圖11中所示，控制部300首先在步驟S510中基于例如處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置380的過(guò)程處理信息381取得此后進(jìn)行晶片處理的運(yùn)用氣體、運(yùn)用壓力、運(yùn)用氣體流量V。而且、運(yùn)用氣體、運(yùn)用壓力、運(yùn)用氣體流量V也可以通過(guò)觸摸屏等輸入輸出裝置340的操作由操作者輸入。
接著，在步驟S520中基于處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置380的第二零點(diǎn)漂移信息394取得所取得的運(yùn)用氣體和運(yùn)用壓力。在該情況下，在進(jìn)行晶片處理時(shí)利用多個(gè)質(zhì)量流量控制器(MFC)240對(duì)氣體流量進(jìn)行控制的情況下，針對(duì)各質(zhì)量流量控制器(MFC)240取得第二零點(diǎn)漂移信息394。
接著，在步驟S530中，將在取得的運(yùn)用氣體流量V上加上第二零點(diǎn)漂移量Vk的流量(V＝V+Vk)作為修正后的設(shè)定流量V來(lái)對(duì)質(zhì)量流量控制器(MFC)240進(jìn)行設(shè)定。具體地說(shuō)，控制部300將設(shè)定流量V的設(shè)定指令向質(zhì)量流量控制器(MFC)240的MFC控制電路247進(jìn)行發(fā)送。于是，MFC控制電路247以第二零點(diǎn)漂移已修正的流量V進(jìn)行流量設(shè)定。
由此，在晶片處理時(shí)，利用第一零點(diǎn)漂移與第二零點(diǎn)漂移兩方已修正的流量V控制流量。因而，可以不受第一零點(diǎn)漂移和第二零點(diǎn)漂移兩方的影響，進(jìn)行精度更高的流量控制。
而且，雖然在圖7中所示的流量修正處理中，舉出在實(shí)行晶片處理時(shí)，在步驟S200中檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量，在步驟S300中修正第一零點(diǎn)漂移量后，在步驟S500中修正零點(diǎn)漂移量的情況為例，但是不一定限定于此，第一零點(diǎn)漂移量的修正與第二零點(diǎn)漂移量的修正也可以同時(shí)進(jìn)行。
即，也可以基于儲(chǔ)存于第二零點(diǎn)漂移信息384的第二零點(diǎn)漂移量和實(shí)行晶片處理時(shí)檢測(cè)的第一零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于晶片處理時(shí)使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，在質(zhì)量流量控制器(MFC)240中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。具體地說(shuō)，省略第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)，也就是不進(jìn)行零點(diǎn)設(shè)定指令，在第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)中進(jìn)行還考慮第一零點(diǎn)漂移量的修正。也可以例如在圖11中所示的步驟S530中，作為修正在取得的運(yùn)用氣體流量V上加上第二零點(diǎn)漂移量Vk和剛剛檢測(cè)到的第一零點(diǎn)漂移量E的流量(V＝V+Vk+E)后的設(shè)定流量V在質(zhì)量流量控制器(MFC)240中設(shè)定。由此，可以同時(shí)進(jìn)行第一零點(diǎn)漂移量的修正與第二零點(diǎn)漂移量的修正。
在這種構(gòu)成的根據(jù)第一實(shí)施方式的熱處理裝置100中，可以正確地檢測(cè)基于實(shí)際的晶片處理時(shí)產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)。即，因?yàn)榛跓岷缥F(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量的大小因氣體種類(lèi)(氣體分子量)而異，因此通過(guò)用晶片處理時(shí)使用的氣體檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)，可以正確地檢測(cè)實(shí)際的晶片處理時(shí)可能產(chǎn)生的零點(diǎn)漂移量。
此外，儲(chǔ)存檢測(cè)的基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量(第二零點(diǎn)漂移量)后，在實(shí)行晶片處理時(shí)，通過(guò)修正對(duì)應(yīng)于晶片處理時(shí)使用的氣體流量的設(shè)定電壓，可以正確地修正第二零點(diǎn)漂移量。由此，不論質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)如何，均可以提高流量控制的精度。進(jìn)而，不論質(zhì)量流量控制器(MFC)240的構(gòu)成如何，均可以正確地檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量。
此外，對(duì)根據(jù)第一實(shí)施方式的熱處理裝置100所具有的各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C而言，因?yàn)閷?shí)行上述那種流量修正處理，因此，無(wú)論各質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C的設(shè)置姿勢(shì)如何，均可以進(jìn)一步提高流量控制的精度。
此外，由于在檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量前，檢測(cè)并修正質(zhì)量流量控制器(MFC)240的基于使用的第一零點(diǎn)漂移量，所以可以不影響第一零點(diǎn)漂移且正確地檢測(cè)基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量。而且，在檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量時(shí)，關(guān)閉質(zhì)量流量控制器(MFC)240的各截止閥230、250，不僅形成實(shí)際氣體不流動(dòng)的狀態(tài)，而且由于質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)真空排氣，所以在質(zhì)量流量控制器(MFC)240內(nèi)成為沒(méi)有能夠產(chǎn)生流動(dòng)的流體本身的真空狀態(tài)。因此，由于不發(fā)生熱虹吸現(xiàn)象，所以可以在也沒(méi)有基于該熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移的狀態(tài)下檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量。由此，可以正確地檢測(cè)第一零點(diǎn)漂移量。
此外，在實(shí)行晶片處理時(shí)也是，由于在修正基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量前，檢測(cè)并修正質(zhì)量流量控制器(MFC)240的基于使用的第一零點(diǎn)漂移，所以可以不影響第一零點(diǎn)漂移且可靠地修正基于熱虹吸現(xiàn)象的第二零點(diǎn)漂移量。由此，無(wú)論質(zhì)量流量控制器(MFC)240的設(shè)置姿勢(shì)如何，可以更加提高流量控制的精度。
(根據(jù)第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成例)接下來(lái)，參照附圖，對(duì)根據(jù)第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置說(shuō)明本發(fā)明。這里，與第一實(shí)施方式的情況同樣，作為半導(dǎo)體制造裝置，舉出對(duì)晶片進(jìn)行規(guī)定的熱處理的熱處理裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。圖12是表示根據(jù)第二實(shí)施方式的熱處理裝置的構(gòu)成例的圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的熱處理裝置100，氣體供給系統(tǒng)200的構(gòu)成與根據(jù)第一實(shí)施方式的熱處理裝置100不同。即，根據(jù)第一實(shí)施方式的熱處理裝置100構(gòu)成為針對(duì)作為運(yùn)用氣體的各SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體分別利用第一～第三質(zhì)量流量控制器(MFC)240A～240C進(jìn)行流量控制，與此相對(duì)照，根據(jù)第二實(shí)施方式的熱處理裝置100構(gòu)成為對(duì)作為運(yùn)用氣體的各SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體利用共同的一個(gè)第一質(zhì)量流量控制器(MFC)240A進(jìn)行流量控制這一點(diǎn)上不同。
具體地說(shuō)，SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體的氣體供給路210A～210C分別在第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230A～230C的下游側(cè)處合流，連接于質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的氣體導(dǎo)入口。此外，例如作為吹洗氣體而使用的N2氣體的氣體供給路210D經(jīng)由單向閥260D、第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230D而在第一截止閥(上游側(cè)截止閥)230A～230C的下游側(cè)處合流，連接于質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的氣體導(dǎo)入口。
根據(jù)第二實(shí)施方式的第一零點(diǎn)漂移信息383，如圖13中所示，僅儲(chǔ)存共同的質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的第一零點(diǎn)漂移量(Ek)即可。此外，根據(jù)第二實(shí)施方式的第二零點(diǎn)漂移信息384，如圖14中所示，僅儲(chǔ)存共同的質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的氣體種類(lèi)(Gk)、壓力(Pk)、第二零點(diǎn)漂移量。
在這種根據(jù)第二實(shí)施方式的熱處理裝置100中，與根據(jù)第一實(shí)施方式的熱處理裝置100同樣可以運(yùn)用圖7～圖11中所示那種流量修正處理。例如，在圖12中所示的熱處理裝置100中，利用一個(gè)共同的質(zhì)量流量控制器(MFC)240A控制多個(gè)運(yùn)用氣體(SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體、N2氣體)的流量。因此，在根據(jù)第二實(shí)施方式的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S400)中，針對(duì)各運(yùn)用氣體檢測(cè)第二零點(diǎn)漂移量，將各運(yùn)用氣體的第二零點(diǎn)漂移量預(yù)先儲(chǔ)存于圖14中所示那種第二零點(diǎn)漂移信息384。
然后，在晶片處理時(shí)，實(shí)行第一零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理(步驟S200)和第一零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S300)后，通過(guò)第二零點(diǎn)漂移修正處理(步驟S500)基于第二零點(diǎn)漂移信息384修正針對(duì)各運(yùn)用氣體的設(shè)定流量。由此，在晶片處理時(shí)利用第一零點(diǎn)漂移與第二零點(diǎn)漂移兩方所修正的流量V控制流量。
如果利用這種根據(jù)第二實(shí)施方式的熱處理裝置100，則使用共同的質(zhì)量流量控制器(MFC)240A分別向熱處理部110供給多個(gè)氣體種類(lèi)而進(jìn)行晶片處理。在這種情況下也是，通過(guò)進(jìn)行與第一實(shí)施方式同樣的流量修正處理，在晶片處理時(shí)使用各氣體種類(lèi)時(shí)可以正確地檢測(cè)并修正基于實(shí)際上可能產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量。由此，可以無(wú)論質(zhì)量流量控制器(MFC)240A的設(shè)置姿勢(shì)如何，更加提高流量控制的精度。
而且，對(duì)通過(guò)上述實(shí)施方式詳述的本發(fā)明而言，可以運(yùn)用于由多個(gè)機(jī)器所構(gòu)成的系統(tǒng)，也可以運(yùn)用于由一個(gè)機(jī)器組成的系統(tǒng)。將儲(chǔ)存實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的軟件的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)供給到系統(tǒng)或裝置，通過(guò)該系統(tǒng)或裝置的計(jì)算機(jī)(或CPU或MPU)讀出并實(shí)行儲(chǔ)存于存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)中的程序，可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明是不用說(shuō)的。
在該情況下，從存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)所讀出的程序本身成為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能，儲(chǔ)存該程序的存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。作為用來(lái)供給程序的存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)，可以用例如Floppy(注冊(cè)商標(biāo))軟盤(pán)、硬盤(pán)、光盤(pán)、光磁性盤(pán)、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁帶、非易失性存儲(chǔ)器卡、ROM、或者經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)的下載等。
而且，通過(guò)計(jì)算機(jī)實(shí)行讀出的程序，不僅實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能，而且基于該程序的指示，在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的OS等進(jìn)行實(shí)際的處理的一部或者全部，通過(guò)該處理實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的情況，也包含于本發(fā)明。
此外，從存儲(chǔ)介質(zhì)等介質(zhì)所讀出的程序，寫(xiě)入插入計(jì)算機(jī)的功能擴(kuò)展板或連接于計(jì)算機(jī)的功能擴(kuò)展單元中所備有的存儲(chǔ)器后，基于該程序的指示，該功能擴(kuò)展板或功能擴(kuò)展單元中所備有的CPU等進(jìn)行實(shí)際的處理的一部或全部，通過(guò)該處理實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能的情況，也包含于本發(fā)明。
雖然以上，參照附圖就本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不限定于此例是不用說(shuō)的。只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員，在權(quán)利要求書(shū)中所述的范圍內(nèi)，可以得到各種變形例或修正例是顯而易見(jiàn)的，對(duì)這些而言應(yīng)該明白當(dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
例如，雖然在上述第一和第二實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體制造裝置舉出熱處理裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是不一定限定于此，只要是利用質(zhì)量流量控制器等流量控制器控制氣體或液體的流量而對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的半導(dǎo)體制造裝置，可以運(yùn)用于各種的種類(lèi)的半導(dǎo)體制造裝置。例如作為半導(dǎo)體制造裝置除了熱處理裝置之外，也可以運(yùn)用于蝕刻裝置或成膜裝置。
工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明運(yùn)用于利用質(zhì)量流量控制器等流量控制器控制氣體或液體的流量而對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的半導(dǎo)體制造裝置，半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，程序是可能的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部?jī)?nèi)的氣體供給路；設(shè)置在所述氣體供給路，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；以及在所述流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，并將該輸出電壓儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置的所述流量控制器的輸出電壓修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
2.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部?jī)?nèi)的多個(gè)氣體供給路；分別設(shè)置在所述各氣體供給路上，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的多個(gè)流量控制器；分別設(shè)置在所述各流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；以及在所述各流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述各氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中所述控制部在實(shí)行基板處理前，針對(duì)所述各流量控制器預(yù)先至少利用基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述各流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，并將針對(duì)各流量控制器的輸出電壓儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，基于針對(duì)所述各流量控制器儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的輸出電壓，分別針對(duì)所述各流量控制器修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述各流量控制器中分別設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
3.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部?jī)?nèi)的多個(gè)氣體供給路；設(shè)置在所述各氣體供給路合流的合流路上，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的共同的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的下游側(cè)的所述各氣體供給路上的下游側(cè)截止閥；設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)的上游側(cè)截止閥；以及在所述流量控制器中分別設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述各氣體供給路所供給的各氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，針對(duì)基板處理時(shí)所使用的各氣體種類(lèi)預(yù)先至少利用所述氣體對(duì)所述各流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將針對(duì)各氣體種類(lèi)的輸出電壓儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的針對(duì)各氣體種類(lèi)的所述流量控制器的輸出電壓，分別修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的各氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中分別設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
4.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部?jī)?nèi)的氣體供給路；設(shè)置在所述氣體供給路上，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)上的截止閥；能夠?qū)λ隽髁靠刂破鲀?nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
5.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，包括對(duì)基板實(shí)施用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部?jī)?nèi)的氣體供給路；設(shè)置在所述氣體供給路上，比較來(lái)自檢測(cè)所述氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器；分別設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥；能夠?qū)λ隽髁靠刂破鲀?nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設(shè)定對(duì)應(yīng)于由所述氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓的控制部，其中，所述控制部在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)，利用所述真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于將對(duì)應(yīng)于基板處理所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量和實(shí)行基板處理時(shí)檢測(cè)到的所述第一零點(diǎn)漂移量而進(jìn)行修正，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓。
6.一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，并對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于，包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用在基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置于所述流量控制器的上游側(cè)以及下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述流量控制器的零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正工序。
7.一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的多個(gè)流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先針對(duì)所述各流量控制器至少利用在基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)和下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下，檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將這些針對(duì)各流量控制器的輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，針對(duì)所述各流量控制器基于針對(duì)所述各流量控制器儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的輸出電壓分別修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述各流量控制器中分別設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正工序。
8.一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先針對(duì)基板處理時(shí)所使用的各氣體種類(lèi)至少利用所述氣體對(duì)所述各流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)和下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將針對(duì)各氣體種類(lèi)的輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的針對(duì)各氣體種類(lèi)的零點(diǎn)漂移量分別修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的各氣體種類(lèi)的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正工序。
9.一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部并對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣而在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，并基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，基于儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的第二零點(diǎn)漂移修正工序。
10.一種半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于其是利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部并對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其包括在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)工序；和在實(shí)行基板處理時(shí)，利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于將對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體流量的設(shè)定電壓儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量和實(shí)行基板處理時(shí)檢測(cè)到的所述第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行修正，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的第二零點(diǎn)漂移修正工序。
11.如權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正方法，其特征在于在檢測(cè)所述第一零點(diǎn)漂移量的同時(shí)還將累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中，在檢測(cè)所述第一零點(diǎn)漂移量時(shí)，在將該第一零點(diǎn)漂移量加到直到上一次為止所累計(jì)的第一零點(diǎn)漂移量的值超出預(yù)定的閾值的情況下進(jìn)行報(bào)知處理。
12.一種程序，其特征在于其是用于實(shí)行利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正處理的程序，其中，該程序用于在計(jì)算機(jī)中實(shí)行下述處理在實(shí)行基板處理前，預(yù)先至少利用基板處理時(shí)所使用的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉設(shè)置在所述流量控制器的上游側(cè)和下游側(cè)的各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置的零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理，和在實(shí)行基板處理時(shí)，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述流量控制器的零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的零點(diǎn)漂移修正處理。
13.一種程序，其特征在于其是用于實(shí)行利用比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的流量控制器將氣體供給到處理部，對(duì)該處理部?jī)?nèi)的基板進(jìn)行用來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的處理的半導(dǎo)體制造裝置的流量修正處理的程序，其中，該程序用于在計(jì)算機(jī)中實(shí)行下述處理在實(shí)行基板處理前，預(yù)先利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，至少利用與基板處理時(shí)同樣的氣體對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行置換并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點(diǎn)漂移量?jī)?chǔ)存于存儲(chǔ)裝置中的第二零點(diǎn)漂移檢測(cè)處理，和在實(shí)行基板處理時(shí)，利用真空排氣裝置對(duì)所述流量控制器內(nèi)進(jìn)行真空排氣并在關(guān)閉所述各截止閥的狀態(tài)下作為第一零點(diǎn)漂移量檢測(cè)所述流量控制器的輸出電壓，基于該第一零點(diǎn)漂移量進(jìn)行零點(diǎn)修正，之后，基于儲(chǔ)存于所述存儲(chǔ)裝置中的所述第二零點(diǎn)漂移量修正對(duì)應(yīng)于基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，并在所述流量控制器中設(shè)定修正后的氣體流量的設(shè)定電壓的第二零點(diǎn)漂移修正處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造裝置，能夠正確地檢測(cè)基于基板處理時(shí)實(shí)際產(chǎn)生的熱虹吸現(xiàn)象的零點(diǎn)漂移量并進(jìn)行可靠修正，包括將氣體供給到熱處理部(110)內(nèi)的氣體供給路(210)，比較來(lái)自檢測(cè)氣體供給路的氣體流量的檢測(cè)部的輸出電壓與對(duì)應(yīng)于預(yù)先設(shè)定的設(shè)定流量的設(shè)定電壓，控制氣體供給路的氣體流量為設(shè)定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部實(shí)行基板處理前預(yù)先至少利用基板處理時(shí)使用的氣體置換MFC內(nèi)并在關(guān)閉設(shè)置在MFC上游側(cè)與下游側(cè)的截止閥(230、250)的狀態(tài)下檢測(cè)來(lái)自MFC的輸出電壓并儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置，在實(shí)行基板處理時(shí)基于儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置的MFC的輸出電壓修正對(duì)應(yīng)于基板處理時(shí)使用氣體的氣體流量的設(shè)定電壓，在MFC中設(shè)定修正的設(shè)定電壓。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101032008SQ20068000093
公開(kāi)日2007年9月5日 申請(qǐng)日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月25日
發(fā)明者守谷修司, 岡部庸之, 衣斐寬之, 清水哲夫, 北川均 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社