專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法、尤其是一種在投影系統(tǒng)和待曝光的襯底之間含有液體的浸入式光刻裝置，以及一種相關(guān)的浸入式器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是可在襯底、通常是襯底的目標(biāo)部分上施加所需圖案的機器。光刻裝置例如可用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可采用圖案形成裝置來產(chǎn)生將形成于IC的單個層上的電路圖案，該圖案形成裝置也稱為掩模或分劃板。該圖案可被轉(zhuǎn)移到襯底(如硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括一個或多個管芯)上。圖案的轉(zhuǎn)移通常借助于成像到設(shè)于襯底上的一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上來實現(xiàn)。通常來說，單個襯底包含被連續(xù)地形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將整個圖案一次性地曝光在目標(biāo)部分上來照射各目標(biāo)部分，還包括所謂的掃描器，其中通過沿給定方向(“掃描”方向)由輻射光束來掃描圖案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地掃描襯底來照射各目標(biāo)部分。還可以通過將圖案壓印在襯底上來將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上。
已經(jīng)提出了可將光刻投影裝置中的襯底浸入到具有相對較高折射率的液體如水中，以便填充投影系統(tǒng)的最后元件與襯底之間的空間。其目的是用于成像較小的特征，這是因為曝光輻射在液體中將具有更短的波長(液體的效果還被認為是增加了系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且增大了聚焦深度)。還已經(jīng)提出了其它的浸液，包括其中懸浮有固體顆粒(如石英)的水。
然而，將襯底或襯底及襯底臺浸入在液體池(例如可見美國專利US 4509852，其通過引用整體地結(jié)合于本文中)意味著，在掃描曝光期間很大一部分液體必須被加速。這就要求有額外的或更大功率的電動機，并且液體中的湍流可能會導(dǎo)致不希望有的和無法預(yù)測的效果。
針對液體供給系統(tǒng)所提出的一種解決方案是，僅在襯底的局部區(qū)域上以及在投影系統(tǒng)的最后元件與襯底(襯底通常具有比投影系統(tǒng)的最后元件更大的表面積)之間提供液體。在PCT專利申請WO99/49504中公開了已經(jīng)提出的針對此而設(shè)置的一種解決方案，其通過引用整體地結(jié)合于本文中。如圖2和3所示，液體經(jīng)由襯底上的至少一個入口IN且優(yōu)選沿著襯底相對于最后元件的運動方向來供給，并且在已經(jīng)在投影系統(tǒng)下方通過之后經(jīng)由至少一個出口OUT排出。這就是說，當(dāng)襯底在元件下方沿著-X方向被掃描時，液體在元件的+X側(cè)供給并且在-X側(cè)被吸走。圖2示意性地顯示了這一設(shè)置，其中液體經(jīng)由入口IN來供給，并且經(jīng)由與低壓源相連的出口OUT而在元件的另一側(cè)被吸走。在圖2中，液體沿著襯底相對于最后元件的運動方向來供給，但這在此例中不是必須的。入口和出口可具有圍繞著最后元件設(shè)置的各種定位和數(shù)量，在圖3中顯示了一個例子，其中圍繞著最后元件以規(guī)則的圖案設(shè)置了位于各側(cè)上的四組入口和出口。

發(fā)明內(nèi)容
在襯底的曝光之間，完成曝光的襯底要與待曝光的襯底進行交換。為了在浸入式光刻裝置中進行這種交換，位于液體供給系統(tǒng)和浸液之下的襯底可以用封閉面來替換。封閉面例如能夠在不必除去與襯底相鄰的液體的情況下使該襯底與另一個襯底交換。封閉面可以使液體供給系統(tǒng)內(nèi)的液流維持不中斷狀態(tài)并且保持投影系統(tǒng)的最后光學(xué)元件的表面持續(xù)濕潤。雖然封閉面可以用于襯底的相互交換，但它也可以用于其它的應(yīng)用，例如襯底臺上的維護、無液體時的襯底測量，等等，此時需要使液體與襯底和/或襯底臺分離開。
在一個實施例中，封閉面可以利用液體供給系統(tǒng)的液體限制結(jié)構(gòu)底面上的真空而與液體供給系統(tǒng)聯(lián)接?？梢杂糜诼?lián)接封閉面的這種方法和其它方法如機械方法的一個潛在問題是，當(dāng)封閉面碰撞到液體供給系統(tǒng)時，可能會從封閉面或液體供給系統(tǒng)中釋放出顆粒并進入到液體中。這些顆粒會污染液體供給系統(tǒng)和液體，污染投影系統(tǒng)的最后光學(xué)元件和/或襯底，和/或部分地遮住光線，從而造成印刷缺陷。在最后光學(xué)元件上、在襯底上和/或在液體中的那些可以進入曝光投影光束路徑的地方的污染可能會降低對襯底曝光的精度。此外，襯底上的污染物沉積可能會對曝光加工之后的其它加工步驟如蝕刻、沉積等帶來問題。
因此，例如提供可降低浸液和任何或全部鄰近或接觸液體的表面受到污染的危險的封閉面定位系統(tǒng)將是有利的。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種光刻裝置，該光刻裝置包括投影系統(tǒng)，其構(gòu)造成可將圖案化輻射光束投射到由襯底臺支撐的襯底上；液體供給系統(tǒng)，其構(gòu)造成可在投影系統(tǒng)與襯底之間的空間內(nèi)提供液體；封閉面，其構(gòu)造成可代替襯底而為由液體供給系統(tǒng)所提供的液體提供限制表面；封閉面定位裝置，其構(gòu)造成在采用封閉面來限制由液體供給系統(tǒng)所提供的液體時可在液體供給系統(tǒng)與封閉面之間形成并維持間隙。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件制造方法，該器件制造方法包括
利用液體供給系統(tǒng)來在光刻投影裝置的投影系統(tǒng)與襯底之間的空間內(nèi)提供液體；在封閉面代替襯底而限制由液體供給系統(tǒng)所提供的液體時，在液體供給系統(tǒng)與封閉面之間形成并維持間隙；和當(dāng)襯底用作由液體供給系統(tǒng)所提供的液體的限制表面時，將圖案化輻射光束穿過液體投射到襯底上。


下面將僅通過示例的方式并參考示意性附圖來介紹本發(fā)明的實施例，在附圖中對應(yīng)的標(biāo)號表示對應(yīng)的部分，其中圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻裝置；圖2和3顯示了用于光刻投影裝置的液體供給系統(tǒng)；圖4顯示了用于光刻投影裝置的另一液體供給系統(tǒng)；圖5顯示了用于光刻投影裝置的另外一個液體供給系統(tǒng)；圖6顯示了帶封閉板的液體供給系統(tǒng)的液體限制結(jié)構(gòu)；圖7顯示了圖2所示液體供給系統(tǒng)的液體限制結(jié)構(gòu)，其中帶有根據(jù)本發(fā)明的一個實施例來定位的封閉板；圖8顯示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖7所示液體限制結(jié)構(gòu)和封閉板的定向；和圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的圖7所示液體限制結(jié)構(gòu)和封閉板的定向。
具體實施例方式
圖1示意性地顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻裝置。該裝置包括構(gòu)造成可調(diào)節(jié)輻射光束PB(例如UV輻射或DUV輻射)的照明系統(tǒng)(照明器)IL；構(gòu)造成可支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其與構(gòu)造成可按照一定參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；構(gòu)造成可固定襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W的襯底臺(例如晶片臺)WT，其與構(gòu)造成可按照一定參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和構(gòu)造成可將由圖案形成裝置MA施加給輻射光束B的圖案投射在襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個或多個管芯)上的投影系統(tǒng)(例如折射型投影透鏡系統(tǒng))PL。
該照明系統(tǒng)可包括用于對輻射進行引導(dǎo)、成形或控制的多種類型的光學(xué)部件，例如折射式、反射式、磁式、電磁式、靜電式或其它類型的光學(xué)部件或其任意組合。
支撐結(jié)構(gòu)以一定的方式固定住圖案形成裝置，這種方式取決于圖案形成裝置的定向、光刻裝置的設(shè)計以及其它條件，例如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境下。支撐結(jié)構(gòu)可使用機械、真空、靜電或其它夾緊技術(shù)來固定住圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)例如可為框架或臺，其可根據(jù)要求為固定的或可動的。支撐結(jié)構(gòu)可保證圖案形成裝置可例如相對于投影系統(tǒng)處于所需的位置。用語“分劃板”或“掩?！痹诒疚闹械娜魏问褂每杀灰暈榕c更通用的用語“圖案形成裝置”具有相同的含義。
這里所用的用語“圖案形成裝置”應(yīng)被廣義地解釋為可用于為輻射光束的橫截面施加一定圖案以便在襯底的目標(biāo)部分中形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意的是，例如如果圖案包括相移特征或所謂的輔助特征，那么施加于輻射光束中的圖案可以不精確地對應(yīng)于襯底目標(biāo)部分中的所需圖案。一般來說，施加于輻射光束中的圖案將對應(yīng)于待形成在目標(biāo)部分內(nèi)的器件如集成電路中的特定功能層。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的例子包括掩模、可編程的鏡陣列和可編程的LCD面板。掩模在光刻領(lǐng)域中是眾所周知的，其包括例如二元型、交變相移型和衰減相移型等掩模類型，還包括各種混合式掩模類型?？删幊嚏R陣列的一個例子采用微型鏡的矩陣設(shè)置，各鏡子可單獨地傾斜以沿不同方向反射所入射的輻射光束。傾斜鏡在被鏡矩陣所反射的輻射光束中施加了圖案。
這里所用的用語“投影系統(tǒng)”應(yīng)被廣義地理解為包括各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射式、反射式、反射折射式、磁式、電磁式和靜電式光學(xué)系統(tǒng)或其任意組合，這例如應(yīng)根據(jù)所用的曝光輻射或其它因素如使用浸液或使用真空的情況來適當(dāng)?shù)卮_定。用語“投影透鏡”在本文中的任何使用均應(yīng)被視為與更通用的用語“投影系統(tǒng)”具有相同的含義。
如這里所述，此裝置為透射型(例如采用了透射掩模)。或者，此裝置也可以是反射型(例如采用了如上所述類型的可編程鏡陣列，或者采用了反射掩模)。
光刻裝置可以是具有兩個(雙級)或多個襯底臺(和/或兩個或多個支撐結(jié)構(gòu))的那種類型。在這種“多級”式機器中，附加的臺可以并聯(lián)地使用，或者可在一個或多個臺上進行預(yù)備步驟而將一個或多個其它的臺用于曝光。
參見圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是單獨的實體，例如在輻射源為準(zhǔn)分子激光器時。在這種情況下，輻射源不應(yīng)被視為形成了光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束傳送系統(tǒng)BD從源SO傳遞到照明器IL中，光束傳送系統(tǒng)BD例如包括適當(dāng)?shù)囊龑?dǎo)鏡和/或光束擴展器。在其它情況下，該源可以是光刻裝置的一個整體部分，例如在該源為水銀燈時。源SO和照明器IL及光束傳送系統(tǒng)BD(如果需要的話)一起可稱為輻射系統(tǒng)。
照明器IL可包括調(diào)節(jié)裝置AD，其用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強度分布。通常來說，至少可以調(diào)節(jié)照明器的光瞳面內(nèi)的強度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)。另外，照明器IL通常包括各種其它的器件，例如積分器IN和聚光器CO。照明器用來調(diào)節(jié)輻射光束，以使其在其橫截面上具有所需的均勻性和強度分布。
輻射光束B入射在固定于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺MT)上的圖案形成裝置(例如掩模MA)上，并通過該圖案形成裝置而圖案化。在穿過掩模MA后，輻射光束B通過投影系統(tǒng)PS，其將光束聚焦在襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉儀、線性編碼器或電容傳感器)，襯底臺WT可精確地移動，以便例如將不同的目標(biāo)部分C定位在輻射光束B的路徑中。類似地，可用第一定位裝置PM和另一位置傳感器(在圖1中未明確示出)來相對于輻射光束B的路徑對圖案形成裝置MA進行精確的定位，例如在將圖案形成裝置從掩模庫中機械式地重新取出之后或者在掃描過程中。通常來說，借助于形成為第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的運動。類似的，采用形成為第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊，可實現(xiàn)襯底臺WT的運動。在采用步進器的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可只與短行程致動器相連，或被固定住。掩模MA和襯底W可采用圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1，M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1，P2來對準(zhǔn)。雖然襯底對準(zhǔn)標(biāo)記顯示為占據(jù)了專用目標(biāo)部分，然而它們可位于目標(biāo)部分之間的空間內(nèi)(它們稱為劃線片對準(zhǔn)標(biāo)記)。類似的，在圖案形成裝置MA上設(shè)置了超過一個管芯的情況下，圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記可位于管芯之間。
所述裝置可用于至少一種下述模式中1.在步進模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT基本上保持靜止，而施加到投影光束上的整個圖案被一次性投影到目標(biāo)部分C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動襯底臺WT，使得不同的目標(biāo)部分C被曝光。在步進模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中所成像的目標(biāo)部分C的大小。
2.在掃描模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT被同步地掃描，同時施加到投影光束上的圖案被投影到目標(biāo)部分C上(即單次動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向由投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像倒轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了單次動態(tài)曝光中的目標(biāo)部分的寬度(非掃描方向上)，而掃描運動的長度決定了目標(biāo)部分的高度(掃描方向上)。
3.在另一模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT基本上固定地夾持了可編程的圖案形成裝置，而襯底臺WT在施加到投影光束上的圖案被投影到目標(biāo)部分C上時產(chǎn)生運動或掃描。在這種模式中通常采用了脈沖輻射源，可編程的圖案形成裝置根據(jù)需要在襯底臺WT的各次運動之后或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間進行更新。這種操作模式可容易地應(yīng)用于采用了可編程的圖案形成裝置、例如上述類型的可編程鏡陣列的無掩模式光刻技術(shù)。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變型，或者采用完全不同的使用模式。
在圖4中顯示了具有局部化液體供給系統(tǒng)的另一浸入式光刻解決方案。液體經(jīng)由位于投影系統(tǒng)PL兩側(cè)上的兩個槽式入口IN來供給，并經(jīng)由設(shè)置在入口IN的徑向外側(cè)的多個分散出口OUT來除去。入口IN和出口OUT設(shè)置在一塊板中，在該板的中心設(shè)有孔，投影光束經(jīng)由該孔來投射。液體經(jīng)由位于投影系統(tǒng)PL一側(cè)上的一個槽式入口IN來供給，并經(jīng)由設(shè)置在投影系統(tǒng)PL另一側(cè)上的多個分散出口OUT來除去，這便導(dǎo)致了投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的液體的薄膜式流動。選擇使用入口IN和出口OUT的哪種組合取決于襯底W的運動方向(入口IN和出口OUT的另一種組合被停用)。
已經(jīng)提出的具有局部化液體供給系統(tǒng)的另一浸入式光刻解決方案是提供帶有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，該液體限制結(jié)構(gòu)沿著投影系統(tǒng)的最后元件與襯底臺之間的空間的至少一部分邊界而延伸。這種系統(tǒng)顯示于圖5中。雖然在Z方向(光軸方向)上可能存在一些相對運動，然而液體限制結(jié)構(gòu)在XY平面內(nèi)相對于投影系統(tǒng)基本上靜止。在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底表面之間形成了密封。在一個實施例中，該密封是一種無接觸式密封如氣封。這種帶氣封的系統(tǒng)公開于美國專利申請No.10/705783中，該申請通過引用整體地結(jié)合于本文中。
圖5顯示了儲槽10的一種設(shè)置，該儲槽形成了與投影系統(tǒng)成像區(qū)域周圍的襯底之間的無接觸式密封，使得液體被限制成填充了襯底表面與投影系統(tǒng)最后元件之間的空間。儲槽由位于下方且圍繞著投影系統(tǒng)PL的最后元件的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。液體進入到投影系統(tǒng)下方的空間中并處于液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)。液體限制結(jié)構(gòu)12稍微延伸到投影系統(tǒng)最后元件之上一點，并且液面上升到最后元件之上，從而提供了液體緩沖。液體限制結(jié)構(gòu)12具有內(nèi)周邊，該內(nèi)周邊在上端處優(yōu)選地緊密地順應(yīng)著投影系統(tǒng)或其最后元件的形狀，因此例如可以是圓形的。在底部處，該內(nèi)周邊緊密地順應(yīng)著成像區(qū)域的形狀，例如為矩形，但并不一定要如此。
液體通過液體限制結(jié)構(gòu)12的底部與襯底W的表面之間的氣封16而被限制在儲槽中。氣封由氣體如空氣、合成空氣、氮氣或惰性氣體形成，其在壓力下經(jīng)由入口15提供到液體限制結(jié)構(gòu)12與襯底之間的間隙中，并經(jīng)由出口14排出。氣體入口15上的過壓、出口14上的真空度以及間隙的幾何形狀設(shè)置成使得存在有限制了液體的向內(nèi)高速氣流。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，還可以采用其它類型的密封來限制液體，諸如僅僅由一個出口來排出液體和/或氣體。
也可以利用氣封在液體供給系統(tǒng)與封閉面之間或者與襯底臺之間形成間隙。
圖5示出了液體供給系統(tǒng)的液體限制結(jié)構(gòu)12，其帶有位于浸液11之下的襯底W。當(dāng)例如準(zhǔn)備將該襯底與另一個接著要曝光的襯底交換時，襯底W就由封閉板20來代替，如圖6所示。封閉板20不必具有板狀的形狀，而只需要提供能夠限制液體的表面即可。因此，也可以將封閉板20稱為封閉結(jié)構(gòu)或封閉面。
圖6示出了液體限制結(jié)構(gòu)12和封閉板20的定向。如圖5和6所示，采用通過出口14提供的低壓來將封閉板20推向液體限制結(jié)構(gòu)12。在通過出口14將封閉板20推向液體限制結(jié)構(gòu)12時，由于主要由它們的實際接觸引起從封閉板20和/或液體限制結(jié)構(gòu)12的表面中釋放出顆粒，因此可能會出現(xiàn)對浸液11的顆粒污染。盡管有一定數(shù)量的液體流13，但是它并不使靠近封閉板20表面的液體11循環(huán)起來，并且只要封閉板保持在其位置上，顆粒就不可能被沖走。
圖7示出了封閉板20被保持在與液體限制結(jié)構(gòu)12相距一定距離的地方。這樣至少有兩個好處，第一，顆粒不可能從封閉板20和/或液體限制結(jié)構(gòu)12的表面中釋放出來，第二，被釋放出來的和浸液11中存在的任何顆粒可以通過液體循環(huán)尤其是經(jīng)出口14除去。
設(shè)有可將封閉板保持在與液體供給系統(tǒng)相距一定距離處的封閉板定位裝置(例如液體限制結(jié)構(gòu))。第一個這種裝置是液體限制結(jié)構(gòu)的出口14和入口15，其可以用于在出口14的低壓和通過入口15提供的氣流之間維持平衡狀態(tài)，如圖5所示。這種平衡不僅可以用于保持浸液11，而且可以使封閉板“漂浮”在正位于液體限制結(jié)構(gòu)之下的位置上。
圖8示出了利用夾具22將封閉板20保持在與液體限制結(jié)構(gòu)12相距一定距離的地方。該夾具可以是在所需的持續(xù)期間(例如在襯底交換期間)保持封閉板20位置的任何機械裝置。在圖8中，夾具22的一端與封閉板20連接，另一端與液體限制結(jié)構(gòu)12連接。夾具22的另一端除了與液體限制結(jié)構(gòu)12連接外，還可與其它結(jié)構(gòu)如襯底臺WT或光刻裝置的框架連接。備選方案還可以是例如包括一個或多個可將封閉板20從其在襯底臺WT上的支撐位置推離開的銷子的銷系統(tǒng)，或者其它任何裝置。
圖9示出了本發(fā)明的一個備選實施例。具體地說，利用磁體24將封閉板20保持在與液體限制結(jié)構(gòu)12相距一定距離的地方。磁體24可以與上述低壓/氣流平衡相結(jié)合地使用，或者它們可以相對于一個或多個其它磁體而保持平衡。例如，具有相反磁極的磁體可以相對于具有相同磁極的磁體相互面對地保持平衡，使封閉板20“漂浮”。在一個實施例中，可以在液體供給系統(tǒng)和襯底臺上都設(shè)置磁體，以便于將封閉板20保持在與液體限制結(jié)構(gòu)12相距一定距離的地方。還可以認識到可使封閉板20與液體供給系統(tǒng)保持一定距離的其它類似方法，例如靜電學(xué)方法等等。
在歐洲專利申請No.03257072.3中公開了雙級或雙步浸入式光刻裝置的概念。這種裝置設(shè)有用于支撐襯底的兩個臺。采用處于第一位置中的臺在無浸液的情況下進行調(diào)平測量，采用處于第二位置中的臺在存在浸液的情況下進行曝光?；蛘?，該裝置僅具有一個臺。
雖然在本文中具體地參考了IC制造中的光刻裝置的使用，然而應(yīng)當(dāng)理解，這里所介紹的光刻裝置還可具有其它應(yīng)用，例如集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在這種替代性應(yīng)用的上下文中，用語“晶片”或“管芯”在這里的任何使用分別被視為與更通用的用語“襯底”或“目標(biāo)區(qū)域”具有相同的含義。這里所指的襯底可在曝光前或曝光后例如在軌道(一種通常在襯底上施加抗蝕層并對暴露出來的抗蝕層進行顯影的工具)或度量和/或檢查工具中進行加工。在適當(dāng)之處，本公開可應(yīng)用于這些和其它襯底加工工具中。另外，襯底可被不止一次地加工，例如以形成多層IC，因此，這里所用的用語“襯底”也可指已經(jīng)包含有多層已加工的層的襯底。
這里所用的用語“輻射”和“光束”用于包括所有類型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如波長為365、248、193、157或126納米左右)。
用語“透鏡”在允許之處可指多種光學(xué)部件中的任意一種或其組合，包括折射式和反射式光學(xué)部件。
雖然在上文中已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定實施例，然而可以理解，本發(fā)明可通過不同于上述的方式來實施。例如在適當(dāng)之處，本發(fā)明可采用含有一個或多個描述了上述方法的機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或者存儲有這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。
本發(fā)明的一個或多個實施例可應(yīng)用于任何浸入式光刻裝置，如上述那些類型，而不論浸液是以槽液的形式提供還是僅僅提供在襯底的局部表面區(qū)域上。液體供給系統(tǒng)是對投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺之間的空間提供液體的任何機構(gòu)，它可以包括一個或多個結(jié)構(gòu)、一個或多個液體入口、一個或多個氣體入口、一個或多個氣體出口和/或一個或多個液體出口的任何組合，該組合將液體提供給并且限制在該空間中。在一個實施例中，該空間的表面可限制為襯底和/或襯底臺的一部分，該空間的表面可完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者該空間可以包封襯底和/或襯底臺。
上面這些描述是示例性而非限制性的。因此，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說很明顯，在不脫離下述權(quán)利要求的范圍的前提下，可以對本發(fā)明進行修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，包括投影系統(tǒng)，其構(gòu)造成可將圖案化輻射光束投射到由襯底臺支撐的襯底上；液體供給系統(tǒng)，其構(gòu)造成可在所述投影系統(tǒng)與襯底之間的空間內(nèi)提供液體；封閉面，其構(gòu)造成可代替所述襯底而為所述液體供給系統(tǒng)所提供的液體提供限制表面；和封閉面定位裝置，其構(gòu)造成在采用所述封閉面來限制由所述液體供給系統(tǒng)所提供的液體時可在所述液體供給系統(tǒng)與封閉面之間形成并維持間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述封閉面定位裝置包括入口和出口，它們構(gòu)造成可在由所述入口提供的流體所施加的力和由所述出口提供的低壓之間建立平衡狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述封閉面形成于封閉板上，所述封閉面定位裝置包括夾具，其構(gòu)造成可在不朝向所述液體供給系統(tǒng)中的液體的表面上夾持所述封閉板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述封閉面定位裝置包括構(gòu)造成可使所述封閉面從所述襯底臺上移開的銷系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述封閉面定位裝置包括位于所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的磁體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，位于所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的具有相反磁極的磁體相對于位于所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的具有相同磁極的磁體處于平衡狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述封閉面定位裝置包括位于所述液體供給系統(tǒng)和襯底臺中的每一個上的磁體。
8.一種器件制造方法，包括利用液體供給系統(tǒng)來在光刻投影裝置的投影系統(tǒng)與襯底之間的空間內(nèi)提供液體；在由封閉面代替所述襯底來限制由所述液體供給系統(tǒng)所提供的液體時，在所述液體供給系統(tǒng)與封閉面之間形成并維持間隙，和當(dāng)襯底用作針對由所述液體供給系統(tǒng)所提供的液體的限制表面時，將圖案化輻射光束穿過液體投射到所述襯底上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成并維持間隙包括在由氣流施加的力和低壓之間建立平衡狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述封閉面形成于封閉板上，形成并維持間隙包括在不朝向所述液體供給系統(tǒng)中的液體的表面上夾持所述封閉板。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成并維持間隙包括采用銷子來使所述封閉面從所述襯底臺上移開。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成并維持間隙包括采用設(shè)在所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的磁體并通過磁力來維持所述間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，采用設(shè)置在所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的磁體來維持間隙包括，采用相對于位于所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的具有相同磁極的磁體來相對于位于所述液體供給系統(tǒng)和封閉面中的每一個上的具有相反磁極的磁體保持平衡，從而維持所述間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成并維持間隙包括采用設(shè)在所述液體供給系統(tǒng)和襯底臺中的每一個上的磁體并通過磁力來維持所述間隙。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在采用封閉面來限制液體供給系統(tǒng)中的液體時減少光刻裝置中的浸液污染的方法。為了避免或降低由封閉面與液體供給系統(tǒng)碰撞而造成的顆粒污染，封閉面保持在與液體供給系統(tǒng)相距一定距離的地方，使得封閉面與液體供給系統(tǒng)之間沒有碰撞，但是液體仍然被限制住。
文檔編號H01L21/027GK1821881SQ20051013705
公開日2006年8月23日 申請日期2005年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者H·詹森, P·A·J·廷內(nèi)曼斯, J·-G·C·范德圖爾恩 申請人:Asml荷蘭有限公司