專利名稱：用于tft干刻工藝中的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法。
背景技術(shù)：
在TFT(薄膜晶體管)制造過程中某些工程需要采用到干刻工藝(DryEtching)，干刻工藝是采用低壓氣體在高頻電場(chǎng)下的生成的等離子體來起到刻蝕作用的。在該過程中，工藝氣體與被刻蝕的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成其他產(chǎn)物，其中有一部分會(huì)沉積在工藝腔體的內(nèi)表面，沉積的物質(zhì)較多則會(huì)污染腔室的環(huán)境。
針對(duì)干刻工藝中生成物的沉積一般都采取濕式清掃(Wet Clean)的方法——即用潔凈布蘸酒精后擦洗。
該方法需要開啟腔室，對(duì)于真空設(shè)備、開啟腔室后再恢復(fù)到真空狀態(tài)需要很長的時(shí)間(5代線的干刻設(shè)備需要5小時(shí)以上)再加上本身清掃所需的時(shí)間，對(duì)生產(chǎn)的影響很大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供用一種簡(jiǎn)便的TFT干刻工藝中的清洗方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調(diào)整RF的參數(shù)對(duì)干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進(jìn)行再刻蝕，進(jìn)而清除這些沉積物。
其中，將上部電機(jī)功率調(diào)整為8千瓦，下部電極功率調(diào)整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時(shí)間為3×50秒。
本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于無需開腔也能達(dá)到一定的清洗效果，可減少沉積物的生成以及由其導(dǎo)致的灰塵，延長設(shè)備的使用時(shí)間，同時(shí)配合濕法清掃(Wet Clean)則可以達(dá)到理想的效果并且能節(jié)約大量的時(shí)間。


圖1為使用本發(fā)明的方法前后對(duì)比圖表。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調(diào)整RF(射頻)的參數(shù)對(duì)干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進(jìn)行再刻蝕，進(jìn)而清除這些沉積物。
其中，將上部電機(jī)功率調(diào)整為8千瓦，下部電極功率調(diào)整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6(六氟硫)的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時(shí)間為3×50秒。
如圖1所示，使用本方法后，設(shè)備中的灰塵量下降明顯。所檢查的灰塵規(guī)格(3≤S≤5，5≤M≤10，5≤M≤10，單位um)。
權(quán)利要求
1.一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，其特征在于，調(diào)整RF的參數(shù)對(duì)干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進(jìn)行再刻蝕，進(jìn)而清除這些沉積物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于TFT干刻工藝中的清洗方法，其特征在于，將上部電機(jī)功率調(diào)整為8千瓦，下部電極功率調(diào)整為2千瓦，氧氣流量為900毫升/平方米，SF6的流量為100毫升/平方米，壓力為1.3帕，處理時(shí)間為3×50秒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于TFT干刻工藝中的清洗方法，調(diào)整RF的參數(shù)對(duì)干刻工藝中附著在設(shè)備內(nèi)壁上的沉積物進(jìn)行再刻蝕，進(jìn)而清除這些沉積物。本發(fā)明無需開腔也能達(dá)到一定的清洗效果，可減少沉積物的生成以及由其導(dǎo)致的灰塵，延長設(shè)備的使用時(shí)間，同時(shí)配合濕法清掃(Wet Clean)則可以達(dá)到理想的效果并且能節(jié)約大量的時(shí)間。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1996549SQ20051011226
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2005年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者儲(chǔ)培鳴 申請(qǐng)人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司