專利名稱：：焊料凸塊的制造方法、中間結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種用于提供不同基板間電性及機(jī)械性結(jié)合的焊料凸塊(solderbump)，且特別有關(guān)于一種中間集成電路晶片焊料凸塊結(jié)構(gòu)、一種已完成的集成電路晶片焊料凸塊結(jié)構(gòu)，及其制造方法。
背景技術(shù)：
：集成電路晶片封裝制程是整個制程中最重要的一個步驟，其影響整個成本、封裝晶片的性能、以及元件可靠度。當(dāng)半導(dǎo)體元件達(dá)到更高程度的整合，晶片封裝技術(shù)亦達(dá)極限。集成電路晶片封裝對于元件的制造成本具有一定的影響，且封裝失敗會造成重大的良率損失。當(dāng)半導(dǎo)體元件與晶片的尺寸不斷縮小，晶片上元件的密度便不斷增加，因此使得晶片封裝的難度提高。其中導(dǎo)致封裝失敗的最主要問題是材料之間熱膨脹系數(shù)(TCE)的差異，如此會導(dǎo)致應(yīng)力的產(chǎn)生及后續(xù)制程的失敗。例如，在覆晶封裝技術(shù)中，是在下凸塊金屬化層上形成焊料凸塊，其中下凸塊金屬化層覆蓋在一集成電路晶片焊墊(bondingpad)上方。但是通常焊料凸塊與下凸塊金屬化層彼此之間材料性質(zhì)的差異會導(dǎo)致集成電路晶片無法承受應(yīng)力。封裝失敗后的重新封裝制程很耗費(fèi)成本，且需要重復(fù)晶片封裝制程。有些封裝技術(shù)利用焊料凸塊與晶片上的焊墊結(jié)合，使得晶片元件與封裝基板形成電性連接。例如，C4封裝技術(shù)(Controlled-CollapseChipConnection；C4)在電子封裝中是一個連接半導(dǎo)體晶片與基板的工具。C4封裝技術(shù)是一種覆晶封裝技術(shù)，利用晶片焊墊與小焊料球(凸塊)連接。因為焊料球形成一區(qū)域陣列(ballgridarray；BGA)，所以對于具有低寄生電感的元件而言，覆晶封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于可以達(dá)到一高密度的連接。焊料凸塊的形成方法如下。首先，于一焊墊上方形成下凸塊金屬化層。然后，例如利用氣相沉積法于下凸塊金屬化層上沉積焊料以形成焊料凸塊。在其它方法中，可以在焊墊上形成下凸塊金屬化層，然后沉積晶種層材料，再利用電子沉積(clectro-deposition)沉積焊料層。還有其它方法則是利用焊膏網(wǎng)版印刷方法(solder-pastescreen-printingmethod)，并以光罩或印刷模板導(dǎo)引焊膏的放置。通常在沉積層狀或均勻相的混合物的焊料后，將定義焊料位置的光致抗蝕劑保護(hù)層移除，然后將焊料加熱至熔點(diǎn)(即所謂的再流動步驟)而形成焊料凸塊(球)，其中焊料凸塊(球)是借助表面張力而形成。其它的方法則可能以光致抗蝕劑或其它有機(jī)樹脂材料制成的永久保護(hù)層定義焊墊上的焊料凸塊區(qū)的位置，并于此焊料凸塊區(qū)內(nèi)形成焊料凸塊。由于焊料凸塊/球在覆晶封裝技術(shù)中占有重要地位，因此業(yè)界急需一種于集成電路晶片上形成焊料凸塊/球的制程的改善方法。圖1A至圖1E為一集成電路晶片焊墊區(qū)的系列剖面圖，用以說明現(xiàn)有技術(shù)于半導(dǎo)體晶片上制作焊料凸塊的流程。圖1A是說明形成焊料凸塊的初期步驟。首先，于半導(dǎo)體晶圓8的表面上形成一晶片焊墊10，此晶片焊墊10例如是銅或鋁。然后，在半導(dǎo)體元件表面形成一保護(hù)層12，此保護(hù)層12例如是二氧化硅。其中，此保護(hù)層12只覆蓋此晶片焊墊10的部分表面。接著，通常沉積一層或多層厚度約介于500埃至5000埃的下凸塊金屬化層14A(under-bumpmetallizationlayer；UBMlayer)于此晶片焊墊10上，以及如圖1B所示的光致抗蝕劑層16。此下凸塊金屬化層14A可以是一鈦層。通常，此光致抗蝕劑層16的高度約介于10微米至25微米。如圖1B所示，經(jīng)過微影制程后于此光致抗蝕劑層16形成開口17，使得此晶片焊墊10上的此下凸塊金屬化層14A外露。另外，亦可以利用電鍍制程或氣相沉積制在開口17內(nèi)形成額外的下凸塊金屬化層14B及14C，如圖1C所示。下凸塊金屬化層14B及14C可以分別是銅層及鎳層。其中，形成于焊墊10上的下凸塊金屬化層具有兩個功用，一個是增加最上層下凸塊金屬化層14C與其上的焊料之間的結(jié)合及潤濕能力，另一個則是最下層的下凸塊金屬化層14A可以保護(hù)其下方的焊墊10。接著，亦可以沉積一焊料18A的圓形柱狀物，其包括一鉛層及其上的一錫層，此焊料18A會在后續(xù)的再流動步驟(暫時熔化)中形成一均勻相的焊料。在其它實(shí)施例中，可以利用氣相沉積法或電鍍法在一晶種層上，例如是在下凸塊金屬化層14C上沉積一均勻相的焊料。圖1D說明，移除光致抗蝕劑層16后，利用反應(yīng)離子蝕刻制程或其它蝕刻制程以移除部分區(qū)域的下凸塊金屬化層14A，以露出保護(hù)層12的部分表面。另一方面，下凸塊金屬化層14A未被移除的部分區(qū)域則是利用焊料18A作為一蝕刻掩膜層，以保護(hù)其下方的下凸塊金屬化層14A、14B、以及14C。隨后，焊料18A被加熱至熔點(diǎn)而發(fā)生再流動(reflow)的現(xiàn)象，以便在下凸塊金屬化層14C上形成一焊料凸塊18B，如圖1E所示。于再流動步驟后，形成一均勻相的鉛/錫的焊料凸塊，例如以組成比表示重量百分比的富鉛合金，包括95Pb/5Sn(95/5)或90Pb/10Sn(90/10)，其熔點(diǎn)超過300℃；或者共熔合金63Pb/37Sn(63/37)，其熔點(diǎn)為183℃。焊料凸塊18B由一均勻相的材料構(gòu)成且有一明確的熔點(diǎn)。例如，具有高熔點(diǎn)的Pb/Sn合金因為有良好的金屬疲勞抗性，所以適合凸塊冶金。多層的方式適合形成下凸塊金屬化層且在再流動步驟中，最上面鄰接焊料的下凸塊金屬化層為后續(xù)形成的焊料凸塊的再流動過程提供一潤濕層(wettablelayer)。例如，形成多個下凸塊金屬化層，有些多個下凸塊金屬化層可以包括鉻/銅、鈦/銅、和鈦-鎢/銅(Ti:W/Cu)，以及鈦/銅/鎳。其中，先敘述者表示連接焊墊10的最下層。因為在覆晶封裝技術(shù)的焊料的再流動步驟中，傳統(tǒng)凸塊是完全熔化以與下凸塊金屬化層完全地接觸，此下凸塊金屬化層必須能承受熱及機(jī)械應(yīng)力，并且阻止金屬之間的界面形成。因此，下凸塊金屬化層的品質(zhì)及潤濕能力于再流動步驟中，對于其與焊料凸塊之間結(jié)合的可靠度是很重要的。此下凸塊金屬化層有助于決定再流動步驟后的焊料凸塊18B的尺寸，并且提供一具備潤濕能力的表面，此表面也會與焊料反應(yīng)，使得下凸塊金屬化層與焊料凸塊18B之間的結(jié)合更為完整，因而使得元件在機(jī)械應(yīng)力與熱應(yīng)力下具有更高的可靠度。另外，下凸塊金屬化層亦可在半導(dǎo)體元件與內(nèi)連線層的金屬之間扮演阻障層的角色。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是揭示一種半導(dǎo)體元件上的焊料凸塊的制造方法。此方法包括形成一焊墊于一半導(dǎo)體基板上，然后配置一掩膜層于此基板及此焊墊上。此方法亦包括于此掩膜層形成一開口，此掩膜層具有一個主要焊料模仁以及至少一個與主要焊料模仁相連接的次要焊料模仁，此開口曝露此焊墊的一部分。此方法更包括以焊料填充此主要焊料模仁以及此至少一個次要焊料模仁，以形成一個相對應(yīng)的主要焊料柱體及至少一個相對應(yīng)的次要焊料柱體而與此焊墊形成電性接觸。此方法也包括于填充步驟之后移除此掩膜層。此方法更包括一再流動步驟，使得焊料于熔化時相互結(jié)合以形成一主要焊料凸塊，其中上述焊料是來自此主要焊料柱體的焊料及至少一部分來自此次要焊料柱體的焊料。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，該主要焊料柱體的體積是大于每一該至少一個次要焊料柱體的體積。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，該再流動步驟更包括該至少一個次要焊料柱體的一剩余部分，該剩余部分未用于該主要焊料凸塊，而是用于形成至少一個相對應(yīng)的次要焊料凸塊，與該主要焊料凸塊連接而形成電性接觸。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，該主要焊料凸塊的高度高于每一該至少一個次要焊料凸塊的高度。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，該主要焊料凸塊的寬度大體上等于該焊墊的寬度。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，更包括在置放該掩膜層之前，先形成一下凸塊金屬化層(under-bumpmetallizationlayer；下凸塊金屬化層)于該焊墊上，其中該主要及至少一個次要焊料柱體借著該下凸塊金屬化層而與該焊墊形成電性接觸。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，更包括形成較該焊墊寬的該下凸塊金屬化層，其中該次要焊料柱體形成于該下凸塊金屬化層凸出該焊墊寬度外的部分上。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，該下凸塊金屬化層是一鈦層。本發(fā)明所述的焊料凸塊的制造方法，更包括利用電鍍或氣相沉積法，并以焊料填充該主要及該至少一個次要焊料模仁。從另一觀點(diǎn)來看，本發(fā)明是揭示一種焊料凸塊結(jié)構(gòu)。其中，焊料凸塊形成于具備一焊墊的第一基板上，以電性地及機(jī)械性地結(jié)合此第一基板與第二基板的焊墊。此結(jié)構(gòu)包括一個主要焊料凸塊，此主要焊料凸塊包括一焊料并且具有第一高度及以一底部(nadir)所定義的一基底周邊(baseperimeter)。而且，焊料凸塊結(jié)構(gòu)更包括至少一個次要焊料凸塊，此至少一個次要焊料凸塊包括一焊料，此焊料具有一個第二高度，此第二高度小于此第一高度。此外，此次要焊料凸塊與此主要焊料凸塊在上述底部相連接。再從另一觀點(diǎn)來看，本發(fā)明是揭示一種中間結(jié)構(gòu)。此中間結(jié)構(gòu)包括一個主要焊料柱體，此主要焊料柱體包括主要焊料，且此主要焊料柱體被配置于一半導(dǎo)體基板上，與一焊墊形成電性接觸。此中間結(jié)構(gòu)包括至少一個次要焊料柱體，此至少一個次要焊料柱體包括次要焊料，且與此主要焊料柱體形成電性接觸。此至少一個次要焊料柱體的高度及體積小于此主要焊料柱體的高度及體積。此中間結(jié)構(gòu)進(jìn)行一再流動步驟時，此至少一個次要焊料柱體熔化并流向此主要焊料柱體而結(jié)合，進(jìn)一步形成一個主要焊料凸塊，此主要焊料凸塊包括主要焊料及至少一部分的次要焊料。本發(fā)明所述的中間結(jié)構(gòu)，該主要焊料柱體的體積大于每一該至少一個次要焊料柱體的體積。本發(fā)明所述的中間結(jié)構(gòu)，該主要焊料凸塊的寬度大體上等于該焊墊的寬度。本發(fā)明所述的中間結(jié)構(gòu)，更包括一下凸塊金屬化層置于焊墊上，其中該主要及至少一個次要焊料柱體借著該下凸塊金屬化層而與該焊墊形成電性接觸。本發(fā)明所述的中間結(jié)構(gòu)，該下凸塊金屬化層是一鈦層。圖1A至圖1E為一IC晶片焊墊區(qū)的系列剖面圖，用以說明現(xiàn)有技術(shù)于半導(dǎo)體晶片上制作焊料凸塊的流程；圖2A至圖2F為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明一較佳實(shí)施例于半導(dǎo)體晶片上制作焊料凸塊的流程。具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下依據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，圖2A至圖2F說明制造半導(dǎo)體晶片上的焊料凸塊的方法。首先，圖2A說明的是在形成焊料凸塊之前的焊料凸塊區(qū)200，焊料凸塊區(qū)200的作用是在集成電路晶片與例如印刷電路板的其它元件之間提供電性及機(jī)械性接合。如圖所示，焊料凸塊區(qū)200包括一半導(dǎo)體基板205及形成于基板上一部分表面的焊墊210。而且經(jīng)常會包括一保護(hù)層215。如果包括保護(hù)層215，則可能會以傳統(tǒng)蝕刻技術(shù)移除覆蓋在焊墊210上的部分的保護(hù)層215，以使焊墊210的部分表面外露。接著，一或多層下凸塊金屬化層220可能會形成于保護(hù)層215上，且與焊墊210形成電性接觸。上述下凸塊金屬化層220可以提供一較大的印跡(footprint)，以便于其上形成焊料凸塊，且下凸塊金屬化層220經(jīng)常使用可以在焊料凸塊形成時提供較強(qiáng)接合的材料，例如鈦。參考圖2B，進(jìn)一步說明以上所述的焊料凸塊區(qū)200的凸塊制程。尤其是，一掩膜層置于焊料凸塊區(qū)200的表面上，以去除不必要的部分。在一較佳實(shí)施例中，此掩膜層是一光致抗蝕劑層225，沉積于焊料凸塊區(qū)200上。然后，利用典型的傳統(tǒng)微影技術(shù)將此光致抗蝕劑層225圖案化及顯影。而未被此光致抗蝕劑層225覆蓋的部分則可能被蝕刻掉。在所述的實(shí)施例中，下凸塊金屬化層220的寬度是利用光致抗蝕劑層225及蝕刻制程加以定義。接下來，圖2C是光致抗蝕劑層225的圖案的俯視圖。如圖所示，光致抗蝕劑層225經(jīng)圖案化及顯影以便產(chǎn)生形狀不同但彼此連通的模仁(molds)，在后續(xù)的制程中將會被填以焊料。尤其是，一主要焊料模仁230形成于光致抗蝕劑層225內(nèi)，且大致位于焊料凸塊區(qū)200的中心，典型的方式是正好落在焊墊210上(以及下凸塊金屬化層220上，假如存在的話)。鄰接著主要焊料模仁230的兩個次要焊料模仁235a、235b亦于光致抗蝕劑層225內(nèi)形成。此兩個次要焊料模仁235a、235b可以于靠近下凸塊金屬化層外圍的地方形成，并于后續(xù)的制程中被填以焊料。雖然實(shí)施例所述的模仁230、235a、235b為八角形，但在不脫離本發(fā)明所揭示的原則的范圍內(nèi)，模仁230、235a、235b亦可以應(yīng)用其它形狀包括圓形、淚滴形(teardrop)等。圖2D是一俯視圖，用以說明經(jīng)過焊料沉積的焊料凸塊區(qū)200。在經(jīng)過圖2C所示的光致抗蝕劑層225的圖案化及顯影制程后，焊料沉積于此主要及次要焊料模仁230、235a、235b內(nèi)。任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)皆可使用，但較佳的實(shí)施例之一是使用氣相沉積制程或電鍍的方式沉積焊料。而且任何適當(dāng)形式的焊料，包括不同材料的合金皆可作為焊料，例如鉛、金、銀、銅以及錫等，但不限定于這些材料。在一較佳實(shí)施例中，焊料包括90％以上的鉛，然而這并非必要的。以鉛為主成分的合金，也可能因為低熔點(diǎn)而有助于再流動步驟。在焊料沉積之后，將光致抗蝕劑層225由焊料凸塊區(qū)200移除，于是形成一主要焊料柱體240及次要焊料柱體245a、245b。而且主要焊料柱體240大致上較次要焊料柱體245a、245b為大，例如焊料柱體245a、245b的體積大致是主要焊料柱體240的10％至90％。而且，光致抗蝕劑層225的開口中，原先連接主要及次要焊料模仁230、235a、235b的部分，亦形成焊料連接區(qū)250(soldjoiningregions)。通常，焊料連接區(qū)250的尺寸大小及體積大致上比主要及次要焊料模仁230、235a、235b都小。在另一較佳實(shí)施例中，焊料柱體245a、245b直接與主要焊料柱體240相連。在又一較佳實(shí)施例中，如圖2D所示的焊料柱體240、245a、245b由于先前的焊料模仁230、235a、235b是八角形而呈現(xiàn)相同形狀，但是其它形狀例如圓形及淚滴型亦有可能。圖2E是說明一經(jīng)過再流動步驟的焊料凸塊區(qū)200用于形成焊料凸塊的最后形狀。尤其是，焊料柱體240、245a、245b被加熱到足以熔化的溫度。在再流動步驟中，主要焊料柱體240熔成一個主要焊料凸塊255，其上半部是屬圓形。除了主要焊料凸塊255，次要焊料凸塊260a、260b也形成并且分別與主要焊料凸塊255相連接。甚者，依據(jù)本發(fā)明所揭示的原則，焊料柱體245a、245b與主要焊料柱體240底部相連的部分導(dǎo)致其彼此之間在再流動步驟產(chǎn)生結(jié)合。結(jié)果在再流動步驟時，原先沉積為焊料柱體245a、245b的一部分的焊料移向主要焊料柱體240，如箭頭A1、A2所示，因此主要焊料凸塊255增加了流動自次要焊料柱體245a、245b的部分體積。因此，在再流動步驟中當(dāng)所有焊料熔化然后冷卻再硬化至形成最后的焊料凸塊255、260a、260b，其中流動自次要焊料柱體245a、245b的焊料增加了主要焊料凸塊255整體的尺寸及體積，而傳統(tǒng)方法只形成主要焊料柱體240，相較之下其整體的尺寸及體積較小。而且，主要焊料凸塊255的高度約高于次要焊料凸塊260a、260b，其原因除了焊料柱體原本的高度即較高之外，還要加上再流動步驟造成的效果。在許多實(shí)施例中，次要焊料凸塊260a、260b的高度約是主要焊料凸塊255的10％至90％。尤其是，主要焊料凸塊255的體積及/或其高度足以將第一基板205的焊墊210與第二基板的另一相對應(yīng)的焊墊結(jié)合在一起，以達(dá)到電性及機(jī)械性接觸的效果，而且每一個次要焊料凸塊260a、260b的體積及高度皆不足以接觸到此第二基板。此一特點(diǎn)在接合技術(shù)如覆晶封裝技術(shù)上是相當(dāng)有益的。甚者，雖然實(shí)施例揭示了兩個次要焊料凸塊260a、260b(以及兩個次要焊料柱體245a、245b)，但并非用以限定次要柱體及凸塊的特定數(shù)目，因此也可以只用一個次要柱體或凸塊。依據(jù)本發(fā)明所揭示的原則及制程，圖2F用以說明一個已完成的焊料凸塊區(qū)200的俯視圖。其進(jìn)一步說明在再流動步驟后所形成的此主要及次要焊料凸塊255、260a、260b的圓形部分。另外，此主要及次要焊料凸塊255、260a、260b之間發(fā)生內(nèi)聚力(Cohesion)的方向再一次以箭頭A1、A2表示。而且焊料柱體245a、245b與主要焊料柱體240底部相連的部分亦通過此圖加以說明。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。附圖中符號的簡單說明如下8半導(dǎo)體晶圓10晶片焊墊12保護(hù)層14A下凸塊金屬化層14B下凸塊金屬化層14C下凸塊金屬化層16光致抗蝕劑層17開口18A焊料18B焊料凸塊200焊料凸塊區(qū)205第一基板210焊墊215保護(hù)層220下凸塊金屬化層225光罩層230焊料模仁235a焊料模仁235b焊料模仁240焊料柱體245a焊料柱體245b焊料柱體250焊料連接區(qū)255主要焊料凸塊260a次要焊料凸塊260b次要焊料凸塊A1箭頭A2箭頭權(quán)利要求1.一種焊料凸塊的制造方法，該焊料凸塊置于半導(dǎo)體元件上，所述焊料凸塊的制造方法包括下列步驟形成一焊墊于一半導(dǎo)體基板上；配置一掩膜層于該焊墊及該半導(dǎo)體基板上；于該掩膜層形成一開口，該開口曝露該焊墊的一部分，其中該掩膜層具有一個主要焊料模仁以及至少一個與主要焊料模仁相連接的次要焊料模仁；以焊料填充該主要焊料模仁以及該至少一個次要焊料模仁，以形成一個相對應(yīng)的主要焊料柱體及至少一個相對應(yīng)的次要焊料柱體而與該焊墊形成電性接觸；于填充步驟之后移除該掩膜層；以及再流動該焊料并透過該焊料的結(jié)合以形成一主要焊料凸塊，其中該焊料是來自該主要焊料柱體的焊料及至少一部分來自該次要焊料柱體的焊料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于該主要焊料柱體的體積是大于每一該至少一個次要焊料柱體的體積。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于該再流動步驟更包括該至少一個次要焊料柱體的一剩余部分，該剩余部分未用于該主要焊料凸塊，而是用于形成至少一個相對應(yīng)的次要焊料凸塊，與該主要焊料凸塊連接而形成電性接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于該主要焊料凸塊的高度高于每一該至少一個次要焊料凸塊的高度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于該主要焊料凸塊的寬度等于該焊墊的寬度。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于更包括在置放該掩膜層之前，先形成一下凸塊金屬化層于該焊墊上，其中該主要及至少一個次要焊料柱體借著該下凸塊金屬化層而與該焊墊形成電性接觸。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于更包括形成較該焊墊寬的該下凸塊金屬化層，其中該次要焊料柱體形成于該下凸塊金屬化層凸出該焊墊寬度外的部分上。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于該下凸塊金屬化層是一鈦層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的焊料凸塊的制造方法，其特征在于更包括利用電鍍或氣相沉積法，并以焊料填充該主要及該至少一個次要焊料模仁。10.一中間結(jié)構(gòu)，所述中間結(jié)構(gòu)包括一個主要焊料柱體，包括主要焊料且被配置于一半導(dǎo)體基板上，與一焊墊形成電性接觸；至少一個次要焊料柱體，包括次要焊料且與該主要焊料柱體形成電性接觸，該至少一個次要焊料柱體的高度及體積小于該主要焊料柱體的高度及體積；以及其中該中間結(jié)構(gòu)進(jìn)行一再流動步驟時，該主要焊料柱體與該至少一個次要焊料柱體結(jié)合，進(jìn)一步形成一個主要焊料凸塊，該主要焊料凸塊包括該主要焊料及至少一部分的該次要焊料。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中間結(jié)構(gòu)，其特征在于該主要焊料柱體的體積大于每一該至少一個次要焊料柱體的體積。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中間結(jié)構(gòu)，其特征在于該主要焊料凸塊的寬度等于該焊墊的寬度。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的中間結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一下凸塊金屬化層置于焊墊上，其中該主要及至少一個次要焊料柱體借著該下凸塊金屬化層而與該焊墊形成電性接觸。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的中間結(jié)構(gòu)，其特征在于該下凸塊金屬化層是一鈦層。全文摘要本發(fā)明是提供一焊料凸塊的制造方法、中間結(jié)構(gòu)。此方法包括在一半導(dǎo)體基板上形成一焊墊以及在此基板及此焊墊上配置一掩膜層。此方法亦包括在具有一個主要焊料模仁以及至少一個與主要焊料模仁相連接的次要焊料模仁的掩膜層內(nèi)形成一開口，此開口曝露此焊墊的一部分。更包括以焊料填充此主要焊料模仁以及此至少一個次要焊料模仁，以形成一個相對應(yīng)的主要焊料柱體及至少一個相對應(yīng)的次要焊料柱體而與此焊墊形成電性接觸。此方法也包括于填充步驟之后移除此掩膜層。此方法更包括一再流動步驟，使得焊料于熔化時相互結(jié)合以形成一主要焊料凸塊，其中上述焊料是來自此主要焊料柱體的焊料及至少一部分來自此次要焊料柱體的焊料。文檔編號H01L21/28GK1956158SQ20051009692公開日2007年5月2日申請日期2005年8月26日優(yōu)先權(quán)日2004年8月27日發(fā)明者蔡育瑩,陳世明,林國偉申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司