專利名稱：用于高級焊料凸點(diǎn)形成的方法和由所述方法制造的系統(tǒng)的制作方法
用于髙級焊料凸點(diǎn)形成的方法和由所述方法制造的系統(tǒng)
背景技術(shù)：
希望能減小包括(例如)"受控塌陷芯片連接"(C4)技術(shù)的高I/O倒 裝芯片的凸點(diǎn)間距。企圖減小凸點(diǎn)間距可能會導(dǎo)致過孔尺寸開口、焊料凸 點(diǎn)尺寸、焊料凸點(diǎn)高度及其他特征的相應(yīng)減小，以及針對這些特征的更嚴(yán) 格的容限。為了充分地致力于很多潛在應(yīng)用，可能需要對IC封裝設(shè)計(jì)和處 理的理解，包括對材^4和工藝流程的理解。
倒裝芯片的可靠性可能受到焊料凸點(diǎn)構(gòu)造及其他組裝因素的影響，包 括理解和控制系統(tǒng)和方法以制造其悍料凸點(diǎn)。凸點(diǎn)形成工藝或其各方面中 的變動(dòng)可能會導(dǎo)致倒裝芯片器件或制造工藝的故障和/或可靠性降低。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性工藝的流程圖2A-2E是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的設(shè)備在制造工藝各階段的示意圖3是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性工藝的流程圖4A-4G是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的設(shè)備在制造工藝各階段的示意圖5是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性工藝的另一流程圖；以及
圖6是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
這里所述的幾個(gè)實(shí)施例完全是出于例示的目的。各實(shí)施例可以包括這 里所述的元件的任何當(dāng)前或今后公知的版本。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將 從該說明書認(rèn)識到，可以利用各種修改和改變來實(shí)施其他實(shí)施例。
本發(fā)明的一些實(shí)施例提供了一種用于生產(chǎn)倒裝芯片封裝的制造工藝。 在一些實(shí)施例中，倒裝芯片是利用晶片襯底形成的，這種晶片襯底在襯底 表面上設(shè)置的阻焊材料中的開口中形成有導(dǎo)電焊料凸點(diǎn)。在形成焊料凸點(diǎn) 的工藝中，根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，在焊料回流處理之后，去除掩模材料。在一些實(shí)施例中，如一些附圖所示，阻焊材料的上表面可以基本上為平面 的(即平坦的)，掩模材料可以包括抵抗附著到焊料的焊料防護(hù)掩模材料及 其組合。
提供具有基本上為平面的上表面的阻焊材料，提供焊料防護(hù)掩模材料， 在焊料回流后去除掩模材料以及其各種組合可以促成一種機(jī)制，以提供在 諸如高度等特征方面一致性得到了改善的焊料凸點(diǎn)。
參考圖1，示出了用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的設(shè)備的制造工藝的
示范性流程圖，用附圖標(biāo)記100總地表示該流程圖。這里的各種工藝，包 括工藝100，可以由硬件、軟件和/或固件的任何組合來執(zhí)行。根據(jù)一些實(shí)
施例，可以將用于實(shí)施諸工藝，包括但不限于工藝ioo的指令存儲為可執(zhí)
行代碼?？梢詫⒋a存儲在任何適當(dāng)?shù)墓幕驅(qū)⒊蔀楣漠a(chǎn)品或介質(zhì)。
在操作105，在襯底材料上施加、獲得或者提供阻焊材料。符合IC制 造工藝流程的襯底材料可以包括，例如一層或多層有機(jī)介電材料。襯底可 以包括各種IC特征，例如過孔和導(dǎo)體。
圖2A示出了包括襯底205的示范性晶片200，襯底205的表面上具有 沉積、放置、形成或提供的阻焊材料210?？梢栽谝r底205之上對阻焊材料 210選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖。
在一些實(shí)施例中，穿過阻焊材料210形成開口 (例如過孔)。
在操作110，如圖2B所示，在阻焊材料210上施加焊料防護(hù)掩模(SRM) 材料215。 SRM215可以具有減小或消除焊料附著到其上的能力的特性。SRM 215抵抗附著到焊料的能力可以是基于SRM的物理和化學(xué)組成。在一些實(shí)施 例中，SRM 215的物理和化學(xué)組成使得焊料附著(即粘附)到SRM215的能 力得到降低或消除且SRM可以經(jīng)受IC制造工藝的溫度和其他應(yīng)力。例如， SRM 215在承受伴隨焊料回流處理的溫度時(shí)可以保持其焊料防護(hù)的特性。在 一些實(shí)施例中，在熱回流處理期間，與SRM 215接觸的焊料的表面張力將 導(dǎo)致焊料從SRM剝離(例如分離)。根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，SRM215的一 方面是，其組成，包括其上的涂層最小化、減小或消除焊料對SRM的潤濕。
在一些實(shí)施例中，基于施加到SRM 215表面的涂層，有助于SRM 215 抵抗附著到焊料。例如，可以應(yīng)用諸如聚四氟乙烯(PTFE)(例如TeflorA 其為E.I. du Pont de Nemours and Company的注冊商標(biāo))等的聚合物涂層來覆蓋SRM 215的表面。在一些實(shí)施例中，可以向掩模材料施加超薄化 學(xué)氣相沉積的材料的抗磨損膜(例如基于烷基或烷氧基三嗪硫醇的涂層 等)，并可以向掩模材料噴涂或真空沉積具有受控的均勻性的硅酮改性的單 層。
圖2B示出了穿過阻焊材料210和SRM 215二者設(shè)置的開口 220。可以 利用與IC制造流程兼容的各種技術(shù)和工藝以及本發(fā)明的各方面和實(shí)施例來 穿過阻焊材料210和SRM215二者形成開口 220。在一些實(shí)施例中，通過用 各種化學(xué)、物理和機(jī)械工藝和技術(shù)在選定區(qū)域中選擇性地對阻焊材料210 和SRM 215進(jìn)行構(gòu)圖和/或選擇性地去除阻焊材料210和SRM 215的區(qū)域(分 別進(jìn)行或同時(shí)進(jìn)行)，可以穿過阻焊材料210和SRM 215選擇性地制作開口 220。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以利用光刻工藝或激光束在阻焊材料210 中形成開口 220，然后在阻焊材料上選擇性地施加SRM 215。在一些實(shí)施例 中，可以利用激光束同時(shí)制作穿過阻焊材料210和SRM 215而形成的開口。
圖2C示出了在圖2B的開口 220中置入了焊料225的晶片200。焊料 225可以是利用焊料印刷工藝施加到每個(gè)開口 220中的膏的形式。
如圖2D進(jìn)一步所示，在操作115，位于穿過阻焊劑210和SRM 215形 成的開口中的焊料經(jīng)受或經(jīng)歷回流處理，以制作焊料凸點(diǎn)230。圖2D以舉 例方式示出了形成于晶片200上的三個(gè)(3)焊料凸點(diǎn)230?？梢酝ㄟ^使焊 料經(jīng)受足以使焊料回流的溫度來完成焊料回流。在一些實(shí)施例中，開口可 以是阻焊劑開口。
在圖2E所示的操作120，在回流處理之后從晶片200去除SRM 215。 在一些實(shí)施例中，至少從與焊料凸點(diǎn)230相鄰的區(qū)域去除SRM。在一些實(shí)施 例中，可以利用與本發(fā)明的各實(shí)施例的其他方面兼容的各種技術(shù)和工藝實(shí) 現(xiàn)SRM的去除。例如，可以利用各種化學(xué)蝕刻工藝、機(jī)械技術(shù)、激光燒蝕 及其組合來去除SRM 215。
應(yīng)當(dāng)理解，回流焊料所需的溫度可以有不同，這依賴于(例如)焊料 的化學(xué)組成。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解IC制造的這一方面。因此，這 里不包括對具體焊料材料和相應(yīng)的回流溫度的討論。
要指出的是，在焊料回流之后掩模材料被去除。于是，在去除掩模材 料之前形成了焊料凸點(diǎn)。通過這種方式，工藝100減少或避免了在去除掩模材料期間焊料的剝離。通過控制為回流處理提供的焊料的量并在焊料回
流之后去除掩模材料，可以保持工藝100形成的焊料凸點(diǎn)的一致性或均勻性。
圖3提供了根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性流程圖。由附圖標(biāo)記300 總地表示圖3的工藝。還可以參考圖4A-4G,結(jié)合以下對圖3的流程圖的描 述進(jìn)一步理解工藝300。
在操作305，制作、獲得或提供包括襯底的晶片以在工藝300中使用， 該襯底在其第一表面上具有阻焊材料?？梢岳檬挂r底適于并兼容于本發(fā) 明實(shí)施例的各方面的IC (集成電路)制造工藝的各種方法和技術(shù)來生產(chǎn)或 形成該襯底。阻焊材料的上表面充分地平坦。
要指出的是，可以被用作阻焊材料(及其他IC器件部件或特征)的平 臺或底面的襯底表面可以不是平面的或平坦的。在一些情況下，襯底可以 是翹曲的(即，與平面相比在曲率上有變化)。在一些情況下，IC襯底翹曲 可能是因?yàn)榫植康钠鸱涂傮w的彎曲。例如，對于單管芯襯底而言，局部 起伏可以在10-20 u m (微米)左右變化，而總體彎曲可以在40-50 ym左右 變化。襯底曲率的這種變化可能有助于使倒裝芯片及其他IC器件的焊料凸 點(diǎn)接近和/或超過焊料凸點(diǎn)的共面性目標(biāo)。
圖4A提供了包括如在操作305處所述的襯底405的晶片400的示意圖。 要指出的是，襯底400的上表面不完全是平面的。亦即，襯底405的上表 面在曲率上有變化。
圖4B示出了在襯底405的非平面的上表面上置有阻焊材料410的晶片 400。阻焊材料410的上表面基本上為平面。在圖4B中，阻焊材料410的 上表面是平面的，這與阻焊材料410所處的非平面的表面不同。
在一些實(shí)施例中，通過在液體阻焊材料固化之前控制其流動(dòng)行為以補(bǔ) 償局部和總體的翹曲，對固化前的阻焊材料進(jìn)行熱壓層壓處理以使阻焊材 料的上表面平坦化，化學(xué)拋光、機(jī)械拋光及其組合，使得阻焊材料410的 上表面平坦化。
在一些實(shí)施例中，可以通過在其固化時(shí)控制阻焊材料的變形和流動(dòng)(即 流變學(xué)控制)以及收縮方面來控制或改善阻焊材料410的平面性。 一些但 非全部范例可以包括基于可用光限定的苯并環(huán)丁烯(benozocyclobutene)的材料、烷氧基硅垸改性的有機(jī)-無機(jī)混合物等。除了改善的材料設(shè)計(jì)之外， 還可以使用涉及(例如)施加、印刷過程優(yōu)化(例如兩步施加等)的過程 優(yōu)化。
在一些實(shí)施例中，可以利用或不利用覆蓋膜對固化前的阻焊材料進(jìn)行
熱壓層壓處理。該覆蓋膜可以包括聚對苯二甲酸乙二酯(即PET)。
在操作310，在阻焊材料的平面的上表面上設(shè)置掩模材料。在圖4C中 示出了過程300的該方面，其中掩模材料415被示為設(shè)置在阻焊材料410 的平面的上表面上。
在一些實(shí)施例中，使掩模材料415的上表面呈平面的(即平面化的)。 可以使用針對使阻焊材料410平面化而論述的那些方法和技術(shù)以及其他平 面化方法和技術(shù)來對掩模材料415進(jìn)行平面化。
在操作315，對位于穿過阻焊材料和掩模材料或在二者中所形成的開口 中的焊料進(jìn)行回流，以在開口中制作焊料凸點(diǎn)?；亓魈幚砼c本發(fā)明的其他 方面和實(shí)施例兼容。
圖4D-4F提供了操作315的示意圖。圖4D示出了穿過阻焊材料410和 掩模材料415 二者設(shè)置的開口 420。雖然示出了四個(gè)(4)開口 420，但可 以設(shè)置從一個(gè)到多個(gè)的任何數(shù)量。在一些實(shí)施例中，開口 420可以是包括 諸如金屬化、互連等IC器件特征的過孔。
圖4E示出了晶片400，其中焊料425被示為位于穿過阻焊材料410和 掩模材料415 二者所形成的開口中。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，利用焊料 印刷方法(例如刮板印刷)而將焊料425置入開口中。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，至少部分由于阻焊材料410和掩模材料415 的平面性，可以控制置入穿過阻焊材料410和掩模材料415的開口中的焊 料的量。
在圖4F中，已對焊料425進(jìn)行了回流工藝?；亓魈幚淼臒釡囟瓤梢詫?dǎo) 致焯料425的液體流動(dòng)并由其形成焊料凸點(diǎn)430。與回流處理相關(guān)的溫度與 本發(fā)明各實(shí)施例中的材料兼容。
在操作320去除掩模材料。要指出的是，在焊料回流之后去除掩模材 料。于是，在去除掩模材料之前形成了焊料凸點(diǎn)。通過這種方式，工藝300 減少或避免了生成高度不同的焊料凸點(diǎn)。亦即，可以按照工藝300的操作來控制焊料凸點(diǎn)的一致性。
圖4G示出了已從其去除掩模材料415的晶片400。要指出的是，焊料 凸點(diǎn)430呈現(xiàn)出一致性或均勻性。由于阻焊材料410和掩模材料415的平 面性以及在回流處理之后去除掩模材料415，所以可以實(shí)現(xiàn)由工藝300所形 成的焊料凸點(diǎn)的一致性或均勻性，其中所述平面性有助于一定量的焊料足 以獲得一致的焊料凸點(diǎn)，而在回流處理之后去除掩模材料415最小化、減 少或消除了焊料從晶片400的剝離。
圖5提供了根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的示范性流程圖。由附圖標(biāo)記500 總地表示圖5的工藝。在一些方面中，工藝500包括已經(jīng)參考工藝100、工 藝300以及圖1、 2A-2E、 3和圖4A-4G論述的若干方面。
在操作500，制作、獲得或提供包括襯底的晶片以在工藝500中使用， 該襯底在襯底的第一表面上具有阻焊材料。阻焊材料的上表面基本上為平 面。要指出的是，向其施加阻焊材料的表面可以是或不是平面的或平坦的。 在一些情況下，要指出的是襯底在曲率上可以有變化，而不是平面的。
在操作510，在阻焊材料上施加焊料防護(hù)掩模(SRM)材料。SRM可以 具有減小或消除焊料附著到其上的能力的性質(zhì)。SRM抵抗附著到焊料的能力 可以依賴于SRM的物理和化學(xué)組成。可以使SRM通過各種過程，包括這里 參考其他實(shí)施例所述的那些過程，來防止焊料潤濕。根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施 例，SRM的一方面是，其組成，包括其上的涂層將焊料對SRM的潤濕最小化、 減小或消除。
在操作515，對位于穿過或在阻焊材料和掩模材料二者中形成的開口中 的焊料進(jìn)行回流，以在開口中制作焊料凸點(diǎn)?；亓魈幚砼c本發(fā)明的其他方 面和實(shí)施例兼容。
在操作520，在提供回流處理以制作焊料凸點(diǎn)之后，從晶片去除SRM材 料。在一些實(shí)施例中，至少從與焊料凸點(diǎn)相鄰的區(qū)域去除SRM材料。在一 些實(shí)施例中，可以利用與本發(fā)明的各實(shí)施例的其他方面兼容的各種技術(shù)和 工藝來實(shí)現(xiàn)SRM材料的去除。
在焊料回流之后去除SRM材料。在去除SRM材料之前形成了焊料凸點(diǎn)。 通過這種方式，工藝500可以減少或避免在去除SRM材料期間焊料的剝離。 通過基于阻焊材料(在一些實(shí)施例中還有SRM材料)的平面化而控制為回流處理提供的焊料量以及在焊料回流之后去除SRM材料，可以控制由工藝 500形成的焊料凸點(diǎn)的一致性或均勻性。
在一些實(shí)施例中，可以穿過阻焊材料和掩模材料(例如SRM)而將開口 (例如420， 520)形成至向下一直延伸到焊料凸點(diǎn)焊盤(例如凸點(diǎn)位點(diǎn)) 的深度。在一些實(shí)施例中，開口可以穿過阻焊材料和掩模材料二者向下延 伸到凸點(diǎn)下金屬化(UBM)層(未示出)和/或其他材料。
在一些實(shí)施例中，開口 (例如420， 520)的側(cè)壁可以用于在回流處理 期間將焊料包含在其中。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在制作焊料凸點(diǎn)的回流處理之后去除掩模 材料(包括SRM)有助于形成一種機(jī)制，以提供一致或均勻的焊料凸點(diǎn)。通 過控制開口尺寸、置入開口的焊料量以及在回流處理之后去除掩模材料， 可以一貫地保持受到回流處理處理的焊料量。于是，根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施 例可以提供一致或均勻的焊料凸點(diǎn)。
在一些實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例制造的焊料凸點(diǎn)的高度可以 在10um(微米)左右或更小，比如5um左右變化。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，基本同時(shí)完成穿過阻焊材料和掩模材料二 者而制作的開口。例如，可以在LPP (激光投射構(gòu)圖)工藝中利用激光束制 造穿過阻焊材料和掩模材料二者的開口?？梢允褂闷渌椒?、技術(shù)和工藝 來制造穿過阻焊材料和掩模材料二者的開口。通過這種方式，穿過阻焊材 料的開口和穿過掩模材料的開口的準(zhǔn)線(alignment)可以是一致的。亦即， 穿過阻焊材料和掩模材料二者的開口可以是穿過不同材料對準(zhǔn)的。
在一些實(shí)施例中，可以同時(shí)制作穿過阻焊劑和掩模材料二者的開口以 實(shí)現(xiàn)開口穿過各層(例如阻焊材料、掩模材料)的開口對準(zhǔn)。在一些實(shí)施 例中，通過同時(shí)制作穿過多層的開口可以實(shí)現(xiàn)大約5um或更小的對準(zhǔn)容差。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，掩模材料不是由光敏材料構(gòu)成的。例如， 在本發(fā)明一些實(shí)施例中，利用例如激光束去除掩模材料。因此，掩模材料 不必是光敏的，以完成取決于掩模材料的光敏性的蝕刻工藝。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，掩模材料(例如515)是用后即可拋棄的掩 模材料。這樣，可以通過本發(fā)明中的一些方法、設(shè)備和系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)成本節(jié)省。 例如，掩模材料可以不必具有在其他IC制造工藝中需要的某些特性，例如光敏性等。用后即可拋棄的掩模材料與本發(fā)明的一些實(shí)施例兼容。
在一些實(shí)施例中，掩模材料(例如415)可以是可重復(fù)使用的掩模材料。
圖6是系統(tǒng)600的示意圖，系統(tǒng)600包括如倒裝芯片IC封裝650的設(shè) 備，該設(shè)備具有根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例制作的焊料凸點(diǎn)615。倒裝芯片650 可以連接到存儲器625。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，除倒裝芯片650和存 儲器625之外，系統(tǒng)400可以包括額外的、更少的或替換的部件。存儲器 625可以包括任何類型的用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器，包括但不限于單倍數(shù)據(jù)速 率隨機(jī)存取存儲器、雙倍數(shù)據(jù)速率隨機(jī)存取存儲器或可編程只讀存儲器。
在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)600可以包括在具有平面化的上表面的阻焊材 料610中的開口 (例如過孔)中制作的焊料凸點(diǎn)615?？梢酝ㄟ^如下方式制 作焊料凸點(diǎn)615:在阻焊材料610的平面化的上表面上施加焊料防護(hù)掩模 (SRM)材料(圖6中未示出)，對置入穿過阻焊劑610和SRM材料形成的 開口中的焊料進(jìn)行回流處理，并在焊料回流從而制作焊料凸點(diǎn)615之后至 少從與焊料凸點(diǎn)615相鄰的區(qū)域去除SRM材料。
在一些實(shí)施例中，將IC器件620設(shè)置成與焊料凸點(diǎn)615接觸。IC器件 620可以在導(dǎo)電連接器、焊盤和跡線(未示出)處與焊料凸點(diǎn)615接觸，以 通過悍料凸點(diǎn)615提供IC器件620和襯底605之間的電連接。在一些實(shí)施 例中， 一種設(shè)備、系統(tǒng)和器件可以包括通過去除SRM材料(未示出)而制 成的焊料凸點(diǎn)615，其中事先在阻焊材料610的頂部上設(shè)置該SRM材料，隨 后，在用于制作焊料凸點(diǎn)615的回流處理之后從其去除該SRM材料。
應(yīng)當(dāng)理解，這里的附圖例示了本發(fā)明實(shí)施例的各方面，而不是本公開 內(nèi)容的全部。例如，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，圖2A-2E、 4A-4G和圖6可以包括凸點(diǎn)下 金屬化(UBM)、底填材料及其他倒裝芯片特征、部件和屬性。
這里所述的幾個(gè)實(shí)施例完全是出于例示的目的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將 從該說明書認(rèn)識到，利用僅由權(quán)利要求限制的修改和變化可以實(shí)現(xiàn)其他實(shí) 施例。
權(quán)利要求
1、一種方法，包括在襯底的表面上提供阻焊材料，所述阻焊材料具有基本上為平面的上表面；在所述阻焊材料的所述上表面上施加焊料防護(hù)掩模(SRM)材料；對位于穿過所述阻焊材料和所述SRM材料二者形成的開口中的焊料進(jìn)行回流，以制作焊料凸點(diǎn)；以及在對所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述掩模材料。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過如下方式中的至少一種使所 述阻焊材料的所述上表面基本平坦在液體阻焊材料固化之前控制其流動(dòng)行為，對固化前的阻焊材料進(jìn)行 熱壓層壓處理，化學(xué)拋光，機(jī)械拋光及其組合。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述SRM材料選自如下材料中的 一種可重復(fù)使用的焊接掩模和用后即可拋棄的焊接掩模。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括對位于穿過所述阻焊材料和所述掩模材料二者形成的多個(gè)開口中的焊料進(jìn)行回流，以制作多個(gè)焊料凸點(diǎn)；以及在對所述多個(gè)開口中的所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述掩模材料。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述焊料凸點(diǎn)的高度變化大約為 10u m或更小。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述高度變化大約為5um或更小。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過選自以下工藝中的至少一種來制作穿過所述阻焊材料和所述SRM材料二者的所述開口利用激光束照射所述阻焊材料和所述掩模材料二者以及光刻。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中利用化學(xué)技術(shù)和激光燒蝕技術(shù)中 的至少一種來完成對所述掩模材料的去除。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中對所述SRM材料進(jìn)行平面化，以 使其具有基本上為平面的上表面。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中基于如下操作中的至少一種， 所述SRM材料抵抗附著到焊料向所述掩模材料施加硅酮改性的單層以及 向所述掩模材料的外表面施加焊料防護(hù)材料涂層。
11、 一種方法，包括 在襯底的表面上提供阻焊材料；在所述阻焊材料的頂部上施加焊料防護(hù)掩模(SRM)材料；對位于穿過所述阻焊材料和所述SRM材料形成的開口中的焊料進(jìn)行回流，以制作焊料凸點(diǎn)；以及在對所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述掩模材料。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述SRM材料是一種可重復(fù)使 用的焊接掩模。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述開口直徑大約為70微米 (u m)或更小。
14、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，還包括對位于穿過所述阻焊材料和所述SRM材料二者形成的多個(gè)開口中的焊 料進(jìn)行回流，以制作多個(gè)焊料凸點(diǎn)；以及在對所述多個(gè)開口中的所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述SRM材料。
15、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述焊料凸點(diǎn)的高度變化大約 為10u m或更小。
16、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中基于如下操作中的至少一種， 所述SRM材料抵抗附著到焊料向所述掩模材料施加硅酮改性的單層以及 向所述掩模材料的外表面施加焊料防護(hù)材料涂層。
17、 一種方法，包括在襯底的表面上提供阻焊材料，所述阻焊材料具有基本上為平面的上 表面；在所述阻焊材料的所述上表面上施加掩模材料；對位于穿過所述阻焊材料和所述掩模材料二者形成的開口中的焊料進(jìn) 行回流，以制作焊料凸點(diǎn)；以及在對所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述掩模材料。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中通過如下方式中的至少一種使 所述阻焊材料的所述上表面基本平坦在液體阻焊材料固化之前控制其流 動(dòng)行為，固化前的阻焊材料進(jìn)行熱壓層壓處理，化學(xué)拋光，機(jī)械拋光及其 組合。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述掩模材料是一種用后即可 拋棄的焊接掩模。
20、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括對位于穿過所述阻焊材料和所述掩模材料二者形成的多個(gè)開口中的焊 料進(jìn)行回流，以制作多個(gè)焊料凸點(diǎn)；以及在對所述多個(gè)開口中的所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述掩模材料。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述焊料凸點(diǎn)的高度變化大約為lOii m或更小。
22、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中對所述掩模材料進(jìn)行平面化， 以使其具有基本上為平面的上表面。
23、 一種系統(tǒng)，包括 襯底；所述襯底的表面上的至少一層阻焊材料，所述阻焊材料具有基本上為 平面的上表面；穿過所述至少一層阻焊材料的開口 ；所述開口中的焊料凸點(diǎn)，其中所述焊料凸點(diǎn)是通過如下操作制成的 在所述阻焊材料的上表面上施加焊料防護(hù)掩模(SRM)材料； 對設(shè)置在所述開口中的焊料進(jìn)行回流處理；以及 在所述回流處理中對所述焊料進(jìn)行回流之后至少從與所述焊料凸 點(diǎn)相鄰的區(qū)域去除所述SRM材料；電連接到所述焊料凸點(diǎn)的集成電路(IC)器件；以及存儲器，其中所述存儲器為雙倍數(shù)據(jù)速率隨機(jī)存取存儲器。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述IC為微處理器。
全文摘要
根據(jù)一些實(shí)施例，提供了一種方法、設(shè)備和系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，所述方法包括在襯底的表面上提供阻焊材料；在阻焊材料的頂部上施加掩模材料；對位于穿過阻焊材料和掩模材料二者形成的開口中的焊料進(jìn)行回流；以及在對所述焊料進(jìn)行回流之后去除所述掩模材料。
文檔編號H01L21/60GK101310374SQ200680043052
公開日2008年11月19日 申請日期2006年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者C·J·巴爾, C·古魯默西, M·龐, R·塔尼克拉 申請人:英特爾公司