專(zhuān)利名稱(chēng)：雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管(DGFET)器件，特別涉及具有自對(duì)準(zhǔn)的前柵極和背柵極的平面雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
背景技術(shù)：
為了制造比目前可用的集成密度更高的集成電路，如存儲(chǔ)器、邏輯及其它器件，需要找到一種能進(jìn)一步縮小其中存在的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件尺寸的途徑。
隨著FET尺寸的縮小，F(xiàn)ET存在幾個(gè)問(wèn)題。特別是，F(xiàn)ET的源和漏之間的相互作用降低了柵極控制器件是否開(kāi)或關(guān)的能力。隨著器件尺寸的降低，F(xiàn)ET的源和漏之間的距離減小，導(dǎo)致了與溝道的相互作用增加，由此降低了柵極控制。該現(xiàn)象稱(chēng)做“短溝道效應(yīng)”。本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的短溝道效應(yīng)是由于柵極和源/漏區(qū)之間共享的兩維靜電電荷，短溝道器件，即亞0.1微米溝道器件中閾值電壓Vt的降低。
CMOS器件的進(jìn)一步發(fā)展是通過(guò)應(yīng)用雙柵極結(jié)構(gòu)獲得的，其中溝道定位在前柵極和背柵極之間。將溝道設(shè)置在兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間能夠從溝道的任意一側(cè)控制柵極，從而減小短溝道效應(yīng)。除了改善了短溝道效應(yīng)之外，雙柵極結(jié)構(gòu)的其它優(yōu)點(diǎn)包括，但不限于較高的跨導(dǎo)和較低的寄生電容。采用雙柵極結(jié)構(gòu)，以前的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)可以縮小到常規(guī)單柵極結(jié)構(gòu)的溝道長(zhǎng)度的一半。雙柵極結(jié)構(gòu)是新一代高性能CMOS器件的極好候選結(jié)構(gòu)。
目前，正在積極地開(kāi)發(fā)垂直和水平雙柵極結(jié)構(gòu)。由于與現(xiàn)有的CMOS器件的目前狀態(tài)類(lèi)似，水平即平面柵極結(jié)構(gòu)與垂直柵極結(jié)構(gòu)相比具有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。制造平面雙柵極器件的一個(gè)主要和強(qiáng)大挑戰(zhàn)是使背柵極與前柵極對(duì)準(zhǔn)。
在一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的方法中，平面雙柵極結(jié)構(gòu)是通過(guò)前柵極與背柵極對(duì)準(zhǔn)和界定之后再生長(zhǎng)溝道而形成的。目前用于制造對(duì)準(zhǔn)的雙柵極結(jié)構(gòu)的另一現(xiàn)有技術(shù)方法是使用前柵極作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻背柵極。蝕刻步驟之后，借助選擇性外延Si生長(zhǎng)再生長(zhǎng)源/漏區(qū)。
制造雙柵極器件的這些現(xiàn)有技術(shù)方法由于難以對(duì)目前制造雙柵極FET器件使用的復(fù)雜的制造技術(shù)進(jìn)行參數(shù)控制，因此具有許多缺點(diǎn)。鑒于以上提到的制造自對(duì)準(zhǔn)平面DGFET器件的現(xiàn)有技術(shù)方法的不足，仍然需要提供一種新的改進(jìn)的制造方法。所開(kāi)發(fā)的方法需要避免現(xiàn)有技術(shù)工藝的制造的復(fù)雜性。
發(fā)明概述本發(fā)明提供了一種具有與前柵極對(duì)準(zhǔn)的背柵極的平面DGFET的制造方法。本發(fā)明的方法獲得了這種對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)不存在與現(xiàn)有技術(shù)的前柵極和背柵極對(duì)準(zhǔn)有關(guān)的任何問(wèn)題。本發(fā)明的方法也提供了降低源/漏區(qū)和背柵極之間電容的手段。
廣義而言，本發(fā)明的方法包括以下步驟提供疊置的雙柵極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括至少背柵極、位于背柵極之上的背柵極介質(zhì)、位于背柵極介質(zhì)之上的溝道層、溝道層上的前柵極介質(zhì)以及位于前柵極介質(zhì)之上的前柵極；對(duì)疊置的雙柵極結(jié)構(gòu)的前柵極構(gòu)圖；在構(gòu)圖的前柵極的露出側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔層；以及在背柵極的一部分中形成載流子耗盡區(qū)，其中所述載流子耗盡區(qū)使前柵極和背柵極對(duì)準(zhǔn)。
除了使前柵極和背柵極對(duì)準(zhǔn)之外，載流子耗盡區(qū)通過(guò)降低源/漏區(qū)和背柵極之間的電容提高了器件性能。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，載流子耗盡區(qū)為位于背柵極/背柵極介質(zhì)界面的非晶區(qū)。在該實(shí)施例中，采用了能夠形成這種非晶區(qū)的離子注入。非晶區(qū)以容易結(jié)合到常規(guī)工藝流程內(nèi)的自對(duì)準(zhǔn)方式定義了背柵極。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，載流子耗盡區(qū)為位于背柵極/背柵極介質(zhì)界面的氣泡層。通過(guò)離子注入和退火產(chǎn)生氣泡層。氣泡層也以容易結(jié)合到常規(guī)工藝流程內(nèi)的自對(duì)準(zhǔn)方式定義了背柵極。
本發(fā)明的另一方面涉及自對(duì)準(zhǔn)的平面DGFET器件。具體地說(shuō)，本發(fā)明的DGFET器件包括位于背柵極之上的背柵極介質(zhì)；位于背柵極介質(zhì)之上的溝道層；位于溝道層之上的前柵極介質(zhì)；以及位于溝道區(qū)一部分之上的構(gòu)圖的前柵極，其中背柵極含有使前柵極和背柵極對(duì)準(zhǔn)的載流子耗盡區(qū)。
本發(fā)明的自對(duì)準(zhǔn)的平面DGFET還包括與背柵極的表面部分接觸的背柵極接觸。


圖1A-1F示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中采用的基本工藝步驟(剖面圖)，在示出的實(shí)施例中，載流子耗盡區(qū)為非晶區(qū)；圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例(剖面圖)，在本實(shí)施例中，載流子耗盡區(qū)為氣泡層；圖3為含有隔離區(qū)的最終結(jié)構(gòu)的圖示(剖面圖)，在該圖中示出了圖2的實(shí)施例。
發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明現(xiàn)在參照附圖更詳細(xì)地描述提供了自對(duì)準(zhǔn)平面的DGFET的制造方法以及由該方法形成的DGFET結(jié)構(gòu)的本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)注意，在附圖中，相同的參考數(shù)字用于表示相同和相應(yīng)的元件。
首先參見(jiàn)圖1A-1F中所示的實(shí)施例。在所示的實(shí)施例中，載流子耗盡區(qū)為非晶層。圖1A示出了可以在本發(fā)明中使用的初始疊置的雙柵極結(jié)構(gòu)。初始的疊置雙柵極結(jié)構(gòu)包括其上具有底絕緣體12的襯底10。初始的疊置雙柵極結(jié)構(gòu)也包括位于底絕緣體12上的背柵極14、位于背柵極14上的背柵極介質(zhì)16、位于背柵極介質(zhì)16上的溝道層18、位于溝道層18上的前柵極介質(zhì)20以及位于前柵極介質(zhì)20上的前柵極22。
通過(guò)首先提供包括溝道層18的轉(zhuǎn)移晶片(未示出)制造圖1A所示的結(jié)構(gòu)。溝道層可以形成在轉(zhuǎn)移晶片上或者可以是轉(zhuǎn)移晶片的一部分。在本發(fā)明中使用的溝道層18包括任何半導(dǎo)體材料，例如Si、SiGe、SiGeC、InAs、GaAs、InP以及其它III/V化合物半導(dǎo)體。這里也考慮了這些應(yīng)變或不應(yīng)變的半導(dǎo)體材料的組合。本發(fā)明該處使用的轉(zhuǎn)移晶片可以是體Si晶片或包括絕緣體上硅的其它類(lèi)型的半導(dǎo)體晶片。當(dāng)溝道層18不是轉(zhuǎn)移晶片的一部分時(shí)，可以通過(guò)常規(guī)的淀積工藝形成，例如化學(xué)汽相淀積(CVD)、等離子體輔助的CVD、蒸鍍或化學(xué)溶液淀積。當(dāng)溝道層為轉(zhuǎn)移晶片的一部分時(shí)，不需要在轉(zhuǎn)移晶片上形成單獨(dú)的溝道層。首先當(dāng)?shù)谝淮问┘拥睫D(zhuǎn)移晶片時(shí)，溝道層18可以具有任何厚度。通常，溝道層18具有從約1到約100nm的初始厚度，進(jìn)行隨后的鍵合(bonding)工藝之后變薄。
然后，利用常規(guī)的淀積工藝在溝道層18上形成背柵極介質(zhì)16，或者可選地，通過(guò)熱生長(zhǎng)工藝形成背柵極介質(zhì)16。背柵極介質(zhì)16可以由氧化物、氮化物或氮氧化物構(gòu)成，優(yōu)選氧化物介質(zhì)?？梢杂米霰硸艠O介質(zhì)16的氧化物的合適例子包括，但不限于SiO2、Al2O3、ZrO2、HfO2、Ta2O3、TiO2、鈣鈦礦型氧化物及其組合物和多層。背柵極介質(zhì)16的厚度可以改變，但通常背柵極介質(zhì)16具有從約0.5到約20nm的厚度。
利用如CVD的常規(guī)淀積工藝在背柵極介質(zhì)16的上面形成背柵極14，成背柵極14是由如多晶硅的導(dǎo)電材料組成的。背柵極14具有從約50到約300nm的厚度。接下來(lái)，利用常規(guī)的淀積工藝或常規(guī)的熱生長(zhǎng)工藝，在背柵極14上形成底部絕緣體12。底部絕緣體12可以是氧化物、氮化物或氮氧化物，但優(yōu)選的是氧化物，如SiO2。底部絕緣體12的厚度可以改變，但通常具有從約10到約200nm的厚度。
提供含有層18、16、14和12的轉(zhuǎn)移晶片之后，使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的常規(guī)鍵合工藝，將底部絕緣體12的露出表面鍵合到襯底10。鍵合之后，從鍵合的結(jié)構(gòu)上除去轉(zhuǎn)移晶片(或沒(méi)有含溝道層的部分)，留下露出的溝道層18。具體地說(shuō)，可以通過(guò)研磨和蝕刻除去轉(zhuǎn)移晶片或其一部分。研磨和蝕刻工藝期間，溝道層18可以減薄到小于10nm的厚度。該減薄的溝道層18的一部分在本發(fā)明中用做FET的體區(qū)或溝道區(qū)。
除去轉(zhuǎn)移晶片和減薄溝道層18之后，利用常規(guī)的淀積工藝或利用常規(guī)的熱氧化工藝，在減薄的溝道層18上形成襯墊氧化物(未示出)。無(wú)論采何種技術(shù)，沉淀氧化物通常具有從約5到約30nm的厚度，更優(yōu)選從約10到約20nm的厚度。
然后，利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的常規(guī)淀積工藝，在襯墊氧化物上形成可由氮化物和/或氮氧化物組成的拋光終止層(沒(méi)有專(zhuān)門(mén)示出)。拋光終止層的厚度可以改變，并且對(duì)本發(fā)明不是至關(guān)重要的。
通過(guò)首先利用淀積工藝，如CVD或旋轉(zhuǎn)涂覆，將常規(guī)的光致抗蝕劑施加在拋光終止層的表面，在結(jié)構(gòu)內(nèi)形成隔離溝槽開(kāi)口(這些圖中未示出)。然后，通過(guò)常規(guī)的光刻(包括曝光和顯影)對(duì)光致抗蝕劑構(gòu)圖以含有制造淺溝槽開(kāi)口的圖形。利用構(gòu)圖的光致抗蝕劑，使用如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、離子束蝕刻或等離子體蝕刻等蝕刻工藝將溝槽圖形轉(zhuǎn)移到結(jié)構(gòu)內(nèi)。該蝕刻期間，除去部分溝道層18、背柵極介質(zhì)16以及背柵極14，停止在底部絕緣體12的表面上。
蝕刻步驟之后，利用常規(guī)的剝離工藝，除去構(gòu)圖的光致抗蝕劑，借助熱氧化工藝形成溝槽氧化物襯底(未示出)以覆蓋溝槽開(kāi)口的至少露出側(cè)壁。然后，用介質(zhì)溝槽材料，如CVD氧化物或原硅酸四乙酯(TEOS)，填充含溝槽氧化物襯里的隔離溝槽開(kāi)口并平面化到拋光停止層，提供所示的平面結(jié)構(gòu)。包括溝槽填充材料和溝槽氧化物襯里的隔離區(qū)50被例如顯示在圖3中。
形成隔離區(qū)之后，利用蝕刻工藝從結(jié)構(gòu)上除去拋光停止層，與氧化物相比，該蝕刻工藝在除去拋光停止層中是可以選擇的。本發(fā)明的該蝕刻步驟從結(jié)構(gòu)上除去了拋光停止層，并露出了下面的沉淀氧化物。例如，磷酸可以用于從結(jié)構(gòu)上選擇性地除去拋光停止層。從結(jié)構(gòu)上除去拋光停止層之后，選擇性地除去露出的襯墊氧化層，以露出溝道層18?？梢圆捎门c半導(dǎo)體材料相比高度選擇性的除去氧化物的任何常規(guī)蝕刻工藝。例如，可以使用氫氟酸從結(jié)構(gòu)上選擇性地除去襯墊氧化物。
選擇性除去襯墊氧化物之后，在溝道層18的露出表面上形成前柵極介質(zhì)20。前柵極介質(zhì)20可以由與背柵極介質(zhì)16相同或不同的介質(zhì)材料組成。此外，可以利用任何常規(guī)淀積工藝，如CVD，形成前柵極介質(zhì)20。前柵極介質(zhì)20的厚度可以改變，但通常具有從約0.5到約3.0nm的厚度。
利用常規(guī)的淀積工藝在結(jié)構(gòu)上形成由導(dǎo)電材料組成前柵極22，如多晶硅、導(dǎo)電金屬、硅化物或它們的任何組合包括多層，提供如圖1A所示的結(jié)構(gòu)。用于前柵極22的優(yōu)選材料為多晶硅。
接下來(lái)，例如如圖1B所示，借助常規(guī)的淀積工藝，在前柵極22上形成掩模24，如氧化物、氮化物或氮氧化物。此外，可以通過(guò)熱生長(zhǎng)工藝形成掩模24。然后，對(duì)掩模24和前柵極22構(gòu)圖，提供例如圖1C所示的構(gòu)圖結(jié)構(gòu)。利用構(gòu)圖的抗蝕劑掩模(未示出)和蝕刻實(shí)現(xiàn)構(gòu)圖。蝕刻對(duì)前柵極介質(zhì)20具有選擇性，因此，蝕刻停止在前柵極介質(zhì)20的上表面。
在本發(fā)明的這一點(diǎn)，可以通過(guò)常規(guī)的離子注入和退火形成源/漏擴(kuò)展區(qū)和暈圈(這里沒(méi)有專(zhuān)門(mén)示出)。還可以在本發(fā)明方法的后面一步形成源/漏擴(kuò)展區(qū)和暈圈。
絕緣間隔層26被形成在至少構(gòu)圖的前柵極22和部分構(gòu)圖的掩模24的露出側(cè)壁上，提供如圖1D所示的結(jié)構(gòu)。絕緣間隔層26可以由任何絕緣材料組成，例如氧化物、氮化物、氮氧化物或它們的任何組合?？梢酝ㄟ^(guò)淀積絕緣材料和蝕刻形成絕緣間隔層26。該步驟之后，可以形成選擇性的epi源/漏區(qū)(未示出)。
在本發(fā)明的該步驟，并且如果以前沒(méi)有形成，將擴(kuò)展區(qū)28和暈圈(未示出)形成到溝道區(qū)18內(nèi)，此后，鄰接擴(kuò)展區(qū)28形成源/漏區(qū)30。包括擴(kuò)展區(qū)28和源/漏區(qū)30的所得結(jié)構(gòu)例如顯示在圖1E中。在本圖中，箭頭指示離子被注入到溝道層18內(nèi)。如果以前沒(méi)有形成，擴(kuò)展區(qū)28和暈圈首先被離子注入到溝道區(qū)18內(nèi)，此后，通過(guò)第二離子注入工藝形成源/漏區(qū)30。離子注入之后，對(duì)結(jié)構(gòu)退火以激活注入?yún)^(qū)。這里源/漏區(qū)之間的區(qū)域被稱(chēng)做溝道區(qū)。
圖1F示出了在部分背柵極14中形成載流子耗盡區(qū)之后的所得結(jié)構(gòu)。在所示的實(shí)施例中，載流子耗盡區(qū)32為非晶注入?yún)^(qū)，由通過(guò)注入能夠使部分背柵極14非晶化的離子形成。在背柵極14中能夠形成載流子耗盡區(qū)32，即非晶區(qū)的離子的例子包括，但不限于N、F、Ar、Si、Ge等。然而，離子應(yīng)這樣選擇，使得在后續(xù)的退火步驟，如硅化退火，線(xiàn)退火的中間端和后端期間，背柵極14內(nèi)的非晶區(qū)不會(huì)完全再生長(zhǎng)。N、F和Ar顯著減慢了非晶層的再生長(zhǎng)。因此，N、F、Ar和以及其它任何減慢非晶層生長(zhǎng)的元素是產(chǎn)生非晶層的優(yōu)選元素。還可以用除非晶層生長(zhǎng)減慢元素之外的其它元素并隨后將非晶層生長(zhǎng)減慢元素注入到非晶層內(nèi)產(chǎn)生非晶層。利用能夠在背柵極14中形成非晶區(qū)的常規(guī)離子注入條件進(jìn)行注入。非晶層可以初始含有與背柵極介質(zhì)16相鄰的源/漏區(qū)30。優(yōu)化選擇注入條件，埋置的非晶層的源/漏部分可以最小或者在隨后的退火期間可以生長(zhǎng)回。硅化步驟之后也可以進(jìn)行注入步驟。
利用能夠在背柵極14中形成非晶區(qū)的常規(guī)離子注入條件進(jìn)行注入。如圖所示，載流子耗盡區(qū)32形成在背柵極介質(zhì)18和背柵極14之間的界面處。載流子耗盡區(qū)32以自對(duì)準(zhǔn)方式限定背柵極14。此外，載流子耗盡區(qū)降低了源/漏區(qū)30和背柵極14之間的電容，提供了高性能的器件。
圖2示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例，其中載流子耗盡區(qū)32為形成到部分背柵極14內(nèi)的氣泡層。在本發(fā)明的該實(shí)施例中，通過(guò)能在背柵極14內(nèi)形成氣泡層的離子注入形成載流子耗盡區(qū)32。在本發(fā)明的該實(shí)施例中使用的合適離子包括氫、Ar、He、Ne、Kr、Xe等。形成氣泡層的注入條件為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的常規(guī)條件。通常在注入步驟之后立即進(jìn)行退火以生長(zhǎng)氣泡。由于該退火具有高熱聚集，因此，優(yōu)選在擴(kuò)展/暈圈和源/漏形成步驟之前進(jìn)行氣泡形成步驟(注入和退火)。在約900°到約1200℃的升高溫度進(jìn)行約1s到約60分鐘時(shí)間的氣泡形成退火。
圖3示出了包括隔離區(qū)50的本發(fā)明的最終的自對(duì)準(zhǔn)的平面DFET結(jié)構(gòu)。如上所述形成隔離區(qū)50。形成該結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)行包括背柵極接觸形成的通常中間端和后端線(xiàn)工藝。
雖然本發(fā)明示出了一個(gè)雙柵極FET結(jié)構(gòu)的形成，但是本發(fā)明考慮了在單個(gè)襯底上形成多個(gè)這種雙柵極FET結(jié)構(gòu)。多個(gè)雙柵極FET都可以包括作為載流子耗盡區(qū)的非晶區(qū)或作為載流子耗盡區(qū)的氣泡層。多個(gè)雙柵極FET也可以包括具有作為載流子耗盡區(qū)的非晶區(qū)的一些DGFET和具有作為載流子耗盡區(qū)的氣泡層的一些DGFET。
雖然參考優(yōu)選實(shí)施例專(zhuān)門(mén)示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)作出以上和其它改變。因此，本發(fā)明不限于這里介紹和示出的確切的形式和細(xì)節(jié)，它由所附權(quán)利要求書(shū)所限定。
權(quán)利要求
1.一種雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法，包括以下步驟提供疊置的雙柵極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括至少背柵極、位于背柵極之上的背柵極介質(zhì)、位于背柵極介質(zhì)之上的溝道層、溝道層上的前柵極介質(zhì)以及位于前柵極介質(zhì)之上的前柵極；構(gòu)圖疊置的雙柵極結(jié)構(gòu)的前柵極；在構(gòu)圖的前柵極的露出側(cè)壁上形成側(cè)壁間隔層；以及在背柵極的一部分中形成載流子耗盡區(qū)，其中所述載流子耗盡區(qū)使前柵極和背柵極對(duì)準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述載流子耗盡區(qū)減小了源/漏區(qū)和背柵極之間的電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中載流子耗盡區(qū)包括非晶區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，還包括注入離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述離子包括N、F、Ar、Si或Ge。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述離子包括非晶層生長(zhǎng)減慢元素。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述載流子耗盡區(qū)為氣泡層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，還包括注入離子和退火。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述離子包括氫、Ar、He、Ne、Kr或Xe。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述疊置的雙柵極結(jié)構(gòu)通過(guò)鍵合和減薄形成。
11.一種雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件包括位于背柵極之上的背柵極介質(zhì)；位于背柵極介質(zhì)之上的溝道層；位于溝道層之上的前柵極介質(zhì)；以及位于部分溝道層之上的構(gòu)圖的前柵極，其中背柵極含有使前柵極和背柵極對(duì)準(zhǔn)的載流子耗盡區(qū)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其中所述載流子耗盡區(qū)包括非晶層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其中所述載流子耗盡區(qū)包括氣泡層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，還包括所述構(gòu)圖的前柵極側(cè)壁上的絕緣間隔層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，還包括與所述源/漏區(qū)鄰接的擴(kuò)展注入?yún)^(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其中所述溝道區(qū)包括Si、SiGe、SiC、SiGeC、InAs、GaAs、InP以及其它III/V化合物半導(dǎo)體或它們的組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，還包括與所述構(gòu)圖的前柵極鄰接形成的隔離區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其中所述背柵極介質(zhì)和所述前柵極介質(zhì)包括氧化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其中所述背柵極和所述前柵極由多晶硅組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求11的雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其中所述載流子耗盡區(qū)降低了源/漏區(qū)和背柵極之間的電容。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有與前柵極對(duì)準(zhǔn)的背柵極的平面雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的制造方法。通過(guò)在部分背柵極中產(chǎn)生載流子耗盡區(qū)，本發(fā)明的方法實(shí)現(xiàn)了這種對(duì)準(zhǔn)。載流子耗盡區(qū)降低了源/漏區(qū)和背柵極之間的電容，由此提供了高性能的自對(duì)準(zhǔn)的平面雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明也提供了具有與前柵極對(duì)準(zhǔn)的后柵極的平面雙柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。通過(guò)在部分背柵極中提供載流子耗盡區(qū)實(shí)現(xiàn)了前柵極與背柵極的對(duì)準(zhǔn)。
文檔編號(hào)H01L29/423GK1523649SQ200310121550
公開(kāi)日2004年8月25日 申請(qǐng)日期2003年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月23日
發(fā)明者O·H·多庫(kù)馬奇, O H 多庫(kù)馬奇, B·B·多里斯, 多里斯, S·G·赫格德, 赫格德, M·萊昂, 瓊斯, E·C·瓊斯 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司