本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵晶體管及其制造方法。

背景技術(shù)：

氮化鎵(gan)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕和抗輻射的性能，其應(yīng)用在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢，被認(rèn)為是短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料。

氮化鎵晶體管能夠形成高濃度、高遷移率的二維電子氣溝道，同時(shí)對二維電子氣溝道具有良好的調(diào)節(jié)作用，因此成為功率器件中的研究熱點(diǎn)。

但是，現(xiàn)有的氮化鎵晶體管中，高勢壘導(dǎo)致器件的歐姆接觸電阻較大，影響器件的整體性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種氮化鎵晶體管及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中氮化鎵晶體管的歐姆接觸電阻較大導(dǎo)致器件性能較差的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供一種氮化鎵晶體管制造方法，包括：

在硅襯底的表面上方形成未摻雜的氮化鎵層，在所述未摻雜的氮化鎵層的表面上方形成氮化鎵鋁層；

在所述氮化鎵鋁層的表面上方沉積一層氮化硅，形成介質(zhì)層；

對所述介質(zhì)層、所述氮化鎵鋁層和所述未摻雜的氮化鎵層進(jìn)行刻蝕，形成漏極接觸孔和源極接觸孔；

在所述漏極接觸孔和源極接觸孔中再生長出n型摻雜的氮化鎵層，并在所述漏極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成漏極，在所述源極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成源極。

如上所述的方法，在所述漏極接觸孔和源極接觸孔中再生長出n型摻雜的氮化鎵層，包括：

在所述漏極接觸孔中、所述源極接觸孔中以及所述介質(zhì)層的上方再生長出n型摻雜的氮化鎵層；

在所述n型摻雜的氮化鎵層位于所述漏極接觸孔和所述源極接觸孔之間的部分區(qū)域上方涂抹光刻膠；

在光刻膠的阻擋下對所述n型摻雜的氮化鎵層進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕完成后去除光刻膠，露出部分所述介質(zhì)層。

如上所述的方法，在所述漏極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成漏極，在所述源極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成源極，包括：

在所述n型摻雜的氮化鎵層的表面上方以及所述介質(zhì)層的表面上方淀積歐姆接觸金屬層；

對所述歐姆接觸金屬層位于所述介質(zhì)層上方的區(qū)域上涂抹光刻膠；

在光刻膠的阻擋下對所述歐姆接觸金屬層進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕完后去除光刻膠，僅保留位于所述n型摻雜的氮化鎵層上方的歐姆接觸金屬層。

位于所述漏極接觸孔上方的歐姆接觸金屬層形成漏極，位于所述源極接觸孔上方的歐姆接觸金屬層形成源極。

如上所述的方法，在所述n型摻雜的氮化鎵層的表面上方以及所述介質(zhì)層的表面上方淀積歐姆接觸金屬層，包括：

采用磁控濺射鍍膜工藝，在所述n型摻雜的氮化鎵的表面上方以及所述介質(zhì)層的表面上方沉積金屬鈦層；

在所述金屬鈦層的上方沉積金屬鉑層；

其中，所述金屬鈦層以及所述金屬鉑層形成所述歐姆接觸金屬層。

如上所述的方法，在所述漏極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成漏極，在所述源極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成源極之后，還包括：

在氮?dú)獾臈l件下，采用840℃的退火溫度進(jìn)行30s的退火工藝。

如上所述的方法，在所述漏極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成漏極，在所述源極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成源極之 后，還包括：

對所述介質(zhì)層、所述氮化鎵鋁層進(jìn)行刻蝕，形成柵極接觸孔；

在所述柵極接觸孔中沉積一層氮化硅，形成柵介質(zhì)；

在所述柵介質(zhì)上形成柵極。

如上所述的方法，在所述柵介質(zhì)上形成柵極，包括：

采用磁控濺射鍍膜工藝，在所述柵介質(zhì)和所述介質(zhì)層上沉積金屬鎳層，在所述金屬鎳層上沉積金屬金層；

對所述金屬金層和金屬鎳層進(jìn)行光刻、刻蝕，僅保留部分金屬金層和金屬鎳層，從而形成柵極。

本發(fā)明還提供一種氮化鎵晶體管，包括：硅襯底、設(shè)置在所述硅襯底上方的未摻雜的氮化鎵層、設(shè)置在所述為摻雜的氮化鎵層上方的氮化鎵鋁層以及設(shè)置在所述氮化鎵鋁層上方的介質(zhì)層；

所述介質(zhì)層中開設(shè)有源極接觸孔和漏極接觸孔，所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔均穿過所述氮化鎵鋁層，且穿過部分所述未摻雜的氮化鎵層；

所述漏極接觸孔和源極接觸孔中均形成有n型摻雜的氮化鎵層，所述漏極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成有漏極，在所述源極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成有源極。

如上所述的氮化鎵晶體管，還包括：柵介質(zhì)和柵極；

介質(zhì)層中開設(shè)有柵極接觸孔，所述柵極接觸孔中形成有所述柵介質(zhì)；

所述柵介質(zhì)上方形成有所述柵極。

如上所述的氮化鎵晶體管，所述源極和漏極均包括一層金屬鈦層和設(shè)置在所述金屬鈦層上方的金屬鉑層；

所述柵極包括一層金屬鎳層和設(shè)置在所述金屬鎳層上方的金屬金層。

本發(fā)明提供的氮化鎵晶體管及其制造方法，通過在硅襯底的表面上方形成未摻雜的氮化鎵層，在所述未摻雜的氮化鎵層的表面上方形成氮化鎵鋁層，在所述氮化鎵鋁層的表面上方沉積一層氮化硅，形成介質(zhì)層，對所述介質(zhì)層、所述氮化鎵鋁層和所述未摻雜的氮化鎵層進(jìn)行刻蝕，形成漏極接觸孔和源極接觸孔，在所述漏極接觸孔和源極接觸孔中再生長出n型摻雜的氮化鎵層，并在所述漏極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成 漏極，在所述源極接觸孔中的n型摻雜的氮化鎵層的上方形成源極，在器件上電之后，由于未摻雜的氮化鎵層與源極之間、未摻雜的氮化鎵層與漏極之間存在n型摻雜的氮化鎵層，能夠減小歐姆接觸電阻，增加器件電流，提高器件的整體性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成介質(zhì)層之后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成漏極接觸孔和源極接觸孔之后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成源極和漏極的方法流程圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中去除部分n型摻雜的氮化鎵層后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中去除部分歐姆接觸金屬層后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成柵極接觸孔后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成柵介質(zhì)后的器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成柵極后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-硅襯底2-未摻雜的氮化鎵層3-氮化鎵鋁層

4-介質(zhì)層5-漏極接觸孔6-源極接觸孔

7-n型摻雜的氮化鎵層8-漏極9-源極

10-柵極接觸孔11-柵介質(zhì)12-柵極

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例一提供一種氮化鎵晶體管制造方法。圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法的流程圖。如圖1所示，本實(shí)施例中的方法，可以包括：

步驟101、在硅襯底1的表面上方形成未摻雜的氮化鎵層2，在所述未摻雜的氮化鎵層2的表面上方形成氮化鎵鋁層3。

步驟102、在所述氮化鎵鋁層3的表面上方沉積一層氮化硅，形成介質(zhì)層4。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成介質(zhì)層4之后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖2所示，可以在硅襯底1的表面上方沉積一層氮化鎵，不摻雜任何雜質(zhì)，就形成了所述未摻雜的氮化鎵層2。在所述為摻雜的氮化鎵層表面上方沉積一層氮化鎵鋁(algan)，就形成了所述氮化鎵鋁層3，所述氮化鎵鋁層3可以作為器件的勢壘層。在所述氮化鎵鋁層3的表面上方沉積一層氮化硅(si3n4)，就形成了所述介質(zhì)層4。

步驟103、對所述介質(zhì)層4、所述氮化鎵鋁層3和所述未摻雜的氮化鎵層2進(jìn)行刻蝕，形成漏極接觸孔5和源極接觸孔6。

具體地，可以采用干法刻蝕對所述介質(zhì)層4進(jìn)行刻蝕，刻蝕出漏極接觸孔5和源極接觸孔6，所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6可以穿過所述介質(zhì)層4，同時(shí)穿過所述介質(zhì)層4下方的氮化鎵鋁層3，并部分穿過所述氮化鎵鋁層3下方的未摻雜的氮化鎵層2。

進(jìn)一步的，在步驟103之后，所述方法還可以包括：對所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6進(jìn)行表面處理，具體地，可以采用dhf+sc1+sc2的方法對所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6的表面進(jìn)行清洗，其中，dhf表示用稀氟氫酸清洗，sc1表示標(biāo)準(zhǔn)化第一步清洗，sc2表示標(biāo)準(zhǔn)化第 二步清洗，三次清洗的時(shí)間均可以設(shè)置在50s至80s之間。

通過dhf+sc1+sc2的方法對所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6的表面進(jìn)行清洗，能夠去除所述漏極接觸孔5與所述源極接觸孔6中的雜質(zhì)，提高器件整體性能。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成漏極接觸孔5和源極接觸孔6之后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，在進(jìn)行刻蝕時(shí)，介質(zhì)層4和氮化鎵鋁層3被完全刻穿，未摻雜的氮化鎵層2被部分刻蝕。

步驟104、在所述漏極接觸孔5和源極接觸孔6中再生長出n型摻雜的氮化鎵層7，并在所述漏極接觸孔5中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成漏極8，在所述源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成源極9。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成源極9和漏極8的方法流程圖。如圖4所示，本實(shí)施例中的步驟104可以具體包括：

步驟1041、在所述漏極接觸孔5中、所述源極接觸孔6中以及所述介質(zhì)層4的上方再生長出n型摻雜的氮化鎵層7。

由于所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6的底面均為氮化鎵，因此，可以采用再生長的方式在所述漏極接觸孔5中、所述源極接觸孔6中以及所述介質(zhì)層4上方形成n型摻雜的氮化鎵層7。其中，n型摻雜的氮化鎵層7為摻雜了n型離子的氮化鎵層。n型離子可以為磷等。

具體地，在所述漏極接觸孔5中、所述源極接觸孔6中和所述介質(zhì)層4上方再生長出n型摻雜的氮化鎵層7，可以有多種實(shí)現(xiàn)方法。例如，可以首先在器件表面再生長出未摻雜的氮化鎵，然后通過離子注入的方式形成n型摻雜的氮化鎵層7；或者，可以采用其它處理方式在器件表面直接生成n型摻雜的氮化鎵層7，本實(shí)施例對此不作限制。

步驟1042、在所述n型摻雜的氮化鎵層7位于所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6之間的部分區(qū)域上方涂抹光刻膠。

在器件表面生成n型摻雜的氮化鎵層7之后，由于所述漏極接觸孔5中、所述源極接觸孔6中以及所述介質(zhì)層4上方均有所述n型摻雜的氮化鎵層7，而制作源極9和漏極8只需要用到源區(qū)和漏區(qū)的n型摻雜的氮化鎵層7，因此，需要對當(dāng)前的n型摻雜的氮化鎵層7進(jìn)行光刻刻蝕。

具體地，可以在所述n型摻雜的氮化鎵層7位于所述漏極接觸孔5和所述源極接觸孔6之間的部分區(qū)域上方涂抹光刻膠，也就是位于所述介質(zhì)層4上方的部分區(qū)域上涂抹光刻膠。

步驟1043、在光刻膠的阻擋下對所述n型摻雜的氮化鎵層7進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕完成后去除光刻膠，露出部分所述介質(zhì)層4。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中去除部分n型摻雜的氮化鎵層7后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，在源極接觸孔6和漏極接觸孔5之間、位于所述介質(zhì)層4上方的部分n型摻雜的氮化鎵層7被刻蝕掉，僅保留了源極接觸孔6中及其附近、漏極接觸孔5及其附近的n型摻雜的氮化鎵層7。

這樣，通過步驟1041至步驟1043就得到了在所述漏極接觸孔5和源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7，為后續(xù)源極9和漏極8的制備提供了條件。

步驟1044、在所述n型摻雜的氮化鎵層7的表面上方以及所述介質(zhì)層4的表面上方淀積歐姆接觸金屬層。

具體地，本步驟中的在所述n型摻雜的氮化鎵層7的表面上方以及所述介質(zhì)層4的表面上方淀積歐姆接觸金屬層，可以包括：

采用磁控濺射鍍膜工藝，在所述n型摻雜的氮化鎵的表面上方以及所述介質(zhì)層4的表面上方沉積金屬鈦層；在所述金屬鈦層的上方沉積金屬鉑層；其中，所述金屬鈦層以及所述金屬鉑層形成所述歐姆接觸金屬層。

這樣，就在器件表面形成了一層歐姆接觸金屬層。采用非合金的金屬鈦和金屬鉑作為歐姆接觸金屬，能夠有效減小器件的歐姆接觸電阻。

步驟1045、對所述歐姆接觸金屬層位于所述介質(zhì)層4上方的區(qū)域上涂抹光刻膠。

步驟1046、在光刻膠的阻擋下對所述歐姆接觸金屬層進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕完后去除光刻膠，僅保留位于所述n型摻雜的氮化鎵層7上方的歐姆接觸金屬層。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中去除部分歐姆接觸金屬層后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，位于介質(zhì)層4上方的歐姆接觸金屬層被去除了，僅保留了位于n型摻雜的氮化鎵層7上方的歐姆接 觸金屬層。

其中，位于所述漏極接觸孔5上方的歐姆接觸金屬層形成漏極8，位于所述源極接觸孔6上方的歐姆接觸金屬層形成源極9。這樣，通過步驟,1044至步驟1046，器件的漏極8和源極9制作完成了。

進(jìn)一步的，在所述漏極接觸孔5中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成漏極8，在所述源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成源極9之后，所述方法還可以包括：在氮?dú)獾臈l件下，采用840℃的退火溫度進(jìn)行30s的退火工藝。退火后的所述歐姆接觸金屬層能夠形成良好的歐姆接觸。

進(jìn)一步的，在所述漏極接觸孔5中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成漏極8，在所述源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成源極9之后，還可以通過如下方法生成器件的柵極12：

首先，對所述介質(zhì)層4、所述氮化鎵鋁層3進(jìn)行刻蝕，形成柵極接觸孔10。圖7為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成柵極接觸孔10后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，在刻蝕所述柵極接觸孔10時(shí)，所述介質(zhì)層4被刻穿，所述氮化鎵鋁層3被部分刻蝕。

在形成柵極接觸孔10后，可以采用鹽酸清洗所述柵極接觸孔10，去除柵極接觸孔10內(nèi)的雜質(zhì)。

然后，在所述柵極接觸孔10中沉積一層氮化硅，形成柵介質(zhì)11。圖8為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成柵介質(zhì)11后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，所述柵介質(zhì)11的上表面低于所述介質(zhì)層4的上表面。

最后，在所述柵介質(zhì)11上形成柵極12。具體地，可以采用磁控濺射鍍膜工藝，在所述柵介質(zhì)11和所述介質(zhì)層4上沉積金屬鎳層，在所述金屬鎳層上沉積金屬金層；對所述金屬金層和金屬鎳層進(jìn)行光刻、刻蝕，僅保留部分金屬金層和金屬鎳層，從而形成柵極12。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例一提供的氮化鎵晶體管制造方法中形成柵極12后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，所述柵極12可以呈“t”字形。

本實(shí)施例提供的氮化鎵晶體管制造方法，通過在硅襯底1的表面上方形成未摻雜的氮化鎵層2，在所述未摻雜的氮化鎵層2的表面上方形成氮 化鎵鋁層3，在所述氮化鎵鋁層3的表面上方沉積一層氮化硅，形成介質(zhì)層4，對所述介質(zhì)層4、所述氮化鎵鋁層3和所述未摻雜的氮化鎵層2進(jìn)行刻蝕，形成漏極接觸孔5和源極接觸孔6，在所述漏極接觸孔5和源極接觸孔6中再生長出n型摻雜的氮化鎵層7，并在所述漏極接觸孔5中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成漏極8，在所述源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成源極9，在器件上電之后，由于未摻雜的氮化鎵層2與源極9之間、未摻雜的氮化鎵層2與漏極8之間存在n型摻雜的氮化鎵層7，能夠減小歐姆接觸電阻，增加器件電流，提高器件的整體性能。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例二提供一種氮化鎵晶體管。本實(shí)施例提供的氮化鎵晶體管的具體結(jié)構(gòu)可以參照圖9。如圖9所示，本實(shí)施例中的氮化鎵晶體管，可以包括：

硅襯底1、設(shè)置在所述硅襯底1上方的未摻雜的氮化鎵層2、設(shè)置在所述為摻雜的氮化鎵層上方的氮化鎵鋁層3以及設(shè)置在所述氮化鎵鋁層3上方的介質(zhì)層4；

所述介質(zhì)層4中開設(shè)有源極接觸孔6和漏極接觸孔5，所述源極接觸孔6和所述漏極接觸孔5均穿過所述氮化鎵鋁層3，且穿過部分所述未摻雜的氮化鎵層2；

所述漏極接觸孔5和源極接觸孔6中均形成有n型摻雜的氮化鎵層7，所述漏極接觸孔5中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成有漏極8，在所述源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成有源極9。

具體地，本實(shí)施例中的氮化鎵晶體管，可以采用實(shí)施例一所述的方法制造而成，其具體實(shí)現(xiàn)原理和制造流程與實(shí)施例一類似，此處不再贅述。

本實(shí)施例提供的氮化鎵晶體管，包括硅襯底1、設(shè)置在所述硅襯底1上方的未摻雜的氮化鎵層2、設(shè)置在所述為摻雜的氮化鎵層上方的氮化鎵鋁層3以及設(shè)置在所述氮化鎵鋁層3上方的介質(zhì)層4，所述介質(zhì)層4中開設(shè)有源極接觸孔6和漏極接觸孔5，所述源極接觸孔6和所述漏極接觸孔5均穿過所述氮化鎵鋁層3，且穿過部分所述未摻雜的氮化鎵層2，所述漏極接觸孔5和源極接觸孔6中均形成有n型摻雜的氮化鎵層7，所述漏極 接觸孔5中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成有漏極8，在所述源極接觸孔6中的n型摻雜的氮化鎵層7的上方形成有源極9，在器件上電之后，由于未摻雜的氮化鎵層2與源極9之間、未摻雜的氮化鎵層2與漏極8之間存在n型摻雜的氮化鎵層7，能夠減小歐姆接觸電阻，增加器件電流，提高器件的整體性能。

在上述實(shí)施例提供的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的是，所述氮化鎵晶體管，還可以包括：柵介質(zhì)11和柵極12；

介質(zhì)層4中開設(shè)有柵極接觸孔10，所述柵極接觸孔10中形成有所述柵介質(zhì)11；

所述柵介質(zhì)11上方形成有所述柵極12。

在上述實(shí)施例提供的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的是，所述源極9和漏極8均包括一層金屬鈦層和設(shè)置在所述金屬鈦層上方的金屬鉑層；

所述柵極12包括一層金屬鎳層和設(shè)置在所述金屬鎳層上方的金屬金層。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。